1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

Lecture Electrical Engineering: Lecture 17 - Dr. Nasim Zafar

38 36 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 38
Dung lượng 0,91 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

In this chapter, you will learn about: Microelectronic circuits, electronic devices, integrated electronics, electronic devices and circuit theory, introductory electronic devices and circuits.

Trang 1

COMSATS Institute of Information Technology

Virtual campusIslamabad

Trang 5

DC Analysis of Transistor Circuits

Trang 12

 

 

Trang 14

v Transistor Currents:  IE = IC + IB

v alpha ( DC):  IC =  DCIE

v beta ( DC):    IC =  DCIB

– DC typically has a value between 20 and 200

Trang 15

Examples and Exercises: 

Trang 17

Ø Step 1 – Assume an operating mode

Let’s assume the BJT is in the linear region !  Remember, this is just a guess; we have no way of  knowing for sure what mode the BJT is in at this point

Ø Step 2 ­ Enforce the conditions of the assumed mode

Ø Step 3 – ANALYZE the circuit

Ø Step 4 ­“Write KVL equations for the base­emitter “leg”

Trang 19

Transistor Characteristics and Parameters  

The Cutoff Region 

With no IB the transistor is in the  cutoff region and just as the name  implies there is practically no current flow in the collector part of the  circuit. With the transistor in a cutoff state the full VCC can be 

measured across the collector and emitter(VCE)

Trang 20

v Consider the circuit shown in Fig. 5.34(a), which is redrawn in Fig. 5.34(b) 

Trang 22

Example 5.4 ­ Figure 5.34

Trang 23

Solution ­ Example 5.4 

Trang 24

VRE  = VBB ­­  VBE

Trang 25

Ø Assuming that VBE is approximately 0.7 V, it follows that the emitter  voltage  will be: 

Ø Step 2:

Ø We know the voltages at the two ends of RE and thus can determine the  current IE through it,

Trang 26

v Step 3: 

v We can evaluate the collector current from:

Trang 27

Ø Step 4: We are now in a position to use Ohm’s law to 

determine the collector voltage :

Ø Since the base is at +4 V, the collector–base junction is reverse biased by 1.3 V, and the transistor is indeed in the active mode 

as assumed

Ø Step 5: It remains only to determine the base current IB, as 

follows:

Trang 28

Example 5.5

Trang 29

Example 5.5 ­ Figure 5.35

Trang 31

v Assuming active­mode operation, we have:

Trang 32

Ø Since the collector voltage calculated, appears to be less than the base voltage by 3.52 V, it follows that our original 

assumption of active­mode operation is incorrect. In fact, the transistor has to be in the saturation mode. Assuming this to 

be the case, we have:

Trang 33

Ø Also:

Trang 34

Some More Examples

Trang 35

Input Circuit: Forward Biased Junction B­E Voltage Loop:

VBB   = VRB   +  VBE      VBB =  I B R B  +  V BE   

Trang 37

Exercise

Ngày đăng: 12/02/2020, 23:30