1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

Lecture Electrical Engineering: Lecture 19 - Dr. Nasim Zafar

49 39 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 49
Dung lượng 0,99 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

The main contents of the chapter consist of the following: Base-biased (fixed bias) transistor circuits, voltage-divider-bias transistor circuits, examples and exercises.

Trang 1

Dr. Nasim Zafar Electronics 1 ­ EEE 231  Fall Semester – 2012

COMSATS Institute of Information Technology

Virtual campus Islamabad

Trang 4

NPN Transistor

IE = IC + IB

Trang 5

Transistor  Output Characteristics: 

 

Trang 6

Ø The requirement  is to set the Q­point such that that it does not go into the saturation or cutoff  regions when an a ac signal is applied. 

Ø Maximum signal swing depends on the bias voltage

Trang 7

IB

IE IC

Trang 8

c

R

V V

Trang 9

v s n

C

i

Trang 10

1.  Fixed­Biased Transistor Circuits. 

    Base­Biased (Fixed Bias) Transistor Circuit: 

     Single Power Supply

Trang 11

Circuit Characteristics ­ 1: 

Trang 12

V I

Trang 13

Base­Biased (Fixed Bias) Transistor  Circuit:

Q­point equations:

CC BE B

Trang 14

 VCE  = VCC ­ IC R

Trang 15

CC B

B

V I

Trang 16

Construct the DC Load line for circuit 19.1; shown in slide 12, and plot the Q­point from the values obtained in Example 19.1.  

CC C

C

V I

Trang 18

2.  Voltage­Divider­Bias Circuits.

Trang 20

point values are stable against 

changes in hFE.

Disadvantages: Requires more components than most other biasing circuits

Applications: Used primarily to bias linear amplifier

Trang 22

CC C

V I

Trang 23

E CQ

E

V I

Trang 24

V I

R

1.25mA

1 50+124.51μA

E B

FE

I I

Trang 25

A voltage­divider bias circuit has the following values: R1 = 1.5 kW, R2 = 680 

W, RC = 260 W, RE = 240 W and VCC = 10 V.  Assuming the transistor is a  2N3904, determine the value of IB for the circuit.

I I

h

+

Trang 26

C E

V I

Trang 33

Determination of IE

     VRE = IERE

Trang 37

In Review

 VRE = VBB – VBE

  IE   IC ≈

Trang 38

Ø Make the current in the voltage divider about 10 times IB, 

     to simplify the analysis. 

Ø For design, solve for the resistor values (IC and VC specified).

Trang 40

       I = VCC/(RB1 + RB2)     0.2mA = 9 /(RB1 + RB2)  

Trang 42

Find the operating point

The use of  Thevenin equivalent circuit for the base makes the circuit simpler

VBB = VB = 3V

• RBB = RB1|| RB2 = 30KΩ || 15KΩ = 10KΩ

Trang 46

C­E loopneglect IB2 because it is IB2 << IC1

Trang 48

2­stage amplifier, 1st stage has an npn transistor; 2nd stage has an pnp transistor

Trang 49

Example 19.7

• RBB1 = RB1||RB2 = 33K

• VBB1 = VCC[RB2/(RB1+RB2)]

  VBB1 = 15[50K/150K] = 5VStage 1

Ngày đăng: 12/02/2020, 16:58

TỪ KHÓA LIÊN QUAN