1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

Giải BT kỹ thuật xung chương 5

30 155 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 30
Dung lượng 2,25 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

Giả sử ngõ ra mức cao Vo=Vcc.

Trang 1

BÀI TẬP CHƯƠNG 55.1

a.

Tại t=0−¿, Q1off ,Q2sat¿điện áp tích trên C

V C¿ Áp dương hướng về cực CQ1

Tại t=0+¿,Q1sat ,Q2off¿và V B 2¿

Biến đổi Laplace:

+V CC ( S)

với τ =RC

Trang 2

Do tất cả đều là hàm nấc:

V B 2 ( S)= V CC

S −[V CCV CES+V CCV BES]. 1

S +1τ

V B 2 (t )=V CC−[2V CCV CESV BES] e

t τ

V B 2¿

V γ=V CC−[2 V CCV CESV BES] e

t τ

Trang 6

)(α V CC+V CC)

↔ α V CCV CC

α V CC+V CC=−e

t τ

Trang 7

Giả sử Vi = 0, V1 = 1, V2 = 1 làm V0 = 0:

Tại t=0+¿ ¿: kích 1 xung dương vào Vi, V1 = 0  V2 = 0 để giữ VC = 0 như ban đầu V2 =

0 làm V0 = 1 hồi tiếp V1 = 1 Lúc này C nạp từ VDD qua R và ngõ ra cổng 1 V2 tăng theo

(V DD−0)1

s

v2(t )=V DDV DD e

t τ

Trang 8

Tại t=0- : V2=VDD, V3=VT, Vo=0=> Vc(0-)=V3-Vo=VT

Trang 11

Khi Q2 off => VBE2 < Vϒ < VBES  VB2 <VBES

 R2 VCES – R1 VBB + R1.R2.Icbo < (R1+R2) VBESKhi Q sat

Ta có ICQ = IRC –I1

 IRC = Vcc−VCES

Rc và I1 =

VCES+VBB−Icbo R 2

R 1+ R 2

Trang 12

 Ic1 =Vcc−VCES Rc - VBB+VCES−Icbo R 2 R 1+ R 2 (1)

Ta có IB1 = I3-I4

 IB1 = Vcc−VBES−Icbo Rc Rc+R 1 - VBB−VBES R 2

Để Q1 sat => β IB1> IC1

Trang 13

Do R E ( β+1)=93 K ≫ R B=3 K nên Q2 bão hoà

b)V2=LTP:Q2 off

∝= R2

R1+R2=

66+ 2=0.75

R= R C 1(R1+R2)

R C 1+R1+R2=

4 (2+6)4+2+ 6=2.67 K

Trang 14

- Xét khi UTP: Q1 off Q2 on

Áp dụng định lý Thevenin tại cực B của Q2

Trang 15

R = [RC1(R1+R2)/(RC1+R1+R2)] = 6.5 kΩ

VB2 = [R2/(R1+R2)]VC1 = 0.2 VC1

Hệ quả (5.28) : V2 = VBE1 + [RE/(αR+RR+RE)](V’ - Vγ2)

=>RE = 0.306 kΩV’ – VBE2 = {[Rb + RE(β+1)]IC2}/β => 4.7 - 0.7 = [5.06x103 + 306(100+1)]/(10RC2) (β = 100)

Trang 16

5.11

Sơ đồ tương đương tính T:

Khi t = 0-, Q1 off Q2 sat:

Trang 18

Q2sat : IBB gấp đôi IB tối thiểu để duy trì Q2sat

Rc1 = Rc2, VCC = 12V, Ics = Ics2 = 2mA, T= 3ms

Khi Q1 off, Q2sat:

Ics2 = Vcc−VBES 2 Rc 2 = 2mA => Rc2 = 5.65 KΩ = Rc1

Để Q2sat: βIb => Ic  Ib > 2/50 = 0.04mA ( chọn β=50)

 Chọn Ibs = 0.1 mA

12−0.70.110−3 = 113 KΩ (5.43)

Trang 19

Khi t=0: Q1 off, Q2 satMạch tương đương

 Vc(0-)= Vcc – VbesKhi t=0+ Q1 sat, Q2 offMạch tương đương

Ta có Vb2(T1-) = Vϒ

Trang 23

Tại t= 0 + : xung kích âm làm V i−¿<0 → ∆ Vi>0 ,V 0 =V CC¿

b) Để giảm thời gian xả tụ người ta gắn Diode vào (D//R)

Khi Vo=+V CC , kết thúc thời gian mono T, Vi + đột biến -2V CC làm D on, khi đó tải sẽ là R f //R = R f (R f

Trang 24

Th1: tại t= 0- mạch ổn định Vi+ = V, Vi- = R 2

R 1+R 2Vcc=αR+RVcc => ▲V< 0 => Vo = Vcc

Vc(0-) = V+Vcc

Sau đó C nạp theo thời hằng τ= RC, vì giảm theo τ

Tại t= T-: Vi+(T-)= αR+RVcc => ▲Vi < 0 => ngõ ra đảo trạng thái khi đó thời đoạn T:

 Taij t=0+: xung kích âm ▲Vi>0 => Vo=Vcc=> không đảo trạng thái

=> vậy không có trường hợp V> αR+RVcc

 Mạch hoạt đọng không đúng tính chất đa hài

5.18

Mạch như sau

Trang 25

+ C nạp từ Vo qua R, Vi- tăng theo thời hằng RC

Tại t= T1-: Vi-(T1-) = αR+R Vcc + βV làm ▲Vi<0, Vo= -Vcc, Vi+= -( αR+R Vcc + βV)

Chọn gốc thời gian tại đầu T1 Ta có: Vc(0-) = -( αR+R Vcc + βV), Vo(0+)= Vcc

Ta có: Vo¿ ¿ = Vi−¿ ¿

 T1= τ ln((1+α )Vcc + β V

(1−α )Vcc−β V)+ C xả qua R vào ngõ tra OPAMP về GND, Vi- giảm theo τ =RC mạch tương đương như hình 1 Chọn gốc thời gian đầu T2 Ta có

Vc(0-)= αR+RVcc và Vo(0+) = -Vcc, cực tính nguồn Vc(0-) và Vo(0+) ngược chiều hình 1

Trang 28

Giả sử ngõ ra mức cao V0 = Vcc  FF {Q=1 Q=0´  Q0 OFF

C nạp từ nguồn Vcc qua R1, R2 theoτ1=(R1+R2)C

Sau thời gian T1: VC đạt đến 25(V CC+V ) làm ngõ ra CMP1 = 1, CMP2 = 0

 R = 1, S = 0, FF lật trạng thái {Q=0 Q=1´  Q0 ON

Trang 29

C xả qua R2 vào chân 7 qua Q0 xuống GND: τ2=R2C

Sau thời gian T2: VC đạt đến 15(V CC+V ) làm ngõ ra CMP2 = 1, CMP1 = 0

Trang 30

Giả sử ngõ ra mức cao Vo=Vcc

Ngày đăng: 14/03/2019, 10:08

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w