Giải BT kỹ thuật xung chương 3

Chương 3 3.2)

Giả sử Vo>Vγ1, Vo>Vγ2

=>

a)R=10K

=> I1=0.0125(A), I2=-0.0025(A)

b)R=1K

=> I1=0.057(A), I2=0.042(A)

3.3

a) Vi = VR +Vz

Vz = 50V -> VR =200 – 50 = 150V

Ii = Iz + IL nên khi Iz max thì IL min và ngược lại Khi Iz = 40mA -> IL =0 -> Ii =40mA

R = 150V/40mA = 3750 Ohm

Imax = Ii – Iz min = 40mA - 5mA = 35mA

b) IL = 25mA, Iz = 5-40mA

-> Ii = 30 - 65mA

-> VR = 82.5 - 178.75 V

-> giới hạn tầm của Vi là 132.5 – 228.75 V

3.4)

R=100K

a)

b)

- Khi

- Khi

c)

 



d)

Nếu kể đến điện dung tiếp giáp Cd trên 2 đầu diode ta phải giải bt quá độ

+ t = 0- Vi = -12 D off

Vo = R/(R+Rr) Vi = 105/(105+103) (-12) = -1.1

Vd(0-) = Vi –V0 = -10.9 V

+ 0 < t < T1 < tp = 1ms: D vẫn off do Vod(0-) = -10.9

Cd đảo chiều điện tích cho đến khi tai thời điểm T1

Vod(T2) = V γ + 0.5 => D on

Vo = Vi – [vc(t)]

= Vi + 10.9 = 1.09 + 21.8

Gọi t= T1- , Vcd = Vγ = 0.5V => Vo = 12-0.5=11.5

11.5 = 1.09+ 21.8 => T1= 0.67ns

+ T1< t < tp = 1µs : Vi=12 V, Vcs(T1-)= 0.5V D on

Vo = Vi + + Vcd(T2)

Với τ1 = (R7 // R).Cd = ( 1K // 100K) 10pF = 9,9 10-5 µs Vo(t) = 12 – [0.619 – 0.119 ]

Vo(1µs-) = 12- 0.619 = 11.581

+Tp < t<T2 : Vi=-12

Vo = Vi-[-0.119 (1- ) + 0.5 (1- ) + 0.5]

= -12 –[0.381 + 0.238

= -12.381 – 0.238

Tại t= T2: Vcd(i2-) = 0.5V

Vo = -12 - 0.5 = -12.381 – 0.238

T2 = 1.007µs

+ T1< t

Vi= - 12 D off Vcd( T2- )=0.5V

Vo(t) = -12 –[ -10.9(1-) + 0.5)

Vo(t)= -1.1 – 11.4 (V µs)

Vo(2µs)= -4.93

Vo(3µs)= -2.375

a)

b)

3.6

a) giá trị phân cực để Qsat

xung tích cực mức cao V1 = VOH = 3V, I1 = IOH = 0.4mA bán dẫn Si {VCES = 0.3V, VBES = 0.7V, VBEOFF = 0}

IC = (VCC - VCES)/RC = (12 – 0.3)/RC = 10Ma

->RC =1170 Ohm

I1= (V1 – VBES)/R1 = (3 – 0.7)/R1 = 0.4Ma

->R1 = 5750

Dùng CT (vd3.4.5)

V1 = [(VCC - VCES)/(RCβ) + (VBES + VBB)/R2]R1 +VBES

->R2 >2333.3

->R2 =2400

b) biên độ mức thấp V2 = VOL = 0.4V, I2 = IOL = 4mA

dung CT (vd 3.4.6)

VT = (R2V2 – R1VBB)/(R1+R2) = (2400X0.4)/(5750 + 2400) = 0.118

RB = (R1R2)/(R1+R2) = 1693

Điều kiện tắt: ICBORB – VT = VBEOFF <0

->ICBO < VT/RB = 0.07mA

ICBO tăng 2 lần khi nhiệt độ tăng 10 độ C

ICBO = 100nA khi T=25 độ C

ICBO = 0.0515mA khi T=115 độ C

ICBO = 0.102mA khi T=125 độ C

Để thỏa điều kiện , chọn ICBO = 0.0515

->nhiệt độ cực đại mạch hoạt động đúng là 115 độ C

c) IC = 50mA , β= 100

I2 = VBES/R2 = 0.7/2400 = 0.3mA

->IB = 0.1mA

->IC = 50Ma > ΒIB = 10Ma

->Q không còn bão hòa

->mạch hoạt động sai -> tăng trở RC để giảm dòng Ic cho phù hợp

3.7

a

=0

Va = Vt = =0

để off: Vt + Icbo.Rb < Vbe off (1)

mà Rb = (R1+R2) // R2 =

Vz <

b tương tự câu a và Vi=0

 Vt = ; Rb=

Ib= =

Ic = = => Rc = = 123

Qsat => Ic = Ib.β => Ib = =

10-3 =

Chọn Rb = 1/10 beta Rc = 1230

Vt = 11.47

Do rz << R1 , R2 => bỏ rz

Vt = = 11.47

Rb = = 1230

mà Vz=0 (do Vi=0 , zener off)

 R1= 27853

R2=1287

3.8

β = 100, Ies = 20mA, Vcc = 12

Vces = 0.3

Vγ = 0.5

Vbes = 0.7

β = 100 => α= 1 => Ic = Ie = 20mA

β = Ic/ Ib => Ib = 0.2mA

Vi = Rb Ib + Vbes + Re Ie (1)

5 = Rb 0.2.10-3 + 0.7 + Re 20 10-3

Vcc = Ic Rc +Vces + Ie Re (2)

Rb = 1/10 β Re (3)

(1) (2) (3) => Rb = 1955, Re = 195.5, Rc= 389.5