1. Trang chủ
  2. » Giáo án - Bài giảng

các loại mạch phân cực cho BJT

41 1,5K 3

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 41
Dung lượng 1,39 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

4.1 GIỚI THIỆU ĐIỂM LÀM VIỆC Q:Mạch phân cực cho transistor là mạch cung cấp năng lượng một chiều DC cho transistor cho lớp chuyển tiếp JE và JC phân cực để xác định trạng thái làm viêc

Trang 1

PHÂN CỰC CHO TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT

(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)

ĐIỆN TỬ CƠ BẢN

Trang 2

4.1 GIỚI THIỆU ĐIỂM LÀM VIỆC Q:

Mạch phân cực cho transistor là mạch cung cấp năng lượng một chiều DC cho transistor (cho lớp chuyển tiếp JE và JC

phân cực) để xác định trạng thái làm viêc của BJT.Để thiết kế một mạch điều khiển hay một mạch khuếch đại, ta phải thiết

kế mạch phân cực chế độ tĩnh DC và chỉ khi BJT được phân cực ở một trong các chế độ xác định như chế độ ngắt , chế độ dẫn hoạc chế độ bão hòa, lúc đó mạch mới có thể hoàn thành chức năng tiếp theo là khuếch đại tín hiệu xoay chiều.

Đối với BJT, ta phải xác định vị trí tĩnh điểm Q trên họ đặng tuyến ngõ ra

Giả sử đặc tuyến ngõ ra IC=f(VCE)|IB=const của mạch mắc EC

Trang 3

Khi mạch được phân cực ở

Qo:JE phân cực thuận, JC

phân cực ngược, BJT phân

cực ở chế độ dẫn

I Bmin ≤ I BQ ≤ I Cmax

I CEO ≤ IBQ ≤ I Cmax

V CEsat ≤ V CEQ ≤ V CEmax

I CQ2 = I Cmax

V CEQ2 =V CEsat = 0.2V≈0

P CEQ2 = I Cmax V CEsat≈0

Khi mạch được phân cực ở Q1:JE phân cực nghịch, JC phân cực nghịch, mạch điện

Trang 4

Chế độ phân cực DC của BJT thường bị phụ thuộc vào:

•Nhiệt độ tác động lên mạch

•Nhiệt độ môi trường.

•Nhiệt độ tích lũy trong linh kiện bán dẫn khi hoạt dộng

trong thời gian dài.

 Cần phải thiết kế có sự ổn định nhiệt độ, để khi có sự

thay đổi nhiệt độ thì sự thay đổi của điểm làm việc là nhỏ nhất, sự ổn định điểm làm việc được chỉ định bởi hệ số ổn định S.

Trang 5

Dòng rỉ:

Trong đó là độ biến thiên nhiệt độ làm dòng điện bão

1

1 2

T

T

T T

VBE   ( 2  2 , 5 ) /o

Hệ số truyền đạt dòng điện:

Trang 6

Điểm làm việc của điện tích Q khi nhiệt độ thay đổi:

Tiêu chuẩn đánh giá sự bất ổn của mạch theo nhiệt độ là S, các hệ số bất ổn định là:

V

I V

Trang 7

B B

Trang 8

( 1)

B

E CBO

B E

R R

S I

R R

Trang 9

1 1

R

) 1 (

1    

E

BR

Trang 10

E B

BE

R R

V

S

) 1 (

1 )

E B E

R I

R S

R R

Từ công thức trên, ta thấy các hệ số bất ổn định nhiệt

Trang 11

Tóm lại sự thay đổi của dòng IC theo các thông số của Transistor khi nhiệt độ thay đổi là:

Để mạch ổn định thường chọn:

Tóm lại, khi nhiệt độ tăng cao, điểm Q bị dịch chuyển tại các vị trí Q0, Q1, Q2 do đó có thể đánh giá sự thay đổi đó qua công thức bất ổn định:

Lý tưởng nhất khi S = 1 mạch ổn định nhất Để tính toán S ta xét mạch khuếch đại được phân cực sử dụng BJT loại NPN (Si).

S

Trang 13

VBB = IBRBB +VBE + IERE

IC = IE + ICEO

CEO

C C

E

B E

B E

BE BB

R R

R R

R R

V

V I

) 1

( )

1 (

Trang 14

Ta thay vi phân 2 vế ta được

) 1

B E

CBO

C

R R

R R

BB E

R R

R

R S

) 1 (

) 1 (

Thường để mạch ổn định ta thường chọn

Ta nhận được

Trang 16

Theo khung mạch vòng kín VCC, RB, VBE ta có phương trình phân cực như sau:

BE B

BE CC

BQ

R

V R

V V

, 0 2 , 0

) ( 7

, 0 6 , 0

Ge V

Si V

Trang 17

Phương trình đường tải tĩnh => V CEQV CCI CQ R C

Điểm Q được xác định trên đồ thị đặc tuyến ngõ ra hình trên Q(ICQ;VCQ) là giao điểm của đặc tuyến phi tuyến của BJT và đường tải tĩnh DCLL (Direct current load line).

Phân tích mạch phân cực của BJT là xác định trạng thái làm việc của mạch điện tử, là

vị trí của tĩnh điểm Q trên đồ thị họ đặc tuyến ngõ ra.

Trang 18

Nếu vị trí điểm Q tại điểm Q2(ICQ2;VCEQ2), lúc này PQ2=ICQ2.VCEQ2 ≠ 0 Mạch đang được phân cực ở trạng thái dẫn khuếch đại.

Nếu vị trí điểm Q tại điểm Q3(ICQ3; VCEQ3), lúc này ICQ3=ICmax; VCEQ3= VCEsat≈ 0,1V

Do đó PQ3= ICQ3.VCEQ3 ≈ 0 Ta có thể xác định nhanh các mức giá trị trong vùng bão hòa như sau: Do dòng điện bão hòa ICsat tương đối cao còn điện áp VCE xem như bằng 0V Áp dụng định luật Ohm để tính điện trở mối nối CE:

CE CE

I

V I

V R

Trang 19

Đối với mạch phân cực cố định khi transistor ở chế độ bảo hòa thì sơ

đồ mạch như hình dưới, điện áp rơi trên RC chính bằng Vcc và dòng điện

IC bão hòa có giá trị:

C

CC Csat

Trang 20

4.3.2 Mạch phân cực định dòng IB có điện trở RE (RE khác 0):

Mạch phân cực BJT có thêm điện trở cực E

Trang 21

Xét khung mạch vòng kín VCC, VBE, RE khung (1) ta có:

E E BE

B B

B B

Trang 23

Xét khung (2) ta có phương trình đường tải tĩnh DCLL:V CCI E R EV CEI C R C

Thay thế IE IC và suy ra điện áp VCE: V CEQV CCI CQ ( R CR ) E

Điện áp tại cực Emitter VE: V EI E R EV RE

Điện áp tại cực Collector VC: V CV CEV E Hay V CV CCI C R C

Điện áp tại cực Base VB:

B B CC

B V I R

Trang 24

) 1 (

) 1 (

B E

E

B E

R R

R R

R

R

R S

Trang 25

4.3.3.Mạch phân cực cầu phân áp:

Trang 26

B B

B CC

TH

R R

R V

V

Trang 28

Theo mạch vòng (1), dòng điện IB có thể xác định bằng định như sau:

Trang 29

B1 B 2

R V V

E

E E

Điểm tĩnh Q không phụ thuộc vào hệ số 

Trang 30

4.3.4.Mạch phân cực hồi tiếp từ Collector:

Trang 31

E E BE

B B C

E E

RB mắc hồi tiếp có tác dụng ổn định và bảo vệ mạch

Khi IC trên tải tăng do nhiệt độ tăng hoặc do chập mạch trên tải Chuyển tiếp JC đang phân cực nghịch bị đánh thủng làm hỏng BJT RB mắc hồi tiếp để bảo vệ BJT giảm sự thay đổi trên tải tự động ổn định mạch

Điện trở hồi tiếp RB nhằm ổn định mạch theo phương trình phân cực nhưsau:

Theo khung mạch vòng (2) ta có:

Trang 32

4.4.4.Phân tích đường tải một chiều DCLL:

Trang 33

Đường tải DCLL

Mối liên hệ giữa 2 biến IC và VCE ;

C C CC

Trang 34

Khi giá trị điện trở RB thay đổi dẫn tới dòng điện IB thay đổi theo, kếtquả là điểm tĩnh Q sẽ di chuyển lên hoặc di chuyển xuống như hình a.Nếu điện áp VCC và IB giữ cố định và điện trở RC thay đổi thì đường tải

sẽ dịch chuyển như hình b

a) Điểm Q thay đổi theo dòng I B b) Sự thay đổi R C .

Trang 35

Nếu RC cố định và VCC thay đổi thì đường tải dịch chuyển như hình:

Đường tải một chiều DCLL hợp với trục VCE một góc α, khi đó ta có:

C

1 tg

R

1 tg

( R R )

HayNhư vậy tùy theo yêu cầu thiết kế và giá trị VCC ta có các đường tảiDCLL khác nhau

Trang 36

4.5 THIẾT KẾ MẠCH PHÂN CỰC:

4.5.1.Thiết kế mạch kiểu định dòng:

Ví dụ 4.8:Cho đặc tính của transistor hãy xác định Vcc, R B và R C của mạch

Trang 37

Ví dụ 4.9:Cấu hình mạch phân cực hình vẽ có các thông số cho trước

I CQ = ½ I CSat , I CSat = 8mA và = 110 Hãy xác định R C , R E và R B

Trang 38

4.5.2 Thiết kế mạch kiểu cầu phân áp:

Ví dụ 4.10: Cho I CQ = 2mA và V CEQ = 10V , hãy xác định R 1 và R C của mạch điện như hình vẽ.

Trang 39

4.5.2.Thiết kế mạch phân cực với điện trở ổn định cực E (RE):

Ví dụ 4.11: Hãy xác định các giá trị điện trở của mạch điện hình vẽ với

điểm làm việc và điện áp nguồn cung cấp cho trong mạch cho trước.

Trang 40

4.5.3.Thiết kế mạch phân cực phân áp với điện trở RE

Ví dụ 4.12: Hãy xác định các giá trị điện trở của mạch điện hình vẽ với

điểm làm việc và điện áp nguồn cung cấp cho trong mạch khi biết V CC và

I C = 10mA.

Ngày đăng: 08/06/2017, 21:25

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Đồ thị đường tải một chiều (DCLL) của mạch được biễu diễn trên cùng  các đường đặc tuyến ngõ ra của transistor như hình vẽ. - các loại mạch phân cực cho BJT
th ị đường tải một chiều (DCLL) của mạch được biễu diễn trên cùng các đường đặc tuyến ngõ ra của transistor như hình vẽ (Trang 33)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w