Không điều khiển được 3 Để phân cực cho transistor lưỡng cực BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại thì a.. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch b.. Mối nối B-E phải được phân cực thu
Trang 1TT Câu hỏi và đáp án Đáp án
1 Transistor lưỡng cực (BJT) không có đặc điểm sau
a gồm hai chuyển tiếp p-n
b Có ba điện cực
c Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ
d Gồm một chuyển tiếp p-n
2 Transistor lưỡng cực (BJT) là transistor có dòng ra
a Được điều khiển bằng áp vào
b Được điều khiển bằng dòng vào
c Được điều khiển bằng điện trường ngoài
d Không điều khiển được
3 Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
a Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch
d Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận
4 Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ tắt thì
a Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch
d Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận
5 Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ bão hòa thì
a Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch
d Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận
6 Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
a.
b.
c.
d.
7 Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ tắt thì
a.
b.
c.
d.
8 Dòng ICBO là dòng rỉ
a Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c Của mối nối BE khi cực C hở mạch
d Của transistor
B
I =β
0
=
CE V
0
=
C I B
I ≤β
B
I =β
0
=
CE V
0
=
C I B
I ≤β
Trang 29 Dòng ICEO là dòng rỉ
a Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c Của mối nối BE khi cực C hở mạch
d Của transistor
10 Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng
a Qua các chuyển tiếp p-n
b Qua kênh dẫn
c Qua bán dẫn
d Qua hai chuyển tiếp p-n
11 Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải
a Đa số
b Thiểu số
c Đa số và thiểu số
d Electron
12 Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì
a Dòng điện chạy trong transistor bị thay đổi
b Dòng điện chạy trong transistor không bị thay đổi
c Dòng điện chạy trong transistor tăng khi nhiệt độ tăng
d Dòng điện chạy trong transistor giảm khi nhiệt độ tăng
13 Hình bên là cách mắc transistor
a Theo kiểu CE
b Theo kiểu CB
c Theo kiểu CC
d A, b v à c đều đúng
14 Để transistor lưỡng cực hoạt động có
a 1 cách mắc
b 2 cách mắc
c 3 cách mắc
d 4 cách mắc
15 Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là
Trang 3a Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CE
b Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CE
c Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CB
d Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CB
16 Đường đặc tuyến vơn –ampe bên là
a Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
npn mắc CE
b Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
pnp mắc CE
c Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
npn mắc CB
d Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
pnp mắc CB
17 Cấu trúc của JFET khơng cĩ đặc điểm sau
a Cĩ 3 điện cực
b Cĩ một kênh dẫn
c Cĩ một chuyển tiếp p-n
d Cĩ hai chuyển tiếp p-n
18 Transistor trường (FET) là transistor cĩ dịng ra
a Được điều khiển bằng áp vào
b Được điều khiển bằng dịng vào
c Được điều khiển bằng ánh sáng
d Khơng điều khiển được
19 JFET kênh n cĩ đặc điểm
a Điện trở kênh dẫn thay đổi khi điện áp VGS thay đổi
b Điện trở kênh dẫn tăng khi điện áp VGS càng âm
c Điện trở kênh dẫn giảm khi điện áp VGS càng âm
d Điện trở kênh dẫn khơng thay đổi khi điện áp VGS thay đổi
20 JFET kênh p hoạt động khi
a VGS ≥ 0 và VDS > 0
b VGS ≤ 0 và VDS < 0
c VGS ≥ 0 và VDS < 0
0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V)
1 0
3 0
5 0
7 0
9 0
10 0
IB (µA) V
CE = 1V
VCE = 10V
VCE = 20V
0 (b)
V
CE (V )
IC (mA)
0
1
5
2
0
Vùng ngưng dẫn
I
CE O
(a)
V
CE (BH)
0 1 2 3 4 5
6 Vùng bão hòa 7
IB = 0
µA
IB = 10
µA
IB = 20
µA
IB = 30
µA
IB = 40
µA
IB = 50
µA
IB = 60
µA
IB = 70
µA
IB = 80
µA
Vùng tích cực
Trang 4d VGS ≤ 0 và VDS > 0
a B, C, E
b D, S, G
c D, S, G, Sub
d D, S, B
22 Dòng điện chạy trong FET chủ yếu là dòng của
a Hạt tải đa số
b Hạt tải thiểu số
c Electron
d Hole
23 Transistor trường có đặc điểm sau
a Dòng vào bằng 0
b Dòng vào khác 0
c Quan hệ giữa dòng ra
và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo phương trình Shockley
d Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo phương trình
a. Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2
b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n
c. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S
d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm
a. Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2
b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n
c. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S
d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm
26 Công thức nào sau đây biểu diễn quan hệ giữa ngõ ra với ngõ vào của
D_MOSFET
a.
b.
c.
d.
27 Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của BJT
a ICmax
b VCEmax
c PCmax
d ICEO
28 Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của FET
2
1
−
=
p
GS DSS
D
V
V I
I
B
I =β
2
1
−
=
p
GS DSS
D
V
V I
I
B
I =β
th GS
2
1
−
=
p DSS
D
V
V I
Trang 5a. IDmax
b. VDSmax
c. PCmax
d. PDmax
29 Dịng điện chạy trong transistor trường là dịng
a Qua các chuyển tiếp p-n
b Qua kênh dẫn
c Qua bán dẫn
d Qua hai chuyển tiếp p-n