ngõ vào VBE Đặc tuyế − Ta thấy cũng có 3 vùng hoạt động của transistor: vùng b vùng ngưng.. − Khi nối tắt VBE tức IB=0 dòng điện cực thu xấp xĩ dòng ặc tuyến ngõ vào và đặc tuyến ngõ ra.
Trang 1ảo hoà, vùng tác động và
điện rĩ ICEO
Đặc tuyến truyền: (Transfer characteristic curve)
transistor
ngõ vào VBE
Đặc tuyế
− Ta thấy cũng có 3 vùng hoạt động của transistor: vùng b
vùng ngưng
− Khi nối tắt VBE (tức IB=0) dòng điện cực thu xấp xĩ dòng
ặc tuyến ngõ vào và đặc tuyến ngõ ra Ta có thể suy ra
Đặc tuyến truyền biểu diễn sự thay đổi của dòng điện ngõ ra IC theo điện thế với điện thế ngõ ra VCE làm thông số
n có dạng như sau:
1 2 3 4 5 6
I = 0 µA
20 µA
B
40 µA
60 µA
80 µA
100 µA
120 µA
VCE (V) Vùng ngưng
Hình 15
ICEO
Trang 2I C (mA)
0
V BE (V)
VCE =10(V)
I CES = I CBO
.1 2 3 4 5
tác động
Vùng bảo hoà
VBE(sat) cut-in
Hình 16
Đối với transistor Si, vùng hoạt động có VBE nằm trong khoảng 0,5-0,8V Trong vùng này, đặc tuyến truyền có dạng hàm mũ Ở vùng bão hoà, dòng I tăng nhanh khi
xấp x ICBO
y cả trong vùng t động, khi VBE thay đổi một lư ỏ (từ dòng IB thạy đổi) thì dòng IC thay đổi một lượng khá lớn Vì thế, trong các ứng dụng, người ta dùng điện thế cực nền VB điện thế đi ển và cực B còn gọi là cực khi
3 nh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT
hư ta đã thấy, các tính chất điện của chất bán dẫn đều thay đổi theo nhiệt độ Do
đó, các đặc tuyến của BJT đều thay đổi khi nhiệt độ thay đổi
− Khi nhiệt độ tăng, các dòng ủa cực thu (ICBO,Iceo, ICES) đều tăng
− Khi nhiệt độ tăng, các độ lợi điện thế αDC, βDC cũng tăng
− Khi nhiệt độ tăng, điện thế phân cực thuận (điện thế ngưỡng) nối nền phát VBE
n rỉ ICBO tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng 8 C trong transistor Si
C
hay đổi Ở vùng ngưng, khi VBE còn nhỏ, dòng rỉ qua transistor ICES rất nhỏ, thườ ĩ
ợng nh
Ả
N
điện rỉ c
giảm Thông thường, VBE giảm 2,2mV khi nhiệt độ tăng 10C
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
=
− 8 25 t 0 CBO
0 CBO ( t C
Tác động của nhiệt độ ảnh h ởng quan trọng đến điểm điều hành của transistor Nó
là nguyên nhân làm cho thông số của transistor thay đổi và kết quả là tín hiệu có thể bị biến
ư dạng
Trang 72 Biên soạn: Trương Văn Tám
Trang 3VII ĐIỂM ĐIỀU HÀNH – ĐƯỜNG THẲNG ĐIỆN
a xem mạch dùng transistor BJT NPN trong mô hình cực nề hư sau:
ể xác ỉnh điều hành Q và đường thẳng lấy điện m u, người ta thường dùng 3 bước:
I C (mA)
50 0 C
25 0 C
250µA
IB (µA)
50 0 C
25 0 C (2,2mV/ C)
200µA 150µA 100µA
0
LẤY
T CHI
VBE (mV)
0
IB =0µA 50µA
0
V BE (mV)
0
IC (mA)
645 700
50 C 0
250C (2,2mV/ 0 C)
10
V CE =15V
Hình 17
+
+
Vào Ra
Hình 18
Trang 41 Mạch ngõ vào:
Ta có: VBE + REIE - VEE = 0
E
BE EE E
R
V V
=
⇒ Chú ý là VBE = 0,7V với BJT là Si và VBE = 0,3V nếu BJT là Ge
2 Từ công thức IC αDCIE ≅ IE
uy ra dòng điện cực thu IC
Mạch ngõ ra:
a c VCB - VCC + RCIC = 0
= S
3
T ó:
C
CC C
CB
C =
R
V R
V
ây là phương trình đường thẳng lấy điện một chiều (đường thẳng lấy điện tỉnh) Trên ặc tuyến ra, giao điểm của đường thẳng lấy điện IE tương ứng (thông số) của đặc t
Ta chú ý rằng:
− Khi VCB = 0
⇒
Đ
uyến r chính là đa iểm tỉnh điều hành Q
C CC V SH C
R I
− Khi IC = 0 (dòng ngưng), ta có: VCB = VCC = VOC
ột ận xét:
Để th ảnh hưởng tương đối của RC,VCC, IE n điểm điều hành, ta xem ví dụ sau đây:
VCB(Volt) 0
IC (mA)
IE = 6mA
I E = 5mA
I E = 4mA
IE = 3mA
IE = 2mA
I E = 1mA 0mA Q
VCBQ
C
CC SH
R
V
VCB=VCC=VOC Hình 19
M số nh
Trang 74 Biên soạn: Trương Văn Tám
Trang 51 Ảnh hưởng của điện trở cực thu RC: RC = 1,5KΩ; 2KΩ; 3 KΩ
a có:
EE
C E
BE EE
1 , 0
7 , 1 1 R
V V
T
C
CC C
CB C
R
V R
V
* Khi RC = 2 KΩ,
mA 6 V 2
12 2
VC
ổi
* Khi RC = 1,5 KΩ (RC giảm), giữ RE, VEE, VCC không đ
IE = 3mA
I C
RE = 100Ω
Hình 20
RC
V CB (Volt) 0
I C (mA)
I E = 3mA
IC # IE # 3mA
VCB = VCC - RC.IC = 12 - 1,5x3 =7,5V
mA 8 5 , 1
12 R
V I
C
CC
Q
2 4 6 8 10 12
Hình 21
6
5
4
3
2
OC