Ảnh hưởng của nguồn phân cực nối thu nền CC.. ếu giữ IE là hằng số tức V và RE là hằng số C là hằng s y đổ CC, ta thấ : K VCC tăng thì VCB tăng, khi VCC giảm thì VCB giảm.. Ảnh hưởng của
Trang 1IC # IE =3mA VC
* Khi RC = 3 KΩ (RC tăng)
B = VCC - RC.IC = 12 - 3x3 = 3V
mA 4 3
12 R
V I
C
CC
Ảnh hưởng của nguồn phân cực nối thu nền CC
ếu giữ IE là hằng số (tức V và RE là hằng số C là hằng s y đổ CC,
ta thấ : K VCC tăng thì VCB tăng, khi VCC giảm thì VCB giảm
Như vậy, khi giữ các nguồn phân cực VCC, VEE và RE cố định, thay đổi RC, điểm điều hành Q sẽ chạy trên đặc tuyến tương ứng với IE = 3mA Khi RC tăng thì VCB giảm và ngược lại
y hi
VCB(Volt) 0
IC (mA)
IE = 3mA Q
2 4 6 8 10 12
VOC
Hình 22
8
4
3
2
1
7,5V
7
6
5
VCB(Volt) 0
IC (mA)
IE = 3mA Q
2 4 6 8 10 12
VOC
Hình 23
4
3
2
1
Trang 2Thí dụ:
3 Ảnh hưởng của IE lên điểm đ u hành:
N giữ RC và VCC cố đị hay đổi IE (tức th i RE hoặc VEE) ta thấy: khi IE
tăng thì VCB giảm (tức IC tăng), khi IC giảm thì VCB tăng (tức IC giảm)
V
iề
Khi I tăng thì I tăng th n đến trị I
oà Dòng tối đa của IC, tức dòng bảo hoà
C C
R
CC SH
V I
)
t = =
sa
(
I
Lúc này, VCB giảm rất nhỏ và xấp xĩ bằng 0V (th ự là 0,2V)
hi IE giảm thì IC giảm theo Transistor đi dần vào vùng ngưng, VCB lúc đó gọi là VCB(off)
và IC = ICBO
ật s K
EE = 1V
VCC: 10V 12V 14V
+
R E = 100Ω R C = 2KΩ
I C
IC (mA)
7
6
5
4
3
2
1
2 4 6 8 10 12 14
0
I E =3 (mA)
V CB
Hình 24
Q1
Q1
Q 2
VCC = 14V
V CC = 12V
VCC = 10V
Hình 25
I C (mA)
7
6
5
3
2
1
2 4 6 8 10 12 14
4
0
IE =3 (mA)
V CB
Q3 Q
C
CC SH ) sat ( C
R
V I
IE =2 (mA)
I E =1 (mA)
IE =4 (mA)
I E =5 (mA)
I E =6 (mA)
Q 1
Giảm
Q4
ICBO
Trang 77 Biên soạn: Trương Văn Tám
Trang 3Như vậy, VCB(off) = VOC = VCC
Vùng bảo hoà và vùng ngưng là vùng hoạt động không tuyến tính của BJT
ối với mạch cực phát chung, ta cũng có thể khảo sát tương tự
VIII KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT
ua khảo sát ở phần trước, người ta có thể dùng kiểu mẫu gần đúng sau đây của
transistor trong mạch điện một chiều:
mạc n với chú ý là điện thế thềm VBE khi phân cực thuận là 0,3V đối với Ge và 0,7V đối với Si
hí dụ 1: tính IE, IC và VCB của mạch c ư sau:
Đ
Q
E C
B
αDCIE
IE IC=α DC IE≈I E
E C
B
Tr
≈ ansistor NPN
E C
B
DC E
E C
α I
I E I C =α DC I E ≈I E
≈
B
Transistor PNP
Tuy nhiên, khi tính các thành phần dòng điện và điện thế một chiều của transistor,
người ta thường tính trực tiếp trên
Hình 26
h điệ
ực nền chung nh T
Trang 4Si
IC
IE
Si
R
IC
+
-Hình 27
Ta dùng 3 bước:
Mạch nền phát (ngõ vào):
E
EE E
R
7 , 0 V
= ; IC # αDC # IE
Áp dụng định luật kir ra
− Với transist
choff (ngõ ), ta có:
or NPN: VCB = VCC - RC.IC; VC 0
− Với transistor PNP: VCB = -VC RC.IC; VCB <0
hí dụ 2: Tính dòng điện IB, IC và điện thế VCE của mạch cực phát chung
B >
C +
+
+
Mạch nền phát (ngõ vào):
B
BB B
7 , 0 V
I = −
R Dòng IC = βDC IB
Mạch thu phát (ngõ ra)
Hình 28
0,7V +
V
I C
I B
CE -+
+
V CE
IC
IB
0,7V
-+
Trang 79 Biên soạn: Trương Văn Tám
Trang 5− Với transistor NPN: VCE = VCC -RC IC >0
hính là phương trình đường thẳng lấy điện tỉnh trong mạch cực phát chung
1 Mô hình của BJT:
a xem lại mạch cực nền chung, bây giờ nếu ta đưa vào BJT một nguồn xoay chiều
VS(t) có biên
ây là mô hình của một mạch khuếch đại ráp theo kiểu cực nền chung Ở ngõ vào
và ngõ ra, ta có hai tụ liên lạc C1 và C2 có điện dung như thế nào để dung kháng XC khá nhỏ ở ần số của nguồn tín hiệu để có thể xem như nối tắt (Short circuit) đối với tín hiệu xoay chiều và có thể xem như hở mạch (open circuit) đối với điện thế phân cực
ạch tương đương một chiều như sau:
ây là mạch mà chúng ta đã khảo sát ở phần tr c Nguồn điệ ế xoay chiều VS(t) khi đưa vào mạch sẽ làm cho thông s stor thay đổi Ngoài thành phần một chiều còn c thành phần xoay chiều của ngu iệu tạo ra chồng lên
ghĩa là: iB(t) = IB + ib(t)
vCB(t) = VCB + vcb(t)
− Với transistor PNP: VCE = -VCC + RC.IC <0
Đây c
T
+V
độ nhỏ như hình vẽ
RE RC
V
C1
~
+
-C2 +
Tín hiệu vào V
Đ
t
M
ố transi
ồn tín h ó
N
iC(t) = IC + ic(t) iE(t) = IE + ie(t)
S (t)
V
Hình 29
Tín hiệu ra
V0(t)
Hình 30
Si
0,7V VCB IC≈IE
IE
+
+