Tài Liệu bài giảng transistors hay nhất

Tuú theo sù ph©n cùc cho hai líp tiÕp xóc BE(JE) vµ BC (JC), transistor cã 3 chÕ ®é ho¹t®éng: ChÕ ®é khuÕch ®¹i(ChÕ ®é tÝch cùc) ChÕ ®é b·o hoµ ChÕ ®é c¾t dßng (chÕ ®é ng¾t)93.2.1. chÕ ®é khuÕch ®¹i:TiÕp xóc BE ®îc ph©n cùc thuËnTiÕp xóc BC ®îc ph©n cùc ngîc10XÐt ho¹t ®éng transistor npn ë chÕ ®é khuÕch®¹i11123.2.2. Chế độ bão hòa BJT làm việc ở chế độ bão hòa: lớp tiếpgiáp BE và BC đều phân cực thuận; Khi đó transistor tƣơng đƣơng với 2 diodephân cực thuận, nên rCE rất nhỏ → UCEsat ͌

CHƯƠNG 4: TRANSISTOR

1 LỊCH SỬ PHÁT TRIỂN

4

3.1 CẤU TẠO VÀ KÍ HIỆU

tiếp xúc P-N

Tuỳ thuộc vào sự sắp xếp của các vùng bán dẫn P-N mà

có 2 loại transistor là NPN và PNP

Sơ đồ chân Transistor

3.2.1 chế độ khuếch đại:

Tiếp xúc B-E đ-ợc phân cực thuận

Tiếp xúc B-C đ-ợc phân cực ng-ợc

10 Xét hoạt động transistor npn ở chế độ khuếch

đại

11

3.2.2 Chế độ bão hòa

giáp B-E và B-C đều phân cực thuận;

0

3.2.4 Đặc tuyến V-A của transistor

định gọi là đường đặc tuyến của transistor

Họ đặc tuyến V-A của transistor:

3.3 Các tham số cơ bản của BJT

 3.3.1 Hệ số khuếch đại dòng điện một chiều.

 DC thường nằm trong khoảng từ 20 đến 200 hoặc cao

hơn DC thường được biểu diễn là hFE trong các bảng

tham số tra cứu của transistor.

 Dòng điện cực đại : Là dòng điện giới hạn của

transistor, vượt qua dòng giới hạn này Transistor sẽ

bị hỏng

 Điện áp cực đại : Là điện áp giới hạn của

transistor đặt vào cực CE , vượt qua điện áp giới

hạn này Transistor sẽ bị đánh thủng

 Tấn số cắt : Là tần số giới hạn mà Transistor làm

việc bình thường, vượt quá tần số này thì độ

khuyếch đại của Transistor bị giảm

 Công suất cực đại : Khi hoat động Transistor tiêu

vượt quá công suất cực đại của Transistor thì

Transistor sẽ bị hỏng

max.

VCEmax

h FE min.

P tot max.

Category (typical use)

Possible substitutes

NPN transistors

Code

Stru ctur e

Case style

I C max.

V CE max.

h FE min

P tot max.

Category (typical use)

Possible substitutes

BC107 NPN TO18 100mA 45V 110 300mW Audio, low power BC182 BC547

BC108 NPN TO18 100mA 20V 110 300mW General purpose, low

power

BC108C BC183 BC548

BC108C NPN TO18 100mA 20V 420 600mW General purpose, low

power

BC109 NPN TO18 200mA 20V 200 300mW Audio (low noise), low

power BC184 BC549

BC182 NPN TO92C 100mA 50V 100 350mW General purpose, low power BC107 BC182L

BC182L NPN TO92A 100mA 50V 100 350mW General purpose, low power BC107 BC182

BC547B NPN TO92C 100mA 45V 200 500mW Audio, low power BC107B

BC548B NPN TO92C 100mA 30V 220 500mW General purpose, low power BC108B

BC549B NPN TO92C 100mA 30V 240 625mW Audio (low noise), low power BC109

2N3053 NPN TO39 700mA 40V 50 500mW General purpose, low power BFY51

BFY51 NPN TO39 1A 30V 40 800mW General purpose, medium power BC639

BC639 NPN TO92A 1A 80V 40 800mW General purpose, medium power BFY51

TIP29A NPN TO220 1A 60V 40 30W General purpose, high power

3.4 Cỏc họ đặc tuyến

thiên theo điện áp vào khi điện áp ra giữ không đổi

theo điện áp ra khi dòng điện vào giữ không đổi

biến thiên theo dòng điện vào khi điện áp ra giữ

không đổi

-Đặc tuyến vào:

- Đặc tuyến ra:

34.2 Mắc theo kiểu CE

- Họ đặc tuyến ra

Bai tap

Phân cực cho transistor

Phân cực kiêu phân âp

3.3 Phân cực cho BJT

3.3.1 Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh.

- Đường tải tĩnh là đường biểu diễn mối quan hệ giữa

dòng điện ra và điện áp ra ở chế độ một chiều Đường tải tĩnh được vẽ trên đặc tuyến ra của BJT để nghiên cứu dòng điện và điện áp khi nó mắc trong mạch cụ thể nào đó.

- Nếu chọn điểm Q thích hợp (thường là giữa đường tải tĩnh) thì biên độ tín hiệu ra có thể lớn mà không bị méo dạng

3.3.2 Mạch phân cực cố định

B C