Chương 2. Điôt bán dẫnChất bán dẫn (Semiconductor) làchất nằm giữa chất dẫn điện và chấtcách điện về khả năng dẫn dòng điện.Chất bán dẫn hoạt động như một chấtcách điện ở nhiệt độ thấp và có tính dẫnđiện ở nhiệt độ phòng, khi ở nhiệt độphòng: ρ = 104 ÷ 107 Ω.m.22.1.3. Chất bán dẫn thuầnChất bán dẫn mà ở mỗi nút của mạng tinh thể củanó chỉ có nguyên tử của một loại nguyên tố thì chấtđó gọi là chất bán dẫn thuần (Intrinsic).Hai chất bán dẫn thuần hay được sử dụng nhấttrong kỹ thuật điện tử là Silic và Gecmani. Trong đóSi được sử dụng nhiều hơn Ge.Hình 2.2. Cấu trúc nguyên tử của Si và GeSilicon Germanium3Hạt tải điện trong chất bán dẫn thuầncác electron góp chungHình 2.3. a)Cấu trúc mạng tinh thể; b)Liên kết cộng hoá trị trong Si.n = p = niĐối với Silic:42.1.4. Chất bán dẫn loại P và loại NCó hai chất bán dẫn tạp chất đó là loại N và loại P.2.1.4.1. Chất bán dẫn loại NỞ chất bán dẫn tạp loại N: nồng độ hạt dẫn điện tử (nn)nhiều hơn nhiều nồng độ lỗ trống pnvà điện tử được gọilà hạt dẫn đa số, lỗ trống được gọi là hạt dẫn thiểu số:
Trang 22.1.3 Chất bán dẫn thuần
Chất bán dẫn mà ở mỗi nút của mạng tinh thể của
nó chỉ có nguyên tử của một loại nguyên tố thì chất
đó gọi là chất bán dẫn thuần (Intrinsic)
Hai chất bán dẫn thuần hay được sử dụng nhấttrong kỹ thuật điện tử là Silic và Gecmani Trong đó
Si được sử dụng nhiều hơn Ge
Trang 42.1.4 Chất bán dẫn loại P và loại N
Có hai chất bán dẫn tạp chất đó là loại N và loại P
2.1.4.1 Chất bán dẫn loại N
Ở chất bán dẫn tạp loại N: nồng độ hạt dẫn điện tử (nn)nhiều hơn nhiều nồng độ lỗ trống pn và điện tử được gọi
là hạt dẫn đa số, lỗ trống được gọi là hạt dẫn thiểu số:
nn >> pn
Trang 52.1.4.2 Chất bán dẫn loại P
Để tạo ra chất bán dẫn loại P, người ta pha các nguyên
tử có hoá trị III,ví dụ như các nguyên tử Al(nhôm), B(Bo),In(Indi), Ga(Gali), vào chất bán dẫn thuần Silic hoặcGemani
lỗ trống từ nguyên tử B Vùng dẫn
Vùng hoá trị
Mức năng lượng tạp chất
Hình 2.6 Đồ thị vùng năng lượng và cấu trúc mạng tinh thể của chất bán dẫn loại
P.
Trong chất bán dẫn loại P: pP >> nP
Trang 62.2 Nguyên lý hoạt động của mặt ghép P – N
2.2.1 Mặt ghép P-N khi chưa phân cực
Trang 72.2.2 Mặt ghép P-N khi phân cực thuận
UthR
Hình 2.9 Tiếp xúc PN khi phân cực thuận và đồ thị vùng năng lượng
Dòng lỗ trống
Dòng điện tử Vùng dẫn
Vùng hoá trị
Hiện tượng tái hợp
Trang 82.2.4 Tiếp xúc P-N khi phân cực ngược
R
Ung
Hình 2.10 Tiếp xúc PN khi phân cực ngược và đồ thị vùng năng lượng
Vùng dẫn Vùng hoá trị
Trang 92.2 ®ièt b¸n dÉn
Trang 10Néi dung
Trang 112.2.1 CÊu t¹o
Điôt có cấu tạo là một tiếp xúc PN với hai điện cực nối với hai miền P và N Điện cực nối với miền N gọi là catốt và điện cực nối với miền P gọi là anốt.
K
A
Trang 132.2.3.§Æc tuyÕn v«n- ampe
Trang 14KÝ HIÖU MéT Sè loai §IèT
2.2.4 Mét sè lo¹i ®ièt th-êng gÆp
Trang 15* Th-êng ®-îc sö dông trong
c¸c m¹ch chØnh l-u.
* §iÖn ¸p sôt trªn ®ièt khi ph©n
cùc thuËn th-êng = 0,7V(Si) vµ
0,3V(Ge)
Trang 17t¨ng th× dßng ®iÖn ch¹y qua
®ièt l¹i gi¶m
Trang 18H×nh d¹ng thùc tÕ cña diode tunnel (asaki diode)
Tunnel diodes are usually
made from germanium ,
but can also be made
in gallium
arsenide and silicon materials
They can be used
as oscillators , amplifiers ,
frequency
converters and detectors [3]
Trang 19Khi điốt phân cực ngược, vùng nghèo có xu hướng mở rộng ra,
thực chất đó là hai khối điện tích trái dấu, khi đó tiếp xúc p-n
được coi như một tụ điện Điện áp phân cực ngược càng tăng,
điện dung tụ càng lơn Như vậy có thể dùng điện áp để điều khiển điện dung điện dung (CT) thay đổi từ 40pF đến 4pF khi điện áp ngược thay đổi từ 1V đến 40V
varactor diode
Trang 21voltage, the capacitance of the diode
can be made to vary
Trang 22MỘT SỐ THAM SỐ CỦA ĐIỐT
Type Maximum
Breakdown Voltage (Điện áp đánh thủng)
Maximum Current Rating (Dòng cực đại)
Forward Voltage Drop(Điện áp ghim khi phân cực thuận)
Switching Speed (Tốc độ chuyển mạch)
Applications (Ứng dụng)
High Voltage Rectifier
Trang 24b Chỉnh lưu cả chu kỳ dùng 2 điốt
Trang 262 H¹n chÕ ®iÖn ¸p
M¹ch h¹n chÕ trªn
Trang 27Diode zener thường được dùng trong
các mạch ổn áp Mạch hình bên là 1
mạch ổn áp đơn giản để tạo ra điện
thế không đổi ở 2 đầu RL Điện thế
zener như là một mức chuẩn để so
sánh với một mức điện thế khác Ngoài
ra diode zener còn được sử dụng rộng
rãi trong các mạch điều khiển, bảo
vệ
Trang 28BÀI TẬP VỀ NHÀ
H×nh 2.30
Trang 29 14 Cho mạch điện hình 2.33.
a Xác định VL, IL, IZ và IR nếu RL=180
qúa công suất
H×nh 2.33