Báo cáo thực tập điện tử số tuần 9

LỜI MỞ ĐẦUI. Bộ nhớ chỉ đọc – ROM dùng ma trận diode1.Cấp nguồn +5V mảng cho sơ đồ D912.Nối mạch của sơ đồ D91 với các mạch của DTLAB – 201 như sauII.Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên – RAM – trên trigger D1.Cấp nguồn +5V cho mảng sơ đồ D922.Nối mạch của sơ đồ D92 với các mạch của DTLAB201 như sau:3.Nạp số liệu vào bộ nhớ:4.Đặt các công tắc logic theo bảng D93 để tạo địa chỉ và điều khiển cho việc đọc số liệu vừa được nạp vào bộ nhớ5.Giải thích nguyên tắc hoạt động của sơ đồ D92TÀI LIỆU THAM KHẢO

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ KHOA ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG

- -BÁO CÁO MÔN HỌC THỰC TẬP ĐIỆN TỬ SỐ BÀI 9: BỘ NHỚ BÁN DẪN

Họ và tên sinh viên: Nguyễn Văn A

Giảng viên hướng dẫn: ****

Hà nội, ngày * tháng * năm ***

MỤC LỤC

LỜI MỞ ĐẦU 1

I Bộ nhớ chỉ đọc – ROM dùng ma trận diode 2

1 Cấp nguồn +5V mảng cho sơ đồ D9-1 2

2 Nối mạch của sơ đồ D9-1 với các mạch của DTLAB – 201 như sau 2

II Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên – RAM – trên trigger D 3

1 Cấp nguồn +5V cho mảng sơ đồ D9-2 3

2 Nối mạch của sơ đồ D9-2 với các mạch của DTLAB-201 như sau: 3

3 Nạp số liệu vào bộ nhớ: 3

4 Đặt các công tắc logic theo bảng D9-3 để tạo địa chỉ và điều khiển cho việc đọc số liệu vừa được nạp vào bộ nhớ 4

5 Giải thích nguyên tắc hoạt động của sơ đồ D9-2 4

TÀI LIỆU THAM KHẢO 6

LỜI MỞ ĐẦU

Đầu tiên, em xin bày tỏ lòng biết ơn đến thầy cùng với các cán bộ khoa của trường vì đã cung cấp cho em định hướng, hướng dẫn và sự hỗ trợ trong suốt quá trình nghiên cứu và hoàn thiện báo cáo này Nhờ có sự hướng dẫn chuyên môn của thầy/cô, em đã có cơ hội tìm hiểu và phân tích vấn đề một cách chính xác và đầy đủ hơn, đồng thời cũng đã hiểu rõ hơn về phương pháp nghiên cứu và quy trình làm việc trong lĩnh vực này Dưới đây là báo cáo của em trong quá trình nghiên cứu và học tập, mong các thầy/cô xem xét và đánh giá.

Em xin chân thành cảm ơn!

I Bộ nhớ chỉ đọc – ROM dùng ma trận diode

1 Cấp nguồn +5V mảng cho sơ đồ D9-1

2 Nối mạch của sơ đồ D9-1 với các mạch của DTLAB – 201 như sau

Hình D9-1 Bộ nhớ chỉ đọc – ROM dùng ma trận diode

Bảng D9-1

g

Y 7

Y 6

Y 5

Y 4

Y 3

Y 2

Y 1

Y 0

C 3

C 2

C 1

C 0

D 3

D 2

D 1

D 0

0 0 0 R0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0

0 0 1 R1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0

0 1 0 R2 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1

0 1 1 R3 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 0

1 0 0 R4 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0

1 0 1 R5 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1

1 1 0 R6 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

1 1 1 R7 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0

 Nhận xét: Tại các vị trí có Diode thì đèn tương ứng sáng, tại các vị trí không

có Diode thì đèn tương ứng tắt

 Số liệu ra phụ thuộc vào vị trí có gắn hoặc không gắn diode: Mạch ROM

cố định gồm 3 phần: Bộ giải mã địa chỉ (IC 74LS138), ma trận phần tử nhớ (các diode mắc với nhau), mạch đầu ra (các IC 74LS14) Các từ mã của tín hiệu đầu vào và đầu ra có quan hệ đơn trị Vì vậy, người ta thường xem từ

mã đầu vào ABC là địa chỉ của từ mã D3D2D1D0 được lưu giữ trong ROM, còn D3D2D1D0 được xem là nội dung dữ liệu ở địa chỉ tương ứng ABC Trong ma trận phần tử nhớ, đường ngang để chọn từ gọi tắt là dãy bit Chỗ giao nhau giữa dây từ và dây bit được gọi là phần tử nhớ Tại phần tử nhớ, nếu có gắn diode thì dữ liệu lưu giữ là 1, nếu không có diode thì dữ liệu lưu giữ là 0

II Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên – RAM – trên trigger D

1 Cấp nguồn +5V cho mảng sơ đồ D9-2

Hình D9-2 Bộ nhớ 2 bit x 4 hàng dùng trigger D

2 Nối mạch của sơ đồ D9-2 với các mạch của DTLAB-201 như sau:

3 Nạp số liệu vào bộ nhớ:

Bảng D9-2

LS7

CS

LS8

OE

DS2 B

DS1 A

PS1 WE

LS2 IN1

LS1 IN0

LED 1 OUT 1

LED 0 OUT 0

4 Đặt các công tắc logic theo bảng D9-3 để tạo địa chỉ và điều khiển cho việc đọc số liệu vừa được nạp vào bộ nhớ

Bảng D9-3

LS7

CS

LS8 OE

DS2 B

DS1 A

LED 1 OUT 1

LED 0 OUT 0

 Nhận xét: Giá trị của LED1/ LED0 sẽ phụ thuộc vào tín hiệu điều khiển B,

A Tín hiệu LED1 và LED0 sẽ giống với (B)IN1/ (A)IN0

5 Giải thích nguyên tắc hoạt động của sơ đồ D9-2

 Sơ đồ có các bộ phận chính là: Bộ giải mã điều chế (IC 74LS139), ma trận nhớ (IC 74LS74), điều khiển đọc viết (IC 74LS125)

+ IC 74LS139 gồm 2 bộ giải mã 2 sang 4 hay 2 bộ tách kênh 1 sang 4, chúng có ngõ cho phép (tác động mức thấp) và ngõ chọn riêng

+ IC 74LS74 phụ trách việc cho phép lưu dữ liệu khi có dữ liệu đầu vào + IC 74LS125 hoạt động tại sườn tác động âm, nên khi được tác động ở mức thấp thì IC sẽ hoạt động cho phép dữ liệu tiếp tục ở đầu ra, ngược lại, nếu tác động ở mức cao thì IC sẽ dừng hoạt động

− A, B: Ngõ vào chọn vị trí ô nhớ theo theo hàng

− IN1, IN0: Ngõ vào chọn giá trị cho 2 ô nhớ theo hàng

− CS, OE cùng với các cổng logic OR phụ trách việc chọn vi mạch/ cho phép đọc ra dữ liệu

− WE tác động xung, quyết định việc điều khiển đọc – ghi.

+ Khi WE = 0, mạch hoạt động ở trạng thái ghi: Chọn giá trị muốn ghi vào

ô nhớ bằng cách điều chỉnh các chân A, B để chọn vị trí còn các chân IN1, IN0 để chọn giá trị

+ Khi WE = 1, mạch hoạt động ở trạng thái đọc: các chân A, B là hai lối vào chọn địa chỉ 2 thanh muốn đọc (cùng hàng); các chân OUT1, OUT0

là hai lối ra thể hiện trạng thái tại 2 thanh được chọn; Khi thay đổi A, B

để chọn hàng muốn đọc thì hai lối ra sẽ thể hiện trạng thái của hai thanh được chọn

TÀI LIỆU THAM KHẢO

(Tháng 12/2020) TÀI LIỆU HƯỚNG DẪN THỰC TẬP MÔN KỸ THUẬT ĐIỆN

TỬ SỐ, Khoa Điện tử - Viễn thông, Trường Đại học Công nghệ