báo cáo thực tập điện tử tương tự tuần 4

BÁO CÁO THỰC TẬP ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ TUẦN 4 TRANSISTOR FET KHÓA CHUYỂN MẠCH FET Nguyễn Anh Tuấn – 20021594 1 Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS 1 1 Khảo sát mạch khuếch đại 1 chi.

BÁO CÁO THỰC TẬP ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ TUẦN 4 TRANSISTOR FET KHÓA CHUYỂN MẠCH FET

Nguyễn Anh Tuấn – 20021594

1 Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS

1.1 Khảo sát mạch khuếch đại 1 chiều

? Nêu đặc điểm khác biệt giữa transistor trường (yếu tố điều khiển bằng thế ) và transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển bằng dòng )

Transistor trường (FET) Transistor lưỡng cực (BJT)

Là Transistor đơn cực Là một linh kiện lưỡng cực

Có 3 chân đrain,source,gate Có 3 chân :common , emitter và base

Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào các hạt

mang điện đa số là lỗ trống hoặc electron

Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mamng điện đa sô cũng như thiểu số Trở kháng lối vào lớn Trở kháng lối vào nhỏ

Là thiết bị điều khiển bằng điện áp Là thiết bị điều khiển bằng dòng điện

Ít nhiễu do không có lớp chuyển tiếp và tiếp

giáp

Nhiểu hơn FET do có lớp tiếp giáp p-n

Độ ổn định nhiệt độ tốt Phụ thuộc vào nhiệt độ

Trở kháng lối ra thấp Trở kháng lối ra cao

Có tốc độ chuyển mạch và tần số cắt cao

Công suất tiêu thụ thấp Công suất tiêu thụ cao

Có hệ số nhiệt độ dương Có hệ số nhiệt độ âm

Bảng A4-B2

Uv -9.25V -7.24V -4.933V -0.88V -0.631V 0.653V

ID 97.2 μA 97.1 μA 97.1 μA 835 μA 1007 μA 1006 μA

? Biểu diễn trên đồ thị các giá trị đo được giữa dòng ID (trục y) và thế VDS(trục x)

1.2 Khảo sát mạch khuếch đại xoay chiều (AC)

Bảng A4- B3

Biên độ tín hiệu vào ở 100mv Vẽ dạng tín hiệu ra

Bảng A4-B4

? biểu diễn kết quả sự phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần sô

? so sánh biên độ tín hiệu trong 2 trường hợp , tính từ mất mát biên độ do ảnh hưởng điện trở vào của sơ đồ

A=Vout/Vin

Biên độ tín hiệu trong hai trường hợp khác nhau:

Biên độ Vin tăng thì biên độ Vout tăng đến mức hạn nhất định và hệ số khuếch đại giảm dần Tần số Hz tăng dần thì biên độ Vout tăng đến mức hạn nhất định và hệ số khuếch đại tăng dần đến mức nhất định

Sự mất mát biên độ (23%) do ảnh hưởng điện trở vào cửa sơ đồ và hao hụt của linh kiện và thiết bị

2 Sơ đồ khóa nối tiếp dung Jfet

2.1 khảo sát hoạt động với tín hiệu 1 chiều (DC)

Bảng A4-B5

Biên độ Vout

V -> 12V

Biên độ Vout

(J1 nối )

? Kết luận mối liên hệ giữu thế ra và thế vào theo tín hiệu điều khiển

Khi transistor trường T1 bị cấm (nối V với nguồn -12 v), tương đương trường hợp mở thế lối ra

vout < 0v

Khi nối J1 transistor đóng vai trò như khóa đóng

2.2 Khảo sát hoạt động với tín hiệu xoay chiều (AC)

? Nhận xét hiện tượng

Kênh 1 có

Kênh 2 không

Dạng sóng vuông

Sóng có tín hiệu

V thế = 0.14

3 Sơ đồ khóa song song dùng JFET

Vin(IN) 0.5v 1v 2v 3v 4v 5v

Biên độ

Vout

? Quan sát và vẽ dạng xung ra theo xung điều khiển (CTRL) và tín hiệu vào

4 Các sơ đồ khuếch đại trên MOSFET

4.1 Sơ đồ source chung CS

Giá trị dòng ban đầu qua T1 : I = 1.1mA

Biên độ Vout 600uV 5.7mV 11.4mV 17.7mV 23.3mV 28.2mV

Vẽ dạng tín hiệu vào và ra

Bảng A4-B8

? Biểu diễn đồ thị kết quả sự phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số

Đặt Vin = 1V

? So sánh biên độ sóng để tính sự mất mát biên độ do ảnh hưởng của điện a trở vào của sơ đồ Vin thay đổi làm thay đổi hệ số khuếch đại, khi Vin tăng thì Vout tăng nhưng tỉ lệ tăng nhỏ hơn

Vin nên hệ số khuếch đại giảm và giảm đến mức 6.

f thay đổi làm thay đổi hệ số khuếch đại, khi f tăng thì Vout tăng nên hệ số khuếch đại tăng và tăng đến mức 2.88.

Sự mất mát biên độ (22%) do ảnh hưởng của điện A trở vào của sơ đồ.

4.2 Sơ đồ Drain chung CD

Ghi giá trị ban đầu qua dòng T2 : 5.92

Bảng A4-B9

Biên độ Vout 40mV 180mV 300mV 380mV 460mV 660mV

? Vẽ dạng tín hiệu vào và ra

4.3 Sơ đồ Gate chung CG

Ghi gia trị dòng ban đầu qua T3

Bảng A4-B10

? Vẽ dạng tín hiệu vào và ra