Transistor BJT có thể hoạt động ở nhiều chế độ khác nhau tuỳ thuộc vào cách phân cực các mối nối BE và CB. Chế độ BE CB[r]
Trang 1Chương 5 Transitor
Trang 22
I Tổng quan về transitor
Transistor là một thiết bị đa cực có khả năng:
+ Tăng (khuếch đại) dòng
+ Tăng (khuếch đại) áp
+ Tăng (khuếch đại) tín hiệu – công suất
Transistor lưỡng cực BJT (BJT- Bipolar Junction Transistor) là transistor
thế hệ đầu tiên được phát minh năm 1947 bởi Bardeen, Brattain và
Shockley
Trang 44
I Tổng quan về transitor
mber [19]
Logic gates number [
20]
20,000 to 1,000,000
10,000 to 99,999 ULSI
ultra-large-scale
integration
more
100,000 and more
Trang 5II.1 Cấu trúc của transitor
BJT (Bipolar Junction Transistor) được tạo nên từ các lớp bán dẫn p và
n xen kẽ nhau
Ba vùng bán dẫn trong transistor được gọi là : vùng Phát (Emitter - E) ;
Nền (Base - B) và Thu (Collector - C)
P n P
0.150 in
0.001 in
n p n
0.150 in
0.001 in
Trang 66
(BC) Tương tự mối nối pn giữa vùng nền và vùng phát là mối nối nền
phát (BE)
II Cấu trúc và nguyên lý hoạt động của transitor
II.1 Cấu trúc của transitor
Trang 7II.1 Cấu trúc của transitor
và Base có chiều từ bán dẫn p sang bán dẫn n
Trang 88
II.2 Nguyên lý hoạt động của transitor BJT
Transistor BJT có thể hoạt động ở nhiều chế độ khác nhau tuỳ thuộc vào
cách phân cực các mối nối BE và CB
Trong các mạch khuếch đại tuyến tính chế độ tích cực thường sử dụng
Trang 9Chế độ tích cực ở transistor
Trang 1010
Xét hoạt động của transitior npn ở chế độ tích cực
II.2 Nguyên lý hoạt động của transitor BJT