Vùng hoạt động của BJT:•Vùng tác động: Vùng khuếch đại hay tuyến tính Mối ghép B-E phân cực thuận Mối ghép B-C phân cực nghịch... Phương pháp chung để phân giải mạch phân cực gồm ba bước
Trang 1Chương 5:
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)
ThS Nguyễn Bá Vương
Trang 31 Cấu tạo
• Miền bán dẫn thứ nhất của Transistor là miền Emitter (miền phát) với đặc điểm là có nồng độ tạp chất lớn nhất, điện cực nối với miền này gọi là cực Emitter (cực phát)
• Miền thứ hai là miền Base (miền gốc) với nồng độ tạp chất nhỏ và độ dày của nó nhỏ
cỡ m, điện cực nới với miền này gọi là cực Base (cực gốc).
• Miền còn lại là miền Collector (miền thu) với nồng độ tạp chất trung bình và điện cực tương ứng là Collector (cực thu)
Trang 41 Cấu tạo
• Tiếp giáp p-n giữa miền Emitter và Base gọi là tiếp giáp Emitter (JE).
• Tiếp giáp p-n giữa miền Base và miền Collector
là tiếp giáp Collector (JC).
• Về kí hiệu Transistor cần chú ý là mũi tên đặt ở giữa cực Emitter và Base có chiều từ bán dẫn p sang bán dẫn n
Trang 51 Cấu tạo
• Về mặt cấu trúc, có thể coi Transistor như 2
diode mắc đối nhau
Trang 61 Cấu tạo
• Cấu tạo mạch thực tế của một Transistor n-p-n
Trang 7E
Trang 82.Nguyên lý hoạt động
Trang 9sơ đồ phân cực trong BJT
Trang 10sơ đồ phân cực trong BJT
Trang 11I I
C B
I I
Trang 123 Các dạng mắc BJT
Trang 133.1 Mạch chung Emitter (EC)
C B
E
UIn
UOut
EC
Trang 14Họ đường đặc tuyến vào
I B = f(U BE ) khi U CE = const
Trang 15Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra của sơ đồ EC
Họ đường đặc tuyến ra: IC = f(U CE ) khi I B =const
Họ đường đặc tuyến truyền đạt: IC = f(I BE ) khi U CE = const
Trang 17Một số mạch EC
Trang 193.2 Mạch chung Base (BC)
Trang 20Họ đường đặc tuyến vào
I E =f(U EB ) khi điện áp ra U CB =const
Trang 21Họ đường đặc tuyến ra và truyền đạt
Đặc tuyến ra:I C = f(U CB ) khi giữ dòng vào I E =const Đặc tuyến truyền đạt: I C =f(I E ) khi khi UCB = const
0
2 4 6 8
2 4
6 8
Trang 223.3 Mạch chung Collector (CC)
Trang 23Họ đường đặc tuyến vào
Trang 24Đặc tuyến ra của sơ đồ CC
0
2 4 6 8
Trang 25Đường thẳng lấy điện (Load line)
• Phương trình đường thẳng lấy điện : VCC=ICRC+VCE
viết lại: IC = ( VCC – VCE)/ RC = -VCE / RC + VCC /RC
Đường lấy điện đựợc vẽ trên đặc tuyến ra qua 2 điểm xác định sau:
• Điểm ngưng, IC = 0 VCE= VCC (Điểm M)
• Điểm bão hòa: VCE = 0 IC = VCC/ RC (Điểm N)
nối 2 điểm M và N lại ta có được đường lấy điện
• Giao điểm đường lấy điện và đường phân cực IB chọn trước cho ta trị số điểm tĩnh Q.
Trang 26IC(mA)
VCE(V)
IB(μA) Q
N
M ngưng bão hòa
VCEQ
ICQ
Đường thẳng lấy điện cho EC
Trang 27Vai trò của đường thẳng lấy điện
• Phân giải mạch Transistor.
• Xác định điểm tĩnh điều hành Q.
• Cho biết trạng thái hoạt động của
transistor ( tác động, bão hoà, ngưng).
• Mạch khuếch đại có tuyến tính hay không.
• Thiết kế mạch khuếch theo ý định ( chọn trước điểm tĩnh Q , tính các trị số linh kiện)
Trang 29Phân giải bằng đồ thị
I B (μA)
VBE (V) 0
20
0
2 4 6 8
VBEQ
t
t
IBQQ
Trang 304 Phân cực của BJT
Trang 31Vùng hoạt động của BJT:
•Vùng tác động: (Vùng khuếch đại hay tuyến tính)
Mối ghép B-E phân cực thuận Mối ghép B-C phân cực nghịch
Trang 32Phương pháp chung để phân giải mạch
phân cực gồm ba bước:
• Bước 1: Dùng mạch điện ngõ vào để xác định dòng điện ngõ vào (IB hoặc IE)
• Bước 2: Suy ra dòng điện ngõ ra từ các liên hệ
IC=βIB hay IC=αIE
• Bước 3: Dùng mạch điện ngõ ra để tìm các thông số còn lại (điện thế tại các chân, giữa các chân của BJT )
Trang 334.1 Phân cực cố định của BJT (Fixed –
Bias)
VCE+
-VBE+
RC
RB
Vcc
Trang 34Phân cực cố định của BJT (Fixed – Bias)
Trang 35Sự bảo hòa của BJT
• Sự liên hệ giữa IC và IB sẽ quyết định BJT có hoạt động trong vùng tuyến tính hay không Ðể BJT hoạt động trong vùng tuyến tính thì nối thu - nền (CE) phải phân cực nghịch
C
V I
C
V I
R
Nếu thì BJT sẽ đi dần vào hoạt động trong vùng bão hòa Từ điều kiện này và liên hệ IC=βIB ta tìm được trị số tối đa của IB, từ đó chọn RB sao cho thích hợp
Trang 36CC C
C
V I
R
CC Csat
C
V I
R tức VCE = 0V (thực ra khoảng 0.2V)
Trang 374.2 Phân cực ổn định cực phát
VCE+
cực emitter được mắc thêm
một điện trở RE xuống mass
Cách tính phân cực cũng có
các bước giống như ở mạch
phân cực cố định
Trang 38V V I
Trang 39Sự bảo hòa của BJT
• Tương tự như trong mạch phân cực cố định, bằng cách cho nối tắt giữa cực thu
và cực phát ta tìm được dòng điện cực thu
CC Csat
V I
Trang 404.3 Phân cực bằng cầu chia điện thế
RE
RBB
VBB
IB
Trang 411 2
1 2
BB
R R R
Trang 42Sự bảo hòa của BJT
Tương tự như phần trước:
CC Csat
C E
V I
Trang 434.4 Phân cực với hồi tiếp điện thế
VCE+
Trang 465 Thiết kế mạch phân cực
Trang 47Khi thiết kế mạch phân cực, người ta thường dùng các định luật căn bản về mạch điện như định luật Ohm, định luật Kirchoff, định lý Thevenin , để từ các thông số đã biết tìm ra các thông số chưa biết của mạch điện
Trang 4810 20
I C (mA)
U CE (V)
I B =40μA
Trang 49Từ đường thẳng lấy điện: VCE =VCC-RCIC
Tại trục trục tọa độ UCE , khi IB=0 ta suy ra IC=0 và VCE =20V thay vào phương trình đường thẳng lấy điện ta có VCC=20V
Ngoài ra: Transistor làm từ vật liệu thuần bán dẫn Si do đó
VBE=0.7V và
Để có các điện trở tiêu chuẩn ta chọn: RB=470 K, RC=2.4 K.
Trang 51Điện trở RC và RE không thể tính trực tiếp từ các thông
số đã biết Việc đưa điện trở RE vào mạch là để ổn định điều kiện phân cực RE không thể có trị số quá lớn vì như thế làm giảm VCE (sẽ làm giảm độ khuếch đại) Nhưng nếu RE quá nhỏ thì độ ổn định kém Thực
nghiệm người ta thường chọn V E khoảng 1/10V CC
Trang 52
2 13.333 150
Trang 55Ta có thể chọn: R1=39kΩ hoặc 47kΩΩ hoặc 47kΩ hoặc 47kΩΩ
Trang 566 BJT hoạt động như một
chuyển mạch
Trang 60Thí dụ: Xác định RC và RB của mạch điện nếu ICsat=10mA
Q1
RB
RCVcc=+10V
Trang 62Thí dụ ở 1 BJT bình thường:
ts=120ns ; tr=13ns
tf=132ns ; td=25ns Vậy: ton=38ns ; toff=132ns
Trang 63Một số ứng dụng của BJT hoạt động như một chuyển mạch
Trang 64Using a transistor as a switch
NPN
PNP
Trang 65Using a transistor switch with sensors
Trang 66Đóng ngắt đèn
Trang 677 Tính khuếch đại của BJT
Trang 68• Như vậy tác dụng của các tụ liên lạc C1, C2 làm cho
thành phần xoay chiều của tín hiệu đi qua và ngăn thành phần phân cực một chiều
Trang 69là độ khuếch đại hay độ lợi điện
thế của mạch
( ) ( )
Trang 70• Chìa khóa để phân giải và xác định các thông số của
mạch là mạch tương đương xoay chiều
i
v A
v
o V
i
i A
i
i i
i
v Z
i
o o
o
v Z
-
-+
Trang 71Dạng mạch tương đương
kiểu mẫu re
Đơn giản Đầy đủ
Mạch tương đương
thông số h
Đơn giản Đầy đủ
Trang 72Mạch cực Emitter và Collector chung
Trang 758 Mạch khuếch đại cực phát (E)
chung
Trang 76Trị số β do nhà sản xuất cho biết
Trị số re được tính từ mạch phân
C
26mVr
I
Từ mạch tương đương ta tìm được các thông số của mạch
Trang 77•Ðộ lợi điện thế: o
V
i
v A
R A
Trang 78i i
i
v z
i
i A
i
o o
C
v i
R
i
vi
z
i C
v z A
Trang 79o o
v
z
i
oo
o
v z
i
Tổng trở ra:
Ðể tính tổng trở ra của mạch, đầu tiên ta nối tắt ngõ vào (vi=0);
áp một nguồn giả tưởng có trị số vo vào phía ngõ ra như trên,
-Khi vi=0 ⇒ ib = 0 ⇒ β)Iib=0 (tương đương mạch hở) nên
Trang 80ii+
-vi
Rb
vo+
Mạch tương đươngTrong trường hợp nối thêm CE hoặc nối chân E xuống mass
Trang 81o C V
Trang 82Mạch khuếch đại cực phát chung với kiểu phân cực bằng cầu chia điện thế và ổn định cực
Trang 83Mạch tương đươngTrong trường hợp nối thêm CE hoặc nối chân E xuống mass
C V
E
RA
Trang 84Mạch khuếch đại cực phát chung phân cực bằng hồi tiếp điện thế và ổn định cực phát
e
r
B
Rc
ii+
.R R z
Trang 859 Phân giải theo thông số h đơn giản
Trang 86liên hệ 2 mạch tương đương
Trang 87Mạch khuếch đại cực phát chung
Mạch tương đương
Trang 88o V
i
v A
R
Trang 89o i
i
i A
i
o o
C
v i
R
i
v i
z
o i i
Trang 9010 MỘT SỐ ỨNG DỤNG KHUẾCH ĐẠI CỦA BJT
Trang 91mạch khuếch đại micro dùng cho máy tăng âm
Trang 92Mạch tạo dao động sóng hình sin
Trang 93Mạch đa hài tự dao động dùng tranzito lưỡng cực
Trang 94Hình dạng thực của Transistor BJT