ĐỀ CƯƠNG ÔN TẬP MÁY TRẮC ĐỊA (ĐO ĐẠC ĐIỆN TỬ)

Câu 4: Laser bán dẫn GaAs (Gali và Asen) a. Cấu tạo Gồm hai tinh thể bán dẫn loại p (lỗ hổng) và loại n (điện tử) là Ga và As ghép với nhau hình (2.3a) lớp tiếp p – n có độ dày cực mỏng ( 0.1m) đóng vai trò như môi trường hoạt tính, tại đây sẽ bức xạ tia laser nếu diot GaAs phân cực thuận (nối p với cực “+”, n với cực “”), có mật độ dòng điện thích hợp (104 Acm2) và đặt nó giữa hốc cộng hưởng quang học (gồm hai tinh thể mỏng) đặt vuông góc với lớp p – n và bốn phía còn lại được làm xám (xù xì). b. Nguyên lý hoạt động Khác với các nguyên tử của các chất khác, trong hợp chất bán dẫn GaAs không tồn tại các năng lượng riêng biệt mà chúng hợp thành các miền năng lượng (hình 2.3b): miền hoá trị (miền chứa đầy điện tử), miền cấm (không chứa điện tử) và miền dẫn (là miền trống rỗng, và khi có điện tử tự nó sẽ trở thành miền dẫn điện). Khi có năng lượng cung cấp, các điện tử ở miền hoá trị sẽ vượt qua miền cấm nhảy lên miền dẫn. Vì thế, ở miền hoá trị xuất hiện “lỗ hổng” còn ở miền dẫn xuất hiện điện tử. Mặt khác, khi cho diot GaAs phân cực thuận thì tại lớp tiếp giáp p – n “lỗ hổng” và điện tử sẽ chuyển động ngược chiều nhau và chúng sẽ tái hợp với nhau. Quá trình tái hợp phát ra năng lượng dưới dạng foton. Và, cũng giống như trường hợp laser khí, nhờ các hốc cộng hưởng quang học và với mật độ dòng điện để phóng vào vùng p – n thích hợp mà tạo ra dòng foton. Nếu mật độ dòng điện nhỏ thì sẽ nhận đƣợc dòng ánh sáng kết hợp, không nhóm và công suất nhỏ, nhưng nếu dòng điện quá cao dễ làm cháy diot. Vì thế, thường phải làm sạch diot (bằng cách đặt vào bình chứa nitơ lỏng hoặc chỉ cho diot làm việc với công suất vừa phải), làm cho dòng foton đủ mạnh để xuyên qua lớp kính mỏng trở thành tia laser. c. Ưu nhược điểm So với các loại khác, laser bán dẫn GaAs có ưu điểm là diot duy nhất có khả năng biến đổi trực tiếp năng lượng điện thành laser, có hiệu suất cao (50%), bức xạ ở chế độ liên tục (sóng), đồng thời, dưới tác động của dòng điện cao tần nó tạo ra dòng laser điều biên (biến điệu trong), có kích thước cực bé (0.5mm3), tuổi thọ cao. Tuy nhiên, dùng diot GaAs có những hạn chế là công suất bức xạ nhỏ (0.2 mw), mức độ tích hợp và tính đơn sắc kém hơn, không nhóm lắm (góc loe 5) và là tia không trông thấy (= 0.84m gần dải hồng ngoại)…Vì thế các máy dùng laser GaAs chỉ đo được khoảng cách ngắn (25km) với độ chính xác thấp hơn máy dùng laser He – Ne và trong máy phải dùng các bộ lọc ánh sáng đặc biệt. Kỹ thuật công nghệ những năm gần đây đã chế tạo được diot bán dẫn làm việc ở chế độ xung, vì thế đã xuất hiện một số máy đo xa loại xung hoặc loại xung pha.

MÁY TRẮC ĐỊA (ĐO ĐẠC ĐIỆN TỬ)

Câu 4:

Laser bán dẫn GaAs (Gali và Asen)

a Cấu tạo

Gồm hai tinh thể bán dẫn loại p (lỗ hổng) và loại n (điện tử) là Ga và As ghép với nhau hình (2.3a) lớp tiếp p – n có độ dày cực mỏng ( 0.1m) đóng vai trò như môi trường hoạt tính, tại đây sẽ bức xạ tia laser nếu diot GaAs phân cực thuận (nối p với cực “+”, n với cực “-”), có mật độ dòng điện thích hợp (104 A/cm2)

và đặt nó giữa hốc cộng hưởng quang học (gồm hai tinh thể mỏng) đặt vuông góc

với lớp p – n và bốn phía còn lại được làm xám (xù xì)

b Nguyên lý hoạt động

Khác với các nguyên tử của các chất khác, trong hợp chất bán dẫn GaAs không tồn tại các năng lượng riêng biệt mà chúng hợp thành các miền năng lượng (hình 2.3b): miền hoá trị (miền chứa đầy điện tử), miền cấm (không chứa điện tử)

và miền dẫn (là miền trống rỗng, và khi có điện tử tự nó sẽ trở thành miền dẫn điện) Khi có năng lượng cung cấp, các điện tử ở miền hoá trị sẽ vượt qua miền cấm nhảy lên miền dẫn Vì thế, ở miền hoá trị xuất hiện “lỗ hổng” còn ở miền dẫn

p – n “lỗ hổng” và điện tử sẽ chuyển động ngược chiều nhau và chúng sẽ tái hợp với nhau Quá trình tái hợp phát ra năng lượng dưới dạng foton Và, cũng giống như trường hợp laser khí, nhờ các hốc cộng hưởng quang học và với mật độ dòng điện để phóng vào vùng p – n thích hợp mà tạo ra dòng foton Nếu mật độ dòng điện nhỏ thì sẽ nhận đƣợc dòng ánh sáng kết hợp, không nhóm và công suất nhỏ, nhưng nếu dòng điện quá cao dễ làm cháy diot Vì thế, thường phải làm sạch diot (bằng cách đặt vào bình chứa nitơ lỏng hoặc chỉ cho diot làm việc với công suất vừa phải), làm cho dòng foton đủ mạnh để xuyên qua lớp kính mỏng trở thành tia laser

c Ưu nhược điểm

So với các loại khác, laser bán dẫn GaAs có ưu điểm là diot duy nhất có khả năng biến đổi trực tiếp năng lượng điện thành laser, có hiệu suất cao (50%),), bức

xạ ở chế độ liên tục (sóng), đồng thời, dưới tác động của dòng điện cao tần nó tạo

ra dòng laser điều biên (biến điệu trong), có kích thước cực bé (0.5mm3), tuổi thọ cao Tuy nhiên, dùng diot GaAs có những hạn chế là công suất bức xạ nhỏ (0.2 mw), mức độ tích hợp và tính đơn sắc kém hơn, không nhóm lắm (góc loe 5) và

là tia không trông thấy (= 0.84m gần dải hồng ngoại)…Vì thế các máy dùng laser GaAs chỉ đo được khoảng cách ngắn (2-5km) với độ chính xác thấp hơn máy dùng laser He – Ne và trong máy phải dùng các bộ lọc ánh sáng đặc biệt

Kỹ thuật công nghệ những năm gần đây đã chế tạo được diot bán dẫn làm việc ở chế độ xung, vì thế đã xuất hiện một số máy đo xa loại xung hoặc loại xung pha

Câu 6: mạch tích hợp.

1 Mạch tích hợp (IC)

Là một mạch điện tử mà các thành phần tác động và thụ động đều được chế tạo trong hoặc trên một đế (substrate) hay thân không thể tách rời nhau được Đế hoặc thân này có thể là một phiến bán dẫn hoặc một phiến cách điện

Một IC thường có kích thước dài rộng cỡ vài trăm đến vài ngàn micromet, được đựng trong một vỏ bọc bằng kim loại hoặc plastic (nhựa) Những IC như vậy thường là một bộ phận chức năng, có khả năng thể hiện một công việc điện tử nào đó

* Các loại mạch tích hợp

+ IC màng (film IC)

Trên một đế bằng chất cách điện dùng các lớp màng tạo nên các thành phần khác Loại này chỉ gồm các thành phần thụ động như điện trở, tụ điện và cuộn cảm

mà thôi

- Dây nối giữa các bộ phận: Kim loại có điện trở suất nhỏ như Al, Au, Cu…

- Điện trở : dùng mảng kim loại hoặc kim loại có điện trở suất lớn như

Ni-Cr, Ni-Cr-Al, Cr-Si, Cr…

- Tụ điện: dùng mảng kim loại để đóng vai trò bản cực

- Cuộn cảm: Dùng mảng kim loại hình xoắn, tuy nhiên khó tạo ra cường độ

từ trường với kích thước hợp lý

- Cách điện giữa các bộ phần: dùng mảng SiO2, SiO…

+ IC đơn tinh thể (monolothic IC)

Gọi là IC bán dẫn (dùng một đế là chất bán dẫn, thường là SiO2…) Trong đó chế tạo transistor, diode điện trở, tụ điện… Rồi dùng chất cách điện SiO2 phủ lên che chở cho các bộ phận, dùng màng kim loại để nối các bộ phận với nhau:

- Transistor, diode đều là các bộ phận bán dẫn

- Điện trở được chế tạo bằng cách lợi dụng điện trở của lớp bán dẫn có khuếch tán tạp chất

- Tụ điện được chế tạo bằng cách lợi dụng điện dung của vùng hiếm tại một nối p-n phân cực nghịch

+ IC lai (hibrid IC)

Là loại Ic lai giữa hai loại trên Từ vi mạch màng mỏng, người ta gắn ngay trên nó các thành phần transistor, diode… tại những nơi đã định Các Transistor, diode không cần có vỏ mà chỉ cần một lớp men tráng để bảo vệ

Ưu điểm của IC lai

Có thể tạo nhiều IC (digital hoặc Analog)

- có thể tạo ra nhiều phần tử thụ động có giá trị khác nhau với sai số nhỏ

- Có khả năng đặt trên một đế

Câu 7: Phương pháp pha

Trước đây không có thiết bị điện tử nào có để đo được khoảng cách trong thời gian cực ngắn với độ chính xác cao nên người ta phải đo gián tiếp bằng cách

đo hiệu pha Δϕ là hàm của biến số t trong công thức et = E0 sin ( ωtt +ϕ0)

Giả sử tại thời điểm t SĐT phát đi với tần số pha tức thời là :

ζ P=(2.π f tP+ϕ0)

Sau khi truyền qua hai lần khoảng cách 2D ta nhận được trị số pha tức thời ở thời điểm tt là:

ζ t=[2 πf (t P+2 D

v )+ϕ0]

Bộ đo pha sẽ đo hiệu pha:

ϕ=ζ t−ζ P=2 π f 2 D

v

Từ đây ta nhận được khoảng cách:

D= ϕ 2π.

v

2 f

Vì ϕ có thể nhỏ hơn hoặc lớn hơn 2π mà bộ đo pha chỉ đo được chỉ số

từ 0 đến 2π nên ϕ được biểu thị tổng quát là:

ϕ=ϕ'+ Δϕ

Trong đó ϕ' là trị hiệu số pha bằng số nguyên lần 2π

Và Δϕ¿ ¿

Như vậy khoảng cách D được biểu thị dưới dạng:

D=N v

2.f +

Δϕ 2.π.

v

2 f Ngoài ra còn có mối quan hệ giữa v, f , T, và λ

λ=v T = v

f

Từ đó : D=N

λ

2+

Δϕ

2 π . λ

2

* Sơ đồ nguyên lý của máy đo xa loại pha

- Bộ phát tín hiệu: nguồn tạo sóng mang (1) + bộ điều biến ánh sáng (2), bộ phát tần số đo (3) và hệ thống phát quang học (4)

- Bộ phát tín hiệu phát đi dòng ánh sáng điều biến φ đb

- Sau khi truyền qua hai lần khoảng cách 2D nó được đưa vào bộ tách pha I (5) và II (6)

- Mặt khác bộ phát tần số đo (3) cũng tạo ra hai dao động điện áp (u1) và

(u2) có cùng tần số f nhưng ngược pha nhau 1800 đặt vào hai bộ tách pha (5) và (6)

- Hai dao động điện đi ra khỏi (5) và (6) có mối tương quan giữa tín hiệu đo

và tính hiệu chủ Kết quả là cùng đi vào bộ chỉ báo pha (7) là hai dòng điện (i1) và (i2) có cùng biên độ, cùng tần số nhưng lệch pha nhau 900 và bộ chỉ báo pha (7) sẽ ghi nhận những thời điểm trùng nhau của chúng ( Vì thế phương pháp này còn gọi

là phương pháp pha đồng tín hiệu)

b

TX  X

E

t

t

Bản chất của phương pháp xung là quan hệ giữa khoảng cách D với số lượng xung phát đi m trong khoảng thời gian giữa hai thời điểm phát (tp) và thu (tt)

Giả sử số lượng xung đếm được là m Chu kỳ xung TX tỷ lệ nghich với tần

số f nên thời gian lan truyền xung trên khoảng cách 2D là:

τ 2 D=m.TX=m

f (2.3)

Thay vào (2.1) ta có:

D= v 2f .m

Để tiện cho việc tính toán khi thiết kế người ta chọn f = v/2 nên số xung đếm được chính là trị số khoảng cách D cần xác định

D= v 2f m=

v

2.

2

Do sự phát triển của kỹ thuật điện tử nên khối EDM loại xung có hai dạng Trước đây sử dụng xung điều biến và dùng đồng hồ thạch anh, đồng hồ nguyên tử, hoặc ống tia điện tử để đo khoang thời gian τ Sau khi kỹ thuật điện tử tạo xung laser có độ dài τ X hẹp, chu kỳ TX lớn và độ rỗng σ =

T X

τ X lớn, đồng thời dùng khóa điện tử và bộ đếm xung thì khoảng cách D được xác định theo công thức (2.4) Tuy nhiên, sử dụng phương pháp này thì tầm hoạt động của máy đo xa điện

tử bị hạn chế ( khoảng 4 - 5 km)

Hiện nay khối EDM của nhiều máy TĐ ĐT hoạt động theo phương pháp xung

*Sơ đồ nguyên lý chung của máy đo xa loại xung

Sóng điện từ (sóng mang) từ nguồn bức xạ (1) đi vào bộ điều biến (2) Dưới tác dụng của xung điều biến được biến thành các xung điều biên hoặc điều tần Trong đó các xung làm điều biến được lấy từ bộ tạo xung (3) (3) là kết quả của quá trình chuyển hóa từ các dao động hình sin có tần số ổn định cao tạo ra bộ phát sóng cao tần thạch anh (4)

Xung (2) qua bộ phát tín hiệu (5) truyền đến bộ phản xạ (6) rồi quay về (7) vẫn là xung điện từ điều biên tương ứng

Trong quá trình đó bộ đo thời gian (8) đếm thời gian từ lúc phát xung làm điều biến và thu tín hiệu đếm khoảng thời gian

Câu 9: toàn đạc điện tử

1 Nguyên lý cấu tạo máy TĐĐT

Hình thức máy TĐ ĐT cũng giống như máy kinh vĩ quang học thông thường, có nghĩa là cũng có bộ phận ống kính, định tâm cân bằng, các ốc khóa, ốc

vi động… Tuy nhiên cấu tạo bên trong khác máy kinh vĩ thông thường rất nhiều

Có thể tóm lại một thiết bị TĐ ĐT gồm có ba khối như hình vẽ trên Trong đó:

- khối 1: đo khoảng cách điện tử EDM, có chức năng tự động đo khoảng cách nghiêng D từ tâm máy đến tâm gương phản xạ ( hoặc đến điểm ngắm trên bề mặt phản xạ)

- Khối kinh vĩ số ( DT) đơ hướng hoặc đo góc bằng, góc đứng ( góc thiên đỉnh)

- khối vi xử lý trung tâm 3: cài đặt các phần mềm tiện ích để giải các bài toán trắc địa Dựa vào dữ liệu đo của khối EDM và DT cùng với các dữ liệu khác như tọa độ của điểm gốc, độ cao của điểm đặt máy, chiều cao máy, chiều cao gương cũng như các yếu tố hiệu chỉnh vào kết quả đo như nhiệt độ, áp suất… CPU

sẽ giải bài toán xác định tọa độ và độ cao của các điểm chi tiết

Ngoài ra nó còn có chức năng quản lý dữ liệu, giao tiếp với máy tính nhờ sự trợ giúp của các phần mềm chuyên dụng

Gương phản xạ: nhận và phản xạ tín hiệu (sóng hoặc xung điện từ) về CPU của máy TĐ ĐT

b kinh vĩ quang học

câu 3: a phân loại máy thu GPS

* Phân loại

Các máy thu có thể được phân loại theo các tiêu chí sau:

a Theo mục đích sử dụng

Tùy thuộc vào mục đích sử dụng và yêu cầu độ chính xác người ta đã chế tạo ra nhiều loại máy thu GPS khác nhau Có loại chuyên dùng để dẫn đường (đạo hàng) trên biển, trên máy bay hoặc các phương tiện chuyển động khác Có loại được chế tạo gọn nhẹ (cầm tay) chuyên dùng để xác định gần đúng vị trí điểm Máy thu chuyên dụng cho trắc địa có những yêu cầu rất cao về độ chính xác tâm pha anten, khả năng lọc nhiễu…

b Phân loại theo phương thức theo dõi

Các máy thu cũ sử dụng một số lượng ít các kênh vật lý và tự lựa chọn theo dõi lần lượt các vệ tinh với tần suất khoảng 20 mili giây trên mỗi kênh Đây là nguyên tắc theo dõi lần lượt chuyển nhanh

Ngày nay, các máy thu được thiết kế sao cho mỗi kênh vật lý theo dõi một

vệ tinh và như vậy tất cả các vệ tinh đều được quan trắc liên tục Máy thu như vậy gọi là máy thu đa kênh hay máy theo dõi song song

Các máy thu phối hợp cả hai nguyên tắc trên gọi là máy thu kết hợp

c Phân loại theo tần số sử dụng

Theo tần số có thể chia máy thu GPS thành các loại sau:

- Máy thu 1 tần (L1)

- Máy thu 2 tần ( L1 và L2)

Các máy thu 1 tần phù hợp cho đo các cạnh có chiều dài nhỏ hơn 10 km hoặc đến 20 km Các máy thu 2 tần phù hợp với khoảng cách dài

B nd máy thu 2 tần số

Sau khi tín hiệu thu vào anten sẽ được xem xét phân biệt để giữa lại C/A code Các tín hiệu chuẩn đã được sắp xếp trước thành các đơn vị đối với mỗi vệ tinh Bộ phận này có khả năng phân tích logic để phân biệt các vệ tinh theo nguyên tắc giám sát hiệu ứng Doppler Bộ tần số radio xử lý tín hiệu đã vào các kênh Các máy 1 tần chỉ nhận và xử lý tín hiệu L1, các máy hai tần sẽ nhận và xử lý cả hai tín hiệu L1

và L2 Các số liệu nhận được bởi máy thu 2 tần sẽ được phối hợp để tính toán và loại bỏ khúc xạ tần ion Số lượng kênh đóng vai trò quan trọng của RF và do vậy

nó quyết định số lượng vệ tinh có thể theo dõi đồng thời

Các yếu tố cơ bản của RF là bộ duy trì tạo các tần số chuẩn, sau đó qua bộ nhận để có tần số cao hơn, tiếp theo tín hiệu được lọc để loại bỏ các tần số không mong muốn và thực hiện trộn tần Sau đó, từ 2 tín hiệu duy trì y1, y2 với các biên

độ khác nhau và các tần số khác nhau f1, f2 sẽ nhân theo mô hình toán học có dạng đơn giản như sau:

Y=y1.y2=a1cos(f1t )a2cos(f2t) =

a1a2

2 [cos(( f1−f2)t )+cos((f1+f2)t )]

Kết quả là trong tín hiệu y chứa cả các tần số thấp và tần số cao Sau khi sử dụng lọc dải thấp, phần tần số cao được loại bỏ Phần tần số thấp còn lại được sử dụng để xử lý Hiệu số giữa (f1 - f2) giữa các tần số thường được gọi là tần số trung gian hay tần số phách

Câu 8: Laser khí He-Ne

a Cấu tạo

Mặc dù những năm gần đây đã xuất hiện một số dạng laser khí CO2, Ar…nhƣng trong các máy đo xa điện quang vẫn sử dụng thông dụng laser hỗn hợpkhí trơ He (Heli)và Ne (Neon) Cấu tạo của nó (hình 2.1) gồm một ống nhỏ bằng thạch anh hoặc kim loại (1) ở giữa hẹp với đường kính gần 3mm hai đầu hơi phình, dài khoảng 25cm, chứa He và Ne theo tỷ lệ khoảng 1:10 đạt áp suất 1mmHg Hai đầu ống được gắn hai tấm kính (2), chúng được đặt nghiêng so với ống (1) một góc Briuter (3) nhằm tạo ra điều kiện phân cực toàn phần cho tia laser (góc nghiêng Briuter: i = arctg(n1/n2), trong đó: n1,n2 là hệ số chiết xuất của hai môi trường, ánh sáng phản xạ dưới góc i trở thành ánh sáng phân cực thẳng)

6

Hình 2.1 - Nguồn laser He-Ne

Hốc cộng hưởng quang học của laser là gương phẳng (4) và gương cầu (5)

có hệ số phản xạ  100%), (phản xạ toàn phần) đặt vuông góc với trục của ống (1)

Hệ số thoát sáng của gương phẳng  0.5%), và gương cầu  0.05%), Nguồn

nuôi của laser là nguồn điện áp một chiều (6) đặt vào hai điện cực anot (7) và katot (8) (khi kích thích bằng nguồn cao tần thì các điện cực bố trí bên ngoài ống laser) để phóng điện qua hỗn hợp He và Ne

b Nguyên lý hoạt động

Dựa vào thuyết miền năng lượng của cơ học lượng tử, có thể giải thích nguyên lý tạo thành chùm tia laser He – Ne sơ lược như sau (hình 2.2)

Khi nguồn nuôi (6) phóng điện vào ống (1) sẽ kích thích làm các nguyên tử khí He nhảy từ mức E1lên mức E4 Sau đó, chúng va chạm và truyền năng lượng cho các nguyên tử Ne Các nguyên tử Ne cũng phải chuyển sang trạng thái tương ứng với mức năng lượng cao nhất E4 Vì, Ne là chất hoạt tính có thời gian “sống”

ở E4 rất ngắn (10-3 s), nên các điện tử của nó lập tức phản xạ tự nhiên trở về E3, và

ở đây xẩy ra hiện tượng bức xạ tự kích làm cho chúng liên tục nhảy xuống mức năng lượng thấp hơn E2 Lúc này, các điện tử Ne sẽ “vứt bỏ” phần năng lượng thừa vừa tiếp nhận từ He dưới dạng các dòng foton ánh sáng lượng tử) với vận tốc:

v = E2  E3 h

Hay bước sóng:

Trong đó : h – hằng số plank; c – tốc độ ánh sáng trong chân không

Dòng foton sẽ thoát ra khỏi hai tấm kính (2) dưới góc Briuter tạo thành dòng ánh sáng phân cực thẳng Khi gặp hốc cộng hưởng (4) và (5) có hệ số phản xạ toàn phần, chúng bị phản xạ qua lại nhiều lần trong ống (1) Vì thế, sự va chạm giữa các

thành phần trong (1) tăng lên dần và các dòng foton tự khuếch đại mỗi lúc một lớn.

Và, cho đến một lúc nào đó, các hạt foton đủ năng lượng thoát khỏi gương phẳng (4) tạo thành chùm tia sóng có mật độ năng lượng lớn được gọi là chùm tia laser

c Ưu nhược điểm

Mặc dù ống (1) có kích thước ngắn và công suất tiêu thụ bé nên tia laser He – Ne có công suất bức xạ không lớn như sóng radio cực ngắn (2-5mw) hạn chế tầm truyền xa, đồng thời có hệ số hiệu suất thấp ( 0.05%),) nhưng vẫn được sử dụng rất phổ biến, vì nó có một loạt ưu điểm sau:

- Là chùm tia màu đỏ (>30 tia) rất dễ quan sát khi đo ngắm;

- Là chùm sóng kết hợp đơn sắc có tần số f ổn định cao (≈0.6328 km);

- Là chùm tia phân cực thẳng, với góc loe rất nhỏ (2-10‟) không bị tán

xạ, nhiễu xạ… truyền dọc theo đường đo;

- Có mật độ năng lượng tương đối lớn (gấp 107 lần tia mặt trời), ít bị khí quyển hấp thụ, truyền xa (≈ 50km) và cho phép đo ngắm trong điều kiện ban ngày;

- Thích hợp với bộ lọc ánh sáng dải hẹp và bộ thu nhận tín hiệu là ống nhân quang điện;

- Cấu tạo gọn nhẹ và có tuổi thọ cao v.v…

Câu 11: có bn phương pháp đo khoảng cách bằng song điện từ?

Có 4 pp đo khoảng cách bằng sóng điện từ:

- Phương pháp xung

- phương pháp pha

- phương pháp Doppler

- phương pháp giao thoa

 Phương pháp xung như sau: