Cơ sở công nghệ vi điện tử và vi hệ thống

Đẽn trôi ỈÀ đạo bÀm điện th ế cùa iữn a^on trong 16trọ n g.. nguồn, b dúng nguồn ghi^p và c dừĐg ỉỉguồn kỂt... SÂy ráỉi iớpm ẵtig vừa phủ âể khũỉ bị tảy đi khi phủ lởpỉnãng thứ hai... BỂ

6 T 7 J

- S ‘Í 9 M .

K H K T 9 9

Lời giới th iệu

C u ố n sách ” C ơ sở rô n g n ghệ vi điện tử và vi hệ th ổ n g ” c ủ a tiỂn sĩ NguyỄn N a m T^im g giới th iệ u với bạjí d ọ c m ộ t công nghệ mới c ủ a nền k h o a h ọ c công n ghệ th é giới: cồng

n g h ệ vỉ hệ th ố n g C ộng n g h ệ vi hẹ thỗng b d t n guòn t ừ công nghệ vi điện t ử và hiện ỉỉay d ã p h à t triể n tlìà n h m ộ t cổng nghệ d a ngàũh C ông n g h ệ vi hệ th ổ n g dư ợc coi là

m ộ t tru n g n h ử n g công n g h ệ c h ìa khóa c ủ a th ế ký hiú in ư d m ót.

D ể th iế t ké cá^ hộ th ỗ n g ngầy càng n h ò v ầ gọn nhẹ> ngoài các vi m ạch d iệ n tử

công ughệ vi hẹ th ổ n g còn c ỏ k h ả n&ng cấy th ẽm cảc b ộ p h ậ n vi cơ, ví qu an g hoặc vi lưu trê n cù n g m ộ t vi m ạch silic Công nghệ m ứ n ầ y k h ông n hừ ng đổi hỏi n h ữ n g công tỉgliệ cìié tạ o mới ĩiìà còn c à n dén những kỷ th u ộ i mới tro n g th iổ t kể và th ử nghiệm

C ổ n g nghệ n ày c ũ n g cần m ộ t lưựng thông t ÌQ lớn t ừ n g h iẽn cứu cơ bàn c ủ a càc hiẹn

tư ựiig v ậ t lỷ tro n g khỡiig fỊÌaỉì siẽu nhỏ

cỏỉkg n ghệ vi hệ th ố n g d à dược dư a vào chư c^g tr ìn h g iản g d ạy kỷ bư diện v ầ kỳ

sư c h ế tạ o m á y c ủ a h ầu h ế t cồc trư ờ n g d ạ i học nói tiẽ n g tạ i ch&u Ả u c ũ n g n h ư tại

li o a Kỷ C u ố n s ã d ỉ n à y chọn lọc m ột 3Ổ kìỂn th ứ c cơ bản c ủ a cồng nghệ vi hệ th đ n g

d o tá c giả b iê n so ạn và s á p x é p lại tro n g th ờ ị gỉân làm v iệc tạ i Đ ại học T ổ n g hợ p K ỹ

t h u ậ t C h e m n itz (C H L B Đ ừ c) vầ tạ i Đại học T 6ng hỢp C a lifo rn ia Berkeley (H oa K ỷ)

H ) vụng rỉuig cuốn sách 8ẽ g iú p ích cho các sin h viên Vá k ỹ sư tro n g cÂc ỉĩn h vực: vật

lý ửng d ụ n g , d iệ n tử , vi d iệ n t ử và kỷ th u ậ t do

CuổQ sách x u ỉ t bản lầ n d ầ u nên chác ch án k hõng trà n h kbỏi nhử iig th iếu s ò t R ấ t moQg dưỢc b ạn đ ọ c góp ỷ T h ư góp ỷ xin gửi \ i N h à x u á t b ả n K h o a học và K ỷ th u ậ t

T h u ật ngữ v iết tắt

S C R E A M S ingle C ry sta l R e a c tiv e E tc h in g aiid M etallisatio n

M ục lục

2.1 T ụ o l ở p 15

2.1.1 K é t tủ a khí h ó a 15

2 L 2 KỂt tủ a khí l ý 16

2.1.3 Ô xi hóa n h i ệ t 18

2.1.4 P h ủ li tâ m 19

2.1.5 C á y i o n 20

2.1.6 G h ép đ ĩa và a n m òn bề m ặ t 20

2.1.7 C ảc loại l ớ p 21

2.2 T ạo h l n h 34

2.2.1 D ịn h h ln h p h im c ảm q u a n g 34

2.2.2 Q u a n g k h á c 35

2.2.3 Q ư ố trin h tru y ề n h ì n h 36

2.2.4 T ả y m ì ú ì g 37

2.'ò Ă u l ì ì ồ n 36

2.3.1 Ản m òn ư ơ t 39

2.3.2 A a m òn k h ô 40

2.3.3 C ác loại khỉ p h ả n ửng và phư ớng trìn h p h ồ n ứ n g 4C 2.4 C ấ y tạ p d i Ẩ t 47

2.4.1 K huéch tá íi n h i ệ t 47

2.4.2 C ấy i o n 47

2.4.3 H o ạ t h ỏ a tạ p c h á t 48

C h ư ơ n g 3 V i c ơ s ilic 5 5 3.1 V ỉ cơ k h ớ i 55

3.1 ỉ Q u a n g k h ác h a i ữ ì ậ x 56

3.1.2 Ả n m òn d ị h ư ớ n g 57

6 MỰC LỤC

3.1-4 G h é p nổi đ ĩ a 01

3 1 5 X ử lý th ủ y t i n h 02

3.2 V i c ơ b ề m ặ t 63

3.2.1 V i cơ b ề m ặ t d ù n g lớp h y s i n h C3 3.2.2 V ậ t liệu lớp hy sinh C3 3.2.3 T h iế t k ế chi tiế t vì cơ b ề m ạ t d ù n g lớp h y s i n h G4 3 2 4 P h ư ơ n g p h á p b it k l n ũ'ị 3 2 5 D in h cáu trủ c khi &n m ò n lỉí^ hy s i n h c c 3.3 V i c ơ g ầ n b ề m ặ t GG 3 3 ỉ S C R £ A M (Single C r y s ta l R e a c tiv e E tc h in g a n d M eU iliisỉitio n ) 67 3 3 2 S IM P L E (Silicon M icrom achiD Ỉng by P l a s m a E tc h in g ) G7 3.3.3 SỈM O X (S e p a ra tio n by I m p la n ta tio n o f O x y g e n ) 68

3.3.4 B S M -S O I (B lack S ilicon M e th o d -S ilic o n o n l a a u l a u ^ r ) G8 3.4 V Í c ơ L I G A G<J 3.4.1 Q u a n g k h á c 69

3 4 2 M ạ d ì ệ n h ổ a C9 3 4 3 Đ ú c ch i t i é t 70

C h ư ơ n g 4 V i c ả m b i ế n si!ie t r ự c t i ế p 71 4.1 H iệu ứ n g q u a u g diỆn tr ở v ầ q u a n g d iệ n t ử 73

4.1.1 Q u á tr i n h h á p th ụ á n h s á n g 73

4.1.2 T in h n h ạ y 8&ng c ủ a d iệ n d ẫỉi siỉic 75

4.1.3 T h iế t k ể v à cốc th a m sổ cãỉi bản c ủ a q u a n g diện t r ử 7G 4 1 4 T in h a h ạ y sán g c ủ a q u ả tr ì o h d i chuyển p h ^ tử m aỉig d iệ u tỉch q u a m ặ t tié p x ú c 77

4 1 5 T h iế t k ế c ả m biéiì q u a n g d iện t ử 79

4 2 H iệu ử n g ion h ó a 83

4.2.1 QuẤ tr i n h iạ o ion v à tạ o lỗi tin h t h ể 63

4.2.2 T h iế t k ế cảm biến t i a p h ổ n g x ạ 85

4.3 H iệu ứ n g ả p d iệ n tr ở và á p diện t ử 89

4.3.1 H íệy <fng &p áxệxì t r ở ÔO 4.3.2 T h ié t ké c ả m bién á p d iện t r ở 1)3 4 3 3 C ả m b ién trẽ n c ơ sở h iệ u ử n g ả p diện t ử 94

4.4 H iệu ứ n g ĩih iệt đỉệD trở v à n h iệ t d iện t ử 95

4.4 ỉ T ỉn h n h ạ y ĩìhiỆt c ủ a d iệ n d ả n 8 i l i c 9(ỉ 4.4.2 T h ié t ké cảm biến n h iệ t d iệ n t r ở 97

4.4.3 T in h n h ạy n h iệt c ủ a q u à tr ì n h dì chuyển p h à n t ử m oiìg diệĩi t tc h q u a m ặ t tiếp x ú c !)9

4 4 4 T h ié t k ế cẢm biến n h iệ t diệQ t ử 100

4 5 H iệu ứ n g t ừ d i ệ n 102

4.5.1 H iệu ứ n g Ha l l, h iệu ỬDg t ừ d iện t r ở v ầ hiệu ứ ng t ừ m ộ t d ộ 103

4 5 2 T h iế t kể c ả m biỂn t ừ d iện t r ớ v ầ b ọ p h ấ t Ha l l 10-1 4 5 3 T tn b nhẠy t ừ cử a quÀ tr ì n h d i chuyổn phỉủi t ử m aiig d iậ n t i d i q u a m ặ t tié p x i x c 105

4 5 4 T h ié t kế c ả m b léa t ừ d iệ n t ử 108

'\.ú Hiệu ứng trư ờ n g u h ạ y d iệ n t í c h 110

4.G.1 C ảm b iến i o n 111

4.6-2 C ả m h ìé n d ộ ả m 113

•1.7 Hiệu ứiìg n h iệ t đ iệ n X 113

4.S ỉỉiệ u ứng h ỏ a d iệ n vầ &p d i Ệ n 114

C h ư ờ n g 5 V i c ả i i ì b i ế n g iố ii t i ế p 1 1 5 5.1 C ảm biến g ián tiế p c ơ 115

5.1.1 C àn ì b iế a g ia t ổ c 115

5.1.2 C ả m b iế n vận tổ c q u a y ( g y ro s c o p e ) 123

5.1.3 C ả m b ié n ầ p s u ấ t .124

5.1.4 C ả m b iế n l ự c 127

5.1.5 C ả m b iế n đ ò n g c h à y 129

5.2 Vi c ả m b iến g iố n tiẾp n h i ệ t 131

5.2.1 C ả m b iế n g ia t ó c 131

5.2.2 C ả m b iế n d ò n g c h ả y 131

C h ơ d u g 6 V i d ổ Q g 1 3 5 6.1 Vi đ ộ n g cơ h ọ c 135

6.1.1 Vi d ộ n g tìn h d i ệ n 135

6.1.2 Vỉ d ộ n g n h i ộ t 139

6.1.3 Vi đ ộ n g t h ủ y / k h í l ự c 140

6.1.4 Vi đ ộ n g hỢp k im n h ở 140

6.1.5 Vi đ ộ n g ố p d i ệ n 141

c.1 6 Ví d ộ n g t ừ 141

6.1.7 V i đ ộ n g h ố a 142

G.2 Vi đ ộ n g q u a n g 143

G.2.1 M ần h ìn h t i n h th ể l ỏ n g 143

6.2.2 Vi đ ộ n g d iề u b ié n q u a n g 145

6.3 V i lưu 146

6.3.1 Van vi l ư u 148

6.3.2 B ơm v i l ư u 149

Chươag 1

TCí k h i chiếc tr a n s is to r d ầ u tiê n x u á t hiện n ă m 1948 vằ t ừ k h i vi m ạch diện t ử dầu

tiOn (lược th ự c h iệ n n a m 1958, công n ghệ vi d iện t ử t r ả i q u a m ộ t q u á trln h p h á t triẻ n íih an h chóng m à c h ư a m ộ t k ỹ t h u ậ t và cỗng n g h ệ n à o đ ạ t d ư ợ c tro n g lịch sử nhủi) lo^U 'rro n g q u á tr ì n h p h ố t triể n , k ỹ th u ậ t d iệ n t ử d ả d à n chuyển saiig k ỷ t h u ậ t diện

t ử bấui dảỉi C ơ sở c ủ a d iệ n t ử b án d â n lồ công n g h ệ vi diện tử Công n g h ệ n à y có

k h ả nârig sản x u á t h àiig lo ạ t n h iều chi t ié t giống n h a u với kỉch th ư ớ c siôu Iihỏ m à kỹ

th ư ậ t cư k h í c h íu h x à c k h ô n g th ể d ạ t dược

P h á t m in h h iệ u ứ n g à p t r ở (piezoresistive) c ủ a v ậ t liệu bán d á n vào n am 1954 d ã jnở catỉh cử a d ầ u tiê n c h o việc sừ d ụ n g c ô a g n g h ệ vi đ iện t ử vào việc sả n x u ấ t càc chi tiẾ t p h i d iệ n tử L à n đ ầ u tiê n ĩỉgườỉ t a d ù n g đ ĩa silic vởi diệữ t r ô Cỉly lảm c à in biến

cơ vào nam 190!^- Q ư ầ tr i n h p h à t t r i ể i n ấ y k h c n g chi x ảy ra tr e n linh vực cơ hục m a

còn trẽ n càc lĩn h vự c k h o a h ụ c k ỹ th u ậ t kh ác n h ư q u a n g học, th ủ y dộng h ọ c C ụ th ể

là Iihững chư ven n g à n h m ỡi như vi C0» v ỉ q u an g , vi lư u d ã h ìn h thiVih và d ajig p liá i triể n

T ừ giữ a t h ạ p k ỷ 80» cô n g n ghẹ mởí n ầ y phầxỉ lớn dược sử d ụ n g d ể SiUi x u á t cầc

b ộ vi cảm biẾn (m ic ro se n so r) v ầ đ i th ẽ m vè hướng cốc b ộ vi dộng {m icro actu ato r)

Tụi cầc nước n ó i tié n g A n h n h ữ n g chi t iế t siỗu n h ỏ n ày dược gọi d iu n g là vi d iệ n cơ

hệ thónọ (M E M S , m icro e le ctro m e ch an icai sy atem ) T ạ i Ẳ u C h â u và a h ẫ t là cốc nước

ỉiữi lỉỂng D ức k ỉỉài a íẹ m th ư ờ u g đ ự ọc Bử d ụ u g ìỉí v i h f ihốny (xnicrgsystcm ) T ru n ^ í.:uứn gủch uày» tá c g iả sẻ chĩ d ù n g k h ả i niệm vi h? th đ n g vĩ k h á i nỉệm Hầy k hông hạii

chỗ tro u g các lĩn h v ự c cơ v à diện m à k h ầ i q u á t m ọi lìn h vự c v ặ t lý khác C ô n g Iighệ

vi hệ th ố n g , vi vậy, ỉà m ộ t cống n ghẹ d a n g ả n h v à d ò i hòi người kỹ »ư c ũ n g ĩihư nhi\

k h o a học m ộ t k ié n th ứ c tư ơ n g dổi tổ n g q u ố t

Bảỉỉg ỉ l m ỡ t ả ciìặn g dườiỉg p h à t triể n m ầ n g ầ n h v i h$ th ổ n g dA d i q u a C ho lỉến clàu n h ữ n g n a m c h ín m ươi q u á tr ìn h p h á t triỂ n Qày chỉ được nliận b iét q u ỉi tién

b ộ tro n g n g h iẽn c ứ u c h é tạ o vi c ầ m bién T ừ đ ầ u n h ữ n g n â m chín mươi tr ở iại dây

công n ghệ n à y m ớí th ự c sự b iến th à n h m ộ t công n g h ệ đ a n gâiih với vô sổ sảji p h ảm khốc: như: b ộ vi đ ộ n g , b ộ p h â n tíc h h ố a sin h siêu nh ỏ , m ốy p h â t diện diC‘u nh ỏ , m áy buy trin h th á m siê u n h ỏ S ự d a d ạ n g v à tiề m ả n c ủ a cỗng n ghệ inới này aè vưựt

q u a k h uôn khổ c u ố n s á c h n ày C u ố n sầch chi giởi th iệ u m ộ t cốch hạii ché n h ữ n g công nghệ cơ b ả n v à m ộ t vài vĩ d ụ ứ n g d ụ n g T ro n g tư ơ n g 1 ^ g àn , bạn dọc sè còn dưực

R ả n g 1 1 : NhửDg chẠng đường pbÀt ư iển cù a 1'ổQg nghệ vi hệ tỉiùng

ỨDg &p su&t trẽo một siỉic 10 cm ^ ]

” lĩftng Inte^rftted TVansduc^rt

Honeywell

^H&ng Nova Sensor

^ComeU University Uhaca

Texas Instruments

^ĩĩing Analog Deviced

C ãc giai d o ạ n tr ẽ n d ư ợ c m iĩìh h ọ a tro n g v i d ụ cảm biến &p s u ầ t như sau

G ia ĩ d o ạ n k h á m p h à S au p h â t m in h tra n a isto r lưỡng cực vào nỉưn ỈD48, uliièu cổng trìn h n g h ỉẽn cử u cơ bản d ư ợ c tiến h ầ n h dể xàc đ ịn h đ ặc tỉn h v ậ t liẹu bíxỉi dẵjì

S m ith kh&m p h á r a h iệ u ử ng à p t r d vào n&m 1Ỡ54 Hiệu ử n g n ày dự a trỗ n hiện I \ím ^

th a y dối d iệ n t r ở c ủ a v ậ t liệu b á n d âii khi c h ịu ttự: d ụ n g lực K&ng »6 Àp t r ỏ c ủ a vặt liẹu bỗJ\ dảỉì lơn g ỉ p m ộ t tr&m làn so với k im loạỉ.

C âm biếu (ip s u á t đầu tiê ii dư ợc sản x u á t b àng cách d ừ n g m ộ t th aiìh eiỉic rnỏng

T h a n h si lie n ày dưực sử d ụ n g làm d iện t r ở c ản i bién vù đưực clíuì l^n v ậ t biến (ÌỊing

kíjn lụ ii vằ b iến d{\ng nó T h a n h silic cũng d à n r a d ả n clén d iệ n trử th a y đỏi tuyén

tín h vớỉ ^ip ^ u ăt Biến ấ p ké dCing tro n g cỏng ng h iệp sA d ụ n g loiU cảjn biến n à y x u á t hiộn 1 ^ d ầ u tiô n vào nỉUn 1958

G i a i đ o ạ n p h á t t r i ể n cô D g n g h ệ c ở b ả n Đổ tr á n h àiih hưởỉỉg cU n h iệ t, ciĩộn

tr ở cảm biến (ỉược khuéch tá n tr ự c tiế p vào m à n g silỉc M ầng này đưực háiỉ hỢp kim

vởi n ề n cũ n g b à n g sììỉc bởi m ộ t lớp vầng m ỏng T lìié t ké m ởỉ này kìú én cảm b ién có

th tíơ n g inại h ố a tìn ỉ th ị trư ờ n g ” vtíi m ục đ ĩc h d ư a cỗng n ghệ vi hộ th đ n g vào càc ứng

d ụ n g thự c t é v à q u a d ó th ầ ỉìh lậ p th ị trư ờ n g c h o sản p h ám c ủ a nó

G i a i đ o ạ n x ử lý lô ( B a t c h F a h r i c a t i o a ) T ro n g giai doạii này ináỉìg inỏiỉg silic

d\iỢi: CỈIỔ tạ o h á n g lo ạ t b&ng phư ơng phẤp ã n m òn d ị hưởng (tố c d ộ ỉai raỏn p h ụ th u ộ c vòú hưởng tin h th ổ ) T a gọi là phươỉig p h ấ p x ử lý lổ, ngliỉa lÀ hầng t r ^ n m àiìg silic

cỏ th ẻ (Jược sả n x u á t cùng lúc VÀ h à n g lo ạt tro n g m ộ t lô Tưưiig t ự nliư tro n g công ngtỉệ vi diện lừ , m àng m ỏng cố th é dưgc sả n x u ấ t chinh xốc nhờ (Ịuang kh&c vồ, Sưì

m òn M ội cỡ ng n ghẹ mtíì n ữ a c ủ a giai doạỉì nầy lầ phưưng phÍLp bAn t i a iun <ìé cạo

dỉện t r ủ càm biến và phươìig phố.p g h ép ầm cự c d ể Dối chi tiỂt vi cư ú l k với nềỉi bàỉỉ^

th ú y tin h d ạ c biệt

Pliưt/Iig p ỉìá p x ử ]ý lỡ k hiến kích th ư ớ c cảm biếtỉ tiổ p tu c giàin vù góp phàỉi làm

giảm ĩỉhcUìh g iả th à n h sần p h à m T h ê m vầu d ó, cảm biến d ạ t được d ộ ồn đ ịn h n h iệt

vầ đ iệ a cao h c ^ G iai d oạn này c õ th ể được coi ià ” giaỉ đ oạn giảm giíi và m ở rộng ứng

dụag** Siu) p h á m c ủ a cổng n ghẹ vi h ệ th ổ n g d ã tim được cbđ d ứ n g tro n g d iẽ u kliiáỉì

l ự d ộ u g , ngàiiti h à n g khong v à cấc ng àn h công ng h iẹp khác.

G i a ỉ d o ạ n c ô u g n g b ệ v i h ệ t h đ n g C ô n g n ghệ vi h ệ th ố n g bao gòin cấc kỹ

th u ậ t và phUcMg tiệ n sảĐ x u ỉ t c&c d ỉ i tiế t v i d iệ n tử , vi cơ v à vi quuỉ)g Côĩìg n ghệ

vi h ẹ Uỉốỉig lầ m ộ t d&y chuyền tổ n g hợp n h iỉu k h â u x ử lý:

• tạ o lỡp ,

• tpỢo h ỉn h (q u ỉu ìg khác, â n m ồn) c ủ a lớp hoặc v ậ t liệu nÌTìy

• c&y tạ p d ả n ,

• ghép u6i pììòix t ử tlỉà n h h ệ th ổ n g (căy tích hỢp, căy lỉd).

N g ày u a y (v ào n h ữ ng n a m cuối th ế kỷ h a i mưctì), công n ghệ vi hệ th ố n g chủ yếu dưực sử d ụ n g dé:

• giảm k ỉc h th ư ở c cảm biến v à CÃC cáu tr ù c k h àc xuổiig vài m icron,

C ỡng nghệ m ởi n ày dư ự c coi lồ phĩUi bổ su ĩig h a y pliỉUi tiếp nói ci'ia q u a iriĩilí ịúxixi triề n vù b ão tro n g cồiig tighẹ vi xử )ý C ố c b ộ vi xử lý ỉ\%ky càỉ\g hoíu\ T.jiiijM \ a tr tièiìt tihưiig cấc h ệ th ố n g d iều khién tự à ộ ìig lạỉ th ỉé u VỈÌC b ộ cảiTi b iến vuỉỉìịỉ, iliíưỉi>>

về g iâ cũ n g Iihư c K ỉt Iượng C ũng Qghệ vi h ệ th ố n g dkỉnh ](\ lổi th(XiL c ủ a VỈUI iìv uáy

N éu ĩìhừng n ỗ jn Uun m ươi và cliío m ư d i à '’th ậ p k ỷ c ủ a vi x ử iý" lìú t h ặ p kỷ UÍI h(‘

là " th ậ p k ỷ c ủ a vi h ệ th ỗ n g ”

C u ố n sảch C ớ s ở c ô n g n g h ê v i d i ệ n t ử v ò v i h ệ t h ổ n g c ỏ in iic dicli glứi tliivu

n h ữ n g kỹ t h u ậ t v à ứng d ụ n g cơ bản c ủ a c ô n g nghệ vi d iện tử nỏi rlẽiằg và vì hộ

nới c h u n g với s in h viẽn v à các n h ầ n g h iên cứu tro n g nhiỄu lĩn h vực kỳ th u ậ t: vịit 1} ứng dụiỉg, d iệ n tử , vi diện tử vả kỷ th u ậ t đ o C ả d ỉ phclii luại từ u g cổiỉg

học ở c h âu Ả u YÒ, H oa Kỷ.

NgoÀì chươQg 1, cuốn sÀch dược ch ia là m ahiìì phầỉi d ỉín li:

• Vì cổ n g n g h ệ vi h ệ th ổ n g c ù n g bao h à ỉn c ả còng nghẹ vi (ỉỉộn l ử , cuốn ỉsdc*h (laitli chương 2 d ể giới th iệ u nhữ ng q u à triỉkh x ử lý câJi bản tru n g cOiỉg n g h ệ C M O S

(C o m p le m e n ta ry M e ta l O x id e S e m ic o n d u c to r), côiig n g h ệ d i e xụu vi iUặvU vi

x ử ỉỷ v ầ v i m ạch b ộ n hớ ) C hư ơng n à y giỂA thiệii Dguyẽa tá c cliẽ tạ u V'ầ Ciu* kxti

th iế t b ị cầỉi th ié t tro n g toảii d ây ch u y ẽn chỂ tạ o vi Hìsu:h dlệỉJ t ử

• T iế p th e o , nhCfng kỹ th u ậ t dặc b iệ t c ủ a công nghệ vi cơ dư ực giới th iệ u tro n g chưcfìig b a Chươỉig n ày g iú p bsin d ộ c h iẻu diiợc uhữ ng kỷ t h u ặ t chế ta o c!ii liỉ^t

vi cơ và c ầ d i ứng d ụ n g chúng tro n g việc thiỂ t ké các ehi tu lt aiéii n h ỏ ii\on^

m uốn

• Chư<Jiìg b ổ n liệt kẽ ulỉững hiộu ứng v ặ t lý cơ bàỉỉ c ủ a v ậ t liệu bỉlic vũ ứỉiK

c ủ a ch ú ỉìg d ể tlú ổ t kể vi cảm biến sìlic trự c tiẽp

• Chươỉig n ã m giới th iệ u n g u y ẽn tác h o ạ t d ộ n g và cách sảii x u ấ t các vi cãtii biếiỉ

vi cơ tiê u b ỉẻu như: càm bién â p s u ấ t, cảm biễn g ỉa tổ c và cõin b iến d ò u ^ c lỉảy

N hững c ả m b iển n ày đưực gọi là vi c ả m bỉến sỉlic gián tiếp

n ày sẽ ch i r a nhử iig tiềm áĩi và k h ả nỉiiig ứng d ụ n g n h ỉẽ a in ạt ỉ:ủa ví clộu^

Chương 2

V i điên tử

K ỷ t h u ậ t cấy tra iis b to r, diện ư à và tụ diện trê n m ộ t v*Ạt liệu bíui dẳii (d iủ yéiỉ lả

ổiiic) d ặ c trư n g d ìo công ughộ vi diện tử Với m ục tiê u cáy t h ậ t uliíèu d ú ti ế t trê n

m ộ t vi in ạ d i, h a i lỉưở{)g p h á t triổ n c h ỉu h c ủ a vỉ d iện tử trư n g nhừiỉg n&m q u a là:

• giùỉiì k id i th ư ớ c c ủ a ph&ỉi tử ,

♦ tiỉỉỉg số Uing u6ì kitn loại.

B ã iỉg 2 1 : Hướag phát triền của vi mạch bộ nbớ

ilu iậ t vi diện t ử là q u y trìn h bầiì x u ă t vi m ạ d ỉ h à n g lo ạ t và rẻ tiẽ n G iá thỉưứ ì th á p

d ạ t (i\sợv bởi x ừ lý lô , tứ c ìừ x ử lý n hiều d ĩa 9iiic c ù n g m ộ t lú c, căy nhiõu vi rnạ^h trẽ n m ộ t dìa vồ, căy nlìiCii phìUì t ử trẽ n m ộ t TÌ m ạcli Sổ híỢỉig pliỉln t ừ trô n inỌt vi ỉiỉạch g ia tãn g <JAjì d ế a việc plỉải d ù n g d ĩa silic c ỏ k id i th ư ớ c n g ầ ỵ c«\i)g \ơn.

\ởĩì lỗi aằn p h ẩm d&u x u ỉ t p h á t từ bụi tro ĩig m ỡi trư ờ n g sảii x u ă t B n mươi p h àn ư&iTi

n g u y ê n Iihảii gừỵ bụi déiì từ con người, ba mươi ph&ii tr&ĩn x u á t p h á t từ v ặ t liệu và

bón m ươi ọhìúì tr ẳ m còn lại d u d ụ n g c ụ sàỉì x u ấ t g â ỵ liên.

D iều kiện p h ò tỉg âạch dược d u y t r l b&ng n h ữ n g phư ơng th ứ c sa u dÀy:

• g iảm sỗ iưựiig b ụ i tro n g m ỗi trư ờ n g h ă n g h ẹ th ố n g lọc,

• 8ử d ụ n g v ậ t liệu, d ụ n g cụ và m ốy m ốc ít bụi.

T h a m ỉỉổ d ỉin h CÙH pliủng sụch lầ số lượỉkg h ạ t bụi tro n g ]n ộ t iht1 tk :h kli0a>^ kln

n h ấ t d ịn h N liững th a in sỗ khồc là các d iề u kỉ$n v ậ t lý còn ]ại như ìú ú ệ i iiộ , d ộ ầiik vận tổ c d ò n g k h i vù ru n g d ộ » g nẽn T h a m số sạch dược xốc ứ ịìúì b ử ( liuAiỉ V S(U uittH l

S ta te s, còn gụi lầ c h u ẳn M ỹ ), xem hỉnh 2.1

K í c h i h ư d c h«^ b ọ í

H ì n h 2 Ĩ Ĩ C&c b ạ a g p h ò a g SẠcb t h w c h u ẩ n ư s (k íc h th ư ớ c h ạ t bụi ( in h tlu*ỉo m k r o t i j

Đ iéu kiẸn phòQg sạch c h o vi m ạ d i 16 M B hiện nay là hạiig I liay KÌẽu ỈHuig Hinli

2.1 cbo th ấ y rỏ rằ n g p h ò n g sạch c ủ a h ạ n g n ầ y c h i cho p h é p tồ n UỊÀ !ilỉiẽu n h iíi 35 hụi với k lrh thxtờc 1/ểtn tríMìg m ộ t fiw t k h ố i (0,03m*^) DỂ snn x u ấ t Hii tiố t vi cơ thựr

r a đ ộ sạch ch! c ằ n d a o d ộ n g g iữ a h ạng 1000 d ể n h^uig ỈO

Đ ể th ự c hiỆn cấc q u ủ tr ìn h cỗng n g h ệ vi \ìệ chổng» t a C&ỈI m ội aố ỉn a y m ức d(U

b iệ t N hững rnáy m óc Iiày sẽ dưực giới th iệ u kỷ dưới <líly T ro u g Iiiột lihỉi m ay clu'

tạ o vi m ạch hiện dại» m áy inổc chuvẽn d ụ a g dưực bứ trí dưới áịUi^ nhử iig dụiìịi, CI.I cụm (c lu ste rto o l) C ảc d ụ n g cụ cụm d ư ợ c b ố tr ỉ u h ư n h ừ n g vệ tin li xuiỉg (juajih tiỉộL

m áy chuyển d ĩa silic t ự d ộ n g Lợí diém c ủ a d ụ a g cụ c \u n là:

• cải tié n q u ả trm lỊ^xử lý ?ũ,

• th a y d ổ i th a ỉĩi số x ử lý n h ư ý muốri> d o k é t q u ả ngay tro n g khi dcUig x ử lý,

« đièu kiện c h ă n k h ô n g liẽn tực»

• giảm q u ấ tả i n h iệ t tro n g q u à trìn h x ử lý>

• giảm sđ ỉỏi tro u g q u ả triu h x ử lý,

2.1 ĩạo\ữf> 15

• tAỉig n â n g g u á t b&ng cách tâ n g kinh th ư ỡ c đ ĩa silìc

C à c kỹ th u ậ t c h ín h c ủ a vi d iện t ử sẻ được b ầ s d ể n tro n g nbttng p h à n tiép th e o

Cố n h iẽ u phư ơng ph&p tạ o lớp T ù y th e o đòi hỏi về c h á t lượng v ậ t lỷ vầ h ố a hục c ủ a

c h ủ n g tro n g vi m ạ c h , t a cú th ề chọn phươDg p h á p th íc h h<^ T a phỉLi biệt h a i phương

p h ấ p tạ o lớp chinh:

• loại ỉrự c iiếp đ ù n g silic làm v ặ t liệu ch ín h d é h ln h th à n h lớp, silic cố lế c d ụ n g

n h ư m ầm tin h th ổ , hoộc là m v ậ t liệu d ổ i tá c tro n g p h ả n ứng hóa học (ep itax ỉ,

ôxi h ó a nhịệị^ k ỗ t t ủ a k h í h ổ a) VÃ

• loại g iá n tiế p c h i d ử n g silic ìầĩũ nỄn cho v ậ t liẹu khÃc (k ét t ủ a khỉ lỹ)

K é t t ủ a k h ỉ h ó a ( c h e m i c a l v a p o u r d e p o s i t i o n , C V D ) là piỉươỉig p h á p q uan trọ n g n h ă t đ ể tạ o t r ẽ n m ộ t v ậ t liệu n ền cấc lớp vỡ d ịn h h in h , dơn tin h th ề v à d a tiĩih

th ẻ T a p h ả n b iệ t b a loại k ể t t ủ a k h i hỏa k h á c n hau:

• tạ i ầ p 8 u ăt khôDg khí [A P C V D ị A tm o sp h eric P re ssu re C V D ),

• v ầ tro n g p la s m a [P E C V D ^ P la sm a E n h a n c e d C V D ).

Q u á trỉn h k ể t t ủ a k h i b ổ a x&y r a th e o c&c bước sa u đÂy:

• d ẳ n k h ỉ tả i ch&t p h ả n ử n g vào lổ vá d ư a lẽn b 6 m ặ t v ậ t liệu n ền ,

« k ế t t ủ a hay h á p th ụ c h ấ t phảkn ữ&g tr ẽ n b ỉ m ậ t v ậ t liệu nền,

• thoẤ t khỉ th ả i c ủ a p h ả n ứng h ó a họC)

• vộa chuyền k h ỉ th ả i khỏi b i m ậ t vạt ỉiẹu n i n vò, lò p h à n ứng.

N ếu v ậ t liệu a ề n k h ô n g cho p h é p n h iệ t d ọ p h ả n ứ ng cao {trén 300»,.400®C) t a phải tién h àn h p h ả n ứ n g tro n g plaỉỉm a T ác động g iữ a d iện t ừ vât ph&n tA khỉ h ỉn h

ion, n g u y ên tử , ioũ p h ã ỉỉ tử t ự d o c ủ a c h ấ t p h à n ứ n g d ư ^ d ạ n g pUưtna K h ố i p laam a

nồỵ được d á n đ í n b ề m ặ t v ật Uệu n ền vầ dược h í p th ụ ở dờ N hiệt độ i ì h ỚÌO phÌA

ứng tro n g trư ờ n g h ợ p n à y th á p h đ n n h iệt đ ộ tro n g C V D th õ n g thư ỡ iig r á t nhiỄu N bờ

cổ h ệ th ú n g E C R (E le c tro n C y c lo tro n R e so n a n ce ) p h ư u n g P E C V D c 6 th ể tậ o

râ o h ữ n g lỡp c ó c h á t ỉượng cao lệ ì n h iẹ t đ ộ t h í p v& tố c đ ộ k ế t t ủ a tư d n g d ố i o h a n h

Đ iẻm đ ạ c b iệ t c ủ a p h ư ơ n g ph&p n&y ỉà v ị tr ỉ câch b iệ t c ủ a n d h ln h th à n h p ia sm a (v i

b a 2,4 5 G H2, n 6 n g d ộ p la sm a c a o , &p s u ấ t t h ỉ p ) v ầ lồ p h ả n ứ n g H ình 2 2 m i€u t ả

cếc \oệi lồ k ế t t ủ a k h ỉ h ỏ a thC ng d ụng

P ò n g k h í p h ả n ứf^g

D ĩ a s i l i c NgLi&n n h ỉ ^ l

lá loại lổ tường Qguội (khỡng cõ ngu&n sh iệt iệÁ tường ỉồ), cấc loại củn l^ii thuộc loại tưcmg

nóng Loại a vầ b củcg có th ể dừng tưởng Qguộí

2«1,2 K ế t tủ a k h i lý

K Ể t t u a k h i l ý ( p h y s i c a l v a p o u r d e p o â itio D , P V D ) tạ o các lỡp (lầii điện (ỉhư kim

l o ^ h a y silicit B ổc bay n h iệ t trong chãn khôug V T A (V a c u m T tỉe riĩia l E v a p o ra tio n )

v ầ bổc bay tùx diện tử E B E ( E le c tro n B e a m E v a p o ra tio n ) là h a i phươỉig p h ố p thôỉỊg

t b ư £ ^ nh&t N goầi r a còn cổ phư ơng p h à p ep ita xi tia p h ă n tử M B E [M o le c u la r litiăìn

ep itax y ) vầ phư ơng p h ả p bóc bay pháĩí ứng R E (R e ac tiv e E v a p o r a t i o n ) PhưtAig p h á p

b ố c bay p h ả n ứng h a y g ặ p tro n g ché tạ o cảc chi tiỂ t vi quang

P h ư ơ n g p h á p p h u n (s p u tte rin g ) l ì m ộ t tro n g n h ữ ng phương p h á p k ẽ t t ủ a lý quaiỉ

H ì n h 2.3» Nguyẽn iẩc lỏ phun cao tầỉi Đẽn trôi ỈÀ đạo bÀm điện th ế cùa iữn a^on trong 16

trọ n g C áu trú c dơiì g iả n n h á t c ủ a m ộ t h ệ th ố n g p h u n là càu trú c lưỡng cực C áu trử c n à y gồm h a i d iệ u cực n à m đối diện n h a u BỄ m ạ t \CAtôt dưực che p h ủ hiĩiự,

v^ặt liệu cần kỂt tủ a , cự c a j)ố t c ủ a hệ chổng ỉả v ậ t liệu cầỉi p h u n ph ủ Lò p h u n ch ứ a khí t r ớ (thường là a g o n ) với á p s u ấ t r ẳ t th ă p (kh o ản g i P a ) D ưới tá c dộng c ủ a dỉện

trư ở ỉỉg , in ộ t pbầJi a g a n bị ion h6a NhừQg ioỉi iu\y dược tă n g tố c vù bán vào b ề m ạt

c A tô t N guyên t ử v ậ t liệu k é t t ủ a rời bề m ạ t c a t ô t v t ì n â n g lượng khoảng 10 eV

N aiỉg tượiỉg n à y g iảm d ầ n x u ổ n g 1 2 eV tr ẽ n dư ờng d ể n a n ố t d o va chạm \ờ i p la sm a

AỊỊpn P huơ ỉìg p h á p n ầ ỵ thư ờ ỉig chỉ J ư ợ c d ừ n g à ìé tạ o câc \ởp kẾt t ủ a à&n diệĩi.

nguồn, b dúng nguồn ghi^p và c dừĐg ỉỉguồn kỂt Sổ 1 và 2 ký hiệu bai Dguyte ỉiộu cầĐ pbử

D ề k ết tủ a cốc lởp cảch d iệ n h ẹ tb ổ n g p h ủ c ằ n Dguòo x o ạy chiều cao tầ n _ (k h ọ èag

th ê m t ừ trư ờ n g (h ln h 2 4 ) vào diện trư ở n g s ỉ n c6 , diện

CÀC q u ỷ d ạ o xoán (cỵclữide) D ường di c ú a điỆn tử đ ài hơn v à vỉ th ế xấc su At v a cìxiiìĩi

phương p h à p p h u n t ừ Dày tổ c d ộ k ết t ủ a c ồ t h ể d ạ t ỉiưực khoảng ìịA ỉn /im n , H ỉnh

2 5 ch o th ấ y b a phương p h á p tạ o n g u ồ n h ợ p c h á t k h i lởp p h ủ c ^ i tý lệ crộn n h á t

d ịn h g ic ^ b ai ogu&n khác Dhau

Ngodki k h í trơ (a g o n ), p h ư ơng p h á p p h u n p h ả n ứng (re ac tiv e s p u tte rin g ) còn d ù n g vài khỉ p h ả n ứ n g khãc như: Iiỉtơ, ỗxi h ay am o n iac T ủy th e o q u y tr ìn h x ừ lý, p h àỉi ứng h ó a h ọ c g iữ a kh i p h ụ vầ v ậ t liệu cã»tct x à ỵ ĩSk Qgay trê n b ẽ xTiặX c a t ô t , Ironụ,

p la sm a h ay trẽ n h i m (lt v ậ t lifu c ằ n phuQ P h ả n ứng n ày tạ ữ r a m ộ t lớp v ậ t liệư ỉTiứi,

k h ác với v ặ t liẹu ĩầgu&n n&m tr ê n c a t ô t

C&c iớp k é t t ủ a lý (P V D ) 80 với k é t t ủ a h ổ a (C V D )p h ủ c ạn h kém hơỉi, d ạ c b iệ t tại

các lô tiế p x ữ c c ỏ t ỷ lệ s â u rộ n g (a sp e c t ra tio ) lớn P hư ơng p h á p n ày eòii gụi là pliú lit

Aưđný (a n is o tro p ic s p u tte rin g ) vi không p h ủ dư ợ c b ờ cường rã n h sâũ P h ù dị"liưởng

có th ể chế tạ o n h ừ n g lớp m ỏng b ê n trê n m ộ t ]ỏ tiế p xúc sẳu Đ ề tãỉìg ch&i lượiỉg phủ

bảo giác, ỉiguyẽn t ử v ậ t liệu p h ủ cần g ậ p b è m ậ t th e o m ộ t góc nhỏ N hữ ỉig nguyên

t ừ còn lại sỗ d ọ n g lại tạd m ộ t lớp lọc g iữ a c a ^ t và m 6 i Đ i th ự c hiệỉt biện p h ã p nầỵ, kboảng cốch p ử a k a tb ổ t vầ a n ổ t được t&ng ỉên c h ì ^ g 200 30U m n(, Ấp » u ă t x ử

lỵ,dư ợ c g iả m và m ộ t lưới h ìn h tổ o n g (co llim ato r) n&oi g iữ a h ai d iện cực và Uu: d ụ n g như: m ạ t lớp iọc

CCfù% đ o ạ a t i ế p aaư b ư ớ c k ế t t ủ a kim lo ại i à q uy t r lu h l ỉ p lô tìỂp x ú c L á p lỏ

tiã p x t c c6 th é d ạ t dược h ầ iìỊ cách tâ n g n h iệ ị d ộ v ật liệu n ề a (p iiả nhOio k h o ảo ^

5 0 0 5 5 0 ^ơ h aỵ bềoig p h ư ơ ag p h á p bức lăp (forced filling) Phư oỉig p h á p bửc láp

ố p 8 u át cao ấ n vào lỗ tiế p xủc

Ỗ xi hóa n h iệ t là q u y tr ìn h x ử ỉỹ dơn g iản n h ấ t d ể tạ ỡ m ộ t lớp ố x it 8Ì\ic L ớ ọ ôx ìt nầy

có n h iều n h iệm v ụ k h ác n h a u tro n g công n g h ẹ sẫlic M ộ t m ặ t nó dược d ử n g lầm lớp cách d iệ n n h ư ô x it cực cổng (g a te õ x it), h ay ô x it trư ờ n g (field oxide) tro n g vì

M O S (M e ta i-O x id e -S iììc o n ), m ậ t khàc n ó cò n iàm khuôD d i e cho Quy t r ì n h i:iiy \on

h ay ă n m òn d in h h ìn h silic d a tin h th ể vầ n itơ rit siHc

SiHc p h ả n ứng với 0X1 tro n g kh ồ n g khỉ th à n h m ộ t lớp ô x it m òng C hiều <i(iy lớp

ổ x it n ày p h ụ th u ộ c vào hướng tin h th é cũ n g n h ư m ậ t d ộ tạ p c h á t Lớp ổ x it nầy cìỉiy vài u a iio m e t N ế u d ư a silic v ào xnôi trư ờ n g õxi h ỏ a m ạn h th ỉ q u á t r ỉu h nầy ^ xảy

r a n h a n h hơn Q u á t r ỉn h ổxi h ó a tro n g kh ỉ ồ xì tin h k h iế t (gọi ìà ổxi hóa khd) pluui

S i + Ỡ2 SiO '^.

P h ả n ứ n g n ầ y tạ o r a n h ữ n g 1 ^ ỡ x it silic cố c h á t lượng cao (thư ờ ng d ư ợ c dìUỉg làm

locate ố x it tiOQg v i m ạch)

N gược lạ i, q u á tr ìn h ô xi hóa xíớt dư ợ c tiế n h à n h bằỉig cảch d&iì hơi nước lên m ặt

đ ĩa silỉc P h ư ơ n g t ĩ i n b p h ả a ứ n g tro o g trư ờ n g hợp n ầ y ìằ:

S i + 2 H 2 O -4 S Ì O 2 + 2/ Í2

-, .

T 6 c dẠ p h ả a đ a g c u a ổxi h ó a ư ớ t n h a n h h ơ a ũxi b ó a k h ổ g áp lứ ù ề a Ỉàiỉ lứ ulug lởp

ũxiđẽ ư ớ t c ố t í a h c ^ h đ iện k é m bơn ũ x ỉt khổ.

N goài h a i p h ư ơ n g p h â p ồxì h ó a n h iệ t kẻ tr ê n t a cố th ể còn ấ p d ụ n g phư ờng phốp

ỗ xi hóa áp s u ă t cão{ấp s u ă t c ủ a m ổi trư ở n g x ử lỷ kho ảng 25 b a r) và phương p h ấ p ộxi hóũ n h iệ t n h a n h R T P (R a p id T h e rm a l P ro c e ssin g ) n h iệ t d ọ x ử lý tân g g iảm kh oảng lOOK tro a g m ộ t giày} P hư ơng p h ố p c a o Ãp làm giảm th ờ i gian x ử lý x u ố n g khoảiig

10 lầỉi P h ư ơ n g p h á p n h iệ t n h a n h th ư ờ n g dưỢc d ù n g d ể sản x u á t n h ữ ng lớp ô x it n h iệt

r í t mỏng

Q u à trìn h ph ản ứng h ố a lý c ủ a ôxi hốa n h iẹt tr à i q u a b a bước như sau:

• q u ố t r ỉ n h ôxi (O2, H 2 O ) khuéch tẰn vào b ề m ặ t đ ĩa silic,

• p hân ơ n g g iữ a ổxì vầ sìlic tạ i ra n h giởi S i - S i O ị

D ẻ tạo d ư ợ c m ộ t lớp ô x it cố chiỄu d ảy do p h ải h ao tố n m ộ t lớp bilic c6 chiỄu dày

H l n h 2 6 : Nguyen tác tộo Oxỉt theo t)bươag pháp LOCOS: a ) IVạng ihối đầu yời iớp khuCĐ

che; b) Ỡxi h6a ohiệt bề mặt; c) Ắn mồa dị bướng bề mặt để t i y lớp ỡxit-*ũitfv«'

I •

• M S

4 •

H inh 2.6 m iêu t ả pktílơng pháp õxi hốú cục bộ LOGOS (L ocal 0 :íid a tỉa n o f ® ỉicon)

Lớp Oxit cục b ộ th ư ờ n g đ ư ợ c ứ n g d ụ n g cho vi m ạch M O S M ộ t lớp niUTM m òng {100

tá n d ạ n g rán v à cốc lởp p h ã b&ng cừ n g a h ư p h ủ kin P h im càm quáng, 9 p in -ồ h '^ â s s

vầ p o lyim id l à n h ữ n g -lớ p q u a n tro n g n h ỉ t dược ch é tạ o b ằ n g k ỷ t h u ậ t nky.

N guyên tá c p h ủ li tâ m đ ư ợ c QÚẽu t á tro n g b ìn h 2.7 D ĩa silic dược đ ịn h vị trê n

D ung dịch n à y đ ư ợ c n h ỏ lêQ b ẽ m ặ t <fia ủ lỉc D ưới tá c d ụ n g c ủ a íực li tám d u n g a ịc h

p h ử t r à a lẽn m ặ t đ ĩa r a p b ỉa ngoài á é n k h i chỉ cờĩí m ộ t iởp m ỏng d ư lại VậQ tố c c ủ a

d u q u a y ỉi t&m vầo k h o ả n g 5000 vàog iDột phíLt M k y li tầ m q u a y dỂD k h i d u n g roOi

bay hơ( h ít S au dố d ỉa á lic cùng lớp phiệ thưỠDg A y a h ỉẹ t độ t ừ 100 dến

200^C Cỏ tb ể sáy trẽn <fía nóng hoặc dùng lò BÌy dổỉ lưu.

PhưOQg phà p p h ủ li tẳ m tạ o r a m ộ t lớp p h ủ tư ơ n g d ố i d ều (khoáng 1% sa i Bỗ

c h êo h lệch t r ẽ n to à n b ề m ặ t) B ề m ặ t kbống b ầ n g dưỢc lá p đ ề u b ở i phươQg ph&j>phủ

li tảnn Đ ỉc đ ié m ỉă p b ằ n g kẻ trêQ r ỉ t q u an trọ n g cbo h&u h ế t các ứ ng d ụ n g c ủ a lớp

H ì n h 2 7 : a) Nguyỗn t&c phủ II t&mí b ) Láp hặL bửi phù ly iĩưii Tui khựã:ig cáich

từ CẠAh bịc, chi6u dầy lớp phủ trở lạỉ binh thườũg

C h u v ỉ lỉịo à i c ủ a đTa p h ủ ph im cảzn q u a n g thiĩờiig duự c rử a ^iyảì vài m in bỉUỉịị lìa

d u n g m ồ i B iện phÀp n ày g iú p tr&nh p h im vO th à ỉih n h iều m ũiih n h ỏ k h i vậii chuyển

N hữ ng m ả n h n ảy rơi vào b ẽ n tro a g đ ĩa vầ là m h ỏ n g vi m ạch câỵ trỗ u m ậ t dỉu

P hương ỹh&p cáy io n (ỉo n Im p la n ta tio n ) th ư ỡ n g dư ực d ù n g d ề cáy nguyẽii tử dưưiỉịị

d ầ n (bo) v à n g u y ên tử âm d â n (p h ỗ tp h o ) K l th u ộ t UU5 lOp b!l!ig că y sau ion ũxi

đưỢc gọi l à ph^íơĩig ỹh&ỹ ng&n báng cấy ỗxi (S e p a ra tio n b y I m p la ỉita tìo n uf Oxigen<

S IM O X ) NỄU b ấ n t i a ion ôxi vào v ật liệu nầ tì siìic dơiì tin h th é ỉỉầu khi>àjỉg u ỉ clỂn

ĩịấ m v à nồ n g d ộ ổxi cao (k b oàn g l i ù m ộ t !ớp ô x it n g à in 5ẽ h ỉn h th ù iỉh bùu

dướỉ m ộ t lớp silic dơn tin h th ẻ T a gọi iỡp sllỉC n ày lả lOp S O I (Sìiicuii O ii iQ suluior

Lỏi tin h th é d o t i a ion gòy r a dưỢc tự d ộ n g hiệu chii]h tạỉ nguy s a u k b i d iủ u i4 xuái

hiện, v i Từủệt đ ộ v ậ t liệu khi t i a ion b án vào b ế m ậ t r á t o&o.

M ộ t ứ n g d ụ n g n ữ a c ủ a phương p h á p tạ o iứp b&ng cđy 'ìOiX dư ực gọi là p kư ơ n y pháp

ừ ộ n bằng tia io n [BIM (Ion B e a m In d u c e d M ixinị^) Hm lởp v ặ t liệu (ví d ụ inolypden

trô n sUic) được t r ộ n với n h a u tạ i b ề mẠt tiẾp x ú c q u a \on căy (ví dự n g u y ên tử iUHen) Vđi cách n ầy lớp silic it (hợp c h ỉ t giữa BÌlIc v ủ kim loụl]ỉnứỉ h ỉn h thìiỉỉh sè lù iOp tỉổp

x ú c đ iện g iữ a 6iUc và m o ly p đ en S ự trộ n \&n này dược hỉnlỉ thiUỉh do nguyẽn lử ở

v ù n g tiế p xức b i t i a ion b án vang khỏi vị t r ĩ baiỉ dầu và trộ n lõỉỉ \ÌUJ v ậ t liộư

(hiệu ữ n g R ecoil)

T á c ủ n g c6 th ể t ạ o d ư ợ c m ộ t lớp S O I m à k h ổ n g c&n d í n pbưưng p h á p SIM O X ké

tr ẽ a P h ư ơ n g p h ấ p n ầ y gọi lầ g h íp đia vá ă n m ó n (B o n d e d E td te d -B a d c Silicon O n

lỉia u U to r, B E S O I) H in h 2.8 m ỉeu t ả q u y t r in h th ự c h iện phương p h âp Đ E S O l

So với S ỈM O X th i B E S O I c 6 n h ữ n g \<fi d iề m sau:

• có th é ch in h chỉỀu d&y củ a lớp SOI,

• cổ th ể ch ỉo h chiều d&y lớp dxit,

lớp S O I c 6 d i ấ t lượii^ c a u ỉỉhư đ ỉa siiỉc ỉiẽn, ngưực lại với lớp SO I c ủ a SINĨOX

ch ư a Iđi tin b th ề (lo tia ion gây ra

Uĩd 1

D U 2

SiSic:^

S i

Ì 10

SỉSK^

2.1.7 C ác loại lớp

Đ ĩ a s ilic d ờ i i t i n h t h ể

D id âilic d c ^ tin h th ể ìầ cơ sd củ& cỡng n g h ệ vi d iện t ử vầ cổng u ghẹ vi h ệ th ổ n g So

vdi n hữ ng n g ày d ầ u củử công ĩ ^ ệ ailic, dư ờng k ín h dỉữ n gày cải)g tãỉìg (xem bảog

2.2) M ỏi lầ n t&iỉg đư ởng k ỉn h đ ĩa »ilic d i u maDg lại n h iều ván d è pliâc tạ p , khổng

n h ừ n g chừ quà t r ì a h sả n x u ă t đ ĩa in ầ CỔQ cho từ n g q u y tr ìn h cũng nghệ c h ế tạ o vỉ

m ^ h Ván d è lớn n h á t là trọ n g lượng d ĩa n gày cần g tAiig khiỂn m ố y m ốc VÀ d ự n g cụ

x ử IV đ la C&I) đ ư ợ c hiệu chỉnb c h o th íd i hỢp '

Đ ỉa siUc dưỢc c ư a r a t ừ m ộ t th ỏ i Sỉỉic dơn tin h th ể Bẽ m ộ t d ỉa cố m ộ t hư ớng tin h

<'ho Q1IẮ tr ỉn h h ìn h th iú ih epitaYÌ D ề d kn h dẮỉi hưởng tin h th 4 chinh rù& dãĩi, hãng

s â a x u ă t đ ĩ a th ư ờ n g m ài p h ẳ n g m ộ t c ạ n h diă^ t a gọi cụnh p h ằĩig nầy là fla t C ạn h

h ìiứ i chữ n h ậ t c ủ a v i m ạch th ư ờ ng chạy song soỉkg hay vuối)g g6c vởi fla t G ôc g ỉữ a

m ộ t S a t n h ỏ v à lU t lởn cho b iết th ố n g xỉn về bướiig tin h th é c ủ a đ ĩa , vầ tỉn h đ ẳ n c ủ a

t ạ p c l i í t (d ư ơ n g hay &m d o lỗ trổ n g hay diện t ử t ự do }(h ìn h 2.9)

Đ ĩa sílic c ầ n cố d ộ p hàiỉg t ỗ t vl qu& tr ỉn h q u aiìg khác d ii hiẹìi chinh dược tiê a cự

t r ẽ n b ề m ạ t cổ Bai s 6 vẽ chiều s&u r ấ t tứiỏ C h ả ỉỉg hại) (lổ tộ o m ộ t cáu t r ú c d à i ì ị i m

tb l bề m ặ t d ĩa siUc tro n g diện tỉch 2cm X 2cm k hũng dược ch ẽn h lệch q u á l u m (Local

T h ick n ess V a ria tio n L T V < l ^ m ) vỡi điều kiộn lầ m ặ t sa u c ủ a d ĩa ú ìic dư ợc g iữ d ủ

chậit vồo m ộ t d ĩa phẳng bdi bơm chàn không

T ạ p c h á t (b o , phỡtpbO ỉ a^en, a n iim o n ) c ó t h é d ư ợ c trộ n \ơ i silic th e o m ộ t m ặ t d ộ

n h â t d ịo b n g a y tro n g khỉ kéo th ỏ i silic d ơ n lin h th ể B ần g biện p h áp này, th ò i ^ lic

sẽ đ ậ t được m ậ t d ộ t ạ p c h i t m ong muổĐ KỂU vi m ạch khổng c 6 m ộ t lớp e p ita x i th ì

m ậx d ộ t ạ p c h á t c ủ a đ ĩa p h ii t h á p n h í t trố n g to ầ n v i m ạch M ậ t á ộ cơ sở n à y thư ờ n g

V ỉ II d o ổ n dịnh cơ hộCt đường kinh t&nỊ lên I h \ c h i è u dậy c ù u g K ầ t i ị

P h ầ n Iđn cAc th ỏ i silic d ư ợ c c h í tạ o b d ỉ p hươ ng ỹ h á p n d i chảy (còn gọi là phương

pháp CzochraUki h ay phươ ng pháp CZ) M ộ t v ứ x n tin h th ể silỉc đư ợc n h ử n g vồo nòi

d i ú a 9iắc ti n h k h iề t DỈU c h ^ T in h th ẻ silic đ ịn h hư ớng tb e o m&m n ầ y v ầ m ọ c d&ỉ

r a th à n h m ộ t th ỏ i sUỉc dơ n tin h th ổ N goầi r a cồn cú p h u ơ n g pháp kéo chảy- P h ư ơ n g

‘ph&p kéo ch ảy dùQ g m ộ t th ò i siỉic th o T h ỏ i silic n&y đ ư ợ c q u a y trò n q u a n h t r ụ c c ủ a

Iì6 v ả kèo q u a v ù n g n ố ũ Ị ch&y V ùng n ó n g ch&y th ư ờ n g dược c u n g c&p n h iệ t t ừ m ộ t ĩigu&n d iệ n củ ứ n 8Ố Câo (RP» R a d io F re q u e n c y ) P h ư ơ n g p h á p này k h ổ tỉ^ c ờ n dóng

v»ỉ t r ò q o a n tr g n g tro n g c ố n g n g h iệp vi d l ^ iừ

Siỉỉc d< ^ ti n h t h ề điiỢc c h ế t9 0 hời h a i phư ơng phÃp tr ẽ n p h ẳ n b ỉẹt y<A n h a u q u a

d á n g kể (ĨO^®cm“ ^) t h ì vẠt liệu tạ o b<w phư ơng p h à p nồi ch ảy ch ử a t ừ 5 •

đ ế n 2 •

Đ ộ h ò a ta n c ủ a ờ xi tro n g ailic tạ i n h iệ t d ộ hâft rá n (2 • 10'^cm *^} c a o hơni 60 với

td n ịẹ ì troQ g sUic đơD tỉn h t b é tin h k h ỉít, t ỉ t h ế đ ĩa 8ilỉc xxỉăt xưởng th ư ơ n g ctoửa ỗxỉ

trcm g trạ n g th íừ t ự d o (troD g k h o ả n g trổQ g gìOa tin h th ổ ) T ừ y th u ộ c vào thiởỉ gian

ứ y vđi n h iệ t đ ộ cao tro n g toÂn qu& trin h sà n x u á t v i m ạch , m&m t ụ ôxi cổ thiể hìnìì

v ú n g h í/{ ịT à ỹ ^ooe) V ừng h ú t sé l&m h đ n t ạ p lớp ữ x it k h i t a ỡxi b 6 a n h iệ t b ề m ạ t

ĩAột đ ĩa Ailk v& khiỂa c h o lớp Oxit p à m k h ả n&ng cfich d iệ n c ô n g n h ư d ộ h h n th e o

^Ngoềỉ Oxi đĩa sìlic cổo chđA c^bOĐ fíếm Ỉượtỉg c « rb ^ thưữiỉg khoáỉỉg lO^^pn

ih ỡ ỉ gìaiì.

N hược d iể m t r ẽ n c ủ a ỏxi c 6 th ề chuỵén th à n h m ộ t ưu d iém b àng cách tiề ii xử

lý đ ĩ a 6ỉiic Đ ầ u tiẽ n silic c&n dược sáy r ấ t ỉâ u (1 ngỉ^y) tạ i n h iệ t d ộ khoảng 7 0 0 ^ c

Q u à tr ỉn h n à y Bẽ tạ o r a h S y T iế p dổn lầ q u á trin h sấy nhiẸ t d ộ cau tạ i n h iẹ t dộ

k h o à n g l i o o ^ c Sau qu& trỉn h s í ỵ nẦy, m ộ t m ặ t ổxi dược giải p h ỏng khỏi b ẽ m ặ t đ la

ai lie, m ạ t k h á c ổxi ^ tặ p tru n g b ê n tro n g d la tạ ị c&c vùng h ủ t ìon kim loại N bững

v ừ a g n ằ y n à m ờ g iữ a d la nên k hổng ản h hưởng gì dén cấc vi m ạ à \ tĩê n b ề m ặ t Vi

m ạ ch diện t ử ohỉ sử d ụ iìg v ù n g ^ i i c g ầ n b ề m ặ t d ĩa (vài tẢTn) Cửc h ảng sả n x u á t d ỉa

th ư ờ n g tiỂn h ầ n h cOng d o ạ n ti&n x ử lý trư ớ c khi x u á t xưởng d ĩa , n h ư n g qu& tr in h nầy

c ủ n g c ố th ề d ư a vào giai d oạn d&u c ủ a qưy tr ỉn h sản x u á t vi mậỆh

• k h ư ỉc h tá n p h ổ tp h o vào m ậ t d\íời vầ kỂt t ủ a m ộ t iớp silic đ a tin h t h ể vởi tạ p

c h á t p h ỡ tp h o trự c tlỂp ỉen m ặ t sau đĩa

k ế t t ủ a gi lie d a tin h th ể tr ộ n p h ỡ tp h o th ì qu tr ỉn h h ìn h th ỗ iih bếỊỉ SỀ t ự dộng

x ả y ra

N g o ải silic cồn có các v ậ t liẹu bốn d&n kh&c n h ư g e c m o n iỡ e , gali-aa*en G ữ A s

B ả n g 2.3 sa u 80 s á n h n h ữ ng dậc đ iểm cơ b ả n c ủ â cổc v ậ t liệu bốn d&n ỉỉầy

B ả n g 2.3* D (c diểm cơ bảo củ& những vật liệu bần d ỉn thông dụng

vùng b6a tn ) tậi 300K (eV^)

E p í t a x i s ilic

E p ìta xi là lớp d ơ n tin h th é hỉn h tb iu ih từ m ộ t lứp v ật ÌiẸu u h i dơỉi tin h th ề klỉiu*

C ó h ai loại e p ita x i tro n g cổng nghẹ x ử lý sỉlic : liHii i'pitaxi dơĩt tlié là lo^ii siìic ủơiì

tin h th ề trẽ ỉi v ật liệu nền cũ n g là Sắilic dUTi tin h lìié \i\ lo<ii e p ita ii iưỡ ng tlu' hiiỉh

th à n h trê n m ộ t v ậ t liệu n ền dơtì tin h th ẻ k h àc ( \ 'í d ụ lilỉit si lie irí^n si lie irêji

sap h ire , c o b a U silid t trẽ n sỉlic)

P h ư ơ n g phÂp q u a n trụ n g n h ấ t đ ể Bản x u đ t ep itax i silic là phưưỉỉg pliủ p k ết tủ a kill

hôii C V D (C h e m ic a l V a p o u r D ep o sitio n ) Silan SiH \ hay cUclưsilaii S Ì H 2 C I 2 <lưực'

d â n q u a b è m ộ t m ộ t d la ailic nổng (lOOO^C) P h iu i \Uìị kết tiìa xây ra th e o pluíưìig

Lởp e p itax i có th é dược p h a th ễ m n g u y ẽa tử tạ p ch át b&ỉỉg c(uJi trộ n v ào klỉí phỉui

n ) H ĩnb 2.10 ch o th đ y h ai ứng d ụ n g q u an trọ n g nÌiAi củu lớp e p iu u i M ic Trưởii^

- - LOpupíliỉAĨ

- - Vật liộu

Ị.rfp

H ì n h 2 1 0 t NhOag ửng dựng quan trọng n h át của lớp dilic epiULxỉ trPi; \'ặi Hệu nềa iÀÌÌK

hợp th ứ n h ẫ t d ù n g lỡp ep itax i c6 n ồ u g độ uvp c h â t tìí ít dổn v ừ a (10* ^ d ố a

h àn g s à n x u á t d ĩa silic ÌÀm sản trư ở c khi xu&t xưCnig Diu súỉc có nỉủi n \ộ i lớp epiuuci

với nồng đ ộ tạ p c h á t t h ă p đưực d ù n g cho m ạch C M O S (C o m p lem « n tafy M e ta l O xidi'

S em ico n d u cto r) T ro n g vỉ m ạch loại lìày, p h ầiỉ ị ỉ i m iuig diện tíc h c ủ a v ậ t liệu UÈH

Trư ởng hợp t h ử hai dư ợ c d ừ n g cho vi m ạch lưỡiìg c\fc (b ip o la r) Epluuci l o ^ uÀy co

m ậ t đ ộ tạ p c h ấ t t ữ It đ ến tru n g b ìn h (10*^ d ế o 1 0 ‘^c77ỉ“ ^)vìi h iiih iìiủiúì trè ii v ặ t liệu

ũ èn cố lớp ng&m (buritỉd lay er) L ớp n g ầm có diện t r ủ tlỉá p (m ậ t d ọ tạ p c h ẫ t khoãỉỉ^

từ 10^® d ến lO^^cm"®) v à th ư ở n g dược d ù n g iàm d i l l :iói CÍIU cực gỏp (co lecto r) cùu

tra n s ito r lưong cực L ớp e p itax i dà>' khoảng l ừ 0 ,5 déii 2{ÌẬim.

^ P h ầ n n à y d ỉ i d ề CẬp ilến đơKi xlĩì\i t h ỉ ailic tre ti v ạ t liệu »ền cùMg lầ iiơtì tiiib tiiể 9iUc K ỹ tb u ạ t

S O S (S i)icon O n S a p p h ir e ) d ề tillc đơri th ih t h ế n iọ c tr ^ n v ặ t liệu íiềti c á d i ứ iịu S a p p h ire khOỉiP,

d ư ợ c bàn ở d&y.

Sự^oỀâ phươỉìg p h ^ p k ỗ t tủ a k h i hOu C V Đ còn cố hm phươtig p h â p khủc iỉổ lặu lửp

siỉic đ<fiì tìn h tUĩ Đ ó ìầ phươTìỊỊ phâp ep ita xi tia phătì tử d ừ n g ú ì k lìưxì n g u ^ n bđc bay vă phương phăp tâ i tÌTih th ề hóa 9Ìỉic da tiĩỉỉi Uìĩ clìuỉg tâ c ú ụ n ^ nhiệt d ĩ uđỉ CĂC

v ù n g cla tin h th ẻ th ă n li m ộ t lớp dcfti tin h t ill Hỉii phiíưiig phíip n ăy Kiện r â t ỉt dưực

ẫxxỹ,.

D u lìliỉột d ộ xử lý c ủ a phươỉỉg phíip epiuưci tia ụUĩúì tử tươiỉg âô\ lỉỉ&p níu cỏ

th ổ tạ o duực m ộ t lớp ep ỉtax i với gnicliẽn nồng clộ lụ p clỉAt lớii M ột iiug clụuK aữ a

c ủ a plỉUơỉig p h ủ p n ăy lă c h í CĐC iớp a ilid t dUỉ) tỉn h th ổ { N iS iu ĩ C o S i‘i) u í ỉi vậi liỆu uỉn nìììc dưn tin h th ề NỂU m ộ t ỉớp e p ita x i silic (lơỉỉ tin h th ể dưực kỗt t ủ a u ế p

tr ẽ n lớp oiUcit, t a sẽ có m ộ t lớp u gầin cl&n d iệ u biUỉg ỈIÌ licit P hư ơny piiâp tâ i iin h thể

hóa silic da tin h t h ị d ủ n Ị d ể tạ o m ộ t lởp s ilk dơiì tin li th ẻ trẽ n n ẽn câch diện S i O ị

P h ư ơ n g p h ấ p n đy ch o p h ĩ p th ự c hỉện cCng n g h ệ b.% cIỉiỄu, cổ lìghĨH ìầ n hiỉu lớp vi

c ữ a cỡng n g h ệ b a chỉỄii d ù n g c h o b ộ (lảo C M O S CồiXị ngh$ n ả y khỡng n h ữ n g tiế t

kiỆm dược d iộ n tỉcb bẽ m ặ t tn ầ CÒI ỉ trả n h ciược lỉỉệu ứng iatch*up(dỉẹn trư ờnj( củ a

M O S -tru n b isto r ả n h hư ởng lAn n h a u ) IVcUìêUtor chế Ubo hhiìg pliưuiỉK p h â p t&ì tin h

th ể h ố a dưực đ iều k h iển hăi cự c cổng (g ate) p h ỉa trỗ n hoặc p h ía ctướỉ NỂU ch ịu dể

UỈUỈ5Ì9UỈ k6iiii y c6 k h ù nOiỉg k ê in , t u k liũ n g u ù lĩiih ú \ i hòii iftlUc d u tín h th ổ

L oại tra n s ito r n ă y dưỢc gọi 1& tra n s is to r m ỉiiỉg m ủỉig (T h in F ilm T ra n s isto r, T F T )

N ế u d ù n g T P T d iệ n tĩc h h i m ậ t vi m ạ c h b ộ lìb ớ tĩn h sẽ g iả in x u ố u g còn c ỏ m ộ t n ử u

d iệ n tíc h b a n d&u

O x i t s iìic

NgUỢc lại vơi ổ x it n h iệ t, lởp ồ x it k ể i tủ a k h ô n g p h ụ tlu iộ c văo v ậ t lìộa nền Plurơỉig

p h â p ữ x it h a y d ù n g n h í t ỉầ phưưQg p h ă p k ế t t ủ a kliỉ h ỏ a CV D clũ miôu t ả d phỉUi 2.1.1 Ngoăi C V D t a cỏn c ổ th ể tạ o lởp ô x it bỉưig phươỉig pììầp p h ủ hay pliủ ly t&m

3pin‘On-griađ N hững ph ản ứng tạo Cxit chỉnb \ầ:

SilaDôxit, L T O - và P E C V D * ô x it bị a n m ồn tro n g d u n g d ịch a x it floric n h a iih hcni lỡp

ổ x it n h iệ t H iện tư ợ n g Dầy chứ ng m in h rằ n g c i c lớp ữxit trê n r á t xốp C h ù n g cù

&n m òn giđng n h ư ỏ x it n hiệt

K h ả n â n g bảo g iác (phủ c ạ n h d ều ) c ủ a từ n g phương p h ấ p kể trẽ ii r ă t khiu: ah au

P hư ơng p h á p silan ổ x it b ảo giÃc kém nhất} L T O VÀ P E C V Ữ tru n g binh> T O E S vả

H T O t ổ t n h í t L ớ p SA C V D ổ x it còn c ó d ặ c t ín h láp b&ng.

C ác lớp ổ x it th ư d ũ g gây Qẽn ứng s u ă t giảỉỉ hoặc ừng s iỉá t n én v i hỆ số Ịìõ iì n ủ c ủ a

tÀc lỡp k h á c b iệt, ứ n g s u á t kéo là m rá c h lớ p ố x it, đ ặ c b iệ t ở nhữ ỉig cạnh sác VI th ế

t a c ằ n tr& nh ứ n g s u á t nÒỴ k h ỉ c h ế tạ o vi m ạch C ác lớp silan ô x it và L T O Uỳo ửng

s u á t kéo tro n g k h i T E O S i H T O v ầ p la sm a ổ x ìt tạ o ứng x u ấ t nén

C ác lỡp ỡ x it k ế t t ủ a dược ả ò n g cho các cỡỉig đoạn cằn lắp b ẽ m ộ t bảo gìốc n h ư kỷ

th u ậ t l í p chổ trổ n g (sp acer) C h ù n g còn dưỢc d ủ n g làm k h u ỗ n chiếu h ay n h ữ n g nơi

S p acer lầ c í u t r ù c d ư ợ c tạ o d ể láp bậc c ạ n b th ẳ n g ciứug H in h 2.12 EQỉẽu t ả C4U> bước tạ o 5«Ơ 3-Spacer Đ ầu tiê n S iO ^ được k ế t t ủ a bảu giác (phươiig p h â p T E O S ) sau đ ổ lớp ữ x it đưỢc ã n m ồ a d ị hướng th e o to ă n ciủỀu dảy Sỉlic Oxit S iO ‘j td n d ư )ại

bậc cạ n h tạ o n ên c ă u tr ủ c spacer

• f '7 Oíiide

í

hạo yiÁ phương ph&p TEO S); b ) Ản mâo ổxit h ết chiều s&u d

Lởp câch đ iệ n n ^ m (S hallow T re n c h Iso la tio n , S T I) là lớp n g âỉt căc transiB or hay

c&c v ù n g vi m ạch b ở i m ộ t rã n h cbẨứi ly R ả n h n ầ y dược ã n m ồn tro n g ^ilỉc áơtì tỉn h

th ề v à đư ợ c lá p bởi m ộ t v ộ t liệu cốch d iện T h ư ơ n g ph&p T E O S r ấ t th l d ỉ lỉỢp với qu& t r ĩn h iă p n&y v ĩ k ết t ủ a b ảo giÂc c ũ n g x ả y r a c ả tro n g n h ữ n g rả n h h ẹp H ình 2.13

^TnrvBthyU0rth^SíHc4U» TBOS

^High-T«m|>*ráture Oxid«, HTO

^P ìu tũ h Enhftne«d CVD» PECVD

H i ĩ i h 2 1 3 r Q u á trin h tẬO ổxit agàm: a ) Ad mòD vàũ silic đơn tín h thỂ (với ỉchuỠD ch&n

niuuV); b) kết tủ a bảo giác m ột lớp ốxit bay siHc d a tin b thể (chỉỉu dày bầiỉg chiều s&u rãnh); c) Phủm ỈD g v tứ Tầnh lớn (chiều á iy lÀDg cbì6u Bẳu rảnb) SÂy ráỉi iớpm ẵtig vừa phủ âể khũỉ bị tảy đi khi phủ lởpỉnãng thứ hai P h ủ ly Xếữi iơp phím phủ bâng; d ) A n mồD

đ ế c l u c g ạ p n í t i u a

m iêu t ả phương p h á p ô x it ngàm (B u rie d O x id e , B O X ) Phylơiìg p h á p n à y cho p hép

n à y cồn có th é tạ o đ ư ợ c rãikh r ắ t s&u tioQ g siLic d ơ n tin h th ể ( 3 ^ m ) d ặ c b iẹ t q u a n trọ n g cho cống n g h ệ C M O S cũ n g n h ư cồng n ghẹ lưởAg cực có m ậ t đ ộ tỉc h hỢp cao

N hững rã n h n ầ y càn sâ u b ằng v ù n g chậu (well) (vi m ạ ch C M O S ) hay vừng dễứì ngàm

C ác lớp d ẳ n tro n g ví m ạch h ầ u u h ư dư ự c chế tạ o t ừ n h ỏ m Vi uhỏm v à aỉììc tạ o

n ên hỢp kim tạ i 570®c n ê u n h iệ t đ ộ x ử lý c à n d ư ợ c g iữ dưới 500‘’C néu n h ô m d à tò n

tạ i tro n g v i m ạch tr ẽ n đ la silic V i vậy lớp câch ly g iữ a tỉUig xùìõm th ứ ĩih&t v à tầ n g

a h ổ m th ứ h a i c b i cố th ể k ế t t ủ a b&Tig các phư ơng p h á p silaỉỉ ũ x ỉt, LTO và P E C V D

P h ố i h ợ p cốc phư ơng p h à p nầy với các phư ơng p h á p p h ủ ph ản g ỉ xnặx n i n ĩũtíi cho

lớp kim loại tb ứ h a i sẽ h in b th ầ n h PbươDg p h â p SA C V D hay phưưng p h á p k ế t tủ a

t^c dộ b ^ g nhau; b ) kết tủ a plasm a ổxit

ữĩx m òn dẻ t ự h in h th ầĐ h m ộ t nền p h án g P hư ơ ng p h à p p h u n p h ủ cũũg cỏ t&c dộng

tiidỉig tự , ũ h ư n g vỉ lỹ d o k in h t ế (tố c dộ k ế t t u a l ị t m / h q u á ch ậm ) n ẽ n ỉ t dược aừ

dụng

T h ủ y t i n h p h ồ t p h o s i l i c a t

T h ủ y tin h p h ô tp h o s ilic a t (P S G , P h o sp h o ro u s S ilic a te) là n hữ ng lớp SiO 'i ch ứ a p h c t-

Trên o x id e

Tạo thùy tín h p h o sp h o r BÌIicat

ổxit; c) Sau khí oxi hâu ahiệt (lOOO^C)

n g h ệ vi d iện tử là t ín h d i ă t h ú t ion kiỄm h a y kim loiii tiạjìg và n h iọ t ả ộ nốiig ciiày

tạ i lOOO^C Lớp P S G dưỢc hiiih th â iìh q u a k ế t t ủ a kill lỉòii hỉW oxỉ hỏtt ỉỉlUệc, tư ơỉỉg

t ự n h ư các pUươỉig p h ủ p tạ o lởp 5tƠ 2 - Q u á i r ìn h a&y biển cảc iớp S i O ỉ c ó SÃIỈ tro n g

nguyên chièu d ầ y sảỉì cú v à chi m ộ t vùỉig n h á t đ ịn h (chừng 0 , 2 /im ) cliuyổri SỉUỉg ỉlịUỉg

th ủ y tin h N 6ng d ộ piiữtplầo lúc nìiy tư ơng dố i Ci\o {12%) Sau khí sấy liỳi nh i(a dộ

cao (lOOO^C) lưựiìg p h o tp h o g iảm x u ố n g còn 8% t tron^' k h i d ù ẽ u d ã y klìủĩỉg t liívy dổi

® (xem h ỉn h 2.15) ►

T r6 n n6n BÌUc d ơ n tín h t \ ì i Kay <la tin h th ổ t a dỉ^u tụo dưỢc m ộ t p s n nìỉií Hà

m iẽu t ả ò trẽ n Đ iề u kiện cỡng n g h ệ h ệ t n h ư kh i d ù n g nvìì S i O ‘ 2 Lớp siììc \uxu d i hhiìụ,

k h o ản g m ộ t o ử a lớp P S G m ới b in h th à ỉìh M ộ t p ììh ì plỉOtplỉo kliuéclỉ Um v<\o siiic và

P S G SỀ h ìn h th à n h m ộ t lớp S iO ^ tro n g khi p b o tp h o tiỂp tụ c k h u ể d i Uiiì vùo silic Lớp P S G c h ế tạ o bhng phương p h á p k ết tĩu i khí h ò a C V D iủnự, tịm u\ trụ n ^

khi S iO ^- N g u b n p h ũ tp h a d ư ợ c láy t ừ khỉ phoỉỉphitỉ [ P H z )' T ro n g phvỉcAỉg p h á p

T E O S h ay S A C V D , có th ể trộ n P { 0 C ‘2 Ỉ i^ ) j h a y P O ịO C iH ũ )^ vào nguồn T E O S iònụ,

S ì { 0 C 2 ỉ ỉ ì ) a ' K gược lại với lớp ailan ổ x it h a y L T O -ôxit, lớp C \^D -P S G U }0 r a ửng

s u á t n én tr à n h cho lớp th ủ y tin h khỏi rấch tạ i CÀC vùiig cỏ bậc P S G nố iig d u ty tỉLÌ lOOO'^C

^Tốc độ khuếch tán phAtpho vâo lờp 5iOa ớ dưới chỉ kiỉoảriK i nm/gỉờ

N i t r u a s ilic

N'itruci ãilic cò k)iả nỉúìg càii t r ủ kluỉéch tújỉ các ìoi)} Silic ỉùưuH S ì - ạ N^ c 6 h&ng sổ (Yìệĩi inôi cao g á p doi {Sr = 7 ,8 ) hìuig bố d iệu mỏi cù a SiO-z^ VI vậy S iậ N ị làtn diện

ih é <ÌỊiiig d ẻ Uìo n iir u a Hiện nay phương phủp n i / r u a n h iệt cao (tưưng t ự H T O )

vá phươug pháp n i/r u d p ia sm a (tươỉifí t ự P E C V D ; \AÌUÌ\ pliưưiig p h á p hay d ù n g n h á t Plìơcmg piỉảp n itr^ ta n lìiệt cao sử dvmg phươỉig tn n h pìùúì ừiiị^ ^ixi.

ĩ S i H - iC l i + 4 A 7 /s ” -5+^ S v j N , + G a s (F luiJiig p liáp L P C V D ),

'ẠữPa

\'ầ n i tr u a pÌBâina d ừ n g phư ơng tH n h sau:

ĩ S i l U + 4A 7Í3 ^“2+*^ S i - a \ t V2H- (i'hutnig ph áp PEC V D ),

hạii d ể d^ii d ư ợ c m ộ t lớp n itơ rit d ày 7Tim Ui càir lìhiệt d ộ tưưỉỉg tlối Ciw (1200^^0)

P bươiỉg trin h p h ảỉt ừug n itu rit n h iệt duực m iêu tà nliu Siui:

Nếu d ù n g m ô i trưcntg p la^ỉna tlu Iihiệi dộ pỉiảiì ứng kliôug cìíiì cau lám

N itơ rit n h iệ t có tíu: Ui^uig cảỉỉ ôxi ÌLốa Lớp n iiu rit iro ỉỉg diều kìệìì ũxi hòu u h iệt Ỉỉ&u n h ư k h ô n g bị ỉuìh ỉiUỞỉìg gl (tởp n itơ rit bị ôxi iỉou iuòĩi^ Ikưỉỉ iu ^ //ỉ) Lớp cùn niiy

r ấ t h ữ u hiệu cho kỹ tlìu ặ t ũxi h ó a cụ c bộ L O C O S (Loc«il O x id a tỉu iỉ o fS ilic o a )

N itơ rit v à ô x ii d ư ợ c d ừ n g c ù n g làỉn diệu inôi Lợi iiiẻin ử dfiy klỉũng Iiiỉữỉỉg ìửíiTi

à h&ng $ó d iệ n m õi c ủ a n itư rit m à còn ở d ộ tin cậv Ciio N lỉững tỏ ìxựp thườìig g ạp

iầ St* 3^4 - SiO 'i hay SiO 'ị - S ì ị N a ^ S iO ị N ỉiưrii ugoầi r a cỏu clưực sử d ụ n g làm

inàiig b à u v ệ ch ố n g àiìii liưửng ãỉi inùu tử m òi ưưOttỉg Uịoèã.

S ilíc đ a t i n h t h ể

Sỉlìc cla tin h th ể có th é h ỉn h th à n h nhiỄu ứng d ụ n g lĩìớl cho cCnịỊ tigliộ M OS cù n g như

cồng n ghẹ lưởiig cực Lợi ciiổm cỉUi kẻ <ìén

• tin h UĩUỉig th ỉc h với cíu: v ậ t iìÌỊXẤ khcu: c ủ a cồng nghộ siìic,

• ổ n d ịn h n h iệ t đ ộ dẾn hơn 1000®c\

• k h ả n â n g c ă y tụ p c h á t v à k h à aỉUtg ôxi !i6a,

• cính b ả o giàc

P h ằ ii lởn các lớp silic d a tin h th ổ dirợc d ù n g hiện lìúy il^a k é l tủ u bịuìg phư(fiỉg p h ả p

L P C V D P h à n ừ n g c ủ a silai^ tro n g lỏ CV D xày ru như sau:

tíOPa

H ĩ n h 2 1 6 : C í u tệ o d ạ n g h ạ t củ a lớp siỉic đ a tin h th ể : a ) S au L P C V D tạ i dSU^'C; b ) S au

1000®C

X ử lý lò với H C l h a y trộ n H C Ỉ vào sỉlỉUi s è làm tâ n g c h á t lượng lớp silic d a tin h th ể

T 6 c d ộ k ề t t ủ a c ủ a aiỉic ỉầ k ho ản g 2 0 n m /m m j chiều d ày d ặ c trư n g từ 0,3 d ến 0 , 5/im

Silic đ a tin h t h ể cố tin h c h á t bảo giâc tu y ệ t hàọ

D iệ a t r ỏ c ù a sỉlic đ a tin h tb ẻ r á t lớn (10"'ííc m ) NỂU m uốn d ù n g silic d a tin h th ể

làm lớp d&n t a c ầ n c á y th ê m t ạ p d ỉ ắ t ( b o , phôtphO} aâen) b àng cốch trộ n vồi) si lan

vầo silic t ừ m ộ t n g u ồ n r á n là lởp th ủ y tin h p h o tp h o silic â t hay cấy ion

Silỉc d a tin h t h é cũ c á u tẠO d ạ n g h ạ t Đ ộ lớn c ủ a h ạ t p h ụ th u ợ c vâo diều kỉẸn két t ủ a v ầ đ iề u kiện x ử lý s a u d ó N h iệt d ộ tro n g lủc k ế t t ủ a c ầ n g tl\ă p th ỉ h ạ t c à n g

ih ỏ T ^ong k h i n h iệ t d ộ 6 3 0 ^ 0 tạ o r a h ạ t lớn k h o ả n g 10 đ ển 5 0 n m th ỉ lớp ailỉc kểt

t ủ a d \ í ứ n h iệ t d ô 590"C g ầ n n h ư vỡ đ ịn h hìn h S ắy tạ i lOOỐC h ầ u n h ư khCĩig làin

th a y d ỏ i h ìĩìh d ạ n g c ủ a silic đ a tin h th ể c ố c á u tạ ỡ h ạ t nh ỏ , vô d ịn h h ỉn h cũng như

cổ m ậ t d ộ t ạ p c h á t th á p N gược ìạiy silic cớ c á u tạ o h ạ t lớn v à m ặ t d ọ tạ p c h á t cao

lớn lẽ n v à la n k in to ầ n chi6u dày lớp fiilic d â tin h th é

N ì S %2 v ầ s ilic it đ á t h iểm , chửng h iộ a c h ư a cố vai t r ò g i tro ũ g cổiig n g h ệ vỉ diệix tử

B ản g 2.4 cho t h ỉ ỵ đ ặ c tỉn h c ủ a m ộ t sổ loại siỉicit q u a n trọQ g n h ã t B a phưcỉng p h á p chính tạ o siỉicit là:

• p h u n p h ủ với Dgu&Q kiỉn loẠi v ầ sUic cừ n g m Ọ t ỉùc

• p h u n p h ủ kim loại lên nỄn Biìic vầ aiỉỉcit hóa

• k é t t ủ a k h i h ó a C V D

Plnítniỉ^ phiip tiiứ ulifii thưừiig d ủ n g d é d ỉẽ tạ o A fo S ijy T a S i -2 vù T i S Ì 2 ’ SiUc

và kiiiỉ loụì pliái (lươc pliutỉ vớì tỳ lẹ thỉcli hự p (tỳ ]ệ plỉáii t ử lỉai silic m ộ t kiin lo{ủ) [.ởp pỉỉun pỉtú sau d ó có dạỉig a m o rp h vàcỉUi được silcìck liửa tại Iilỉiột (lộ t ừ 600 dến lU^)O^C’^^ S au khi sáy, v ậ t liộu p h ủ bị co lại (đến 25%) Vỉi ụ^o nùiì irnp; Siỉ&t giũii lớii

Phưưtỉg p h ả p th ứ hai dược m iêu tủ tru n g íỉỉnh 2.17^ kiin loại ủ plỉíu irê u lởp ô x ìt

\ihư aỉu r kỉỉOag M \ tỉiìh c h á t và có th é ÌUi m ờ a d i sm i khi s ỉlld t hòi\ (ciỉÀiig ỈHUI bàỉig

c h o T iu m ) Ktli q u ả cuổi cù n g lả m ộ t lớp s il i d t t ự ảịn ìì h ìn h sỉUicide(Self- alÌỊỊikecl s ìlic id e ) Lưựiig silic bị hiio bỉUig m ộ t tìủa clúẽu d à y lớp a ìiiủ t mứi lỉinK

th<ưìh NliưỢc d iém c ử a phươỉỉg p h á p này lù m ộ t lớp ô x it tự lìliiêiỉ (0,â (lén I ,S n m )

x u á t hiện t r ê a b ề m ậ t aiViC Vi th ế trư ớ c khi p h u n kim luỊti lởp ũx it uay dưực tẩ y b&ỉỉg phiíưn^ ọ h k ọ Sủì m òa.

Pliưưiig pliÀp cuđi c:ùng clể tạo silicit là d ù n g C V D N hửug phàiỊ ừiỉg buu dũy dưực

s ừ «iựug d é Uỳo silicit:

Pliiíưiỉg pììíxọ C V D kết tủ a m ộ t lớp s ilid t cố k h ả nỉlỉig plni c^uih tố i ÌXƠÌX s ilid t c ủ a

phươiìg pliốp p h u n ph ủ N goài r a silich c ù a phươỉig p h à p tiày tin li k iu ét hon cấc phưưng p h á p khác

K ĩ m lo ai

T rong công nglìệ BÌlic, kim loại n ìn ĩ tn o lỵt, tu n g tỉỉn , u u tta ỉ, tita ỉỉ klỉữiig n h ừ n g d ú

dxtoc dùng d ẻ t^u) silicii m à còn d ư ợ c đ ù n g clư<^ d ạ n g kim loại n guyên d i ỉ t

U ủ i i g p b ủ | j '^y Ỉ i ỉ i â í i b d ể t r d i ỉ b v i ệ c l ừ c b ấ ( k t j u é c h U ưi v à o l ở p < i l i c i t

BỂUìg 2 4 : Dặc tính các loại silícit quan tryng

^Đíện trủ rí^ng phụ thuộc vte nhiệc dộ tạo silicit Cbảiig hậỉỉ TtíSi7 tội 90U"C cô điệu trở ri&ng

L ớp T i / T i N (2 0 n m T i v à lOOnm T i N ) d ư ợ c d ù n g làm lớp chuáiỉ ở g iữ a silic vá

T ro n g khi lớp T i N cổ tá c d ụ n g n h ư m ộ t lởp n g a n luyện kim giừii S i vừ A l cù n ^ n h ư

T u Đẻ tạ o lớp T i N ngưdri t a d ù n g P V D (p h u n phủ) hoặc C V D

P hư ơỉỉg p h á p p h u n p h ủ d ù n g điộũ cực bhiig tltai) d u n g hờ a n itd D iện tr ử riên g

c ủ a lớp T i N v<\0 khoiUíg 100 d ển iOOịiíìcrn.

bảo giồc r ấ t tđ t T ro n g lồ C V D , p h ả n ứ n g x ả y r a tro n g p la sm a h iđ ro vi b a

th á t d ò n g d iện tạ i các lỏ tié p xức T i N k h ô n g chì làm lớp ngĩùì ìTìk cỏn đưỢc d ù n g lâin lớp chống pìÙMì q u a n g trẻ u A l khi quoiìg kliÃc.

T u n g te n th ư ở n g làm iởp tié p xúc* và lởp d ả ỉi T i/T iN la lớp lié p xúc c u n g như lớp

th ự c hiện th e o h&i bưỡc: đ ầ u tiê n k ểt t ủ a m ộ t lớp m&m m ỏng (50nm } ổiUỉ mởi kết

tủ a lởp tu n g te n ch ín h ( 0 ,5 ^ m ) N hừ ng p h ả n ứ n g 8<vu d ầ y xỉxy r a tro n g lò CV I):

600f*a

T u F s + H ‘2 T u + G c s (Lớp cìiinh)

Với tín h bảo giác tổ t, tu n g te n lấ p c ả ỉìh ừ n g !ỏ tiế p XI'IC c ỏ c^uìh th á ỉig dứỉìg Điện

t r đ rỉên g c ủ a C V D -tu n g te n là 9 ịiĩìc n ị chỉ t h ấ p hơi) nhỡ in b a lỉứ) Vi th é tu n ^ te n còn

dược d ừ n g làm tớ p tlả n T u n g te n cỏ 1^ t h ế so với n h ô m ở sự b ền n h iệ t (G()0“C tro n g

q u ả t r in h x ử lỷ , 3 0 0 ^ c tro n g k h i h o ạ t dộn g ) v ầ k h ả nỉlng tả i cường đ ộ d ò n g diệtì lởii

N g ày n ay n h ỏ tn ván d ư ợ c coi là v ậ t liệu d u y rỉh á t ứé t{\o lớp kin) ioại ngoài cung

vi ah ô m cổ n h ừ n g d ặ c d iểm m à kỉm loại khác klió th a y th ổ là:

• diện trỏ th á p ,

• Uko u ẽ p xứ<' diệi) với bi lie àin vả <lươn^ d ân ,

• < 0 tíríh bỉUTi tổ t \'ờì S iO ‘i» ih ủ y tin h p h ô tp lio ho(U' bo,

• t i í p xủc v t t cíur lo<ii nối dAy đảii th ô n g th ư ở n g (wirt^ bonding) (díly V'àjig, nh ô m ),

• th ích lỉựp với phươỉig p h â p p h ù kìm loại n h iều tầiỉg

N h ồ m cững có n h iìn g rìhưực diểm sau dây:

• nliiệl d ộ x ử lý ciưới SOO^’C,

• b á t ón d ịn h lý vA hốa,

• (li chuỵổn dỉện t ừ »

« tỉn h bào g iảc kém , dề gẳy cạnỉỉ,

« b ề ĨT.ẶÌ k h ỏ n g p h á n g bởi gai nhôm (h illocks)»

• phảỉi ứ n g h ó a hục vởỉ sUic tạ i 16 tiểp xúc,

• d iệ n t r ở tiể p xúc lờn tạ i lồ tìé p x ú c nhỏ

N g ày nay lớp nìxùiu dưực chỂ tạ o chũ yếu bằiig phuơiìg p h ^ p p im u phu Lớp hỢp kim p h ủ với 1% aìVic dưực tụo t ừ Iigiỉồu p h u n liỢp k im (99% Al^ \% S ỉ) P hư ơng p h á p

lìầy c ũ n g dưỢc ứ ng dụnịỊ d ỉo nhữỉig vặt liệu k h á c (n h ư C u huy T i clể chổ!ỉg d i chuỵén

đ iệ n t ử } T ro n g liic phiỉn phủ đ ỉu âỉỉic dưỢc gicr tụ i n h iệ t (ỉộ khot\ỉi{ị lừ 200 <lến 4 0 0 ^ c

T{ú uhiỆ t dộ a à y , nguyỗn tử kim loậỉ b ề m ặ t Sỉiỉic T&i nAỉỉg (lộng vầ cố k h ả n ẳng

p h ủ b á o gicLC c á c cáu ' tr ủ c c ạ n h bậc

N hổm c ũ n g cô th ẻ kốt t ủ a bởi pliươQg p h à p C V D all ưng dến lìixy kliồug được sử

d ụ n g N guyên n h ãiỉ ìầ c h á t tạ o k ẽ t t ủ a r á t dỗ n ò (chảiig h ạ n T ribỉubutylaluaúm um }

v ầ k h ố đ ỉỉu k h ié n th à ỉỉh ph&n )ớp n b ô m nếu c ằ n tr ộ n th ỗ m 8ilic hay nhừng v ậ t liệu klỉác

M n n g hxtĩì c d

Kỳ t h u ậ t tạ o lớp tru n g cổng n ghệ vi diện tử h à u lìhơ d ự a trẽ n CÃC lớp vỡ cơ m ặc dù

lạ o lởp hữu cỡ rẻ tiề n hơrỉ bỉuig phươỉỉg p h àp p h ủ lỉ ư u n N guyẽn n hân khỡog d ù n g

ỉởp h ữ u cơ là k h à n&ỉỉg chju a h iệ t vù tỉn h ổn d ịn h d iệu c ủ a ch ù n g x&i kém M ặc dù

.sân x u á t vi m ạch H ai nhiệm cờ bảdì \ầ tạ o phim cảỉn qiiỉUìg VÀ p h ú bầỉig vi m ạch.

N guyẻn liỆu cơ sử c ủ a phương pháp spin-on-gías lÀ » ílict« traacetu t tro ỉig d u n g môi

D ung dịch n ầ y saư khi dư ợc p h ủ ly tẰin lên m ặ t d ĩa và sáy tạ i 2 0 0 ^ c sé tạ o n ỗ n m ộ t

vởì cồí' lớp Oxit n h iộ t hay d x it C V D th ì tiíơng dổi xổp N hư vậy phiíơng phÃp n à y d ã chuyển m ộ t lớp hữu cơ ỉuuig m ộ t ỉớp vô cơ C ảc lớp spiiỉ-OD-glaỉi cố nhưực d iểm sau:

• tín h bàm n ề n kém (c&n m ộ t lởp tr ợ b ảm )j

• tin h th é h ổ a và k ế t t ù a r a khỏi d u n g m ối,

• Tckch lớp p h ũ vi bị c u lại sau khi xử \ỳy

• cốch diện kém (so với ô x it n h iệt hay Oxit C V D )

N guyên liệu tạ o p o lỵ im it lò m ộ t d u n g dịch d ỉứ u vìsa : tliiUỉli phỉxii lỉữu cư S au kỉii

p h ủ li iầ m , d u n g m ôi hóc h d tại n h iệ t d ộ lUU^C vù hỉnli ilỉùỉỉh lơp ú è u (.)(>lyiuiii

Q u á trin h h ìn h th à n h p o ly im it xảy ra tạ i n lỉiệt d ộ l ừ 300 iìỉu -lOO^C Sau q u íi irìn li này, chiỄu d à y lớp p h ủ bị c o lại C ó ba phưuiỉg p h á p ú é iịìiì hìnìx polvỉinii:

• ân m òn ư ớt lớp tiền p o ly im it bàng d u n g dịch kièin,

• an m ò n k h ô lớp p o ly m id e (với khuôii ch e biuig S iO 'i hay S i j N ^ } ,

• h ò d t ạ p c h á t c ả j n q u & ỉ k g v à d u n g m ô i v ầ d c i j j g p h ư u i ỉ g p h ú p q u ỉ u ỉ ^ k h á ỉ '

K hái niệm tạ o h ìn h ở d ù y hạiì c h ễ ủ tạo h in h bẽ nỹQuy C ó n g h ìu lù các cliii ti t a vi

d iẹ n t ừ chỉ dưỢc tạ o h ỉn h tr ê n m ạ t p h ả n g d ĩa n h ì K ỷ th u ậ t n à y tạ o ra nhừ ug v ù n g bán diriy cách d iệ n hay kim loại th e o ý m uổn C ở sỏ c ủ a kỳ th ư ậ t nay \ầ mọc 1ỞỊ>

ổ n đ ịn h và b ề n c h o các q u y tr ìn h x ử lý đòi hủi n h iệ t clộ v.iuj (nliư k lm ế d i tíiìì t<i|)

• giai doạn guang khđc tạ o cáu trú c tr ê n bẽ m ạ t phím cảm qiỉUỉỉg P luuì ỨIỈ^ iiúa

• ^tat doạn rửũ p h im làm d ư lạỉ cấu t r ú c m oỉỉg inuổỉi (rử a pliiaì ủươixự, hỉtíiụ, <UI

m ồa, r ử a p h im ÍUn b&ng hử a tan)

TVong phương p h ả p tiỂp x ú c, d ộ pììíưi giải pliụ th u ộ c \iio kboảỉig c ủ d i tiỂp XÚK* 5 KÌữa

tin h th e o phư ơng tr ìn h sau: