Homework Assignments - Trinh Sy Dong

1 CẤU TẠOMiền Base rất hẹp Vùng tiếp giáp Emitter-Base Miền Collector Base Emitter Vùng tiếp giáp Collector-Base... 3 CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆCPHẦN CỰC B-E PHÂN CỰC B-C CHẾ ĐỘ... 3 CHẾ ĐỘ KHU

CHƯƠNG 3 TRANSISTOR

1) CẤU TẠO

1) CẤU TẠO

Miền Base (rất hẹp)

Vùng tiếp giáp Emitter-Base

Miền Collector

Base

Emitter

Vùng tiếp giáp Collector-Base

2) KÝ HIỆU

3) CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC

PHẦN CỰC B-E PHÂN CỰC B-C CHẾ ĐỘ

3) CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI

3) CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI

IC = ICN + ICBO

ICBO là dòng lỗ trống (điện) tạo ra bởi VCC

B CEO

B C

B B

C E

I I

I I

I I

I I

I I







 ) 1

B C

B B

C E

I I

I I

I I

I I





 ) 1

(

4) ĐƯỜNG ĐẶC TÍNH V-I (VÀO)

C CE

v BE

i



4) ĐƯỜNG ĐẶC TÍNH V-I (RA)

C i

V

A μ

i = 40 μ A

iB = 40

4) ĐƯỜNG ĐẶC TÍNH V-I (RA)

C i

V

C f CE B

i  ( ) 

4) CÁC VÙNG LÀM VIỆC CỦA BJT

Bão hòa

Vsat

Vung bão hòa xuất hiện khi i B  i Bmax

Vsat Điện áp C-E ở chế độ bão hòa

IC(sat)= VCC/RC

4) CÁC VÙNG LÀM VIỆC CỦA BJT

KHÓA

ICEO DÒNG RÒ

4) CÁC VÙNG LÀM VIỆC CỦA BJT

Khuếch đại

4) ĐIỂM LÀM VIỆC CỦA BJT

Q-point

VCC10V

4k 25k

40 A R

V R

V V

Base-emitter loop:

k i

R i V

vCE  CC C C  10  C  4

Collector-emitter loop:

4k 25k

5) MÔ HÌNH TÍN HIỆU NHỎ CỦA BJT

) (

26 ) 1

(

300

mA I

mV r

E

be     

1) JFET ( Junction Field-Effect Transistor) – Cấu tạo

1) JFET – Hoạt động

1) JFET – Hoạt động

1) JFET – Đường đặc tính ra

G

1) JFET – Đường đặc tính truyền đạt

1) JFET – Mô hình khuếch đại

1) JFET – Điểm làm việc

1) JFET – Điểm làm việc

1) JFET – Điểm làm việc

1) JFET – Các tham số

- Dòng cực đại qua D-S khi UGS = 0V

- UDS cực đại khi UGS = 0V

- Điện trở vào

- Hỗ dẫn truyền đạt

- Hỗ dẫn truyền đạt

2) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)

2) MOSFET – Cấu tạo

2) MOSFET – Ký hiệu

3) MOSFET – Đường đặc tuyến

3) MOSFET – Đường đặc tuyến

2) MOSFET – Mô hình khuếch đại