Homework Assignments - Trinh Sy Dong

ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰCHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN... 2.1 CHẤT BÁN DẪN1 CHẤT DẪN ĐIỆN  Điện tử hóa trị: điện tử ở lớp ngoài cùng trong nguyên tử  Điện tử tự do dễ dàng sinh ra trong vật dẫn điện 

Trang 1

ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ

CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN

Trang 2

2.1 CHẤT BÁN DẪN

1) CHẤT DẪN ĐIỆN

 CẤU TẠO NGUYÊN TỬ ĐỒNG

Trang 3

1) CHẤT DẪN ĐIỆN

 Điện tử hóa trị: điện tử ở lớp ngoài cùng trong nguyên tử

 Điện tử tự do dễ dàng sinh ra trong vật dẫn điện

 Lực điện cần thiết để kéo 1 điện tử hóa trị thành điện tử tự do đối với chất

cách điện là 2eV

 Chất bán dẫn là chất mà lực điện cần thiết để kéo 1 điện tử hóa trị thành

điện tử tự do bé hơn 2eV

Trang 4

2) CHẤT BÁN DẪN

 Các bán dẫn tốt nhất có 4 điện tử hóa trị Vd: Silic, Gecmani

 CẤU TẠO NGUYÊN TỬ SILIC

Trang 5

 Các nguyên tử Si kết hợp lại để tạo thành chất rắn, chúng tự sắp xếp thành

một khuôn mẫu trật tự được gọi là tinh thể (crystal)

 Mỗi nguyên tử Si góp chung mỗi điện tử hóa trị của nó với nguyên tử Si

kế cận để tạo thành 8 điện tử hóa trị

 Liên kết chung giữa 2 nguyên tử được gọi là liên kết đồng hóa trị

 Bão hòa hóa trị là 8

Trang 6

 CẤU TẠO TINH THỂ SILIC

Trang 7

 Bên trong tinh thể Silic một số điện tử tự do và lỗ được tạo bởi nhiệt năng

 Các điện tử tự do và lỗ khác đang tái hợp

 Sự tái hợp thay đổi từ vài ns đến nhiều µs

 Thời gian sống là hiệu số thời gian tính từ lúc có sinh ra và tái hợp điện

tử tự do

Trang 8

 QUÁ TRÌNH TẠO ĐIỆN TỬ TỰ DO – TÁI HỢP

Trang 9

3) CHẤT BÁN DẪN THUẦN

 Chất bán dẫn thuần được tạo nên bởi 1 loại nguyên tử

 Chất bán dẫn thuần hoạt động như chất cách điện ở nhiệt độ phòng vì chỉ

có một ít điện tử tự do và lỗ được tạo ra từ nhiệt năng

 N - Nồng độ điện tử tự do (số điện tử/đvtt)

 P - Nồng độ lỗ (số lỗ/đvtt)

 Với bán dẫn thuần N = P = Ni (nồng độ hạt dẫn nội tại, phụ thuộc nhiệt

độ)

Trang 10

3) CHẤT BÁN DẪN THUẦN

 QUÁ TRÌNH TẠO ĐÒNG ĐIỆN

Trang 11

4) CHẤT BÁN DẪN TẠP CHẤT

 Bán dẫn có pha tạp chất được gọi là bán dẫn tạp chất

 Pha tạp chất có 5 điện tử hóa trị để tăng điện tử tự do (N > P): Bán dẫn

loại N

 Pha tạp chất có 3 điện tử hóa trị để tăng lỗ (N< P): Bán dẫn loại P

 Bán dẫn tạp chất có độ dẫn điện tốt hơn Bán dẫn thuần

Trang 12

4) CHẤT BÁN DẪN TẠP CHẤT

 TINH THỂ BÁN DẪN TẠP CHẤT

Trang 13

2.2 TIẾP GIÁP PN

Trang 16

2.2 TIẾP GIÁP PN

 KHI CÓ ĐIỆN ÁP PHÂN CỰC

Trang 17

2.2 TIẾP GIÁP PN

 KHI CÓ ĐIỆN ÁP PHÂN CỰC

Trang 18

2.2 DIODE

 KÍ HIỆU

Trang 19

2.2 DIODE

 ĐẶC TÍNH V-A

) 1 (

) 1

D D

nV v s nkT

qv s

i

Trang 20

2.2 DIODE

 ĐẶC TÍNH V-A

Trang 22

2.2 DIODE

 THÔNG SỐ CỦA DIODE

V R Điện áp lớn nhất khi phân cực ngược

I R Dòng điện lớn nhất khi phân cực ngược

I F Dòng điện trung bình lớn nhất chảy qua Diode

f M Tần số làm việc lớn nhất

Trang 23

2.2 DIODE

 MỘT SỐ LOẠI DIODE

Trang 27

2.2 DIODE

 MÔ HÌNH CỦA DIODE VỚI TÍN HIỆU NHỎ

T d

T d T D

T d D

V v D

V v V V S

V v V S D

e I

e e

I

e I t

i

/

/ /

/ ) (

) (



d D T

d D

V

v I

t

i ( )  ( 1  )  

d T

I V

r 

Trang 29

2.3 ỨNG DỤNG CỦA DIODE

 CHỈNH LƯU

Trang 31

 CHỈNH LƯU

Trang 33

 CHỈNH LƯU

Trang 34

 CHỈNH LƯU + LỌC

Trang 35

Trang 36

Vr(pp) = (1/fRLC)Vprect

VDC = (1 – 1/2fRLC)Vp(rect)

Trang 37

Trang 38

 GHIM ĐIỆN ÁP

Trang 39

 GHIM ĐIỆN ÁP

Trang 40

 DỊCH ĐIỆN ÁP

Trang 41

 DỊCH ĐIỆN ÁP

Trang 42

 NHÂN ĐIỆN ÁP

Trang 43

Trang 44

Trang 45

V r

Trang 46

 ỔN ÁP SỬ DỤNG DIODE ZENER

10V -

Giả sử Imin=4mA, Imax=40mA, r z=0,Hãy tính dải điện áp cho phép của nguồncung cấp

-14(V) đến 50(V)

Trang 47

12 6.1

3.6646 1.61( A)

L

R R

Định dạng
Số trang	47
Dung lượng	3,68 MB