Transistor 2 Lớp Tiếp Giám BJT

Khuếch đại dịng trong BJTVí dụ 2 : Cho mạch điện như hình vẽ... Các thơng số Hybrid contv1 v2 = Độ lợi điện áp ngược reverse voltage gain khi ngõ vào hở mạch i1 = Độ lợi dòng thuận forwa

Trang 1

Chương 2:

Transistor 2 lớp tiếp giáp - BJT

Trang 2

 Mạch khuếch đại E chung

 Mạch khuếch đại B chung

Trang 3

Giới thiệu

 1948: Transistor đầu tiên (Bell Lab)

 Các loại transistor (TST): BJT, FET

 BJT: Bipolar Junction Transistor:

Transistor hai lớp tiếp giáp

Trang 4

Dòng chảy trong BJT

Dòng chảy trong BJT EB: Phân cực thuận CB: Phân cực nghịch

Trang 5

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK

Mối nối Emitter – Base (EB)

Xem mối nối EB như một Diode phân cực thuận hoạt

Trang 6

Mối nối Collector – Base (CB)

IC   I E  ICBO ,

của mối nối CB

B B

IE

Trang 8

Khuếch đại dòng trong BJT

Trang 9

Khuếch đại dịng trong BJT

Ví dụ 2 : Cho mạch điện như hình vẽ Xác định hệ số

 i c

I CQ

Ngõ ra:

Hệ số khuếch đại

Trang 10

Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung

Vùng bão hòa: vCE VCEsat

Quan hệ giữa iC và iB là không

tuyến tính

Vùng chủ động: VCEsat vCE 

Trang 11

TST hoạt động trong vùng bão

Trang 12

Trang 14

  i C R L  i E R e

Với iC = iE  iE, suy ra: V CC  v CE  i C (R L  R e ) : DCLL

Trang 18

VBB =VRb +VBQ =IBQRb +VBQ  (ICQ/)(0.1Re) +

Rb

VBE +ICQRe

 = 100

Trang 19

(Giả sử Ce, đối với tín hiệu xoay chiều:

Trang 21

Tụ ghép (coupling capacitor) vô hạn

Tuï gheùp: Ngaên

Trang 23

R2

Trang 24

Mở rộng

Có thể thay đổi điện áp nguồn cung cấp cho mạch

khuếch đại để

thay đổi mức DC của

vi

Trang 25

Phân tích & Thiết kế mạch tín hiệu nhỏ tần số thấp

Trang 26

Các thơng số Hybrid

 Mạng hai cửa: v1, i1, v2, i2

 Các thông số đặc trưng: Trở kháng

Trang 27

Các thơng số Hybrid (cont)

v1

v2 = Độ lợi điện áp ngược (reverse voltage gain)

khi ngõ vào hở mạch

i1 = Độ lợi dòng thuận (forward current gain)

khi ngõ ra ngắn mạch

- v1, i1, vnhỏ2, i2, là các đại lượng tín hiệu

-Các thông số hybrid h phụ thuộc vào tĩnh điểm

Q của TST

-Các thông số hybrid h cho các cấu hình khác nhau (CE,

CB,

CC)được ký hiệu bằng cách thêm vào các chỉ số

thích hợp (e, b, c)

-Ví

dụ: hfe là hf cho cấu hình CE, …Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM

Trang 28

Mạch khuếch đại E chung (Common Emmiter - CE)

Sử dụng nguyên lý xếp chồng

Xác định các hệ số hybrid cho cấu

hình CE: Độ lợi điện áp

ngược hre : Thường rất nhỏ, bỏ qua

Trang 29

Mạc

h tương đương của TST:

° Độ lợi dòng

Trang 30

Ví du

ï 1: Cho mạch sau, giả sử a)Tĩnh điểm Qhfe =hFE = 50 Xác định:

b)Mạch tương đương tín hiệu nhỏ, giả sử

bỏ qua hoe vaø hre

c)Độ lợi dòng Ai = iL / iid)Trở kháng ngõ vào nhìn từ

Trang 31

b) Mạch

tương 25mV đương tín hiệu nhỏ:

I CQ

251.5

Trang 32

Ví dụ 2: Tìm độ lợi dòng của mạch khuếch đại trong ví

Trang 33

Sử dụng KCL ngõ

vào:

1 1

 

1 1

 

    i i  v b   i b    i b  1.183i b  10K 8.3K 830i b  10000 8300 

i



i i

L L b

A i    (36.7)(1/1.183)



i i i b i i

Nhận xét 2: So

sánh với ví duï 1 (Ai =-34), ảnh hưởng của hoe lên Ai là không

đáng kể

Trang 34

Mạch khuếch đại B chung

Trang 35

Trang 36

(Common Base – CB)

Nhận

xét: i) ii) Các thông số hybrid CB (hhrb vaø hob thường rất nhỏ: Bỏ qua ib, hfb, hob)co

ù được bằng cáchlấ

y các thông soá CE tương ứng chiacho (1+hfe)

Trang 38

Mạch khuếch đại C chung (Common Collector – CC)

Tính

chất: -- Độ lợi áp Av

 1 Trở kháng ngõ vào lớn, trở kháng ngõ ra nhỏ: Impedance

Trang 39

Trang 40

Trở kháng  (hfe + 1) (Ví dụ: Re  Re(hfe

Aùp: Không đổi (Ví du: ve  ve)

Phản ánh từ Base  Emitter

+ 1))

Trang 41

Ví dụ 4: Phân tích

mạch

sau dùng phản

ánh trở kháng

Trang 42

Ví du

Phản ánh trở kháng cực E lên

Định dạng
Số trang	42
Dung lượng	2,49 MB