1. Trang chủ
  2. » Giáo án - Bài giảng

Bài Giảng Transistor 2 Lớp Tiếp Giám BJT

57 354 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 57
Dung lượng 3,07 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

Sơ đồ tương đương thông số H-chế độ tín hiệu nhỏ• Phân tích mạch khuếch đại dùng BJT • Mạch khuếch đại E chung • Mạch khuếch đại B chung • Mạch khuếch đại C chung... hai lớp tiếp giáp

Trang 1

Chương 2.

BJT

Trang 2

Sơ đồ tương đương thông số H-chế độ tín hiệu nhỏ

• Phân tích mạch khuếch đại dùng BJT

Mạch khuếch đại E chung

Mạch khuếch đại B chung

• Mạch khuếch đại C chung

Trang 3

hai lớp tiếp giáp

• Hoạt ộ đ ng phân cực: tắt, bão hòa, dẫn khuếch đại &

đảo

Hình dạng BJT trong thực tế

Trang 4

BJT-pnp:

Trang 6

Mối nối Emitter – Base

Trang 7

Mối nối Collector –

Base

(CB )

B B

Trang 9



Quan hệ giữa iC và iB (bỏ qua ICBO):

Hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ

Trang 10

Khuếch đại dòng trong

Trang 11

Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E

IC-cutoff  iC

ICmax

Trang 12

Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E

Trang 13

Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung

Trang 17

m

để mạch phân

Trang 21

hoạt động không ổn định

vào

Mắc thêm điện trở RE

Trang 26

1

Trang 28

ib tăng, ic, ie tăng, vce giảm

Trang 29

DCLL :

Trang 30

= 11.8K

Trang 31

Tụ Bypass vô

hạn

Re: + Tạo dòng phân cực

_ Giảm hiệu suất;

ICQvà tăng ộ ổn đ ịnh đ phân cực.

_ Giảm hệ số khuếch đại ốiđ với tín hiệu nhỏ xoay chiều

Sử dụng tụ bypass

Giả sử Ce, ốiđ với tín hiệu xoay chiều: ZC = 1/(jC)  0

DCLL :

Re

Rb

RL

Trang 32

11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM

Trang 35

- R I

Re

CE Q

C C

e CQThiết kế mạch phân cực:

Chọn iđ ểm tĩnh Q

V  V R I

CC BEQ e CQTính R2

I / CQ

RL

vi

R2

Trang 36

v0-DC = 0 (Không cần dùng

tụ

-VEE

coupling ngõ ra)

vi

Trang 37

Phân tích & Thiết kế

Trang 38

Kỹ thuật phản ánh trong BJT: bảo toàn áp

• Mô hình tương đương mạch khuếch đại

hybrid

Trang 40

-Các thông số hybrid h phụ thuộc vào tĩnh điểm Q của TST

-Các thông số hybrid h cho các cấu hình khác nhau (CE, CB, CC) được ký hiệu bằng cách thêm vào các chỉ số thích hợp (e, b, c).

dụ:

h fe là h f cho cấu hình CE, …

Trang 41

• Mạng 2

• BJT : 3cửa: 4 chân ( 4 cực ).

chân

 1 chân dùng chung cho 2 cửa

• Mô hình tương đương E chung

Trang 43

Mạc

h

Mạch tương đương của TST:

Trang 47

Mạch

khuếch

đại Echung

Sử dụng KCL ngõ vào:

1 1

 

1 1

 

    ii vb ib    ib  1.183ib  10K 8.3K 830ib  10000 8300 

i

i i

Ai    (36.7)(1/1.183)  -31

Suy

N hậ n xét 2 : So sánh với ví dụ 1 (Ai = -34), ảnh hưởng củahoe lên Ai là

không đáng

kể.

Trang 49

CE tương ứng chia cho (1+h fe )

Trang 50

Mạch khuếch đại B

chung

Trang 51

a) Xác ịđ nh các thông số CB của ví dụ 1, cho 1/hoe = 10K.

b) TST trên được sử dụng trong cấu hình CB với ri = 100; RL = 5K Xác

Trang 52

• Mạch tương đương dùng thông số hybrid cấu hình CC.

• Biến đổi tương đương sử dụng thông số hybrid cấu hình CE.

Thay TST bằng mạch tương đương cấu hình CE:

Trang 57

Mạch khuếch đại C

chung

Ví dụ 5 : Tính v1 và v2 của mạch đảo pha (phase inverter)sau:

Phản ánh trở kháng cực E lên mạch cực B  Mạch tương đương

Ngày đăng: 04/12/2016, 09:06

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w