CƠ CHẾ CỦA LASER DIODE III.. NHỮNG TÍNH CHẤT CƠ BẢN CỦA LASER DIODE V.. VẬT LIỆU DÙNG LÀM LASER DIODE VII... Hall GE và Marshall Nathan IBM dẫn đầu đã phát hiện hiện tượng phát xạ ánh kế
Trang 11
Đề tài:
HVTH: Phạm Minh Thông GVHD: Ts Lâm Quang VInh
Trang 2NỘI DUNG TRÌNH BÀY
I SƠ LƯỢC LỊCH SỬ PHÁT TRIỂN
II CƠ CHẾ CỦA LASER DIODE
III CẤU TRÚC – THÀNH PHẦN
IV NHỮNG TÍNH CHẤT CƠ BẢN CỦA LASER DIODE
V PHÂN LOẠI LASER DIODE
VI VẬT LIỆU DÙNG LÀM LASER DIODE
VII ỨNG DỤNG
Trang 3I SƠ LƯỢC LỊCH SỬ PHÁT TRIỂN: Năm 1962, 2 nhóm nghiên cứu
người Mỹ do Robert N Hall (GE) và
Marshall Nathan (IBM) dẫn đầu đã
phát hiện hiện tượng phát xạ ánh
kết hợp từ chất bán dẫn Ga – As
Cũng năm 1962, Nick Holonyak đã
tìm thấy diode laser có bước sóng
trong vùng khả kiến
3
Năm 1963, 1 nhóm nhà khoa học Liên
xô cũ (đứng đầu là Nikolay Basov) chế
tạo thành công laser GaAs
Năm 1970, Laser diode chạy ở chế
độ sóng liên tục (có cấu trúc dị thể)
được chế tạo thành công bởi
của ông
Trang 4II CƠ CHẾ CỦA LASER DIODE
4
Trang 6III CẤU TRÚC – THÀNH PHẦN
6
Trang 7CẤU TRÚC DỊ THỂ (Hetero-structure)
Trang 88 QUANTUM FILM
Trang 9IV NHỮNG TÍNH CHẤT CƠ BẢN CỦA
LASER DIOD
9
Trang 1010
Trang 11IV PHÂN LOẠI:
11
Trang 13LASER PHÁT XẠ CẠNH
13
Trang 14LASER PHÁT XẠ MẶT
14
Trang 15ĐIỀU CHỈNH BƯỚC SÓNG LASER DIODE
Trang 16VI VẬT LIỆU DÙNG LÀM LASER DIOD
16
Trang 17Vật liệu chế tạo Laser Diodes và LED
17
Trang 18VII ỨNGDỤNG
18
Trang 21DIODE LASER vs LED
Trang 22Độ rộng phổ phát xạ
Cường độ bức xạ
22