ĐỀ CƯƠNG ÔN TẬP CẢM BIẾN

Cảm biến điện dung tụ phẳng 4: Một phần tử cảm biến là tuyến tính trong một dải biến thiên trạng thái đầu vào khi A.. Trong dải đó độ nhạy của cảm biến phụ thuộc hoặc không phụ thuộc vào

1: Chọn loại cảm biến tích cực trong các loại cảm biến sau:

A. Chiết áp potentiometer

B. Cảm biến điện dung

C. Cặp nhiệt ngẫu x

D. Cảm biến từ tính

2: Chọn loại phần tử cảm biến tích cực trong các loại cảm biến sau:

A. Cảm biến điện dung tụ phẳng

4: Một phần tử cảm biến là tuyến tính trong một dải biến thiên trạng thái đầu vào khi

A Trong dải đó độ nhạy của cảm biến phụ thuộc vào giá trị của biến đầu vào

B Trong dải đó độ nhạy của cảm biến phụ thuộc hoặc không phụ thuộc vào giá trị của biến đầu vào một cách linh hoạt

C Trong dải đó độ nhạy của cảm biến không phụ thuộc vào giá trị của biến đầu vào x

D Khi độ nhạy là một biến số biến đổi linh hoạt

5: Nguyên nhân gây ra sai số hệ thống của cảm biến:

A Do đặc tính kỹ thuật của của cảm biến thay đổi mà không được chuẩn lại;

B Do tác động nhiễu ngẫu nhiên;

C Do giá trị đại lượng chuẩn-so không chính xác

D Do ảnh hưởng những thay đổi môi trường (thường là điều kiện đo)

6: Nguyên nhân gây ra sai số ngẫu nhiên của cảm biến:

A Do đặc tính kỹ thuật của của cảm biến thay đổi mà không được chuẩn lại x

B Do đặc tính kỹ thuật của cảm biến không tương thích;

C Do điều kiện và chế độ sử dụng không phù hợp;

D Do xử lý kết quả đo không tốt

7: Đại lượng tác động đầu vào của cảm biến:

A Đại lượng cần đo và nhiễu

B Đại lượng điện

C Dòng điện và điện áp

D Tổng trở

8: Đại lượng đầu ra của cảm biến đo khối lượng là:

A Điện áp hoặc dòng điện

B Khối lượng

C Nhiễu

D Độ nhạy

9: Định nghĩa độ nhạy của cảm biến

A Là tỉ số đầu ra trên đầu vào của cảm biến

B Là tỉ số đầu vào trên đầu ra của cảm biến

C Là tỉ số biến thiên đầu ra trên biến thiên đầu vào của cảm biến

D Là tỉ số biến thiên đầu vào trên biến thiên đầu ra của cảm biến

10: Lựa chọn cảm biến, giới hạn đo như thế nào là phù hợp nhất

A Càng lớn càng tốt

B Càng nhỏ càng tốt

C Lớn hơn hoặc bằng khoảng muốn đo và càng gần khoảng muốn đo càng tốt

D Nằm trong 2/3 khoảng muốn đo

11: Cảm biến loại tích cực biến đổi trực tiếp đại lượng không điện cần đo thành

A Tổng trở

B Đại lượng R/L/C

C Trở kháng

D Đại lượng điện

12: Cảm biến loại thụ động biến đổi đại lượng không điện cần đo thành

A Đại lượng R/L/C

B Đại lượng không điện

C Đại lượng điện

D Đại lượng tuyến tính

13: Các đại lượng đầu vào của cảm biến là

A Dòng điện

B Điện áp

C Các đại lượng vật lý

D Tổng trở

14: Sơ đồ khối đơn giản của hệ thống đo lường không điện bao gồm

A Cảm biến, mạch đo, chỉ thị

B Chuyển đổi sơ cấp, mạch lọc nhiễu, mạch khuếch đại

C Chuyển đổi sơ cấp, mạch đo, mạch khuếch đại

D Cảm biến, chỉ thị, volt kế tuyến tính

15: Một cảm biến không thụ động có đầu ra là

A Điện áp (V) x

B Điện cảm (L)

C Điện dung (C)

D Điện trở ( R)

16: Độ phân giải của cảm biến là

A Là sự thay đổi nhỏ nhất của đại lượng vật lý cần đo mà không gây ra sự thay đổi về tín hiệu đầu ra của cảm biến

B Là sự thay đổi lớn nhất của đại lượng đầu ra khi tác động ở đầu vào

C Là sự thay đổi lớn nhất của đại lượng vật lý cần đo mà không gây ra sự thay đổi về tínhiệu đầu ra của cảm biến

D Là sự thay đổi nhỏ nhất của đại lượng đầu ra khi tác động ở đầu vào

17: Hiệu ứng cảm ứng điện từ là nguyên lý để chế tạo cảm biến nào

25: Một cảm biến được coi là tuyến tính trong một giải đo xác định nếu trong giải đó

A Độ nhạy không phụ thuộc vào đại lượng đo

B Độ tuyến tính không phụ thuộc vào đại lượng đo

C Độ chính xác không phụ thuộc vào đại lượng đo

D Độ nhanh không phụ thuộc vào đại lượng đo

26: Biểu thức độ nhạy của cảm biến với ∆s là biến thiên đầu ra, ∆m là biến thiên đầu vào

A

B

C

D

27: Cảm biến được gọi là tuyến tính trong một dải đo xác định nếu:

A Độ nhạy không phụ thuộc vào thời gian sử dụng

B Độ nhạy không phụ thuộc vào môi trường xung quanh

C Độ nhạy không phụ thuộc vào đại lượng đo x

D Độ nhạy không phụ thuộc vào nhiệt độ

28: Đâu không phải nguyên nhân gây sai số hệ thống của cảm biến.

A Do giá trị của đại lượng chuẩn không đúng

B Do đặc tính của bộ cảm biến

C Do dải đo và hiệu chỉnh cảm biến

D Do điều kiện và chế độ sử dụng

29: Cảm biến tích cực là loại cảm biến.

A Đầu ra là tín hiệu xung số

B Đầu ra đáp ứng điện tích , điện áp hay dòng

C Đầu ra đặc trưng bằng các thông số R,L,C,M

D Đầu ra là áp suất , lực , vị trí

30: Cảm biến thụ động là loại cảm biến.

A Hoạt động như một trở kháng trong đó đáp ứng (s) là điện trở, độ tự cảm hoặc điện dung

B Hoạt động như một máy phát, đáp ứng (s) là điện tích, điện áp hay dòng

C Đầu ra là điện trường

D Đầu ra là nguồn áp hoặc nguồn dòng

31: Hiệu ứng nhiệt điện dùng để xác định.

A Nhiệt độ ở mối hàn T

B Cường độ tác dụng của lực F

A Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đơn tinh thể nhưng không có tiếp giáp bán dẫn p-n

B Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể nhưng không có tiếp giáp bán dẫn p-n

C Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể có tiếp giáp bán dẫn p-n x

D Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đơn tinh thể có tiếp giáp bán dẫn p-n

37: Ánh sáng rọi lên photoresistor

A Tăng độ dẫn điện, tăng điện trở

B Giảm độ dẫn điện, giảm điện trở

C Tăng độ dẫn điện, giảm điện trở

D Giảm độ dẫn điện, tăng điện trở

38: Điện trở tối R 0 của photoresistor là

A Trị số điện trở sau 10 phút khi chiếu ánh sáng lên nó

B Trị số điện trở sau 10 phút sau khi chắn toàn bộ ánh sáng rọi lên nó

C Trị số điện trở sau 1 phút sau khi chắn toàn bộ ánh sáng rọi lên nó

D Trị số điện trở sau 1 phút khi chiếu ánh sáng lên nó

39: Photoresistor biến đổi điện trở theo năng lượng ánh sáng chiếu xạ một cách quán tính

A Quán tính này phụ thuộc vào bước sóng và cường độ chói

B Quán tính này không phụ thuộc vào bước sóng mà chỉ phụ thuộc vào cường độ chói

C Quán tính này không phụ thuộc vào điểm làm việc mà chỉ phụ thuộc vào cường độ chói

D Quán tính này phụ thuộc vào điểm làm việc và cường độ chói

40: Cấu tạo diode quang và tế bào quang-thế

A Là những phần tử cảm quang làm từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể

B Là những phần tử cảm quang làm từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể có lớp tiếp giáp bán dẫn p-n mỏng x

C Là những phần tử cảm quang có lớp tiếp giáp bán dẫn p-n mỏng

D Là những phần tử cảm quang không có lớp tiếp giáp bán dẫn p-n

41: Lý do hạn chế độ nhạy của photodiode

A Lớp tiếp giáp suy biến được giữ ở mức nhỏ để có được dòng điện tối nhỏ nhất và điện

áp chặn cao x

B Lớp tiếp giáp suy biến được giữ ở mức nhỏ để có được dòng điện tối nhỏ nhất

C Lớp tiếp giáp suy biến được giữ ở mức nhỏ để có được dòng điện tối lớn nhất

D Lớp tiếp giáp suy biến được giữ ở mức nhỏ để có được dòng điện tối nhỏ nhất và điện

áp chặn thấp

42: Đối với tế bào quang-điện

A Thời gian đáp ứng chế độ ngắn mạch tốt hơn chế độ hở mạch

B Thời gian đáp ứng chế độ hở mạch tốt hơn chế độ ngắn mạch

C Thời gian đáp ứng chế độ hở mạch và chế độ ngắn mạch là như nhau

D Tùy thuộc từng điều kiện làm việc cụ thể để đánh giá

43: Nguyên lý phototransistor

A Có thể coi phototransistor thực hiện chức năng như một photodiode có mắc kế tiếp transistor để khuyếch đại dòng điện trạng thái khoá của photodiode được điều khiển bởi bức xạ ánh sáng

B Có thể coi phototransistor thực hiện chức năng như một photoresistor có mắc kế tiếp transistor để khuyếch đại dòng điện trạng thái khoá của photodiode được điều khiển bởi bức xạ ánh sáng

C Có thể coi phototransistor thực hiện chức năng như một photodiode có mắc kế tiếp photoresistor để khuyếch đại dòng điện trạng thái khoá của photodiode được điều khiển bởi bức xạ ánh sang

D Tất cả đều sai

44: Độ nhạy của phototransistor so với photodiode

A Độ nhạy của phototransistor lớn hơn của photodiode từ 1000 đến 5000 lần

B Độ nhạy của phototransistor nhỏ hơn của photodiode từ 100 đến 500 lần

C Độ nhạy của phototransistor lớn hơn của photodiode từ 100 đến 500 lần x

D Độ nhạy của phototransistor nhỏ hơn của photodiode từ 1000 đến 5000 lần

45: Thời gian đáp ứng của photodiode so với phototransistor

A Thời gian đáp ứng của photodiode chậm hơn so với phototransistor

B Thời gian đáp ứng của photodiode so với phototransistor là bằng nhau

C Thời gian đáp ứng của photodiode nhanh hơn so với phototransistor

D Tùy thuộc vào điều kiện làm việc

46: Công thức tính độ rọi

dA

d

E=τ Φ hệ số τ là

A Hệ số triết suất của môi trường

B Hệ số xuyên thấu của hệ quang

A Cường độ quang năng

B Cường độ quang thong

A Là công suất phát xạ, lan truyền hoặc hấp thụ

B Là luồng năng lượng phát ra theo một hướng cho trước ứng với một đơn vị góc khối

C Là năng lượng lan truyền hoặc hấp thụ dưới dạng bức xạ

D Là tỉ số giữa luồng năng lượng thu được bởi một phần tử bề mặt và diện tích của phần tử đó

51: Hiệu ứng quang dẫn có tác dụng.

A Làm tăng tính dẫn nhiệt của vật liệu

B Làm tăng tính đàn hồi của vật liệu

C Làm tăng tính dẫn điện của vật liệu

D Làm tăng tính dẫn điện và dẫn nhiệt của vật liệu

52: Tế bào quang điện hoạt động theo nguyên lý nào sau đây.

A Khi có ánh sáng nội trở tế bào quang điện giảm

B khi có ánh sáng nội trở tế bào quang điện tăng

C Khi có ánh sáng bên trong tế bào sẽ có dòng điện chạy qua

D Khi có ánh sáng hai cực tế bào quang điện xuất hiện một sức điện động

53: Độ nhạy của tế bào quang dẫn không phụ thuộc vào:

A Chuyển tiếp B-C phân cực ngược

B Có điện áp đặt lên bazơ

C Không có điện áp trên C

D Chuyển tiếp B-C phân cực thuận

56: Hiệu ứng quang điện phát xạ hay còn được gọi là hiệu ứng quang điện ngoài là hiện tượng các điện tử được giải phóng khỏi bề mặt vật liệu tạo thành dòng khi chiếu vào chúng một:

D không phụ thuộc vào bước sóng

59: Thang nhiệt-động tuyệt đối, nhiệt độ cân bằng ba trạng thái của nước là

61: Nhiệt lượng truyền thụ tới cảm biến trong một đơn vị thời gian dt theo công thức

Tdt

A

dQ=α ∆ Đại lượng α là

A. Nhiệt dẫn xuất của môi trường

B. Hệ số dãn nở của vật liệu cảm biến

C. Hệ số dãn nở của môi trường

D. Nhiệt dẫn xuất của vật liệu cảm biến

62: Điện trở nhiệt kim loại được chế xuất từ các vật liệu

A. Có hệ số nhiệt độ âm

B. Có giá trị hệ số nhiệt lớn

C. Có hệ số nhiệt độ dương

D. Có giá trị hệ số nhiệt trung bình

63: Kim loại dùng để chế tạo điện trở nhiệt kim loại yêu cầu

A. Giá trị điện trở lớn

B. Giá trị điện trở nhỏ

C. Giá trị điện trở trung bình

D. Tùy theo yêu cầu cụ thể có thể chọn nhỏ hoặc trung bình

64: Kim loại dùng để chế tạo điện trở nhiệt kim loại yêu cầu

A. Hệ số nhiệt càng ít phụ thuộc vào nhiệt độ càng tốt

B. Hệ số nhiệt càng phụ thuộc vào nhiệt độ càng tốt

C. Hệ số nhiệt phụ thuộc vào nhiệt độ ở mức vừa phải

D. Hệ số nhiệt phụ thuộc vào nhiệt độ hay không, không quan trọng

65: Ưu điểm nickel dùng để chế tạo điện trở nhiệt kim loại so với sắt hợp kim

A Nickel không tốt bằng sắt hợp kim

B Như nhau

C Nickel tốt hơn sắt hợp kim

D Tùy vào điều kiện sử dụng để đánh giá

66: Các điện trở nhiệt kim loại có đặc điểm

A. Hệ số nhiệt điện trở nhỏ và ổn định

B. Hệ số nhiệt điện trở phụ thuộc vào môi trường và ổn định

C. Hệ số nhiệt điện trở lớn và ổn định

D. Hệ số nhiệt điện trở nhỏ và thay đổi theo môi trường

67: Đối với Cặp nhiệt-ngẫu Thermocouple , sai lệch nhiệt độ giữa đầu làm việc T và đầu

tự do T càng lớn0

A. U sinh ra trong mạch sẽ càng lớn

B. U sinh ra trong mạch sẽ càng nhỏ

C. U sinh ra trong mạch không đổi

D. U sinh ra trong mạch chỉ thay đổi đến môt giá trị max nào đó

68: Đối với Cặp nhiệt-ngẫu Thermocouple, đặc tuyến biến thiên của nhiệt điện động

A. Tuyến tính

B. Không hoàn toàn tuyến tính

C. Phi tuyến

D. Tùy thuộc vào từng loại cặp nhiệt

69: Cặp nhiệt Platin–PlatinoRhodi (90% Pt, 10% Rh) đo được nhiệt độ tối đa là

C Có thể là PTC hoặc NTC tùy loại

D Một loại Thermistor có thể là PTC hoặc NTC tùy thời điểm

71: Đặc tuyến của các điện trở bán dẫn Thermistor

A Tuyến tính cao

B Một số có độ tuyến tính cao

C Không tuyến tính

D Tùy thuộc vào môi trường đo

72: Độ nhạy của các điện trở bán dẫn Thermistor

A Thấp hơn tất cả các loại nhiệt trở kim loại

B Cao hơn các loại nhiệt trở kim loại

C Thấp hơn một số loại nhiệt trở kim loại

D Tùy vào môi trường đo có thể thấp hơn hoặc cao hơn

73: Hoả kế hồng ngoại IR Infrared Pyrometry đo năng lượng bức xạ hồng ngoại phát xạ

từ đối tượng ở bước sóng

A 40-100 micron

B 4-20 micron

C 20-40 micron

D 10-20 micron

74: Đâu là ưu điểm của Hoả kế hồng ngoại IR Infrared Pyrometry

A Phạm vi nhiệt độ điển hình là từ -18 tới +538 C (từ 0 tới 1000 F )

B Các ý trên đều đúng

C Độ chính xác ±1%

D Dùng phối hợp với cáp quang để thực hiện cảm biến từ xa

75: Hoả kế hồng ngoại IR Infrared Pyrometry đo được nhiệt độ

A -38 tới +638 C

B -28 tới +738 C

C -18 tới +538 C

D -8 tới +738 C

76: Đâu là ưu điểm của điện trở bán dẫn Thermistor

A Tuyến tính trong dải nhiệt độ rộng

B Đo được nhiệt độ cao, dải đo lớn

A Đo được trực tiếp

B Không đo được chính xác

C Đo gián tiếp dựa vào sự phụ thuộc của tính chất vật liệu vào nhiệt độ

D Tất cả đều sai

80: Các thang đo nhiệt độ được dùng hiện nay.

A Celsius , Fahrenheit và Kelvin

D Hiệu ứng quang điện

86 : Điều nào sai khi nói về Hỏa kế

A Đo được nhiệt độ cao đến rất cao

B Cho sai số thấp

C Dựa trên năng lượng bức xạ

D Hỏa kế quang học dựa trên cường độ sáng của vật cần đo

87: Nhiệt điện kế ô xít bán dẫn loại hệ số nhiệt dương PTC có đặc điểm:

A Chỉ đo được nhiệt độ dương theo thang độ C

B Điện trở giảm theo nhiệt độ

C Điện trở tăng theo nhiệt độ

D Đo nhiệt độ với thang độ F

88: Trong cảm biến nhiệt điện trở kim loại thì điện trở biến đổi phụ thuộc chủ yếu vào:

A Chiều dài điện trở

B Độ rộng của tiết diện điện trở

C Độ rộng và tiết diện điện trở

89: Cảm biến tiệm cận điện cảm (Inductive proximity) phát hiện được đối tượng

A. phi kim

B. Bán dẫn

C. kim loại

D. Kim loại & phi kim

90: Khoảng cách cảm nhận của Cảm biến tiệm cận điện cảm (Inductive proximity)

A 0,2 – 60 mm

B 0,06 mm – 20 mm

C 0,6mm – 20 mm x

D 0,6 mm – 60 mm

91: Cảm biến tiệm cận điện dung (Capacitive proximity) phát hiện được đối tượng

93: Vùng mù tồn tại đối với loại cảm biến tiệm cận nào

A Tiệm cận điện cảm (Inductive proximity)

B Tiệm cận điện dung (Capacitive proximity)

C Tiệm cận quang học (Photoelectric proximity)

D Tiệm cận siêu âm (Ultrasonic proximity)

94: Vùng mù đối với cảm biến tiệm cận trong khoảng nào

A Khối lượng của đối tượng

B Nhiệt độ của đối tượng

C Hình dáng đối tượng

D Mầu sắc của đối tượng

96: Những yếu tố nào không ảnh hưởng đến chế độ làm việc của cảm biến tiệm cận điện cảm (Inductive proximity)

A Hình dáng đối tượng

B Độ dầy của đối tượng

C Mầu sắc của đối tượng x

D Vật liệu của đối tượng

97: Loại cảm biến tiệm cận nào sử dụng trường tĩnh điện để phát hiện đối tượng bằng kim loại và phi kim loại.

A Tiệm cận điện dung (Capacitive proximity)

B Tiệm cận điện cảm (Inductive proximity)

C Tiệm cận siêu âm (Ultrasonic proximity)

D Tiệm cận quang học (Photoelectric proximity)

98: Cảm biến tiệm cận điện dung (Capacitive proximity) có khả năng phát hiện mức chất lỏng xuyên qua thùng trong suốt với điều kiện

A Chất lỏng phải có hằng số điện môi thấp hơn vỏ thùng

B Chất lỏng phải có khối lượng riêng cao hơn vỏ thùng

C Chất lỏng phải có hằng số điện môi cao hơn vỏ thùng

D Chất lỏng phải có khối lượng riêng thấp hơn vỏ thùng

99: Cho cách bố trí 2 cảm biến tiệm cận siêu âm (Ultrasonic proximity) với khoảng cách cảm nhận là 100cm, thì khoảng cách x giữa 2 cảm biến là bao nhiêu

D > 140 cm

101: Những yếu tố nào không ảnh hưởng đến chế độ làm việc của cảm biến tiệm cận siêu

âm (Ultrasonic proximity)

A Khối lượng đối tượng

B Nhiệt độ đối tượng

C Khả năng dẫn điện của đối tượng

D Mầu sắc của đối tượng

103: Tốc độ gió có ảnh hưởng đến chế độ làm việc của cảm biến tiệm cận siêu âm

(Ultrasonic proximity) hay không

A Không ảnh hưởng

B Có ảnh hưởng

C Chỉ ảnh hưởng khi gió có tốc độ >100 Km/h

D Chỉ ảnh hưởng khi gió có tốc độ >150 Km/h

104: Trong môi trường nào thì cảm biến tiệm cận siêu âm (Ultrasonic proximity) không hoạt động được

A Dưới nước

B Chân không

C Khí trơ

D Nhiệt độ > 80oC

105: Cảm biến tiệm cận dạng điện dung dùng để phát hiện:

A Chỉ đối tượng phi kim và kim loại

B Chỉ các đối tượng có từ tính

C Mọi đối tượng

D Đối tượng phát ra hồng ngoại

106: Vật đặt vào vùng mù 6-80 cm phía trước cảm biến tiệm cận siêu âm sẽ khiến trạng thái đầu ra sẽ:

A Ổn định

B Không có tín hiệu

C Không ổn định

D Tín hiệu dao động hình Sin

E 107: Khoảng cách tối thiểu để không gây nhiễu giữa hai cảm biến tiệm cận có khoảng cách cảm nhận là 6 cm được đặt song song là:

A Điện trở suất của dây

B Khối lượng riêng của dây

C Hệ số tính đến độ bền của dây

D Hệ số an toàn của dây

111: Đối với chiết áp độ phi tuyến của đặc tuyến điện áp ra

A. Tăng lên khi điện trở tải R giảm tai

B. Tăng lên khi điện trở tải R tăng tai

C. Chỉ thay đổi khi điện trở tải R nhỏ hơn giá trị cho phép tai

D. Không phụ thuộc vào điện trở tải R tai

112: Điện dung của phần tử biến dung bằng

A Hằng số điện môi tương đối

B Hằng số điện dung của môi trường

C Hằng số điện môi không khí

D Hằng số điện dung của phần tử cảm biến

113: Phần tử biến dung có đặc điểm

A. Không ảnh hưởng bởi nhiễu từ trường

B. Độ phi tuyến cao

C. Nhạy với nhiễu từ trường

D. Tín hiệu đầu ra lớn

114: Biến thiên điện dung của cảm biến tụ điện là

A Là hàm tuyến tính

B Là hàm phi tuyến

C Là hàm tuyến tính khi diện tích bản cực và hằng số điện môi thay đổi

D Là hàm phi tuyến tính khi diện tích bản cực và hằng số điện môi thay đổi

115: Cho cấu tạo cảm biến: A 1 Là bản cực động; A 2, A 3 là các bản cực

A Đây là cảm biến điện cảm

B Đây là cảm biến hỗ cảm

C Đây là cảm biến tụ kép vi sai

D Đây là cảm biến tụ điện

116: Cho cấu tạo cảm biến: A1 Là bản cực động; A2, A3 là các bản cực

A Đây là cảm biến điện cảm

B Đây là cảm biến hỗ cảm

C Đây là cảm biến tụ kép vi sai

D Đây là cảm biến tụ đơn

117: Biến thiên dung kháng của cảm biến tụ điện

A Là hàm tuyến tính

B Là hàm tuyến tính khi khoảng cách giữa 2 bản cực thay đổi

C Là hàm phi tuyến

D Là hàm phi tuyến khi khoảng cách giữa 2 bản cực thay đổi

118: Biến thiên điện dung của cảm biến tụ điện là

A Là hàm tuyến tính

B Là hàm phi tuyến khi khoảng cách giữa 2 bản cực thay đổi x

C Là hàm phi tuyến

D Là hàm tuyến tính khi khoảng cách giữa 2 bản cực thay đổi

119: Cảm biến tụ đơn và tụ kép vi sai

A Độ nhạy và độ tuyến tính của tụ kép vi sai thấp hơn tụ đơn

B Độ nhạy và độ tuyến tính của tụ kép vi sai cao hơn tụ đơn

C Độ nhạy tụ kép vi sai cao hơn tụ đơn nhưng độ tuyến tính thấp hơn

D Độ nhạy tụ kép vi sai thấp hơn tụ đơn nhưng độ tuyến tính cao hơn

120: Chọn cảm biến có cấu tạo: 1 Là cuộn sơ cấp; 2 Gông từ; 3 Lõi từ di động; 4 Cuộn thứ cấp

A Cảm biến tự cảm

B Đây là cảm biến tụ điện

C Cảm biến hỗ cảm vi sai

122: Cảm biến hỗ cảm vi sai và cảm biến hỗ cảm

A Độ nhạy và độ tuyến tính của tụ kép vi sai cao hơn tụ đơn x

B Độ nhạy và độ tuyến tính của tụ kép vi sai thấp hơn tụ đơn

C Độ nhạy tụ kép vi sai cao hơn tụ đơn nhưng độ tuyến tính thấp hơn

D Độ nhạy tụ kép vi sai thấp hơn tụ đơn nhưng độ tuyến tính cao hơn

123: Cảm biến hỗ cảm khi mắc vi sai độ nhạy của cảm biến

C Cảm biến hỗ cảm vi sai

D Cảm biến tự cảm

125: Nguyên lí làm việc của điện thế kế điện trở để xác định vị trí dựa trên

A Thay đổi giá trị điện áp trên điện trở

B Thay đổi giá trị dòng điện chạy qua điện trở

C Thay đổi điện trở con chạy

D Thay đổi giá trị góc quay của con chạy

126: Cảm biến điện cảm là nhóm các cảm biến làm việc dựa trên nguyên lý

A Biến thiên dòng điện

B Biến thiên hiệu điện thế

C Biến thiên từ thong

D Cảm ứng điện từ

127: Cảm biến tụ điện hoạt động theo nguyên tắc khi dịch chuyển hai bản cực thì

A Hai cực tụ điện xuất hiện sức điện động thay đổi

B Điện trường giữa hai bản cực thay đổi

C Điện dung tụ điện thay đổi

A Đo cường độ từ trường

B Đo cường độ từ thong

C Đo sức điện động trên khung dây

D Đo điện tích trên khung dây

131: Kênh 0 (kênh z hay kênh chỉ thị) trên Encoder tương đối có tác dụng gì:

A Tăng độ phân giải

B Xác định chiều quay của trục động cơ

C Giảm sai số hệ thống

D Đếm số nguyên vòng quay x

132: Encoder trong động cơ servo có khả năng phản hồi:

A Vị trí và mô men xoắn

C Độ dài của điện trở

D Điện trở suất của điện trở

134: Một encoder tuyệt đối có 4 vành đồng tâm sẽ mã hóa được:

A Điện trở xuất phải đủ lớn

B Điện trở xuất phải nhỏ

C Điện trở xuất phải có giá trị nhỏ phù hợp

139: Các đặc trưng chủ yếu của cảm biến biến dạng điện trở kim loại

A Điện trở xuất; Hệ số đầu đo; Độ nhạy ngang; Ảnh hưởng của nhiệt độ và lực

B Khối lượng riêng; Hệ số đầu đo; Độ nhạy ngang; Ảnh hưởng của độ ẩm và rung động

C Điện trở xuất; Giới hạn phá hủy; Độ nhạy ngang; Ảnh hưởng của độ ẩm và rung động

D Khối lượng riêng; Giới hạn phá hủy; Độ nhạy ngang; Ảnh hưởng của nhiệt độ và lực

140: Đầu đo khuếch tán điện trở loại N nhận được bằng cách

A Khuếch tán Sb vào đế silic loại N

B Khuếch tán In vào đế silic loại P

C Khuếch tán Sb vào đế silic loại P

D Khuếch tán Ga vào đế silic loại N

141: Đầu đo khuếch tán điện trở loại P nhận được bằng cách

A Khuếch tán Sb vào đế silic loại N x

B Khuếch tán Ga vào đế silic loại P

C Khuếch tán In vào đế silic loại N

D Khuếch tán Sb vào đế silic loại p

142: Đối với đầu đo khuếch tán bán dẫn khi tăng độ pha tạp

A Điện trở xuất tăng

B Điện trở xuất không đổi

C Điện trở xuất giảm

D Điện trở xuất giảm hoặc tăng tùy thuộc vào loại P hay N

143: Ảnh hưởng của nhiệt độ đối với đầu đo khuếch tán bán dẫn

A Khi nhiệt độ nhỏ hơn 1200C hệ số nhiệt điện trở có giá trị dương giảm dần khi độ pha tạp tăng

B Khi nhiệt độ nhỏ hơn 1200C hệ số nhiệt điện trở có giá trị âm giảm dần khi độ pha tạp tăng

C Khi nhiệt độ nhỏ hơn 1200C hệ số nhiệt điện trở có giá trị dương tăng dần khi độ phatạp tăng

D Khi nhiệt độ nhỏ hơn 1200C hệ số nhiệt điện trở có giá trị âm tăng dần khi độ pha tạp tăng

144: Ảnh hưởng của nhiệt độ đối với đầu đo khuếch tán bán dẫn là

A Khi nhiệt độ tăng thì hệ số đầu đo giảm nhưng khi độ pha tạp lớn thì ít phụ thuộc vào nhiệt độ

B Khi nhiệt độ tăng thì hệ số đầu đo giảm

C Khi nhiệt độ tăng thì hệ số đầu đo tăng

D Khi nhiệt độ tăng thì hệ số đầu đo tăng nhưng khi độ pha tạp lớn thì ít phụ thuộc vào nhiệt độ

145: Đối với đầu đo biến dạng quan hệ giữa kích thước l của đầu đo và chiều dài bước sóng λ

B Đầu đo điện trở kim loại

C Ứng suất kế dây rung x

D Cả 3 loại trên

147: Ảnh hưởng của độ pha tạp đối với đầu đo khuếch tán bán dẫn

A Độ pha tạp tăng hệ số đầu đo tăng

B Hệ số đầu đo tăng hay giảm tùy thuộc vào đầu đo loại N hay P

C Độ pha tạp tăng hệ số đầu đo giảm

D Hệ số đầu đo không phụ thuộc vào độ pha tạp

148: Mẫu cắt của cảm biến áp trở silic có kích thước

A Dài khoảng 1 cm đến vài cm, dày khoảng 10-2 cm

B Dài khoảng 10 mm, dày khoảng 10cm

C Dài khoảng 0,1 mm đến vài mm, dày khoảng 10-2 mm

D Dài khoảng 0,1 cm đến vài cm, dày khoảng 10-2 cm

149: Tần số dao động của cảm biến dây rung được tính theo công thức

Trong đó l là khoảng cách 2 điểm; S là tiết diện dây; Đại lượng d là

A Đường kính của dây

B Hệ số bù nhiệt

C Khối lượng riêng của dây

D Biên độ dao động

150: Đầu đo điện trở trong đo biến dạng dựa trên nguyên tắc

A Thay đổi điện trở khi có biến dạng

B Tạo ra một sức điện động khi có biến dạng

C Biến thiên dòng điện theo biến dạng

D 74%Ni, 20%Cr, 3%Cu, 3%Fe

152: Ứng suất kế dây rung đo độ lớn của biến dạng bằng cách

A Đo độ biến dạng của dây

B Đo tần số dao động của dây

C Đo tiết diện dây

D Đo sức căng của dây

153: Hiệu ứng mỏi là hiện tượng biến dạng lặp lại nhiều lần sẽ làm cho đầu đo:

A Giảm điện trở

B Tăng điện trở

C Xuất hiện hiệu ứng áp điện

D Tăng hệ số đàn hồi đầu đo

154: Khi tác động ứng suất cơ lên bề mặt của áp điện làm vật liệu bị biến dạng và xuất hiện:

A Các electron tại trung tâm vật áp điện

B Các điện tích dương phía ngoài bề mặt

C Các điện tích bằng nhau và trái dấu

D Các lỗ trống bị đẩy lên trạng thái tích cực

155: Nguyên tắc đo lực là

A Cân bằng lực đo với lực đối kháng sao cho tổng lực và mô men lực bằng vô cùng lớn

B Cân bằng lực đo với lực đối kháng sao cho tổng lực và mô men lực bằng một giá trị

cụ thể

C Đo trực tiếp để lấy được giá trị của lực cần đo

D Cân bằng lực đo với lực đối kháng sao cho tổng lực và mô men lực bằng không

156: Trong các cảm biến đo lực

A Có phần tử biến đổi từ lực sang tín hiệu về điện áp

B Có phần tử biến đổi từ lực sang tín hiệu về dòng điên

C Có một vật trung gian chịu tác động của lực cần đo và biến dạng

D Có phần tử biến đổi từ lực sang tín hiệu về điên áp hoặc dòng điên

157: Phần tử cơ bản của 1 cảm biến áp điện đo lực

A Cấu tạo tương tự như một điện trở

B Cấu tạo tương tự như một cuộn dây

C Cấu tạo tương tự như một tụ điện

D Cấu tạo tương tự như 1 tụ điên mắc nối tiếp 1 điện trở

158: Vật liệu thường được dùng chế tạo cảm biến áp điện là

160: Các tế bào tải trọng (LOAD SENSOR)

A Chỉ làm việc với lực kéo

B Chỉ làm việc với lực nén