1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

SLIDE BÁO CÁO KHUẾCH TÁN TẠP CHẤT

22 245 0
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Slide báo cáo khuếch tán tạp chất
Tác giả Lê Tuấn
Trường học Đại học Bách khoa Hà Nội
Chuyên ngành Công nghệ bán dẫn
Thể loại Báo cáo
Năm xuất bản 2006
Thành phố Hà Nội
Định dạng
Số trang 22
Dung lượng 1,84 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

KHUẾCH TÁN TẠP CHẤT

Trang 1

Khu ch tán t p ch t

Lê Tu n

Trang 2

M c c đ đ ích:

Khu ch tán là ph ng pháp c đi n đ đ a t p ch t vào đ bán

đ d n c a các l p.

Tuy c y ion hi n nay h u nh đã thay th vai trò c a khu ch tán c

đi n trong s n xu t các linh ki n bán d n và vi đi n t , nh ng các

Trang 4

Các ngu n khu ch tán

̈ Ngu n khí: th ng ng đ đ c pha loãng trong khí mang Ar hay H2.

Các khí PH3 (phosphin), B2H6 (diboran), AsH3 (arsin) pha trong Ar.

̈ Ngu n r n: th ng ng đ đ c x p bên c nh các phi n trong lò khu ch tán.

̈ Trong l p SiO2 pha t p m nh (Spin-on-glass)

̈ Ngu n l ng: r t ph bi n trong công nghi p, qua các ng s c khí và

đi u ch nh b ng l u l ng k

Trang 5

Khu ch tán (ti p)

Các c ch khu ch tán t p ch t

C ch th ch – khu ch tán nút khuy t (a) :

Trong m ng tinh th luôn t n t i nút khuy t Nhi t đ càng cao, s l ng nút khuy t càng t ng lên Nguyên t t p ch t th ch c a nguyên t Si t i v trí các nút khuy t, c ng nh nh y t nút khuy t này sang nút khuy t khác trong m ng tinh th Các t p ch t thông

th ng nh B, P, As, Sb tuân theo c ch này Khu ch tán theo c ch th ch x y ra v i t c đ t ng đ i ch m, nên v m t công ngh là d đi u khi n.

C ch di chuy n gi a các nút m ng – khu ch tán xen k (b):

Nguyên t t p ch t khu ch tán b ng cách chen l n trong kho ng không gian gi a các nguyên t Si các nút m ng C ch này không đòi h i vi c t o ra và di chuy n các nút khuy t nên khu ch tán x y ra nhanh h n nhi u so v i c ch th ch Các nguyên t Fe, Cu và các kim lo i n ng khác - là các t p ch t không mong mu n – th ng khu ch tán nhanh và b b t t i các b y n m xa vùng ho t đ ng

c a IC (m t sau c a phi n Si) nh s d ng hi u ng gettering

Nguyên t t p ch t đánh b t nguyên t Si ra kh i v trí nút m ng tinh th

C ch Frank – Turnbull (e):

Nguyên t t p ch t sau khi di chuy n khá dài trong tinh th s chi m m t nút m ng tinh th còn tr ng.

Hai c ch (a) và (b) chi m u th trong khu ch tán Mô hình khu ch tán đ c áp d ng chung cho c hai c ch

Trang 6

H s khu ch tán , v i

EA – n ng l ng ho t hóa khu ch

tán và D0 đ đ c tr ng cho t p ch t

và tinh th n n

Trang 7

Khu ch tán (ti p)

S ph thu c nhi t t đ đ c a h s khu ch tán n đ đ i v i m t s ch t

Trang 8

Tr ng h p khu ch tán ng ng n ng ng đ đ ng – Co không không đ đ i t i b m t

(Predepossition dose case)

Dùng ng điđi u ki n ban n ban đđ u và điđi u ki n biên : C(x, 0) = 0; C(0,t) = Co; C( , t) = 0 Co –n ng ng đđ t p ch t ban đ

ban đ u trên b m t phi n, cógiá tr b ng gi i h n hòa tan bão hòa c a t p trong bán d n

Trang 9

Khu ch tán (ti p)

Tr ng h p Co không không đ đ i t i b m t (ti p)

Phân b t p tm m đđ c d i d ng

V i erf – hàm sai s ; erfc – hàm sai bù;

–chi u dài khu ch tán

Trang 10

M t s tnh ch t c a các hàm sai s và sai bù:

Trang 11

Khu ch tán (ti p)

Trang 13

Khu ch tán (ti p)

Phân b l i t p ch t sau quá trình ng ng nh ng ng đ đ ng – khu ch tán vào

̈ Giá tr g n n đ đ úng (x) chính xác c đ đ n n đâu đâu ?

Khi so sánh v i nghi m chính xác, có m t tiêu chu n , R càng < 1 càng t t

N u g i:

D1– h s khu ch tán c a t p trong giai p trong giai đođo n khu ch tán ng ng n ng ng đđ ng,

D2– h s khu ch tán c a t p trong giai p trong giai đođo n khu ch tán vào,

t1 –th i gian khu ch tán ng ng n ng ng đđ ng,

t2 –th i gian khu ch tán vào,

N ng ng đ đ t p ch t phân b l i theo bi u th c:

Các tr ng h p sai l ch kh i lý thuy t khu ch tán n đon gi đon gi n:

Tham kh o trong Physics and Technology of Semiconductor Devices , A S Grove, Univ of California, Berkeley (B n d ch ti ng Vi t: V t lý và công ngh các d ng c bán d n , Ph m Trung D ng, NXB Khoa h c & K thu t, Hà N i, 1978).

Trang 14

Khu ch tán nhi u giai u giai đo đo n

Khi phi n n đ đ bán d n tr i qua n l n khu ch tán, ta có:

v i Di, ti – t t ng ng ng là h s khu ch tán t p ch t

và th i gian khu ch tán c a giai a giai đo đo n khu ch tán th i

Khu ch tán t o chuy n ti p p-n

Trong nhi u tr ng h p, ng i ta khu ch tán vào bán d n lo i t p ch t ng c

lo i d n v i t p ch t có s n trong n trong đ đ bán d n và t o ra chuy n ti p p-n khu ch tán (các transistor l ng c c công ngh khu ch tán s n xu t nh ng n m 1960 – 1970, các vùng cách ly trong công ngh planar s n xu t các IC CMOS, BiCMOS, l ng

c c v i c transistor lo i n-p-n và p-n-p, v.v…)

Chi u sâu l p chuy n ti p luy n kim do khu ch tán (kích th c m t vùng c a chuy n ti p p-n: (Co– n ng ng đđ t p b m t; CB –n ng ng đđ t o trong o trong đđ )

̈ Trong tr ng h p khu ch tán ng ng n ng ng đđ ng

(n ng ng đđ t p b m t không t không đđ i):

̈ Trong tr ng h p khu ch tán vào

(t ng s nguyên t t p không p không đđ i):

=

i i i tot D t Dt

1

) (

C

C erfc

C

C Dt

Trang 16

Khu ch tán ngang d i m t n khu ch tán

T p ch t khu ch tán theo c chi u ngang d i l p m t n b o v , do o đ đ ó, m r ng vùng c a s khu ch tán th c t

Do hi n t ng khu ch tán ngang, đi đi n áp p đ đ ánh th ng gi a các vùng n và p có th b

gi m, kích th c hình h c các ph n c a linh ki n có th b sai l ch, d n t i s thay thay đ đ i thông s đi đi n c a linh ki n

T l chi u dài khu ch tán

s d d

(65÷70) %

=const

Q n

t

d d

Trang 17

Sau khi t m th c l a ch n (dung d ch: vài gi t

HNO3 trong 100 cm3 HF, nhi t t đ đ phòng, th i

gian 30 – 60 s; ho c dung d ch HF:HNO3:C2H4O2

= 1:3:10), vùng p-Si s s m màu h n vùng n-Si;

R b

R

2

2 2 2

2 2

=

Trang 18

i n tr b m t R s (đi n tr vuông, đ n v Ohm/vuông) đđ c xác c đđnh

b ng công th c (µ – đđ linh linh đđ ng c a h t t i i điđi n):

̈ Ph Ph ng ph ng ph áp b n m i dò

đ c dùng nhi u nh t M t dòng t dòng điđi n nh Iđđ c c đ a qua hai đđ a qua hai đ u m i dò

ngoài cùng, còn gi a hai m i dò bên trong, ng i ta i ta đo sđo s t áp V.

N u kích th c c a m u (đ ng kính phi n) là d, chi u dày c a m u

bán d n là W, công th c g n n đđúng ng đđ tnh nh điđi n tr su t khi W << d :

a –h s điđi u chnh, cógiá tr b ng 4,5325 khi d/s 20

̈ Ph Ph ng ph ng ph áp C-V:

N ng ng đđ h t t i c b n (là n ng ng đđ c a t p ion hóa m t l n hoàn toàn)

có th xác c đđnh qua nh qua đđ c tuy n n điđi n dung – điđi n áp ng c trên chuy n

ti p p-n ho c c a diode Schottky (q – điđi n tích electron; C’ – điđi n dung

trên 1 đ n vđ n v di n tích m u; s – h ng s điđi n môi c a bán d n):

= l

s

dx x C q R

0

)(

n

s

2 '1

12

ε

n):

Trang 19

Khu ch tán (ti p)

̈ Ph Ph ng ph ng ph áp Van der Pauw

Ta c ng l i dùng b n ti p xúc, nh ng nh ng đđ c b trí đđ i x ng và đđánh s đđ ti n theo dõi Dòng

đi n Iđđ c c đ a qua hai tiđ a qua hai ti p xúc k nhau, còn hi u u điđi n th đđ c c đo trên hai tiđo trên hai ti p xúc còn l i

gi m thi u sai s do s b t t đđ i x ng v hình h c có th có, phép p đo đđo đ c ti n hành ba l n

n a, m i l n m u u đđ c xoay c xoay đi đi 90 º Giátr điđi n tr trung bình là:

+

=

23

41 12

34 41

23 34

V I

V I

V

2 ln

π

=

ph n m u và ti p xúc

Trang 20

Dòng đi n I đi qua hai mđi qua hai m t t đđ i di n c a m u u đ n giđ n gi n có hình kh i ch

nh t N u không có t tr ng B thì trên hai m t bên vuông góc v i chi u

dòng đi

Khi t tr ng ngoài B đđ c c đđ t vuông góc v i chi u dòng u dòng điđi n l c Lorentz s b cong qu đđ o c a

h t t i i điđi n, làm cho chúng chuy n n đđ ng l ch v m t phía, gây ra các n ng ng đđ h t t i i điđi n – và do

đó – điđi n th gi a hai m t t đđó trên m u s khác nhau Hi u u điđi n th này y đđ c goi là hi u u đi đi n th

h ng c a các h t t i i điđi n: UH = Eyw = vxBzw, v i vx– v n t c trôi c a h t t i i điđi n, w – b r ng l p khu ch tán, Bz – c m ng t tr ng ng đđ c c đđ t hoàn toàn theo phn theo ph ng trng tr c z

V n t c trôi vxc a h t t i i điđi n, xu t phát t bi u th c dòng c dòng điđi n, đđ c vi t: t:

v i <C> -n ng ng đđ trung bình c a t p ch t trong l p khu ch tán M t khác, theo

đnh nghĩa , nên và ta rút ra bi u th c

c a a đđ linh linh đđ ng Hall:

linh linh đđ ng Hall µH là m t thông s điđi n quan tr ng c a l p bán d n, th ng ng đđ c xác c đđnh

và so sánh v i giátr đđ linh linh đđ ng µ đo tđo t các phép p đo điđo đi n khác

C qwx

I v

x

qU

B I C x Cdx

1

=

µ

Trang 21

Cho đ chính xác t i 1 ppb (t c 10-9) M u u đđ c c đđ t trong chân

không cao ~ 10-9 torr Ion on đđ n n đđ c gia t c 1 – 5 kV t i b n phá đđ ,

làm b t ra các ion th c p Sau khi Sau khi đđ c tách ra b ng kh i ph k ,

Các ion He+đđ c gia t c t i MeV t i b n

pháb m t m u và chui sâu vào m u, sau sau đđó, b các nguyên t t p

ch t (vàc bán d n, t t nhiên!) tán x ng c tr ra u dò thu

nh n l i các ion He+, phân tích theo n ng l ng c a chúng ng đđ tnh

Trang 22

1 Dai Co Viet Str., Hanoi, Vietnam

Mobile: 0912 560 536E-mail: le.tuan@vnn.vn

Ngày đăng: 25/11/2013, 12:54

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

hình tì nh tm t hm th lc ln ln lt là aa và và b (b (th th ng nga a &lt; &lt; R), R ), chi - SLIDE BÁO CÁO KHUẾCH TÁN TẠP CHẤT
hình t ì nh tm t hm th lc ln ln lt là aa và và b (b (th th ng nga a &lt; &lt; R), R ), chi (Trang 17)
H s f(Q) ph th uc và ob trí hình h cc a mu đo. Nu mu đo hình vuông, f(Q) = 1. - SLIDE BÁO CÁO KHUẾCH TÁN TẠP CHẤT
s f(Q) ph th uc và ob trí hình h cc a mu đo. Nu mu đo hình vuông, f(Q) = 1 (Trang 19)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN