Tạo xung nhờ hiệu ứng trễ... MẠCH ĐA HÀI CƠ BẢN DÙNG NAND TTLCổng I nhanh chóng ngắt, cổng II thông bảo hoà.. C2 nạp điện, C1 phóng cho đến khi Vi1 bằng VTlàm xuất hiện quá trình p
Trang 1Tạo xung bằng cổng NOT
• Khởi đầu V C =0V, V OUT =V OH ≈5V
• Quá trình nạp tụ C: V C (t) = A+B×e -t/R×C
– A = V OH , B = V T- - V OH
• Quá trình phóng tụ C: V C (t) = A+B×e -t/R×C
Trang 2Mạch One-shot dùng
cổng NOT
• Trạng thái ổn định: VOUT = VOL
• Khi có kích thích vào: VC = VOL, VOUT = VOH
• Sau đó: V = A + B×e
Trang 3Tạo xung nhờ hiệu ứng trễ
Trang 4MẠCH ĐA HÀI CƠ BẢN DÙNG NAND TTL
Cổng I nhanh chóng ngắt, cổng II thông bảo hoà C2 nạp điện, C1 phóng
cho đến khi Vi1 bằng VTlàm xuất hiện quá trình phản hồi dương đưa
mạch về trạng thái ổn định ban đầu.
Trang 5MẠCH DAO ĐỘNG ĐA HÀI VÒNG RC
R và C điều chỉnh tần số của mạch
Trang 6MẠCH DAO ĐỘNG ĐA HÀI THẠCH ANH
Tần số của mạch phụ thuộc vào thạch anh.
Trang 7MẠCH DAO ĐỘNG ĐA HÀI CMOS
RC
T 1 , 4 Mạch đa hài dùng NOR CMOS có chu kỳ
Trang 8Vi mạch logic tạo xung
74xx123
Trang 9• Mạch định thời chính xác:
– Thời gian xung, tần số xung được điều chỉnh bằng điện trở/tụ điện ở mạch ngoài.
• Cung cấp từ nguồn DC 5V÷15V, khi nguồn cung cấp là 5V thì mức điện áp ra tương thích TTL
Vi mạch TIMER
555
Trang 10• Điện áp chân 2 được duy trì ở mức V 2 >V CC /3
• Mạch ổn định ở trạng thái có V OUT = 0V
• Khi có kích thích làm cho V <V /3 thì mạch chuyển
One-shot dùng 555
Trang 11V C = V CC (1 – e -t/RC ) Tại tx: V CC (1 – e -tx/RC ) = V CC ×2/3
One-shot dùng 555
Trang 12Mạch tự dao
động dùng
555
T n =(R A +R B )C, đến mức V C =V CC ×2/3
Trang 13• V OUT = V CC : V C = A + B×e -t/Tn = V CC – e -t/Tn×V CC ×2/3
V CC ×2/3 = V CC - e -t1/Tn×V CC ×2/3 → t 1 = T n ×ln2 ≈ 0,695×(R A +R B )C
• V OUT = 0V: V C = A + B×e -t/Tp =e -t/Tp×V CC ×2/3
Trang 14Tổng hợp tần số