Phương pháp nút KCL: Theo chiều đã chọn trong hình... Bt DTCB CNTT 4 Nguyễn Thành Long... Giả sử MOSFET hoạt động trong vùng bảo hoà Và được đặc trưng bởi các tham số K và V T.. Khuếch
Trang 1Bài giải các bài tập không gỉải ĐTCB/CNTT
1.2 Áp dụng định luật Kirchhoff cho:
Vòng 1cho: -12V + 6I1- 4I 2 =0 12V = 6I1 – 4I2 (1)
Vòng 2 cho: - 6 V+2I3+ 4I 2 +2I3=0 6V = 4I3 + 4I2 (2)
Nút 1 cho: I1 + I2 - I3 = 0 (3)
(1) Cho: 4I2 = -12 V + 6 I1 (4)
(2) Cho: 4I2 = 6 V - 6 I3 I2 = (6/4)A – I3 =1,5A – I3 (5)
(3) Cho: I1 = I3 – I2 (6)
Thay (6) vào (4) cho:
4I2 = -12 V + 6 (I3 - I2) 10 I2 = -12 V + 6 I3 (7)
Thay (5) vào (7) được:
10 (1,5 A – I 3) = - 12 V + 6 I3
15V – 10 I3 = - 12 V + 6 I3 27 V = 16 I3
I3 = 27/16 = 1,6875 A ( 8 )
Thay (9) vào (5) cho:
I2 =1,5 A – I3 =1,5A – 1,6875A = - 0.,1875 A ( 9 )
Từ (6) tinh được:
I 1 = I 3 – I 2 = 1,6875 – (- 0,1875) = 1,875 (10)
1.3 1 Phương pháp nút (KCL):
Theo chiều đã chọn trong hình ta có:
I1 – I2 + I – I3 = 0 I1 + I = I2 + I3 (1)
Gọi điện thế tại nút là V2, ta viết được:
2
8
6
4 6
10
I
A
V
− + = +
+
− + = +
+
4 2
3 4
8,57
O
R
V
=
2 Áp dụng nguyên lý chồng chập và định lý Thevenin
Bt DTCB CNTT 1 Nguyễn Thành Long
+ V2
R1 6
a'
R2 4
a
R3 2
R4 2
+ V1 12V
I2
-vo
+ +
-I 6A
+ -8V V1
R1 2
R2 4
R3 2 R4 6
Trang 2• Cho hở tãi và hở dòng I, mạch còn lại cho (H.1):
( ) ( )
2 1
1 2
1 1 2
1.33
TH
TH
R
+
H.1
( ) ( )
2 1 2
2 4
1,33
2 4 8
6
TH
+
H.2
1.33
TH
R
Khi nối tãi R4 và R3 vào lại mạch (H.3) tính được:
4
3 4
13,33
8,57
TH
R
V
=
H.3
Có cùng kết quả như trên
1.5 Áp dụng định lý Thevenin và định lý Norton lần lượt cho:
Bt DTCB CNTT 2 Nguyễn Thành Long
a'
a +
-V 8V
R1 2
R2 4
I 6A a'
a
R1 2
R2 4
-Vo
+ +
VTH 13,33
RTH
R4 6
a'
+ VTHaa 1V
RTHaa
Trang 3•Hở tải và Vaá cho:
( )
' 1 1
1
1
aa
( )
3
2 1
1 1 2 1
2
2 2 1
THaa
R
V
=
( )
5
2 1 1 2 1
4
2 2 1
THbb
R
V
=
7
0,125
2 2 1
THcc
R
V
=
5.4 Mạch theo nguồn ( SF)
Bt DTCB CNTT 3 Nguyễn Thành Long
b'
b
c'
c
+ b' VTHb 1/2 V
RTHbb'
b'
b
c'
c
+ VTHcc' 1/4 V
RTHcc'
c'
c
-Vo
+ +
VTHcc' 1/4 V
RTHcc'
1k
+ -vi
iD vo
1k
+ vO
-+ -10V
Vs
R
Trang 4Ta cĩ điện thế ngõ ra :
Đáp số 2 V TH ≤ ≤v I V S +V TH
1 Xem chứng minh ở sau
Ta có:
2
2 2
2 2
2
2
2 2
2
` 2
2 2
2
o
o
o
v
RK
v
RK
RK
v
=
=
2
2
2 2
1 4 2
2
RK
2
4 2
i TH o
v V
v
=
5.6 Cho mạch theo hình sau :
Điện trở R phụ thuộc điện thế v B Tính v B
Bt DTCB CNTT 4 Nguyễn Thành Long
Trang 5Giải:
Theo qui tắc cầu phân thế cho
( )
B
B
S
B
B S B B
B S B
R
R
V K
v
R V v v
v
=
=
=
−
∴ =
+
5.7 Chứng minh v O theo v I trong mạch ở hình sau.
Giả sử MOSFET hoạt động trong vùng bảo hoà
Và được đặc trưng bởi các tham số K và V T
Đáp số
BT Ch6 Khuếch đại tín hiện nhỏ
6.4 Mạch khuếch đại hai tấng
Bt DTCB CNTT 5 Nguyễn Thành Long
Trang 6
1 VMID
2
D
=
và:
S O
D
i
R
−
=
đồng nhất hai phương trình cho:
2
2
2
2 2 2 2
D
GS TH
i
R
KR
KR
KR
−
−
−
KR
−
2 Độ lợi thế tổng cộng:
2
2 2
2
TH
TH
KR
7.3 a Tính VO
Bt DTCB CNTT 6 Nguyễn Thành Long
+ -VMID +
-VIN
Vo +
Vs Vs
-R
R
Trang 7( )
1 100
I B
I
µ
Ω
c Độ lợi điện thế:
50 100
V
k
A
Ω
d Điện thế ngõ ra:
v o =A v v i = −50 0,001 sin( ) ωt=0,05sinωt
e Điện trở vào và điện trở ra:
'
100
50
L
i
b
o
o R
v
i v
i
=
→ ∞
f Độ lợi dòng điện và độ lợi công suất khi có mắc thêm tải Ro:
( )
50
50 50
100 25
100
o
i
o o
i
A
R R
v i
β β
7.4
a Độ lợi thế:
A
b Độ lợi thế ở mạch sau:
1
1 2
1 2
2
;
v
R
A
β
+
−
+
7.5 Mạch khuếch đại theo phát
Bt DTCB CNTT 7 Nguyễn Thành Long
Trang 8a Xác định điểm hoạt động Q:
( )
1
1
1 0,6
1
1
1
B
E
I
I E
E
E
I
R R
R
R
β β
β
−
+ +
c Độ lợi thế:
1 1
1
v
I
E
A
R
R
β
+ +
d Điện trở vào và điện trở ra:
'
1
1
1 1
i
i
o
I o
I E
I
E
I E
I E
I E E
v
i
r
v
R R
R
R R
R R
R R R
β β
β
β
+
+
e Độ lợi dòng:
2
2
2 2
2
1
1 1
1
1
1
o
i
O E E
p
O E
i
A
R R R
A
R R
β
β β
β
β
β
+
+
+
+
Bt DTCB CNTT 8 Nguyễn Thành Long