Transistor là linh kiện bán dẫn được ứng dụng rất rộng rãi, đặc biệt là trong các ứng dụng khuếch đại, điều khiển đóng ngắt bằng điện, điều chế tín hiệu hay tạo dao động. Để tìm hiểu sâu hơn về vấn đề này mời các bạn tham khảo Bài giảng Giới thiệu và ứng dụng của Transitor.
Trang 1GIỚI THIỆU VÀ ỨNG DỤNG
CỦA TRANSITOR
Transitor
Trang 2Transitor lưỡng cực
Biopolar Junction Transitor
Transistor là linh kiện bán dẫn được ứng dụng rất rộng rãi, đặc biệt là trong các ứng dụng khuếch đại, điều khiển đóng ngắt bằng điện, điều chế tín hiệu hay tạo dao động Transistor đóng vai trò các khối cơ bản trong các mạch điện của các thiết bị điện tử như máy tính, điện thoại
Trang 3Transitor lưỡng cực
Biopolar Junction Transitor
Cấu tạo:
Transistor lưỡng cực cấu tạo gồm các miền bán dẫn pha tạp p và n xen
kẽ nhau, tùy theo trình tự sắp xếp các miền p và n mà ta có hai loại cấu
trúc điển hình là npn và pnp như hình vẽ:
Mũi tên bao giờ cũng được đặt giữa hai cực B và E Chiều mũi tên cho biết transistor là loại npn hay pnp Chiều mũi tên hướng từ p sang n
Trang 4 Hai tiếp giáp:
tiếp giáp pn giữa Emitter và Base gọi là JE.
tiếp giáp pn giữa Collector và Base gọi là JC.
Về mặt cấu trúc, có thể coi transistor như hai diode mắc đối nhau như hình vẽ Nhưng điều này không có nghĩa là cứ mắc hai diode như hình là có thể thực hiện chức năng của transistor
Trang 5Transitor lưỡng cực
Biopolar Junction Transitor
Trang 6J E J C Miền làm việc Ứng dụng
Phân cực ngược Phân cực ngược Miền cắt Khóa Phân cực thuận Phân cực ngược Miền tích cực Khuếch đại Phân cực thuận Phân cực thuận Miền bão hòa Khóa
Phân cực ngược Phân cực thuận Tích cực ngược
Trang 7Transitor lưỡng cực
Biopolar Junction Transitor
Để transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại, JE phân cực thuận và JC phân cực ngược Sự tác động qua lại của 3 lớp bán dẫn trong transistor tạo ra những liên
hệ cơ bản trong transistor như sau:
là hệ số khuếch đại dòng điện (50÷250)
là hệ số truyền đạt dòng điện (≈1)
B C
I
Trang 8Transitor lưỡng cực
Biopolar Junction Transitor
Các dạng mắc mạch cơ bản của transistor:
Khi sử dụng, về nguyên tắc có thể dùng 2 trong 3 cực của
transistor làm đầu vào và cực thứ 3 còn lại cùng với 1 cực đầu vào làm đầu ra Như vậy, có tất cả 6 cách mắc khác nhau Nhưng
dù mắc thế nào cũng cần có 1 cực chung cho cả đầu ra và đầu vào Trong 6 cách mắc đó, chỉ có 3 cách mắc là transistor có thể khuếch đại công suất đó là cách mắc chung Emitter (EC), chung Base (BC) và chung Collector (CC) Ba cách mắc còn lại không
có ứng dụng trong thực tế Sau đây ta sẽ xem xét từng cách mắc, đặc tuyến vào ra tương ứng.
Trang 9Mạch chung Emitter(EC)
Mạch chung Emitter (EC):
Trong cách mắc E chung, cực E được lấy làm cực chung cho đầu vào và đầu ra Điện áp vào là UBE, điện áp ra là UCE Dòng điện vào là dòng IB, dòng điện ra là dòng IC.
Trang 10Mạch chung Emitter(EC)
Đặc tuyến vào:
Đặc tuyến vào của transistor mắc EC giống như đặc tuyến của diode phân cực thuận : dòng IB trong trường hợp này chính là 1 phần của dòng IE chảy qua chuyển tiếp JE phân cực thuận.
Với UBE=const, khi UCE càng lớn thì IB càng nhỏ và ngược lại
const U
BE
B f U CE
Trang 11CE
Trang 12Mạch chung Emitter(EC)
Trang 13 Nhận xét :
Đối với transistor mắc EC, miền tích cực là miền có JE phân cực
thuận, JC phân cực ngược JE phân cực thuận tương ứng với UBE>0,
từ đặc tuyến vào ta thấy khi UBE>0 thì IB>0 JC phân cực ngược ứng với UBC<0 Miền tích cực được giới hạn bởi đường IB=0 và UBC=0.
Khi IB<0, JE phân cực ngược Như vậy, vùng nằm dưới đường IB=0
có cả hai tiếp giáp phân cực ngược, vùng này được gọi là miền cắt.
Khi UBC>0, JC phân cực thuận Như vậy, vùng nằm bên trái đường
UBC=0 có cả hai tiếp giáp phân cực thuận, vùng này được gọi là miền bão hòa.
Trang 15Mạch chung Base(BC)
Đặc tuyến vào: E EB U const
CB
U f
Trang 16Mạch chung Base(BC)
Nhận xét
Vì tiếp giáp JE luôn phân cực thuận nên đặc tuyến vào của
transistor mắc B chung cơ bản giống với đặc tuyến của diode phân cực thuận IE chính là dòng điện qua diode, UEB chính là điện áp trên diode.
So với cách mắc EC, ta thấy dòng điện vào IE ở đây lớn hơn rất nhiều (đơn vị là mA).
Từ hình vẽ, ta thấy với UEB=const, dòng điện IE sẽ càng lớn khi
UCB càng lớn và ngược lại.
Trang 18Mạch chung Collector(CC)
Trong cách mắc C chung, cực C được lấy làm cực chung cho đầu vào và đầu ra Điện áp vào là UBC, điện áp ra là UEC Dòng điện vào là dòng IB, dòng điện ra là dòng IE
Trang 19B f U EC
BC EB
Trang 20Mạch chung Collector
Đặc tuyến ra:
Khi điện áp UCE nhỏ, độ dốc của đặc tuyến là khá lớn Quan hệ giữa IC và UCE gần như là đường thẳng.
Khi UCE lớn hơn 2V, dòng điện IC gần như không phụ thuộc vào
UCE Trong vùng này, giá trị của IC bằng khoảng 100 lần IB
const I
EC
Trang 21Phân cực cho transistor
Phân cực là cấp điện áp một chiều cho transistor để transistor hoạt động ở chế độ mong muốn Ví dụ, đối với trường hợp
transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại thì cần thỏa mãn các điều kiện sau:
JE phân cực thuận
JC phân cực ngược
áp ra trong mạch cụ thể Đường tải tĩnh được vẽ trên đồ thị
cùng với đặc tuyến ra tĩnh của transistor.
tuyến ra của transistor Điểm công tác tĩnh xác định dòng điện
và điện áp trên transistor, nghĩa là xác định điều kiện phân cực tĩnh cho transistor.
Trang 22Phân cực cho transistor
Trang 23Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay đổi
Transistor là linh kiện rất nhạy cảm với nhiệt độ Ngoài các giới hạn nhiệt độ cực đại, ngay cả trong khoảng nhiệt
độ transistor làm việc bình thường thì sự biến thiên của nhiệt độ cũng ảnh hưởng lớn đến các tham số của
transistor Hai tham số chịu ảnh hưởng lớn nhất là điện áp Base-Emitter UBE và dòng điện ngược trên tiếp giáp JC là dòng ICBo
CBo B
I (1 )
Trang 24Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay đổi
Khi nhiệt độ tăng, dòng điện ngược ICBo tăng làm cho ICtăng, IC tăng làm tăng sự va chạm giữa các hạt và làm
nhiệt độ tăng Nhiệt độ tăng lại làm cho ICbo tăng, quá
trình cứ thế lặp lại làm hệ rất mất ổn định, hiện tượng này gọi là hiệu ứng quá nhiệt Hiệu ứng quá nhiệt làm thay đổi điểm công tác tĩnh và có thể làm hỏng transistor
Nhiệt độ tăng làm UBE tăng, UBE tăng làm IC tăng, tuy
nhiên ảnh hưởng của UBE đến IC không lớn như ICBo Vì vậy, khi nói ảnh hưởng của nhiệt độ đến điểm công tác
thường chỉ nói đến tác động của ICBo
Trang 25Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay đổi
Hệ số ổn định nhiệt của transistor được định nghĩa như sau :
Hệ số ổn định nhiệt cho biết mức độ thay đổi của IC khi
ICBo thay đổi Như vậy, hệ số ổn định nhiệt S càng nhỏ thì tính ổn định nhiệt càng cao
CBo
C
I
I S
C
I
I I
I S
1
Trang 26Phân cực cho transistor bằng dòng cố định
Trang 27 Áp dụng định luật Kirchhoff về vòng điện áp cho vòng
(E,R1,BE) ta có:
Dòng điện IB=const không phụ thuộc vào các tham số của transistor nên mạch được gọi là mạch phân cực bằng dòng (IB) cố định
1 1
1
7.00
R
E R
U
E I
U R
I E
BE B
BE B
Trang 28Phân cực cho transistor bằng dòng cố định
Áp dụng định luật Kirchhoff về vòng điện áp cho vòng (E,R2,CE) ta có
Đây chính là phương trình đường tải tĩnh của mạch
Xét tính ổn định nhiệt của mạch, do IB=const nên:
1
C
I
I I
I S
Trang 29Phân cực cho transistor bằng điện áp phản hồi
Trang 30 Áp dụng định luật Kirchhoff cho vòng mạch (E,R2,R1,BE)
ta có
thay vào ta có
0 )
(
0
.
1 2
1 2
B C
BE B
U R
I R
I I
E
U R
I R
I E
B
I
2 1
1 2
) 1 (
0 )
1 (
R R
U
E I
U R
I R
I E
BE B
BE B
Trang 31Phân cực cho transistor bằng điện áp phản hồi
Áp dụng định luật Kirchhoff cho vòng mạch (E,R2,CE) ta có
Đây chính là phương trình đường tải tĩnh của mạch
0 )
1 1
(
0 )
CE B
C
U R
I E
U R
I I
E
Trang 32Phân cực cho transistor bằng điện áp phản hồi
Xét tính ổn định nhiệt của mạch, từ biểu thức (1) ta có
Khi R2>>R1 thì ta có S=1 Như vậy, hệ số ổn định nhiệt S luôn lớn hơn hoặc bằng 1
2 1
2
2 1
2 2
1
1 2
.
0 )
(
R R
R I
I
R R
R I
R R
U
E I
U R
I R
I I
E
C B
C
BE B
BE B
B C
2
1
1
1
1
R R
R I
I I
I S
C
B CBo
Trang 33Phân cực cho transistor bằng dòng Emitter
(tự phân cực)
Trang 34Phân cực cho transistor bằng dòng Emitter
(tự phân cực)
Áp dụng định lý Thevenin cho mạch phân áp chạy qua R1
và R2, ta có sơ đồ mạch tương đương như sau
2 1
2
2 1
2 1
.
R R
R
E U
R R
R
R R
Trang 35Phân cực cho transistor bằng dòng Emitter
E B CBo
B BE
B B B
B CBo
B B
C E
E E BE
B B B
R I
U R
R I
U
R I
I I
U R
I U
I I
I I
I I
Mà
R I U
R I U
) 1
( )
1 (
0 )
1 (
) 1
BE B
B
R R
U
U I
) 1
(
Trang 36Phân cực cho transistor bằng dòng Emitter
E
C B
E B
E C
E B
BE B
B
E B
C BE
B B B
E E BE
B B B
R R
R I
I
R R
R I
R R
U
U I
R I
I U
R I U
R I U
R I U
(
0
Trang 37Phân cực cho transistor bằng dòng Emitter
E
C
B CBo
C
R R
R I
I I
I S
1