1. Trang chủ
  2. » Cao đẳng - Đại học

Lý Bán Dẫn.PDF

43 227 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 43
Dung lượng 664,22 KB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

[A]Các mức năng lượng được điện tử lấp đầy hoàn toàn nhưng khá gần vùng dẫn dẫn [] Đặc điểm vùng dẫn của chất bán dẫn [A]Các mức năng lượng trống hoàn toàn [] Đặc điểm vùng cấm chất bán

Trang 1

[CAU1] Chất bán dẫn là chất có độ rộng vùng cấm:

[A] Tương đối hẹp

[<=>] Độ dẫn điện của bán dẫn phụ thuộc vào nhiệt độ như thế nào?

[A]Tăng khi nhiệt độ tăng

[<=>] So sánh độ dẫn điện của bán dẫn với kim loại và điện môi?

[A]Độ dẫn điện của bán dẫn nhỏ hơn của kim loại và lớn hơn của điện môi

[<=>] Đặc điểm vùng hoá trị của chất bán dẫn?

[A]Các mức năng lượng được điện tử lấp đầy hoàn toàn nhưng khá gần vùng dẫn

dẫn

[<=>] Đặc điểm vùng dẫn của chất bán dẫn

[A]Các mức năng lượng trống hoàn toàn

[<=>] Đặc điểm vùng cấm chất bán dẫn

[A]Là vùng không có các mức năng lượng

[<=>] Trong trường hợp đơn giản nhất thì các mức năng lượng trong vùng dẫn

và vùng hoá trị phụ thuộc vào vectơ sang k theo hàm bậc mấy?

[A]Bậc 2

Trang 2

[CAU2] Đặc điểm của bán dẫn tinh khiết?

[A] Không có các mức năng lượng nằm trong vùng cấm

[<=>] Để tạo ra bán dẫn loại n ta cần pha tạp chất có hoá trị:

[A]Cao hơn hoá trị của chất nền

[<=>] Để tạo ra bán dẫn loại p ta cần pha tạp chất có hoá trị:

[A]Thấp hơn hoá trị của chất nền

[<=>] Bán dẫn loại n có đặc điểm:

[A] Có các mức năng lượng nằm trong vùng cấm gần đáy vùng dẫn

[<=>] Bán dẫn loại p có đặc điểm

[A] Có các mức năng lượng nằm trong vùng cấm gần đỉnh vùng hoá trị

[<=>] So sánh số lượng điện tử và lỗ trống trong bán dẫn loại n? [A]Lượng điện tử nhiều hơn lỗ trống

[<=>] So sánh số lượng điện tử và lỗ trống trong bán dẫn loại p? [A]Lượng điện tử ít hơn lỗ trống

[CAU3] Mức tạp dono là:

[A] Mức tạp chất cho điện tử

Trang 3

[C] Mức năng lượng không chứa điện tử ở nhiệt độ thấp

[A] Nồng độ pha tạp rất lớn

[CAU4] Quá trình phun hạt dẫn là quá trình:

[A] Phát sinh hạt dẫn do các kích thích bên ngoài

[<=>] Trong điều kiện cân bằng thì:

[A] Quá trình phát sinh hạt dẫn bằng quá trình tái hợp hạt dẫn

Trang 4

[<=>] Để tạo ra quá trình phát sinh hạt dẫn phải phân cực cho chuyển tiếp p-n như thế nào

[A] Phân cực thuận

[<=>] Đặc điểm của sơ đồ mạch sau là gì?

[A] Phân cực thuận và cho dòng điện chạy qua gần như hoàn toàn

[<=>] Quá trình tái hợp hạt dẫn là quá trình như thế nào?

[A] Đưa điện tử từ mức năng lượng cao về mức năng lượng thấp hơn

phonon

photon

[<=>] Thế nào là quá trình tái hợp trực tiếp?

[A] Điện tử ở vùng dẫn tái hợp với một lỗ trống ở mức tạp dono

Trang 5

[A] Di chuyển của các điện tích từ nơi này đến nơi khác do sự chênh lệch về

nồng độ

nhiệt độ

[<=>] Dòng cuốn các điện tích là dòng:

[A] Di chuyển của các điện tích dưới tác dụng của điện trường

[<=>] Câu 13 Trong bán dẫn loại n thì:

[A] Hạt tải chính là điện tử

[CAU6] Trong chuyển tiếp p-n trước khi tiếp xúc thì miền n :

[A] Trung hoà về điện

Trang 6

[D] Nhiễm điện cùng dấu với miền p

[<=>]Trong chuyển tiếp p-n trước khi tiếp xúc thì miền p :

[A]Trung hoà về điện

[<=>] Trong chuyển tiếp p-n khi mới bắt đầu tiếp xúc thì miền n :

[A] Nhiễm điện dương

[<=>] Trong chuyển tiếp p-n khi mới bắt đầu tiếp xúc thì miền p :

[A] Nhiễm điện âm

[<=>] Tính chất của miền tiếp xúc p-n?

[A] Vùng ngèo hạt tải

[<=>] Tác dụng của điện trường ở biên chuyển tiếp p-n với các hạt tải như thế nào?

[A] Cuốn các hạt tải phụ và ngăn cản các hạt tải chính khuyếch tán qua biên chuyển tiếp

[<=>] Biểu thức thế tiếp xúc ở biên chuyển tiếp p-n khi cân bằng được thiết lập:

[A] Vbi=

ln p

p q

k T p

Trang 7

[A] Bằng mức Fermi của bán dẫn loại n

[<=>] Độ rộng vùng nghèo của chuyển tiếp p-n được tính bằng biểu thức:

[A] W0 =

1 2

[<=>] Khi đặt thế ngoài vào chuyển tiếp p-n thì:

[A] Điện thế giữa ở biên chuyển tiếp p-n sẽ giảm đi nếu thế thuận, tăng lên nếu thế nghịch

nếu thế nghịch

[<=>] Khi đặt thế ngoài vào chuyển tiếp p-n thì:

[A] Dòng cuốn các hạt tải phụ bằng hằng số và dòng khuyếch tán các hạt tải chính thay đổi theo hàm e-mũ

theo hàm e-mũ

Trang 8

[C] Dòng cuốn các hạt tải phụ và dòng khuyếch tán các hạt tải chính luôn là hằng số

Trang 9

[A] Dòng điện do khuyếch tán có chiều từ p đến n, dòng cuốn từ n đến p

[<=>] Đường đặc trưng vôn-ampe của chuyển tiếp p-n?

[<=>] Tại sao chuyển tiếp p-n có tính chỉnh lưu rõ rệt?

[A] Dòng điện chỉ đi theo một chiều khi áp đặt thế thuận

[CAU8] Trong kim loại thì:

[A] Không có khái niệm lỗ trống, điện tử dẫn có số lượng lớn

[<=>] Khái niệm công thoát điện tử:

[A] Năng lượng tối thiểu cần cung cấp cho điện tử để nó bật ra khỏi vật liệu

Fermi bay vào chân không

[<=>] ở tiếp xúc kim loại - bán dẫn thì điện tử sẽ di chuyển như thế nào? [A] Hướng đi của điện tử do công thoát điện tử quyết định

Trang 10

[C] Điện tử bao giờ cũng đi từ bán dẫn sang kim loại

[<=>]Dòng điện tử di chuyển từ kim loại sang bán dẫn và dòng điện tử di chuyển từ bán dẫn sang kim loại được biểu diễn bằng công thức:

[A] Phía bán dẫn nhiễm điện âm, kim loại nhiễm điện dương

[<=>] Khi công thoát điện tử trong kim loại lớn hơn trong bán dẫn thì sự nhiễm điện ở biên tiếp xúc như thế nào?

[A] Phía bán dẫn nhiễm điện dương, kim loại nhiễm điện âm

[<=>] Khi công thoát điện tử trong kim loại lớn hơn trong bán dẫn thì ở biên tiếp xúc có tính chất sau:

[A] Bán dẫn loại n là vùng nghèo hạt tải, bán dẫn loại p là vùng giàu hạt tải

[<=>] Khi công thoát điện tử trong kim loại nhỏ hơn trong bán dẫn thì ở biên tiếp xúc có tính chất sau:

[A] Bán dẫn loại n là vùng giàu hạt tải, bán dẫn loại p là vùng nghèo hạt tải

Trang 11

[<=>] Khi công thoát điện tử trong kim loại lớn hơn trong bán dẫn thì điện trường ở biên tiếp xúc có tác dụng:

[A] Ngăn cản điện tử di chuyển từ bán dẫn sang kim loại

[<=>] Khi công thoát điện tử trong kim loại nhỏ hơn trong bán dẫn thì điện trường ở biên tiếp xúc có tác dụng:

[A] Ngăn cản điện tử di chuyển từ kim loại sang bán dẫn

[<=>] Độ rộng của vùng điện tích không gian trong tiếp xúc kim loại -bán dẫn

có đặc điểm:

[A] Vùng điện tích không gian của bán dẫn là chủ yếu, của kim loại rất nhỏ

công thoát điện tử

[<=>] Biểu thức tính độ rộng vùng nghèo trong bán dẫn ở tiếp xúc kim loại - bán dẫn được tính bằng biểu thức :

[A]

1 2 0

Trang 12

[<=>] Tranzistor lưỡng cực có mấy cực?

[<=>] Đặc điểm vùng bazơ của Tranzistor lưỡng cực?

[A] Là vùng rất hẹp và pha tạp yếu

[<=>] Phân cực cho Tranzisto khi làm việc ở chế độ bão hoà?

[A] UBE phân cực thuận, UBC phân cực thuận

[<=>] Phân cực cho Tranzisto khi làm việc ở chế độ tích cực ngược? [A] UBE phân cực ngựơc, UBC phân cực thuận

[<=>] Phân cực cho Tranzisto khi làm việc ở chế độ ngắt?

[A] UBE phân cực ngựơc, UBC phân cực ngược

[<=>] Phân cực cho Tranzisto khi làm việc ở chế độ tích cực thuận? [A] UBE phân cực thuận, UBC phân cực ngược

Trang 13

[C] UBE phân cực thuận, UBC phân cực thuận

[CAU10] Có mấy sơ đồ sử dụng chủ yếu của Tranzistor để khuyếch đại tín hiệu?

[<=>] ở chế độ tích cực thuận của Tranzistor nếu lấy B làm lối vào và C làm lối ra của tín hiệu thì đây là sơ đồ khuyếch đại gì?

[A] Khuyếch đại cả dòng và thế

[<=>] ở chế độ tích cực thuận của Tranzistor nếu lấy B làm lối vào và E làm lối ra của tín hiệu thì đây là sơ đồ khuyếch đại gì?

[A]Khuếch đại dòng

[<=>] ở chế độ tích cực thuận của Tranzistor nếu lấy C làm lối vào và E làm lối

ra của tín hiệu thì đây là sơ đồ khuyếch đại gì?

[A]Tín hiệu không được khuyếch đại

[<=>]Tại sao vùng bazơ của Tranzistor lại phải mỏng?

Trang 14

[A] Tiết kiệm nguyên liệu

[<=>] Tại sao vùng bazơ của Tranzistor lại phải mỏng?

[A] Tiết kiệm nguyên liệu

[<=>] Tại sao vùng bazơ của Tranzistor lại phải mỏng?

[A] Tiết kiệm nguyên liệu

[<=>] Tại sao vùng bazơ phải pha tạp yếu?

[A] Để bazơ dẫn điện kém

[CAU11] ở chế độ tích cực thhuận của Tranzistor nếu lấy E làm lối vào của tín hiệu và C làm lối ra của tín hiệu thì sơ đồ này được tắt là gì?

[A] Sơ đồ B chung

[<=>] ở chế độ tích cực thhuận của Tranzistor nếu lấy B làm lối vào của tín hiệu và C làm lối ra của tín hiệu thì sơ đồ này được tắt là gì?

[A] Sơ đồ E chung

[<=>] ở chế độ tích cực thhuận của Tranzistor nếu lấy B làm lối vào của tín hiệu

và E làm lối ra của tín hiệu thì sơ đồ này được tắt là gì?

[A] Sơ đồ C chung

[<=>] Đặc trưng ra của Tranzistor là đường biểu diễn sự phụ thuộc của:

Trang 15

[<=>] Thế nào là hiệu ứng Dember ?

[A] Hình thành một điện trường trong mẫu bán dẫn đồng nhất khi được chiếu sáng

có gradient mức Fermi)

[CAU12] Điều kiện xảy ra hấp thụ cơ bản?

[A] g

hc E

 

hc E

 

[C]

g E hc

[D]

g E hc

[<=>] Bờ hấp thụ cơ bản là gì?

[A]Là giá trị năng lượng tại đó hấp thụ ứng với chuyển mức vùng - vùng của điện tử bắt đầu xảy ra

vùng của điện tử bắt đầu xảy ra

Trang 16

được chia làm mấy loại?

[A] Định luật bảo toàn năng lượng và xung lượng

[<=>] Xung lượng của phôton so với xung lượng của điện tử thì:

[A] Xung lượng phôton có giá trị lớn hơn rất nhiều so với xung lượng điện tử

[<=>] Biểu thức tính hệ số hấp thụ trong chuyển mức thẳng

[A]

1 2 (hc g)

[<=>] Thế nào là quá trình hấp thụ bởi hạc tải tự do?

[A] Năng lượng hấp thụ chuyển điện tử tự do hoặc lỗ trống tự do trị lên các mức năng lượng cao hơn nhưng vẫn nằm trong vùng năng lượng được phép cũ

[<=>] Nếu trong bán dẫn có cả tạp dono và axcepto thì sẽ có mấy cách điện tử hấp thụ ánh sáng ?

Trang 17

[A] Sau bờ hấp thụ cơ bản về phía bước sóng dài

[CAU13] Photodetecto là gì?

[A]Là đầu thu với tác nhân kích thích là các photon ánh sáng

[<=>]Có mấy loại photodetecto chính?

[<=>] Nguyên lý làm việc của Photodiot?

[A] Đầu thu quang có một lớp p-n được phân cực ngược

cực thuận

[<=>] Đặc trưng I-V của chuyển tiếp p-n khi được chiếu sáng?

Trang 18

[<=>]Dòng điện chảy qua chuyển tiếp p-n khi phân cực ngược là:

[A] Dòng của các hạt tải phụ

[<=>] Dòng điện chảy qua chuyển tiếp p-n khi phân cực thuận là:

[A] Dòng của các hạt tải chính

Trang 19

[A] 2

[B] 3

[C] 4

[D] 5

[<=>] Trong laser buồng cộng hưởng có vai trò gì?

[A] Tạo ra chùm photon có năng lượng đúng bằng khoảng cách giữa hai mức năng lượng của điện tử để làm nguồn kích thích chiếu vào hệ

[CAU15] Có mấy loại linh kiện bán dẫn phát quang chủ yếu?

[A]Hiện tượng tái hợp phát xạ

[<=>] Để có hiện tượng tái hợp xảy ra trong bán dẫn thì phải chọn bán dẫn nào? [A] Bán dẫn có vùng cấm thẳng và nằm trong trạng thái không cân bằng

[<=>] Để chế tạo các linh kiện phát quang phải sử dụng bán dẫn như thế nào? [A] Bán dẫn có vùng cấm thẳng

[<=>] Phương pháp bơm điện trong các linh kiện bán dẫn phát quang:

[A]Sử dụng lớp chuyển tiếp p-n phân cực thuận

[<=>] Để tăng khả năng phát quang của Led và laser người ta thường pha tạp cho miền n và p của chuyển tiếp p-n như thế nào?

Trang 20

[A] Miền n và p đều pha tạp rất mạnh

[<=>] Nguyên lý phát quang của led?

[A] Led = chuyển tiếp p-n phân cực thuận, phát xạ tự phát

[<=>]Nguyên lý phát quang của laser?

[A] Led = chuyển tiếp p-n phân cực thuận, phát xạ cưỡng bức

[<=>] Để phát xạ cưỡng bức lớn hơn phát xạ tự phát trong laser bán dẫn người

ta thường làm như thế nào?

[A]Pha tạp mạnh cho miền n và p, dùng điện thế mạnh phân cực cho chuyển tiếp p-n, dùng buồng cộng hưởng

[A] Phương pháp epitaxy lỏng hoặc khí

[CAU16] Hàm phân bố cho ta biết?

[A] Xác suất điền đầy của điện tử ở mức năng lượng E

Trang 21

[C] Nồng độ lỗ trống ở vùng hoá trị

[<=>] Hàm phân bố điện tử trong điều kiện cân bằng nhiệt động?

[A]

0

1 ( , )

1

E F KT

1

F E KT

1

F E KT

1

E F KT

[A]

0

1 ( , )

[<=>] Định nghĩa mức Fermi ?

[A] Là mức năng lượng của bán dẫn cân bằng mà xác suất lấp đầy mức đó bởi điện tử bằng

1 2

khoảng kT

[<=>] Hàm phân bố điện tử đối với các trạng thái tạp chất dono ?

Trang 22

[A]

0

1 ( , )

1

1 2

1

1 2

1

1 2

1

1 2

0

1 ( , )

[A]

0

1 ( , )

1

1 2

1

1 2

1

1 2

1

1 2

Trang 23

[A]

0

1 ( , )

[A]

 1 2

[A]

 1 2

[<=>] Đặc điểm mức Fermi của bán dẫn không suy biến?

[A] Mức Fermi nằm trong vùng cấm cách đáy vùng dẫn (hoặc đỉnh vùng hoá trị ) một khoảng lớn hơn kT

) một khoảng nhỏ hơn kT

(hoặc đỉnh vùng hoá trị) một khoảng lớn hơn kT

Trang 24

(hoặc đỉnh vùng hoá trị) một khoảng nhỏ hơn kT

[<=>] Đặc điểm mức Fermi của bán dẫn suy biến?

[A] Mức Fermi nằm trong vùng cho phép cách đáy vùng dẫn (hoặc đỉnh vùng hoá trị) một khoảng lớn hơn 5kT

) một khoảng lớn hơn 5kT

một khoảng nhỏ hơn 5kT

hoá trị) một khoảng nhỏ hơn 5kT

[<=>] Biểu thức tính nồng độ điện tử và lỗ trống khi bán dẫn là một hệ không suy biến?

pd d

m m

pd d

m m

pd d

m m

pd d

m m

Trang 25

[<=>] Phương trình trung hoà của bán dẫn riêng có dạng như thế nào?

Trang 26

tạp chất (dono) có mức Fermi được tính theo công thức:

[<=>] ở vùng nhiệt độ ion hoá tạp chất, bán dẫn chứa một loại tạp chất (dono)

có phương trình trung hoà là:

Trang 27

ln d C

[<=>] Các điot và transistor không thể hoạt động ở vùng nhiệt độ nào

[A] Vùng nhiệt độ cao

[<=>] Bán dẫn chứa một loại tạp chất ở vùng nhiệt độ cao khác với bán dẫn riêng ở điểm nào?

[A] Độ linh động của các hạt tải

Trang 28

[<=>] Biểu thức tính mức Fermi của bán dẫn bù trừ một phần (giả sử tạp dono lớn hơn tạp axceptor)?

[A]

ln 2

[CAU21] Nếu pha một lượng nhỏ Asen (As) vào một khối bán dẫn Germanie

Trang 29

[A] Có hạt cơ bản là electron

Trang 30

[A] tạp cho hay tạp đôno

[A] tạp nhận hay tạp aceptor

[<=>] Linh kiện bán dẫn được cấu tạo từ một lớp chuyển tiếp p-n và có đặc tính chỉ cho dòng điện chạy qua nó theo một chiều xác định, gọi là

[A] điôt (chỉnh lưu) bán dẫn

Trang 31

[A] tranzito (lưỡng cực) n-p-n

có giá trị âm giữa anôt A và catôt K của điôt chân không

điôt chân không qua một điện kế

có giá trị dương giữa anôt A và catôt K của điôt chân không

[<=>] Câu nào dưới đây nói về mối liên hệ cua cường độ dòng điện IA chạy qua

[A] Khi catôt K không bị nung nóng, thì IA=0 với mọi giá trị dương của UAK

[<=>] Hình nào trong hình vẽ mô tả dạng đặc tuyến vôn - ampe của điôt chân không?

[A]a

[B]b

[C]c

[D]d

Trang 32

[<=>] Câu nào dưới đây nói về bản chất của tia catôt là đúng?

[A] Là chùm ion âm phát ra từ catôt bị nung nóng ở nhiệt độ cao

quang thành ống thủy tinh đối diện với catôt

[<=>] Câu nào dưới đây nói về tính chất của tia catôt là không đúng?

[A] Phát ra từ catôt, truyền ngược hướng điện trường giữa anôt và catôt

số tinh thể, làm kim loại phát tia X, làm nóng các vật bị nó rọi vào

[<=>] Câu nào dưới đây nói về ống phóng điện tử và đèn hình là không đúng? [A] Trong ống phóng điện tử, chùm tia electron đi qua khoảng giữa hai cặp bản

sáng

đặc biệt (X) và (Y), rồi hội tụ trên màn huỳnh quang tạo ra một vết sáng

Trang 33

[D]Trong đèn hình, việc làm lệch chùm tia electron được điều khiển bằng điện trường giữa hai cuộn dây có dạng đặc biệt (X) và (Y)

[CAU24] Câu nào dưới đây nói về tính chất của các chất bán dẫn là không đúng?

[A] ở nhiệt độ thấp, điện trở suất của bán dẫn tinh khiết có giá trị rất lớn

trở của bán dẫn có giá trị âm

của bán dẫn có giá trị dương

[<=>] Câu nào dưới đây nói về các loại chất bán dẫn là không đúng?

[A] Bán dẫn tinh khiết là chất bán dẫn, trong đó mật độ ni của các elctron dẫn

chất lớn hơn rất nhiều so với mật độ các hạt tải điện

hơn rất nhiều so với mật độ pn của các lỗ trống : nn >> pn

rất nhiều so với mật độ np của các electron dẫn : nn >> pn

[<=>] Câu nào dưới đây nói về các hạt tải điện trong chất bán dẫn là đúng? [A] Các hạt tải điện trong bán dẫn loại n chỉ là các electron dẫn

dẫn và lỗ trống

chiều điện trường

[<=>] Câu nào dưới đây nói về tạp đôno và tạp axepto trong bán dẫn là không đúng?

[A] Tạp đôno là nguyên tử tạp chất làm tăng mật độ electron dẫn

Ngày đăng: 04/08/2017, 18:18

Xem thêm

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w