tóm tắt báo cáo oral

NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT ĐẶC TRƯNG QUANG ĐIỆN CỦA TIẾP XÚC DỊ THỂ GZO/P- Si ĐƯỢC CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON DCVõ Kiên Trung 1 , Vũ Thị Hạnh Thu 2 1 Trường Đào Sơn T

Tiểu ban VẬT LÝ KỸ THUẬT – HẢI DƯƠNG HỌC

NGHIÊN CỨU SỰ CÂN BẰNG CHUYỂN TIẾP CỦA ĐỒNG VỊ 99mTC VÀ ĐỒNG VỊ 99

Mo ĐƯỢC TẠO BỞI PHẢN ỨNG BẮT NEUTRON CỦA ĐỒNG VỊ 98

chuyển tiếp xảy ra sau khoảng thời gian này Tuy nhiên, kết quả của đỉnh năng lượng 777 keV không đủ tốt và

được tạo ra trong quá trình kích hoạt mẫu

TRANSIENT EQUILIBRIUM DECAY OF 99mTc WITH ITS PARENT 99Mo PRODUCED BY

NEUTRON CAPTURE ON 98Mo

Abstract

important definition to refer to a state in serial radioactive decay in which the ratio of activity between the parent and daughter radionuclides is constant At SLOWPOKE-2 reactor, Saskatchewan, Canada, the natural molybdenum sample MoO3 is irradiated to produce 99Mo which will decay to 99mTc Then relative activity of

(141 keV) are emerged from measurement of irradiated sample The behavior of their activity with time has a good agreement with theoretical predictions In addition to, the ratio of activity between 99mTc (141 keV) and

“1,1” after 40-50 hours Mean that the transient equilibrium relatively occurs in region of 40-50 hours after the end of irradiation However, with the peak of 777 keV, result is not good enough and the main excuse for this is

peak

_

Email liên hệ: thongho1990@gmail.com

NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT ĐẶC TRƯNG QUANG ĐIỆN CỦA TIẾP XÚC DỊ THỂ GZO/P- Si ĐƯỢC CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON DC

Võ Kiên Trung (1) , Vũ Thị Hạnh Thu (2)

(1) Trường Đào Sơn Tây (2) Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

lắng đọng màng được thay đổi như thời gian, công suất, khoảng cách bia đế để chọn điều kiện chế tạo tốt nhất Cấu trúc màng, tính chất điện, quang được đánh giá bằng các phép đo SEM, XRD, Hall, bốn mũi dò, phổ UV-Vis Đặc trưng I-V của tiếp xúc cũng được khảo sát cho thấy tính chất như của diod, có thể ứng dụng cho các thiết bị quang điện

STUDIES ON FABRICATION AND PHOTOVOLTAIC CHARATERIZE OF GZO/P-Si BY

SPUTERING MAGNETRON DC

Abstract

Ga-doped ZnO (GZO) transparent conductive oxide films on p-Si wafers were prepared by DC magnetron sputtering The effect of varied coating conditions (power, sputtering pressure, substrate-to-target distance and deposition time) on microstructure, optical and electrical properties of the films was investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), UV–visible spectrophotometer and four point

in the visible region

_

Email liên hệ: khtn2009@gmail.com

KHẢO SÁT VÀ ĐÁNH GIÁ MỘT SỐ THÔNG SỐ ĐIỆN VÀ QUANG CỦA

LED CHIẾU SÁNG

Nguyễn Văn Hiếu (1) , Nguyễn Thanh Phong (2) , Lê Văn Mến (1) , Vũ Thế Đảng (3) , Nguyễn Công Kỳ (4)

(1) Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

(2) PTN Công nghệ Nano, ĐHQG-HCM (3) Trung tân NCTK, Khu Công Nghệ Cao Tp HCM (4) Khoa Khoa học cơ bản, Trường ĐH Công nghiệp Tp HCM

Tóm tắt

550nm để đo và đánh giá các thông số điện và quang của LED Các thông số cần đo như: hình dạng điện cực bề mặt, đặc tuyến I-V, độ rọi, cường độ chiếu sáng, bước sóng phát xạ, màu sắc, ảnh hưởng của nhiệt độ và độ ẩm đến đặc tuyến I-V Các khảo sát và đo trên được thực hiện trên các thiết bị chuyên dụng của các phòng thí nghiệm của Khu Công nghệ cao Tp HCM, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên và Viện đo lường Việt Nam Với

số liệu đo khảo sát các LED này, chúng tôi có thể khảo quát mức độ chính xác giữa thông số kỹ thuật của led được hãng công bố với thực thế Qua đó, chúng tôi đề xuất một qui trình đo kiểm LED và kiến nghị xây dựng tiêu chuẩn LED cho thị trường Việt Nam Chúng tôi hi vọng kết quả này sẽ giúp ích cho các dự án chế tạo LED sau này tại Việt Nam

THE STUDY OF SOME ELECTRICAL AND OPTICAL PARAMETERS OF LEDS

Abstract

measure and evaluate the electrical and optical parameters of LEDs The parameters to be measured, such as electrode surface shape, the IV characteristic, illuminance, luminous intensity, emission wavelength, color, temperature influence and humidity in the IV characteristic The survey was conducted and measured on the specialized equipment of the laboratories of the Saigon Hi-Tech Park, University of Science and Institute of Vietnam measurement With the measuring data of LEDs, we can evaluate the accuracy between the specifications of the semicondutor company to the real measuring data Thereby, we propose a LED process measurement and standards to check LEDs for Vietnam market We hope these results will be useful for the fabrication of LED projects in Vietnam next time

_

Email liên hệ: nvhieu@hcmus.edu.vn

CHẾ TẠO ĐIỆN CỰC DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT DỰA TRÊN TỔ HỢP LAI BẠC

NANOWIRE VÀ GRAPHENE Ở NHIỆT ĐỘ THẤP

Hoàng Thị Thu, Huỳnh Trần Mỹ Hòa, Trần Quang Trung

Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

quang điện tử Graphene thường được chế tạo bằng phương pháp Hummer hoặc Hummer' cải tiến Các phương pháp này rất thích hợp cho việc sản xuất quy mô lớn với chi phí thấp nhưng những nhược điểm chính của phương pháp này là việc sử dụng các tác nhân oxy hóa mạnh sẽ làm cho màng graphene bị nát dẫn đến giảm đáng kể tính dẫn điện của màng Trong bài báo này, chúng tôi sẽ trình bày một phương pháp rẻ tiền, nhanh chóng và đơn giản để chế tạo điện cực lai dựa trên các dây nano bạc (Ag NWS) với graphene (CCG) trên các đế tùy ý Những điện cực này có điện trở thấp (18 Ω/□) và độ truyền qua cao (82,4%), có thể so sánh với điện cực

quá trình chế tạo được thực hiện ở nhiệt độ thấp Các màng graphene là quay phủ trực tiếp trên bề mặt đế mà không cần transfer, tránh được rất nhiều khó khăn, hệ lụy do phương pháp này mang lại

PREPARATION OF HYBRID TRANSPARENT ELECTRODES OF SILVER NANOWIRES AND CHEMICALLY CONVERTED GRAPHENE ON ABITRARY SUBSTRATE AT LOW

TEMPERATURE

Abstract

optoelectronic devices Graphene is usually prepared via Hummers' method or modified Hummers' methods These method are the most suitable for the large-scale production of single graphene at low cost but the main drawbacks of these method are the use of strong oxidizing agents make graphene films were separated small sheets leading to extremely decrease its electrical conductivity Herein, we report an inexpensive, fast and facile method for preparation of a double layer structured transparent, flexible hybrid electrode from silver nanowires (Ag NWs) with chemically converted graphene (CCG) coating on arbitrary substrate These films dramatically decreases the resistance of graphene films and exhibited high optical transmittance (82.4%) and low sheet resistance (18 Ω/□), which is comparable to ITO transparent electrode They also show the ratio of direct conductivity to optical conductivity DC/OP = 104 is very close to that displayed by commercially available ITO Especially, the whole fabrication process is carried out at low temperature The graphene films is spin coating directly on the substrate without transferring, eliminated many troubles bring back from transfer method

_

Email liên hệ: htthu@hcmus.edu.vn

KIỂM TRA THÙNG THẢI PHÓNG XẠ BẰNG KỸ THUẬT QUÉT GAMMA PHÂN ĐOẠN

VÀ CHỤP ẢNH CẮT LỚP GAMMA

Huỳnh Tăng Hiền, Hoàng Thị Kiều Trang, Trần Thiện Thanh, Trần Thị Thu Sương, Lê Bảo Trân,

Châu Văn Tạo

Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

dò tìm vị trí đồng vị phóng xạ trong thùng thải.Nguồn điểm được đặt vào bên trong thùng thải có thể tích 210 lít với đường kính 58 cm và chiều cao 86 cm Tia gamma phát ra từ thùng được ghi nhận bởi đầu dò NaI(Tl) có kích thước 3 in Đầu tiên, chúng tôi quét gamma phân đoạn trên thùng thải để xác định vị trí nguồn phóng xạ theo chiều cao thùng Sau đó, chúng tôi dựng ảnh chụp cắt lớp gamma để xác định vị trí nguồn phóng xạ trên một lát cắt Ảnh được tái tạo bằng phương pháp chiếu ngược có lọc, Ngoài ra, chúng tôi cũng đo hàm độ nhòe điểm của hệ chụp ảnh nhằm hiệu chỉnh ảnh hưởng của đầu dò.Vị trí nguồn Co-60 được xác định phù hợp với thực nghiệmvới sai số là 6%.Việc kiểm tra thùng thải bằng cách áp dụng hai kỹ thuật quét gamma phân đoạn và chụp ảnh cắt lớp gamma phát xạ cho ta thấy được phân bố nguồn trong thùng thải với độ chính xác cao

NUCLEAR WASTE DRUM ASSAY USING SEGMENTED GAMMA SCANNING AND

GAMMA EMISSION TOMOGRAPHY TECHNIQUES

Abstract

tomography to determine the radioactive distribution in the drum Point sources are placed inside a 210 litre waste drum with a diameter of 58 cm and a length of 86 cm Gamma emitted from the drum are detected using a 3-inch NaI(Tl) detector First, we assay the waste drum using the segmented gamma scanning technique to find the source positions in the vertical direction Then, we reconstruct gamma emission tomography images for the horizonal slices where the sources are found The images are reconstructed using filtered backprojection method and smoothed using intensity transformation and linear interpolation Besides, the Point Spread Function (PSF)

of the imaging system is measured and applied to deconvolute detector effects Co-60 isotopes are found in agreement with the experimental arrangement with an uncertainty of 6% Assaying a waste drum using both segmented gamma scanning and gamma emission tomography techniques saves time while still provides information about the radioactive sources in details

_

Email liên hệ: huynhtanghien@gmail.com

NGHIÊN CỨU VÀ CHẾ TẠO CHẤM LƯỢNG TỬ CẤU TRÚC LÕI/VỎ CdSe/ZnS BIẾN

TÍNH BỀ MẶT BẰNG MPA

Võ Thị Ngọc Thuỷ, Lâm Quang Vinh, Dương Ái Phương

Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

các ứng dụng trong sinh học Do đó việc tổng hợp chấm lượng tử chất lượng cao và tan được trong môi trường nước, cũng như trong các môi trường sinh học là một bước quan trọng khi ứng dụng chấm lượng tử trong sinh học Bằng phương pháp hoá học một lần trong bình phản ứng và phương pháp SILAR chúng tôi đã tổng hợp được chấm lượng tử CdSe/ZnS Từ đó thông qua việc trao đổi ligand chúng tôi chế tạo được CdSe/ZnS bọc MPA Các phép đo PL, UV-vis, TEM, XRD, Raman, FTIR được chúng tôi dùng để khảo sát cấu trúc, tính chất của CdSe/ZnS bọc MPA Các kết quả cho thấy, chúng tôi đã tổng hợp chấm lượng tử cho độ phát quang cao, lớp

vỏ ZnS đã thụ động hoá bề mặt, nâng cao hiệu suất phát quang Ảnh TEM, phổ XRD và FTIR cho thấy việc bọc MPA thành công và chấm lượng tử đã chuyển từ pha kỵ nước sang ưa nước và có thể gắn kết với tác nhân sinh học

RESEARCH AND FABRICATION OF CORE/SHELL STRUCTURE QUANTUM DOT

CdSe/ZnS AND SURFACE FUNCTIONALIZATION WITH MPA

Abstract

sensitivity, rapid response and reliability The synthesis of high quality quantum dots, which can be dissolved in water and other bio-environment, is a crucial step toward further application in biology Starting with one-step approach in reaction pot and SILAR method, we can produce CdSe/ZnS core shell structure Through ligand exchange mechanism, we can coat as-made CdSe/ZnS structure with 3-Mercaptopropionic acid (MPA) Measurements such as PL, UV-Vis, TEM, XRD, Raman, FTIR have been utilized to characterize the MPA-coated CdSe/ZnS structure The results show enhanced luminescence intensity, CdSe surface passivation due to ZnS and success in MPA coating Especially, the quantum dots have shifted from hydrophobic to hydrophilic property and can be connected with bio-agents

_

Email liên hệ: nthuy218@gmail.com

CHẾ TẠO LINH KIỆN CỘNG HƯỞNG SILICON TRÊN NỀN LTCC CÓ KHẢ NĂNG TƯƠNG THÍCH MẠCH TÍCH HỢP LSI HƯỚNG ĐẾN ỨNG DỤNG CỦA BỘ TẠO XUNG

Nguyễn Văn Toàn (1,2)

mạch tích hợp LSI được sử dụng để thay thế cho các linh kiện tạo xung đã và đang được dùng trong các mạch điện tử Một phương pháp mới để kết hợp kỹ thuật đóng gói trong chân không và linh kiện cộng hưởng Silicon trên nền LTCC cơ bản dựa trên kỹ thuật hàn tĩnh điện thì đã được đề suất và thực hiện thành công Bên cạnh đó, những phương pháp tối ưu để đạt hiệu suất cao trong quá trình hoạt động của linh kiện cộng hưởng Silicon cũng được nghiên cứu, chế tạo và đánh giá

SILICON RESONATOR FORMED ON LTCC SUBSTRATE WITH LSI INTEGRATION

COMPATIBILITY FOR APPLICATION OF TIMING DEVICE

Abstract

timing device This work brings out a new approach to combine a vacuum packaging technique with a silicon resonator on a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate based on anodic bonding Additionally, the models of a silicon micromechanical resonator with a high quality factor (Q) factor and small motional resistance are proposed, fabricated and evaluated

_

Email liên hệ: nvtoan@nme.mech.tohoku.ac.jp

NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO NANOTUBE TiO2 BẰNG CÁCH SỬ DỤNG KHUÔN MẪU

NANOROD ZnO ĐIỆN HÓA.

Phan Thị Kiều Loan, Lê Thị Quỳnh Anh, Lê Vũ Tuấn Hùng

Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

khảo sát bằng các phép đo tương ứng như UV - Vis, PL, XRD và SEM Với việc chế tạo thành công các nanotube TiO2 và khảo sát các tính chất của chúng, điều này sẽ là cơ sở cho chúng tôi nghiên cứu ứng dụng trong chế tạo và khảo sát pin mặt trời DSSC

FABRICATION OF TiO2 NANOTUBE BY USING ELECTROCHEMICALLY DEPOSITED

ZnO NANOROD TEMPLATE.

Abstract

can be controlled by changing the initial ZnO nanorod template The optical, structural properties of TiO2nanotubes were characterized by the UV - Vis, PL, XRD and SEM, respectively The successful fabrication and

_

Email liên hệ: ptkloan@hcmus.edu.vn

CHẾ TẠO CHẤM LƯỢNG TỬ PbS, ỨNG DỤNG VÀO ĐIỆN CỰC ANODE TRONG PIN

MẶT TRỜI CHẤM LƯỢNG TỬ NHẠY QUANG

Nguyễn Nguyên Thiên Phú, Lâm Quang Vinh, Huỳnh Chí Cường

Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

thu rộng (vùng ánh sáng khả kiến, vùng hồng ngoại gần) thể hiện hiệu ứng giam hãm lượng tử mạnh Với những tính chất trên, chúng tôi tiến hành chế tạo chấm lượng tử PbS bằng phương pháp Colloidal ở nhiệt độ thấp, ứng dụng vào điện cực anode quang trong pin mặt trời chấm lượng tử nhạy quang để hấp thu toàn bộ bức xạ Mặt trời, tăng hiệu suất pin

GENERATING PBS QUANTUM DOTS, APPLICATING FOR OPTICAL ANODE IN

QUANTUM DOTS SOLAR CELL

Abstract

PbS bulk, has a small band gap (0.41 eV), large exciton Bohr radius (18 nm), large absorptive range (visible region, the near - IR region), shows strong confinement effect For that, we carry out generating PbS quantum dots by Colloidal method at low temperature, applicating for optical anode in quantum dots solar cell (QDSSCs) to absorb whole Sun radiation, increase cell efficiency

_

Email liên hệ: nguyennguyenthienphu@gmail.com

NÂNG CAO TÍNH CHẤT ĐIỆN QUANG CỦA MÀNG PHA TẠP SILIC VÔ ĐỊNH HÌNH

ỨNG DỤNG CHẾ TẠO PIN MẶT TRỜI CHUYỂN TIẾP DỊ THỂ

Phạm Hoài Phương, Trần Quang Trung, Phạm Đăng Khoa

Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

hay nâng cao cao hiệu suất pin Yêu cầu kỹ thuật của lớp phát trong cấu trúc pin là phải có độ rộng vùng cấm lớn, sai hỏng bề mặt thấp và độ dẫn điện cao Trong báo cáo này chúng tôi chế tạo màng silic vô định hình pha tạp loại N bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma (PECVD) với các thống số chế tạo màng như: áp suất, nhiệt độ đế, công suất plasma, nồng độ pha tạp được giữ cố định mà chỉ thay đổi tỉ lệ hidro pha

quang, sự chuyển cấu trúc từ vô định hình sang nano tinh thể (lượng tinh thể có trong màng) và độ dẫn điện của màng đã được khảo sát Với thông số lắng đọng màng tối ưu vừa tìm được chúng tôi áp dụng vào chế tạo pin mặt

ngắn mạch (ISC) là 17 mA

IMPROVERMENT OF ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF DOPED AMORPHOUS SILICON LAYERS APPLIED TO HETEROJUNTION SOLAR CELLS

Abstract

layer) is of key importance to obtain high efficiency heterojunction (HJ) solar cells Desired properties for the emitter layer include wide bandgap, low surface and interface recombination, and good doping efficiency In this study, we report on the thin-film properties of n-doped nc-Si:H emitter layers deposited using RF (13.56 MHz)

deposition conditions to relevant film characteristics such as thickness, wide bandgap, crystalline fraction and conductivity are discussed Finally, the heterojunction solar cells using the optimised parameters for n-doped nc-Si:H layers are fabricated with high short circuit current (17 mA)

_

Email liên hệ: phphuong@hcmus.edu.vn

HỆ THỐNG CHÂN ROBOT TRỢ LỰC

Phạm Xuân Hiển, Nguyễn Minh Quân, Phan Xuân Tiều

Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

quân sự, y sinh, v.v Do đó, việc nghiên cứu và chế tạo các hệ thống trợ lực là nhiệm vụ cấp bách hiện nay Và

để bắt kịp công nghệ mới, dự án này nhằm thiết kế và chế tạo hệ thống Chân Robot Trợ Lực giúp người bị khuyết tật phần chân có thể thoát khỏi việc ngồi trường kỳ trên xe lăn và có thể bước đi như người bình thường

THE ASSISTANT ROBOTIC LEGS SYSTEM

Abstract

etc Hence, the researching and manufacturing these exoskeleton suits are an urgent task And to keep pace with the new technology, in this project, we designed and manufacture the Legs Assistant Robotic System, which help the people with disable legs can escape the sitting in the wheel chairs and can walk like the normal person

_

Email liên hệ: pxhien@hcmus.edu.vn

TÍNH CHẤT QUANG XÚC TÁC CỦA CẤU TRÚC DỊ THỂ ZnO/TiO2 ĐƯỢC CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON DC VÀ PHƯƠNG PHÁP

ĂN MÒN HÓA HỌC

Lê Thị Ngọc Tú (1) , Dương Chiến Sĩ Nhiệm (2) , Vũ Thị Hạnh Thu (2)

(1) Khoa SP Lý-KTCN, Trường ĐH Đồng Tháp (2) Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

được đánh giá bởi phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD), SEM, AFM Tính chất quang xúc tác được đánh giá thông qua độ mất màu của dung dịch methylene blue dưới ánh sáng tia tử ngoại và phổ phát quang của axit terephthalic sau quá trình xúc tác quang hóa Kết quả thu được cho thấy, tính chất quang xúc tác của cấu trúc dị

phún xạ

PROPERTIES PHOTOCATALYST OF ZnO/TiO2 HETEROJUNCTION FABRICATED BY

DC MAGNETRON SPUTTERING AND CHEMICAL CORROSION METHOD

Abstract

characterized by XRD, SEM, AFM The photocatalyst property of them are tested by the decomposition of methylene blue solution under ultraviolet irradiation and the luminescence of terephthalic acid solution after

_

Email liên hệ: ltntu@dthu.edu.vn

CẢI TIẾN ĐỘ NHẠY KHÍ NH3 CỦA MÀNG GRAPHENE OXIDE ĐÃ ĐƯỢC KHỬ BẰNG CÁCH SỬ DỤNG CÁC VẬT LIỆU KIM LOẠI CÓ KÍCH THƯỚC NANOMET

Huỳnh Trần Mỹ Hòa (1) , Hoàng Thị Thu (1) , Lâm Minh Long (2,3) , Nguyễn Thị Phương Thanh (1) , Nguyễn

Ngọc Thắm (1) , Bùi Thị Tuyết Nhung (1) , Ôn Thị Thanh Trang (1) , Trần Quang Trung (1)

(1) Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

(2) Trường CĐ nghề Kỹ thuật Công nghệ Tp HCM (3) Trường ĐH Công nghệ, ĐHQG Hà Nội

Tóm tắt

(rGO) Tỷ lệ diện tích bề mặt/thể tích cao kết hợp với các nhóm chức chứa oxi hoạt động mạnh còn lại trên bề mặt màng rGO đã tạo nên khả năng nhạy khí tốt với các phân tử của bề mặt vật liệu rGO Sự hồi đáp của các cảm biến chế tạo từ rGO có thể được cải thiện hơn nữa bởi sự chức năng hóa bề mặt của chúng với các vật liệu

rGO đã được chức hóa với ba kim loại: bạc (Ag), bạch kim (Pt) và vàng (Au) trong môi trường không khí ở nhiệt

độ phòng và áp suất khí quyển Các mẫu khí được phát hiện khí bằng quan sát những thay đổi của điện trở của

các tổ hợp đã được tăng cường đáng kể khi bổ sung thêm các kim loại có kích thước nanomet Các kim loại nanomet được cung cấp để vai trò là các cầu nối nhỏ nhằm mong muốn kết nối các mảng graphene với nhau để cải thiện các tính chất điện của tổ hợp, trong khi đó vẫn giữ được các ưu điểm vốn có của rGO khi xét về khả năng nhạy khí NH3

IMPROVING THE AMMONIA SENSING OF REDUCED GRAPHENE OXIDE FILM BY

USING METAL NANO-MATERIALS

Abstract

surface-to-volume ratio in conjunction with remaining reactive oxygen functional groups translates into sensitivity to molecular on the rGO surface The response of the rGO based devices can be further improved by

behavior of rGO based sensors functionalized with three metals: silver (Ag), platinum (Pt), and gold (Au) in air

at room temperature and atmospheric pressure The gas species are detected by monitoring changes in electrical

sensitivity is observed with the addition of nanometer metals The nanometer metals are applied to play the small bridges role connecting many graphene islands together to improve electrical properties of hybrids while

_

Email liên hệ: myhoa1910@yahoo.com

THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG LỚP VẬT LÝ CỦA PCI EXPRESS

Nguyễn Chí Nhân (1) , Nguyễn Thị Lệ Linh (1) , Bùi An Đông (2) , Nguyễn Văn Hiếu (1)

(1) Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM (2) Khoa Điện tử Viễn thông, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

Express Lớp vật lý tách biệt với các lớp giao dịch và lớp liên kết dữ liệu nó được sử dụng cho việc trao đổi dữ liệu trên các liên kết PCI Lớp vật lý được chia thành hai khối phụ gồm khối lôgic và khối điện Lớp vật lý được thiết kế ở mức hệ thống với phương pháp thiết kế từ trên xuống và viết mã Verilog HDL để thực hiện lớp vật lý Các mô-đun thiết kế của lớp vật lý được kiểm tra tính đúng đắn dựa trên mô phỏng chức năng Kết quả mô phỏng cho thấy lớp vật lý được thiết kế đáp ứng các yêu cầu thông số kỹ thuật của giao thức PCI Express ™ 2.0

DESIGN AND SIMULATION OF PCI EXPRESS PHYSICAL LAYER

Abstract

Physical Layer isolates the Transaction and Data Link Layers from the signaling technology used for Link data interchange The Physical Layer is divided into the logical and electrical subblocks The paper designed Physical Layer in the system level with top-down design method and wrote the Verilog HDL codes to implement Physical Layer Wrote testbench to verify the correctness of the design module for function simulation The simulation results show that the designed Physical Layer meets the required of the protocol of PCI Express™ Base Specification Revision 2.0

_

Email liên hệ: ncnhan@hcmus.edu.vn

CHẾ TẠO MÀNG GIỚI HẠN QUANG OIL RED O BẢO VỆ DETECTOR

Trần Thị Thùy Oanh, Châu Huy, Bùi Thị Cẩm Tú, Nguyễn Thanh Lâm

Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

do dạng khối, chiều dày màng khoảng 0.25mm với giá thành rất thấp Các đặc tính quang của màng được khảo sát bằng phương pháp Z-scan Kết quả cho thấy, màng Oil red O có tính năng hạn chế cường độ ánh sáng đầu ra

ở một ngưỡng nhất định, gọi là giới hạn quang Tính năng này giúp bảo vệ các thiết bị quang học nhạy cảm như detector trước sự hủy hoại của ánh sáng laser cường độ cao

FABRICATION OF OIL RED O OPTICAL LIMITING FILM

Abstract

low-cost fabrication process, called thermal bulk free-radical polymerization The optical properties of the films are investigated using Z-scan method Results showed that Oil Red O films limit output light intensity at a certain threshold, optical limitting properties This feature helps to protect sensitive equipment such as optical detector from the destruction of high-intensity laser light

_

Email liên hệ: ntlam@hcmus.edu.vn

KHẢO SÁT PHỔ PHÁT TIA X BẰNG PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG MONTE CARLO VÀ

TÍNH TOÁN BÁN THỰC NGHIỆM

Trần Ái Khanh (1) , Trương Thị Hồng Loan (2) , Mai Văn Nhơn (2) , Đặng Nguyên Phương (3) , Nguyễn Thị Kim

Xuyến (2) , Nguyễn Anh Tuấn (2) , Trần Chí Hiếu (2)

(1) Khoa Khoa học Cơ bản, Trường ĐH Tiền Giang (2) Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

(3) Viện Vật lý, ĐH Freiburg, CHLB Đức

Tóm tắt

tomography) Việc xác định phổ tia X từ ống phát là cần thiết để tính toán liều truyền qua bệnh nhân và cải thiện chất lượng hình ảnh Trong công trình này, nhóm tác giả khảo sát phổ tia X bằng hai phương pháp khác nhau: phương pháp mô phỏng Monte Carlo (chương trình MCNP5) và phương pháp tính toán thực nghiệm (chương trình SpekCalc) Kết quả so sánh cho thấy hai chương trình này có sự phù hợp với nhau trong việc mô phỏng phổ tia X liên tục, tuy nhiên vẫn có sai lệch nhất định trong mô tả các đỉnh tia X đặc trưng Bên cạnh đó, việc xác định ảnh hưởng của các thông như điện áp đỉnh, bộ lọc, góc nghiêng anode lên chất lượng chùm tia X cũng được nhóm tác giả nghiên cứu trong công trình này

EVALUATION OF X-RAY EMISSION SPECTRUM BY MONTE CARLO AND

SEMI-EMPIRICAL CALCULATIONS

Abstract

understanding of X-ray spectrum is essential for patient absorbed dose estimation and image quality improvement In this paper, the authors investigated X-ray emission spectra by using 2 different approaches: Monte Carlo method (MCNP5) and semi-empirical calculation (SpekCalc software) The results show that there

is quite good agreement in bremsstrahlung spectrum modeling but still some devergence in characteristic X-ray peaks Besides, the influence of X-ray tube parameters (peak voltage, filter, anode angle) on beam quality has also been investigated

_

Email liên hệ: khanhvl05@yahoo.com

KHẢO SÁT NỒNG ĐỘ 222Rn VÀ 226Ra TRONG NƯỚC SINH HOẠT TẠI KHU VỰC

THỦ ĐỨC, THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

Huỳnh Nguyễn Phong Thu, Lê Công Hảo, Nguyễn Văn Thắng, Lê Qu c Bảo, Trương Thị Hồng Loan

Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

Thủ Đức, thành phố Hồ Chí Minh được khảo sát trong nghiên cứu của chúng tôi Các phép đo được thực hiện

thuộc vào nguồn nước khảo sát Tuy nhiên, các giá trị này hoàn toàn nằm dưới mức giới hạn của cơ quan bảo vệ

Bq.L-1

INVESTIGATION OF THE RADON CONCENTRATION IN WATER AT SOME

RESIDENTIAL AREAS OF HO CHI MINH CITY

Abstract

Minh City, Vietnam are presented in this paper The measurements are made using a RAD7 radon detector The background measurements are performed using the samples of the distilled water The concentrations vary

indications of existence of 222Rn problems in the water sources in this survey The maximum concentration is (4.16 0.20) Bq.L-1 Therefore, the water at Thu Duc is safe as far as 222Rn concentration is concerned Evaluation of concentration of 226Ra in water was performed after 10 days to allow for 222Rn ingrowth before

0.185 Bq.L-1

_

Email liên hệ: hnpthu@hcmus.edu.vn

ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ BẰNG TÍN HIỆU SÓNG NÃO

Đặng Toàn Khoa, Huỳnh Văn Tuấn

Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

lĩnh vực ứng dụng điện não đồ thường nằm trong phạm vi y học Ngày nay, công nghệ giao tiếp não người – máy tính (Brain Computer Interface – BCI) ngày càng phát triển rộng rãi hơn và được quan tâm nhiều hơn Việc kết hợp EEG và BCI đã đem lại những ứng dụng phục vụ tốt hơn cho cuộc sống con người Công nghệ BCI và các thiết bị thu thập sóng não ngày càng phát triển, đặc biệt là các hệ thống thu thập sóng não di động xuất hiện ngày càng phổ biến trên thị trường tiêu dùng Chính vì vậy, việc nghiên cứu về sóng não và phát triển các hệ thống BCI trở nên dễ hơn, mở ra nhiều hướng nghiên cứu hơn so với trước đây Chúng tôi nghiên cứu việc ứng dụng thiết bị thu thập sóng não di động để nhận diện được đặc trưng của tín hiệu chớp mắt và ứng dụng trong việc điều khiển hệ thống

USING BRAINWAVE IN CONTROLLING DEVICES

Abstract

narrow field of medicine Nowadays, Brain Computer Interface (BCI) technology is more available and more concerned by many scientists With BCI and EEG, we have many applications serving for human life easier On another side, BCI and EEG equipment is cheaper and lighter, especially this is the mobile EEG equipment So that, brainwave researching and BCI system developing is more popular and have many researched fields We researched and applied how to use mobile EEG equipment for recognizing classification of eyes blink, after that, developed a hardware system for controlling devices

_

Email liên hệ: dangtoankhoa@gmail.com

CÁC TÍNH CHẤT VẬN CHUYỂN CỦA KHÍ ĐIỆN TỬ HAI CHIỀU TRONG CÁC GIẾNG LƯỢNG TỬ ALP BAO GỒM NHIỆT ĐỘ VÀ CÁC HIỆU ỨNG TƯƠNG QUAN

Võ Văn Tài (1) , Nguyễn Qu c Khánh (2)

(1) Trường CĐ Bán công Công nghệ & QTDN Tp HCM (2) Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

rộng L>Lc=45Å tại nhiệt độ hữu hạn Chúng tôi khảo sát tán xạ bề mặt gồ ghề và tạp chất, và khảo sát sự phụ thuộc độ linh động, điện trở và tỷ lệ thời gian tán xạ vào mật độ hạt tải và bề rộng giếng lượng tử ứng với các giá trị vị trí của tạp chất và nhiệt độ qua các gần đúng hiệu chỉnh cục bộ Trong trường hợp nhiệt độ bằng không và hiệu chỉnh trường cục bộ Hubbard thì các kết quả chúng tôi phù hợp với Gold và Marty (Phys Rev B 76 (2007) 165309) Chúng tôi cũng khảo sát sự tương quan và các hiệu ứng đa tán xạ lên độ linh động tổng và mật độ tới hạn cho sự chuyển tiếp kim loại - chất cách điện

TRANSPORT PROPERTIES OF THE TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS IN ALP WIDE QUANTUM WELLS INCLUDING TEMPERATURE AND CORRELATION EFFECTS

Abstract

the interface-roughness and impurity scattering, and study the dependence of the mobility, the resistance and scattering time ratio on the carrier density and quantum well width for different values of the impurity position and temperature using different approximations for the local-field correction In the case of zero temperature and Hubbard local-field correction our results reduce to those of Gold and Marty (Phys Rev B 76 (2007) 165309)

We also study the correlation and multiple scattering effects on the total mobility and the critical density for a metal-insulator transition.metal-insulator transition

_

Email liên hệ: vvtaiphys17@gmail.com

NGHIÊN CỨU VÀ THIẾT KẾ BỘ LATCH COMPARATOR CÔNG NGHỆ 180nm

Nguyễn Thị Minh Huyền (1,2) , Hồ Quang Tây (2) , Huỳnh Thanh Nhẫn (1)

(1) Khoa Vật lý - Vật lý Kỹ thuật, Trường ĐH KHTN, ĐHQG-HCM

(2) Trung Tâm ICDREC, ĐHQG-HCM

Tóm tắt

đại Bộ so sánh được biết như bộ chuyển đổi 1 bit tương tự sang số, vì vậy nó được sử dụng phong phú trong các

bộ chuyển đổi A/D Đề tài nghiên cứu và thiết kế bộ so sánh được điều khiển bởi xung clk - latch comparator Cấu trúc của bộ latch comparator bao gồm: bộ tiền khuếch đại có nhiệm vụ khuếch đại tín hiệu, bộ latch chốt tín hiệu theo xung clk và bộ đệm tín hiệu ngõ ra Bộ latch comparator có thể tích hợp vào bộ ADC

RESEARCH AND DESIGN LATCH COMPARATOR IN 180nm TECHNOLOGY

Abstract

amplifiers in this world Comparators are knows as 1 bit analog to digital converter and for that reason thay are mostly used in large abundance in A/D In this work, we research and design a comparator which controlled by clk - latch comparator The structure of a latch comparator includes: pre-amplifier amplify input signal, a latch latch output signal according clk and a output buffer The latch comparator is integrated into an ADC

_

Email liên hệ: nguyenminhhuyen.hcmus@gmail.com