kỹ thuật chế tạo vi mạch

KỸ THUẬT CHẾ TẠO VI MẠCHPROCESS INTEGRATION: MOS & BIPOLAR  Giảng Viên: Cô Hồ Thị Ngọc Diễm  Nhóm Sinh Viên Thực Hiện: TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ THÔNG TIN KHOA KỸ THUẬT MÁY TÍNH... Quy

KỸ THUẬT CHẾ TẠO VI MẠCH

PROCESS INTEGRATION: MOS & BIPOLAR

 Giảng Viên: Cô Hồ Thị Ngọc Diễm

 Nhóm Sinh Viên Thực Hiện:

TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ THÔNG TIN

KHOA KỸ THUẬT MÁY TÍNH

Transistor Theo Công Nghệ MOS

 MOS hay còn gọi là MOSFET, viết tắt của "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect

Transistor"

Transistor Theo Công Nghệ BJT

 Bipolar junction transistor

So Sánh Hai Công Nghệ MOS Và Bipolar

Transistor

Hiệu điện thế Điện năng

Quy trình chế tạo Transistor CMOS

 Giai đoạn 1: Tạo giếng loại N hoặc P tùy vào chất nền, ở đây ta chọn chất nền là loại P Với chất nền loại N thì tương tự chất nền loại P.

 Giai đoạn 2: Tạo vùng cho NMOS, vùng cho PMOS đã được tạo

Quy trình chế tạo Transistor CMOS

Giai đo n t o N-Well ạn tạo N-Well ạn tạo N-Well

Quy trình chế tạo Transistor CMOS

Giai đo n t o vùng cho NMOS và PMOS ạn tạo N-Well ạn tạo N-Well

Quy trình chế tạo Transistor CMOS

Giai đo n t o c c Gate cho NMOS và PMOS ạn tạo N-Well ạn tạo N-Well ực Gate cho NMOS và PMOS

Quy trình chế tạo Transistor CMOS

Giai đo n t o c c Source, Drain cho NMOS ạn tạo N-Well ạn tạo N-Well ực Gate cho NMOS và PMOS

Quy trình chế tạo Transistor CMOS

Giai đo n t o c c Source, Drain cho PMOS ạn tạo N-Well ạn tạo N-Well ực Gate cho NMOS và PMOS

Quy trình chế tạo Transistor CMOS

Giai đo n t o Contact cho NMOS và PMOS ạn tạo N-Well ạn tạo N-Well

Quy trình chế tạo Transistor CMOS

Giai đo n t o các đ ạn tạo N-Well ạn tạo N-Well ường Metal cho NMOS và PMOS ng Metal cho NMOS và PMOS

BJT Processing

1 Implantation of the buried n+ layer

2 Growth of the epitaxial layer

3 p+ isolation diffusion

4 Emitter n+ diffusion

8 Metal deposition and etching

6 lặp lại quá trình bước 4

7 Contact etching

5 Base p-type diffusion

1 Implantation of the buried n+ layer

p-substrate

2 Growth of the epitaxial layer

- Tạo ra khu vực collector trong BJT

3 p+ isolation diffusion

- Mục đích của bước này là chúng ta cô lập BJT npn bằng cách khuếch tán p++.

4 Emitter n+ diffusion

- Bước này nó sẽ tạo nên Emitter của BJT npn.

5 Base p-type diffusion

- Cung cấp cho chúng ta cái nền loại p trong BJT npn.

6 Lặp lại quá trình ở bước 4

7 Contact etching

8.Metal deposition and etching

- Trong bước này các lớp kim loại sẽ được đưa lên trên bề mặt wafer

và sẽ được loại bỏ ở những nơi không cần thiết.