Đề cương thu phát CÓ ĐÁP ÁN

1, Các chức năng của máy phát vô tuyến điện Tạo d.động cao tần với dải tần c.tác và độ ổn định t.số theo yêu cầu Điều chế d.động cao tần với t.hiệu đ.chế là các tin tức cần truyền Làm suy giảm các hài bậc cao và các dđộng phụ ko mong muốn để ko gây nhiễu đến các hthống t.tin khác. Bức xạ dđộng cao tần thành sóng điện từ vào ko gian Sơ đồ đơn giản: Sơ đồ phức tạp: Nhiệm vụ, yêu cầu: Bộ tạo dđ chuẩn: Là bộ tạo dđ thạch anh có nvụ tạo dđ với độ ổn định f rất cao Bộ tổ hợp tần số: có nvụ tạo dđ cao tần với dải tần ctác rộng và độ ổn định f cao như của dđ thạch anh Tiền KĐ: KĐ cao tần đến mức đủ lớn để k.thích tầng KĐCS làm việc; làm tầng đệm để ngăn cách ảnh hưởng của tầng KĐCS và các thiết bị điều chỉnh ở mạch ra tới bộ tạo dđ chuẩn và bộ tổ hợp tần số KĐCS cao tần: có nvụ KĐCS dđộng cao tần đến mức đủ > theo yêu cầu. Mạch ra: Phối hợp trở kháng giữa đầu ra của tầng KĐCS với anten để đảm bảo cho việc truyền đạt nlượng dđ cao tần từ tầng KĐCS > anten đạt hquả > nhất. Lọc bỏ các thành phần 2` bậc cao các dđộng fụ ko mong mún. Đchế: Thực hiện đchế dđ cao tần bởi t.hiệu đchế (t.tức cần truyền). Tùy theo các loại đchế khác nhau mà việc t.hiện đchế sẽ đc t.hiện ở các tầng khác nhau của máy fát. VD: đchế b.độ thì t.hiện ở tầng tiền KĐ hoặc KĐCS. Đchế t.số thì t.hiện ở bộ tạo dđ VCO của bộ tổ hợp t.số. Đchế pha: việc t.hiện đchế có thể ở 1 trong các tầng: tổ hợp t.số, tiền KĐ, KĐCS.

1, Các chức năng của máy phát vô tuyến điện

- Tạo d.động cao tần với dải tần c.tác và độ ổn định t.số theo yêu cầu

- Điều chế d.động cao tần với t.hiệu đ.chế là các tin tức cần truyền

- Làm suy giảm các hài bậc cao và các dđộng phụ ko mong muốn để ko gây nhiễu đến các hthống t.tin khác

- Bức xạ dđộng cao tần thành sóng điện từ vào ko gian

Sơ đồ đơn giản:

<hình>

Sơ đồ phức tạp:

<hình>

Nhiệm vụ, yêu cầu:

- Bộ tạo dđ chuẩn: Là bộ tạo dđ thạch anh có nvụ tạo dđ với độ ổn định f rất cao

- Bộ tổ hợp tần số: có nvụ tạo dđ cao tần với dải tần ctác rộng và độ ổn định f cao như của dđ thạch anh

- Tiền KĐ: KĐ cao tần đến mức đủ lớn để k.thích tầng KĐCS làm việc; làm tầng đệm để ngăn cách ảnh hưởng của tầng KĐCS và các thiết bị điều chỉnh ở mạch ra tới bộ tạo dđ chuẩn và bộ tổ hợp tần số

- KĐCS cao tần: có nvụ KĐCS dđộng cao tần đến mức đủ > theo yêu cầu

- Mạch ra: Phối hợp trở kháng giữa đầu ra của tầng KĐCS với anten để đảm bảo cho việc truyền đạt nlượng dđ cao tần từ tầng KĐCS -> anten đạt hquả > nhất Lọc

bỏ các thành phần 2` bậc cao & các dđộng fụ ko mong mún

- Đchế: Thực hiện đchế dđ cao tần bởi t.hiệu đchế (t.tức cần truyền) Tùy theo các loại đchế khác nhau mà việc t.hiện đchế sẽ đc t.hiện ở các tầng khác nhau của máy fát VD: đchế b.độ thì t.hiện ở tầng tiền KĐ hoặc KĐCS Đchế t.số thì t.hiện ở bộ tạo dđ VCO của bộ tổ hợp t.số Đchế pha: việc t.hiện đchế có thể ở 1 trong các tầng: tổ hợp t.số, tiền KĐ, KĐCS

2, Trình bày các chỉ tiêu kthuật của mfát vô tuyến

- Dải tần ctác fmin-fmax: Là dải tần làm việc of mfát Dải tần ctác sẽ qđịnh đến hthống cộng hg & việc lựa chọn các lkiện (.) tuyến cao tần của mfát, mthu Độ

rộng dải tần ctác xđ bởi hsố bao tần

max min

b

f K

f



- Số lượng tần số ctác (N): Là số t.số ctác của mfát trong cả dải tần ctác, N� 1

- Bước tần ctác: Là kcách giữa 2 tần số ctác lân cận:

max min 1

 

, sai số tương đối càng nhỏ -> độ ổn định tsố càng >

- C.suất ra Pra: Là csuất của dđ cao tần CĐ đc đưa đến anten của mfát khi ko đchế

& phát ltục

- Hiệu suất: Là tỉ số giữa csuất ra & csuất 1 chiều cung cấp cho mfát:

ra o

P P

 

- Mức phát xạ các thành phần dđ phụ: Để ko làm gây nhiẽu đến các hthống t.tin khác thì cần thiết fải làm suy giảm sự fát xạ các t.phần dđ ko m.muốn Việc loại bỏ các t.phần dđ phụ đc t.hiện = các mạch lọc ở tầng ra of mfát Trong t.tế, yêu cầu

Gsử tác động vào đầu vào tín hiệu Xv , ở đầu ra a’ có t.hiệu: X ht K K X. ht. h, đầu

vào a có t.hiệu X Nếu h K K. ht  1 thì X ht X h do vậy ta có thể chập a’ với a Mà t.hiệu ra là Xra ko đổi Lúc này ta có bộ tạo dđ theo ntắc h.tiếp (+) Đk tạo dđ là:

4 Mạch tạo dđ LC kiểu ghép biến áp:

<hình>

Tác dụng các lkiện:

RE: đtrở htiếp (-) 1 chiều ổn định điểm lviệc; CE: khử htiếp (-) xc để ko giảm tsố

KĐ of mạch; R1,R2: định áp cho B, LC: khung cộng hưởng; CB thông xc, tạo điểm đất cho t.hiệu Uht

Nguyên lý lviệc: t.hiệu từ C về B qua b.áp mà Uc ngược pha với UB nên để htiếp từ

C về B là htiếp (+) thì b.áp fải là b.áp đảo fa (2 cuộn sơ cấp & thứ cấp đc cuốn ngc chiều) Tsố dđ là tsố + hưởng of khung + hưởng LC dd

1 2

ch f

5 Mạch tạo dđ LC kiểu 3 điểm:

Nguyên tắc thiết lập: Gsử có sơ đồ tquát của mạch tạo dđ nhvẽ:

ht

C k

i Z U

Như vậy có 2 trường hợp:

- Trường hợp X X1 , 2  0;X3  0 ta có sơ đồ mạch tạo dđ LC 3 điểm điện cảm Sơ đồ tương đương: <hình2>

- Trường hợp ngược lại, ta có sơ đồ mạch tạo dđ LC 3 điểm điện dung Sơ đồ tương đương: <hình3>

Mạch tạo dđ 3 điểm điện cảm:

+ Sơ đồ E chung: <hình4>

Lch: chặn cao tần, thông 1 chiều, CL: tụ lọc nguồn, thông cao tần, chặn 1c để dđ caotần ko ảnh hưởng làm mất ổn định nguồn cc C1,C2: các tụ ghép (thông cao tần, chặn 1c) Sơ đồ tương đương: <hình5>

+ Sơ đồ B chung: <hình6>

C1,C2: các tụ ghép, Cb: tụ thông cao tần để tạo điểm đất cho B về mặt cao tần

Sơ đồ tương đương: <hình7>

Tần số dđ của các mạch tạo dđ 3 điểm điện cảm: dd  

Mạch tạo dđ 3 điểm điện dung:

+ Sơ đồ E chung: <hình8>

Sơ đồ tương đương <hình9>

+ Sơ đồ B chung: <hình10>

Sơ đồ tương đương: <hình11>

Tần số dđ của các sơ đồ 3 điểm điện dung:

6 Bộ tạo dđ có tsố thay đổi đc bằng điện áp VCO

VCO là 1 bộ tạo dđ LC nhưng trong khung ch LC có chứa 1 ptử đkhiển mà gtrị điện kháng của nó fụ thuộc vào điện áp đặt lên nó Ptử đkhiển có thể là đèn điện kháng hoặc varicap (diode biến dung) VD: Bộ tạo VCO là 1 mạch dđ LC theo kiểughép biến áp, có phần tử đk là varicap <hình>

Tác dụng các lk: R1,R2,R3: định áp cho B, Lch: thông 1c, chặn cao tần Cb1-> Cb4: thông cao tần, chặn 1c; L,C: khung ch LC, BA1: biến áp đảo pha để thực hiệnh.tiếp là h.tiếp (+); Eo, R4 để thiên áp ngược cho varicap D là varicap: là 1 diode đặc biệt mà khi nó đc pcực ngược thì t.đương như 1 đ.dung C* Gtrị của C* fụ thuộc vào điện áp ngược đặt lên varicap Nlý lviệc: đ.áp đkhiển (Uđk) qua b.áp 2 đặt vào varicap làm cho đ.áp ngược trên varicap thay đổi theo Uđk Tsố dđ:

Do C* biến đổi theo Uđk -> fdđ cũng thay đổi theo đ.áp Uđk

7 Các biện pháp ổn định tsố cho mạch tạo dđ LC Ưu, nhược điểm của mạch tạo dđ LC:

Tần số của bộ tạo dđ LC phụ thuộc vào các tsố của mạch, do đó để ổn định tsố cho

bộ tạo dđ LC ta fải áp dụng các bpháp để ổn định tsố của mạch Các pp này gồm: +Dùng nguồn ổn áp; +Dùng các ptử, lkiện có hsố nhiệt < (ít fụ thuộc t); +Dùng các

ptử, lk có độ cxác cao (sai số min); +Dùng các bpháp ổn nhiệt; +Để tránh ảnh hưởng của tải đến các tsố của mạch khi phải mắc tầng đệm giữa đầu ra của mạch tạo dđ với tải; +Sử dụng bpháp bọc kim để tránh ảnh hưởng của các mạch khác đếnmạch tạo dđ

8 Các mạch tạo dđ thạch anh:

- Các sơ đồ tạo dđ thạch anh với tần số + hưởng ntiếp Trong sơ đồ này thạch anh đóng vai trò như 1 ptử ghép ở trong mạch h.tiếp của mạch tạo dđ; khi f=fq thì trở kháng thạch anh = 0 nên mạch hồi tiếp đc nối -> có dđ ra Khi f f q trở kháng thạchanh = �-> mạch h.tiếp bị ngắt -> ko có dđ ra Như vậy mạch chỉ tạo dđ với tần số

f  f

VD: Sơ đồ E chung tạo dđ thạch anh + hưởng ntiếp 3 điểm đ.cảm

<hình1>

Sơ đồ B chung tạo dđ TA + hưởng ntiếp 3 điểm đ.dung <hình2>

TA giống như 1 tụ ghép (thông cao tần, chặn 1c) Để mạch lviệc thì y/c tần số + hưởng của khung + hưởng LC fải = hoặc �tần số + hưởng ntiếp của TA là fq

- Các sơ đồ tạo dđ TA + hưởng // 3 điểm điện dung <hình3>

Sơ đồ tương đương <hình4>

Sơ đồ E chung tạo dđ TA + hưởng // 3 điểm điện cảm <hình5>

Sơ đồ tương đương <hình6>

- Các yếu tố ảnh hưởng đến độ ổn định tần số của TA:

Có 2 y/tố a.hưởng > nhất đến độ ổn định f của TA là sự change của to & sự già hóa

TA Để tránh a/h của to có các bp sau:

+ Cắt TA phải fù hợp với dải f làm việc Khi cắt fù hợp thì hsố nhiệt tsố fcủa TA

<< -> TA ít fụ thuộc vào to; + Bù nhiệt: dùng R nhiệt để bù; + Ổn định to: Để tránh già hóa TA -> TA fải đc sx theo công nghệ hiện đại như bề mặt fải đc làm nhẵn và sạch, sau đó đc bọc kín & hút chân ko 1 bp khác để tránh già hóa TA là khi thiết kếmạch điện fải đảm bảo sao cho điện áp đặt lên 2 đầu TA ko vượt quá vài chục mV

9 Nêu nhiệm vụ và các yêu cầu đối với bộ tổ hợp tần số Phân loại và ứng dụng của các bộ tổ hợp tần số

Nhiệm vụ: tạo ra dđ với dải f công tác rộng và độ ổn định f cao tương đương dđ TA

Yêu cầu: Tạo dđ với dải f công tác theo yêu cầu, bước tần ctác hẹp, độ ổn định f cao, dễ thay đổi f 1 cách nhanh chóng, chính xác; kích thước nhỏ gọn; mức các t.phần dđ phụ ở đầu ra rất nhỏ

Phân loại: Tổ hợp tần số trực tiếp và gián tiếp.

Ứng dụng: làm bộ tạo dđ chủ sóng ở máy phát vô tuyến và tạo dđ ngoại sai ở máy thu vô tuyến

10 Vẽ sơ đồ khối và giải thích ntắc làm việc của tổ hợp tsố theo pp kết hợp Nêu ưu, nhược điểm.

Sơ đồ khối <hình>

Ntắc: Việc chọn f của 2 bộ tạo dđ TA đc thực hiện = cách đảo mạch K1,K2 để chọn

f ở đầu ra ta phải kết hợp giữa việc chọn f của các bộ tạo dđ TA với việc đ/chỉnh bộlọc đầu ra

Ưu: Sơ đồ đơn giản, tạo dđ với dải f ctác rộng, độ ổn định cao Nhược: Mức các dđ

fụ ở đầu ra > do bộ lọc đầu ra có f + hưởng thay đổi nên ko thể chế tạo bộ lọc chất lượng cao; Bước tần ctác rộng; Sử dụng nhiều TA nên tbị cồng kềnh; Điều chỉnh f fức tạp vì fải kết hợp giữa việc chọn nhiều TA & đ/chỉnh mạch lọc đầu ra

11 Vẽ sơ đồ khối, giải thích ntắc lviệc của tổ hợp tsố theo pp bù trừ Nêu ưu, nhược điểm.

<hình>

Bộ tạo dđ TA tạo ra dđ có tsố fo với độ ổn định f rất cao qua bộ chia tần với hệ số chia M, ta đc dđ có tsố

o o

f f M

 

gọi là bước tần ctác Dđ này khi qua bộ tạo 2` sẽ đc

dđ với tsố N f.o đưa tới bộ trộn tần 1 để trộn với tsố của dđ fụ là fp, khi qua bộ lọc dải hẹp ta có dđ với tsố fTG  fp  N f  o const

Để f TG const ta fải

đ.chỉnh tsố của dđ fụ fp theo hsố nhân N Dđ fTG đc đưa tới bộ trộn tần 2 để trộn

với dđ fụ, qua lọc đầu ra ta đc dđ tsố fra f ra  f p  f TG  f p f pN f o  N. f o

Thay đổi hsố nhân N ta sẽ thay đổi đc f của dđ đầu ra Do fra ko fụ thuộc vào fp nên bộ tạo dđ fụ ko cần có độ ổn định f quá cao -> Vì vây nó thường là 1 bộ tạo dđ

12 Vẽ sơ đồ khối trình bày nlý làm việc của hthống TĐT Viết cthức tính độ lệch tsố còn dư Nêu ưu, nhược điểm của hthống TĐT.

Sơ đồ khối <hình>

Nguyên lý làm việc: 2 dđ có tsố fo và f từ bộ dđ chuẩn TA và từ bộ dđ VCO đc đưađến bộ trộn tần Ở đầu ra của nó ta đc dđ tsố f-fo Sau khi tách sóng tsố, ta nhận đc điện áp U S, qua bộ lọc thông thấp để loại bỏ các t.phần tsố cao ko mong muốn ta

đc đ.áp Uđk đưa tới tác động vào fần tử đk thực hiện làm thay đổi tsố của VCO đi

1 lượng f dktheo hướng chống lại sự lệch tsố giữa f và fo Hay nói cách khác là

t.hiện lôi kéo tsố của VCO về gần với tsố của dđ chuẩn TA Ở trạng thái xác lập, tsố f của VCO vẫn sai lệch với tsố fo của dđ chuẩn TA 1 lượng là độ lệch tần số còn dư:

d S

b

T dk

f f

K K



 

 f : độ lệch tsố còn dư,  : độ lệch tsố bđầu giữa f,fo f d

: hsố tách sóng của bộ t.sóng tsố, K : hsố đk của ptử đkhiển dk

Ưu: có dải bắt, dải giữ rộng

Nhược: Ở trạng thái xác lập, hthống TĐT vẫn còn độ lệch tsố còn dư  f do đó tsố của VCO ko đc bám cxác theo tsố của dđ chuẩn TA

Chú ý: Dải bắt: f blà độ lệch tsố bđầu > nhất mà khi đóng mạch, hthống TĐT

luôn có t/dụng tự động đchỉnh

Dải giữ: f glà độ lệch tsố bđầu lớn nhất mà trong qtrình lviệc, hthống TĐT luôn có

t/d tự đchỉnh Dải giữ thường rộng hơn dải bắt

13 Vẽ sơ đồ khối, trình bày nlý lviệc của hthống TĐF Nêu ưu, ngược điểm của hthống TĐF Sự kết hợp giữa hthống TĐT và TĐF.

Sơ đồ khối: <hình1>

Nlý làm việc: 2 dđ có tsố fo và f từ bộ dđ chuẩn TA và từ VCO đc đưa đến bộ tách sóng pha, ở đầu ra bộ tách sóng pha ta đc điện áp U S, qua lọc thông thấp để loại bỏcác t.phần tsố cao ko cần thiết ta nhận đc đ.áp Uđk đưa tới tác động vào ptử đk, làm cho tsố của VCO thay đổi 1 lượng f dk theo hướng chống lại sự lệch giữa f và

fo Ở trạng thái xác lập, tsố f của VCO đc lôi kéo đến = với tsố fo của dđ TA

Ưu: ở trạng thái xác lập, hthống TĐF ko có độ lệch tsố còn dư nên tsố của VCO đcbám 1 cách cxác theo tsố của dđ chuẩn TA

Nhược: Dải bắt và dải giữ của TĐF nhỏ

Ta có thể kết hợp giữa TĐF và TĐT để xd bộ tổ hợp tsố có các ưu điểm của ác ht này đồng thời khắc phục đc các nhược điểm của chúng Trong bộ THTS này, hthống TĐT đóng vai trò là vòng tự động đchỉnh thô, còn hthống TĐF đóng vai trò

là vòng tđ đchỉnh tinh Khi f d lớn thì ht TĐT lviệc và lôi kéo về 1 độ lệch fnhỏ

hơn, lúc này ht TĐF sẽ lviệc để bù – nốt độ lệch tsố còn dư fnày

Sơ đồ THTS kết hợp giữa TĐT và TĐF <hình2>

Ở trạng thái xác lập ta có o o

f f

N M  f � f  N. Thay đổi hsố chia N ta thay đổif o

o

f M

15.Giải thích trên đồ thị tnào là các chế độ kém áp, tới hạn và quá áp xét theo gtrị của dòng điện B

Để phân tích tầng KĐCS, người ta sử dụng pp đồ thị dựa vào họ đặc tuyến tĩnh của

trans và đường đặc tuyến động của tầng KĐ <hình> Để cho đơn giản, ng ta làm

gần đúng họ đặc tuyến tĩnh ở hình a bằng các đoạn gấp khúc như hình b

Khu vực kém áp (là khu vực dòng Ib nhỏ, có thể bỏ qua), coi I C �I E .

Khu vực quá áp (là khu vực dòng IB lớn) -> I E I C  Ngăn cách giữa khu vực I B

kém áp và quá áp là đường tới hạn đi qua gốc tọa độ

16 Trình bày các chế độ ctác của tầng KĐ, nêu đặc điểm của các chế độ này

<hình>

Chế độ A: góc cắt   180 0-> transistor thông trong cả chu kì t.hiệu Chế độ A là chế

độ KĐ tuyến tín, tín hiệu ra ko bị méo Ở chế độ A, t.hiệu ra nhỏ (biên độ xòng xc

ic phải < dòng 1c trên collector ico) -> hiệu suất chế độ A rất thấp  � 50% Chế độ

A dùng cho các tầng KĐCS nhỏ tsố thấp

Chế độ AB: góc cắt 900   1800-> dòng ic bị cắt gần ½ chu kì, biên độ dòng xc ic

> dòng 1c ico-> hiệu suất cao hơn chế độ A  � 70%

Chế độ B: góc cắt   90 0, dòng ic bị cắt ½ chu kì t.hiệu ở chế độ B, dòng tĩnh ico=0 (hay UBEo=0) Hiệu suất  �78%

Chế độ C: góc cắt   90 0, dòng ic bị cắt hơn ½ chu kì Muốn có chế độ C phải phân cực 1c cho transistor sao cho UBEo<0 (với trans npn) và UBEo>0 (với pnp)

17 Vẽ sơ đồ nlý, sơ đồ tương đương và giải thích nlý làm việc của tầng KĐ dđ cao tần chọn lọc tải cộng hưởng? Nêu bản chất nội dung “khuếch đại” là gì?

- Khuếch đại chọn lọc dùng mạch + hưởng đơn: là tầng KĐ mà tải của nó là 1

R’ là điện trở tương đương của khung + hưởng LC

Rra, Cra là đtrở, điện dung đầu ra

Rvs, Cvs là đtrở, đ.dung ở đầu vào tầng sau

Nguyên lý làm việc: (chung cho mọi tầng KĐ): Tín hiệu hình sin tác động ở đầu vào đc đưa đến cực B làm cho đ.áp B thay đổi (U BEthay đổi) -> làm cho dòng collector Ic thay đổi -> đ.áp trên tải và Ura thay đổi theo đúng quy luật của Uv Tuy nhiên Ura có bđộ lớn hơn Uv do I C>>I B Như vậy tín hiệu đc KĐ Nlượng của t.hiệu đầu ra > vào, sự tăng nl ở đầu ra chính là do Transistor đã biến đổi nl nguồn

1 chiều cung cấp thành nl có ích

- Khuếch đại chọn lọc dùng mạch + hưởng ghép: Để tăng tính chọn lọc và hquả

KĐ, ng ta dùng tải gồm nhiều mạch + hưởng (thường là 2) ghép với nhau ở tải

nhvẽ <hình3>

Tác dụng của các lkiện: R C B, B: thiên áp 1 chiều cho B; U BEo  I R Bo. B 0-> cđộ ctác: C (để có hsuất cao); Lch là cuộn chặn để thông 1c, chặn cao tần; C1: tụ ghép đầu vào, C2: tụ lọc nguồn; L,C là khung + hưởng I đc gọi là mạch + hưởng trung gian Lgh,Zđc,Zt là khung + hưởng II đc gọi là mạch + hưởng tải 2 mạch + hưởng

1 và 2 đều đc đ.chỉnh + hưởng tại tsố ctác Đvới mạch trung gian gồm các ptử L&C thì đk + hưởng là

1 2

18 Giải thích sơ đồ KĐ cao tần có tải ko + hưởng và cách chọn gtrị điện trở R của tải nhằm đảm bảo độ không bằng phẳng  cho trước

Để khung + hưởng LC có độ suy giảm lớn ta mắc them vào khung + hưởng LC 1 đtrở R R có thể đc mắc ntiếp hoặc // với cuộn cảm L của khung + hưởng nhvẽ:

<hình1>

Đvới sơ đồ a, để có hsố suy giảm lớn thì ng ta dùng đtrở R có gtrị lớn TUy nhiên

do R dẫn dòng 1c nên có 1 sụt áp trên nó, vì vậy cần phải tăng điện áp nguồn cung cấp Ucc lên so với bđầu Đối với sơ đồ b để có hsố suy giảm lớn thì ta giảm gtrị của R Mặt khác do ko có sụt áp 1c trên đtrở R nên ko cần thay đổi nguồn cc Ucc -> sơ đồ b hay đc sdụng trong thực tế và ta chỉ sét sơ đồ này

Đặc tính bđộ, tsố của bộ KĐ tải ko + hưởng (sơ đồ b) <hình2>

L

R RC

Tại tsố + hưởng riêng

max max min

min

1 1

C

L C

Biểu thức: Giả sử t.hiệu đ.chế (tin tức) có dạng u t Ucos t Dao động cao tần

(sóng mang) có dạng u T t U Tcos o t Tín hiệu điều biên có dạng:

Nếu u u Thaym 1 thì t.hiệu điều biên bị méo Vì vậy để đảm bảo t.hiệu đbiên

ko bị méo thì y.cầu độ sâu đ.chế m� 1

Phổ của tín hiệu đbiên: Ta có thể phân tích bthức của t.hiệu đbiên thành 3 thành

T

o bien tren

T

o bien duoi

đ.chỉnh + hưởng tại tsố sóng mang o; Lch: các cuộn chặn cao tần, thông tsố thấp

Ưu: Tín hiệu đchế ko yêu cầu công suất lớn vì đc đặt vào B

Nhược: Hiệu suất thấp

- Điều biên Collector:

Nlý lviệc: Sóng mang cao tần u t T  

qua C1 -> đặt vào B Tín hiệu đchế qua b.áp

và Lch đặt vào C, như vậy U CE U CC U t U thay đổi theo CE U t làm cho góc cắt  thay đổi theo U t  -> biên độ 2` bậc 1 của dòng C là I C1 I Cm   1 cũng thay đổi theo U t -> biên độ điện áp trên tải là khung + hưởng cũng thay đổi theo U t

-> thực hiện đc đchế bđộ

Ưu: Hiệu suất cao

Nhược: y.cầu t.hiệu đchế phải có csuất >

21 Nêu định nghĩa điều chế tần số, biểu thức toán học của tín hiệu điều tần, dạng sóng và phổ của tín hiệu điều tần.

Đn: Là quá trình làm cho tần số của dđộng cao tần bđổi theo quy luật của t.hiệu đchế

Biểu thức toán học: Gsử t.hiệu đchế (tin tức) có dạng: u t Ucos t Dao động cao tần (sóng mang) có dạng: u t T  U c T os o t Tín hiệu điều tần có dạng:

-Điều tần bằng đèn điện kháng: Đèn điện kháng là 1 ptử mà trở kháng của nó

tương đương như 1 điện cảm L* hoặc 1 điện dung C* và gtrị của L* hoặc C* thay đổi fụ thuộc vào điện áp điều chế u t đặt vào đầu vào của đèn điện kháng Sơ đồ

thực hiện điều chế tần số bằng đèn điện kháng: <hình1>

Giả sử trở kháng ra của đ.đ.k tương đương như 1 đ.dung C* thì fdđ: dd  *

thực hiện đc đchế tần số Có 4 loại: đ.đ.k kiểu RC, CR, RL, LR

-Điều tần bằng diode biến dung: Diode biến dung là 1 diode đặc biệt, khi được

phân cực thì nó tương đương như 1 điện dung C* thay đổi fụ thuộc vào điện áp

ngược đặt lên 2 đầu diode biến dung <hình2>

Sơ đồ thực hiện đchế tsố bằng diode biến dung: <hình3>

C1: thông cao tần, chặn tsố thấp và 1c; Uo điện áp pcực ngược cho diode; Uo ko đổi

để cố định C*

Nguyên lý làm việc: Điện áp đchế u t qua biến áp đc đặt vào diode biến dung làmcho điện áp ngược trên diode thay đổi theo t.hiệu đchế u t -> làm cho đ.dung C* cũng thay đổi theo u t  Như vậy dd  

23 Nêu nhiệm vụ, các yêu cầu về chỉ tiêu kỹ thuật và phân loại tầng ra của máy fát Độ lọc sóng hài bậc cao nmang ý nghĩa gì

Nhiệm vụ: Tầng ra là những tầng cuối cùng của máy fát Tải của nó là hệ thống anten phiđơ Tầng ra có nvụ KĐ dao động cao tần đến csuất đủ lớn theo y/c trong toàn bộ dải tần ctác Ngoài ra nó còn có nvụ chọn lọc tsố để loại bỏ các 2` bậc cao

và thực hiện phối hợp trở kháng với anten nhằm đưa nlượng cao tần đến anten là lớn nhất Như vậy đầu ra gồm có tầng KĐCS cao tần và mạch ra

Yêu cầu: Công suất ra PA: Là csuất của dđ cao tần đc đưa từ tầng ra tới anten Csuất này sẽ đc anten bđổi thành nlượng của sóng đtừ phát xạ vào kgian

2

1 2

A A A

P  I R

IA: bđộ dòng cao tần trên anten RA: trở phát xạ của anten; Hiệu suất của tầng ra:

đc tính = tỉ số giữa csuất ra PA và csuất của nguồn 1c cung cấp cho tầng ra Po:

Vì tầng ra có tầng KĐ csuất cao tần tiêu thụ phần lớn nlượng của mfát nên

để mfát có hsuất cao thì fải thiết kế sao cho tầng ra có hiệu suất cao

Độ lọc sóng 2` bậc cao: 1 1

:

cn An n

lớn càng tốt

24 Vẽ sơ đồ tổng quát mạch anten của tầng ra và giải thích nvụ của các bộ phận trong mạch anten

Nhằm cung cấp tín hiệu cho anten đối xứng <hình1>

Tín hiệu cấp vào A và B bằng giá trị và ngược dấu U A  U B, I AI B I C , C

C C

U I Z

Khi thay đổi -> phải thay đổi L nếu C=const hoặc thay

đổi C nếu L=const

26 Giải thích các loại sơ đồ thực tế của tầng ra có tải cộng hưởng (3 loại sơ đồ) và so sánh độ lọc sóng hài bậc cao của chúng

<hình>

Sơ đồ c có ưu điểm: độ lọc sóng 2` bậc cao lớn hơn 2 sơ đồ a và b

27 Nêu và giải thích các bước điều chỉnh tầng ra nhằm đưa công suất ra anten cực đại.

Nhằm đưa csuất ra anten cực đại -> phải thực hiện đồng thời: điều chỉnh cộng hưởng mạch 1 (trung gian): L(a), C(b), L(c), mạch 2 (anten): Zdc Mạch 1 cộng hưởng khi IC0 min, IB0 max Mạch 2 cộng hưởng I mC0 ax, IB0 min Điều chỉnh độ