1. Trang chủ
  2. » Tất cả

oo

59 3 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 59
Dung lượng 604,22 KB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

Lớp tiếp giáp P-N khi phân cực thuận có độ rộng miền điện tích không gian … độ rộng miền điện tích không gian của lớp tiếp giáp P-N khi chưa phân cực.a Lớn hơn b Nhỏ hơn c Bằng d Chưa kh

Trang 1

Ngân hàng câu hỏi thi trắc nghiệmMôn : Linh kiện điện tử

Trang 6

a) 18,33V/50Hz

b) 25,9V/60Hz

c) 18,33V/60Hz

d) 25,9V/50Hz

Trang 7

4 Nồng độ hạt dẫn đa số trong chất bán dẫn tạp chất phụ thuộc vào:

a) Nồng độ chất được pha tạp vào

b) Loại chất được pha tạp vào

c) Chất bán dẫn thuần

d) a,b,c đều đúng

5 Vùng hoá trị bao gồm các mức năng lượng mà trong điều kiện thường:a) Không bị điện tử chiếm giữ

b) Bị điện tử chiếm giữ

c) Bị điện tử chiếm giữ một phần

d) a,b,c đều sai

6 Vùng dẫn là vùng mà các mức năng lượng :

a) Bị bỏ trống hoặc chiếm giữ một phần

b) Bị chiếm giữ toàn bộ

Trang 8

c) a,b đều sai

7.Vùng cấm là vùng mà tại đó các mức năng lượng:

a) Không bị chiếm chỗ

b) Chiếm giữ toàn phần

c) Chiếm giữ một phần

d) a,b,c đều sai

8 Chất bán dẫn thuần Gemani (Ge) thuộc nhóm mấy trong bảng hệ thống tuần hoàn Mendeleep?

a) Hai

b) bốn

c) Ba

d) năm

9 Để tạo ra chất bán dẫn loại N người ta đã pha nguyên tố nhóm… thuộc bảng

hệ thống tuần hoàn Menđêleep vào chất bán dẫn thuần

a) Hai

b) Bốn

c) Ba

d) Năm

10 Để tạo ra chất bán dẫn loại P người ta đã pha nguyên tố nhóm… thuộc bảng

hệ thống tuần hoàn Menđêleep vào chất bán dẫn thuần

a) Hai

b) Bốn

c) Ba

d) Năm

11 Trong chất bán dẫn thường gặp các hiện tượng vật lý gì?

a) Hiện tượng ion hoá nguyên tử

b) Hiện tượng tái hợp hạt dẫn

Trang 9

1 Lớp tiếp giáp P-N khi phân cực thuận có độ rộng miền điện tích không gian

… độ rộng miền điện tích không gian của lớp tiếp giáp P-N khi chưa phân cực.a) Lớn hơn

b) Nhỏ hơn

c) Bằng

d) Chưa khẳng định được

2 Lớp tiếp giáp P-N khi phân cực ngược có độ rộng miền điện tích không gian

… độ rộng miền điện tích không gian của lớp tiếp giáp P-N khi chưa phân cực.a) Lớn hơn

b) Nhỏ hơn

c) Bằng

Trang 10

b) Tiếp giáp bị đánh thủng vì điện.

c) Tiếp giáp bị đánh thủng vì nhiệt

d) Tiếp giáp không dẫn điện

5 Điều kiện để diode phân cực thuận ?

a) UAK  0

b) UAK < 0

c) UAK>UMở

d) a,b,c đều sai

6 Điều kiện để diode phân cực ngược?

a) UAK > 0

b) UAK  0

c) UAK>UMở

d) a,b, c đều sai

7 điôt phân cực thuận:

a) có nội trở nhỏ và không cho dòng điện đi qua

b) có nội trở nhỏ và cho dòng điện đi qua

c) có nội trở cao và không cho dòng điện đi qua

d) có UAK rất lớn

8 Điôt phân cực ngược:

a) có nội trở nhỏ và không cho dòng điện đi qua

b) có nội trở nhỏ và cho dòng điện đi qua

c) Có nội trở cao và không cho dòng điện đi qua

Trang 11

a) Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ.

b) Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ.

Trang 12

a) Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ.

b) Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ.

c) Mạch chỉnh lưu cầu.

d) Cả a, c đều đúng

Trang 13

16 Khi phân cực thuận, điôt zener:

a) Hoạt động giống như điôt chỉnh lưu

b) Hoạt động giống như điôt biến dung

c) Hoạt động giống như điôt phát quang

d) a và c đều sai

17 Điode biến dung có điện dung thay đổi phụ thuộc vào :

a) Điện áp phân cực ngược

b) Điện áp phân cực thuận

a) Không phụ thuộc vào điện áp phân cực

Trang 15

27 Trong mạch chỉnh lưu theo kiều cầu hình 3.4 nếu D4 bị nối tắt thì hiện tượng gì xảy ra?

a) không có hiện tượng gì xảy ra

b) cả 4 điôt sau một thời gian sẽ bị đánh thủng

c) mạch điện chuyển thành mạch chỉnh lưu một nửa chu kỳ

d) Biến áp bị chập

28 LED :

a) Phát ra ánh sáng khi phân cực thuận

b) Phát ra ánh sáng khi phân cực ngược

a) Đóng vai trò như một biến trở

b) Đóng vai trò như một biến dung

29 Mạch hỡnh 3.5

Biết phương trỡnh biểu diễn U – I của điốt là:

ID =1 + 2UD2 (mA) nếu UD  0.3 v

ID = 0 trong cỏc trường hợp cũn lại

Khi đú điểm cụng tỏc tĩnh cú tọa độ:

D1 DIODE

R 2K

Hỡnh 3.5

+ V 5V

D1 DIODE

R

Hỡnh 3.6

Trang 16

Dạng tín hiệu ra như sau:

34 Hình 3.8 gồm điôt zener có: Uz=5.1V tại IZT = 49 mA; Zz = 7; PD(max)=1W;

IZmin=1mA; để điện áp ra có thể ổn định thì :

D1 DIODE

R 2K

Mạch điện hình 3.9 có: R=470; điôt zener

lý tưởng có: Vz=12V; I Zmin =1mA; Izmax=50mA;

Hình 3.8

R=100

D

Trang 17

35 Hình 3.9 có dòng điện qua D khi RT= là Iz = ?

Trang 18

a) JE phân cực thuận; Jc phân cực thuận.

b) JE phân cực ngược; Jc phân cực ngược

c) JE phân cực thuận; Jc phân cực ngược

d) JE phân cực ngược; Jc phân cực thuận

7 Để transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hoà, ta phải phân cực cho transistor sao cho:

a) JE phân cực thuận; Jc phân cực thuận

Trang 19

b) JE phân cực ngược; Jc phân cực ngược.

c) JE phân cực thuận; Jc phân cực ngược

d) JE phân cực ngược; Jc phân cực thuận

8 Trong transistor lưỡng cực, độ rộng miền bazơ là:

Trang 22

+Ucc 12V

Trang 23

b) lệch pha nhau 450

c) ngược pha nhau

d) lệch pha nhau 900

a) transistor thông bão hoà

b) transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại

U V

Ur

U BE =0,7V =50

Trang 24

33 Hình 4.5 có điện áp lối vào và lối ra:

a) đồng pha

b) lệch pha nhau 450

c) ngược pha nhau

d) lệch pha nhau 900

a) transistor thông bão hoà

b) transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại

Trang 25

R1 22k

Rc 2,2k

Re 1k

+ +

=150

Hình 4 10

Hình 4.10

Trang 26

44.Mạch điện hình 4.6 có điện áp tín hiệu lối vào và lối ra:

+

R E2 470 100F

Uv

Ur

= 100U BE = 0,7V

Trang 27

50 Sơ đồ Hình 4.7 là mạch khuếch đại mắc theo kiểu:

a) transistor thông bão hoà

b) transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại

Trang 28

+E CC

22V

R 3 6,8k

Trang 29

61 Sơ đồ Hình 4.8 là mạch khuếch đại mắc theo kiểu:

a) transistor thông bão hoà

b) transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại

Trang 30

+E CC

12V

R 3 6k

R 1

32k

U V

U r

= 99

U = 0 6V

+ +

Trang 31

72 Sơ đồ Hình 4.9 là mạch khuếch đại mắc theo kiểu:

a) transistor thông bão hoà

b) transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại

Trang 33

83 Sơ đồ Hình 4.10 là mạch khuếch đại mắc theo kiểu:

+

R E2 560

Trang 35

+ 10uF

Q1 10uF

C2

C1

Rb 100kΩ

β = 45

Hình 4.12

Trang 36

+ 10uF

Q1

C1

Rb 240kÙ

õ = 90

Hình 4.13

Trang 37

Q

Re 1,2kÙ

10V Ucc

õ = 60

Hình4.14

Trang 38

-Vcc -20V

Q õ=100

6,8kÙ

+Vee +20V Re 18kÙ

Hình 4.15

Ube=0,7V

Trang 40

d) EC, họ đặc tuyến truyền đạt

119 Cho mối quan hệ IC = f(UCE) khi IB = const Hãy xác định cách mắc, họ đặc tuyến:

a) EC, Họ đặc tuyến vào

Trang 41

d) Mắc EC, Họ đặc tuyến Vào

122: Cho mối quan hệ IE = f(UEC) khi IB = const Hãy xác định cách mắc, họ đặc tuyến:

a) Mắc CC, Họ đặc tuyến Vào

b) Mắc CC, Họ đặc tuyến ra

c) Mắc CC, Họ đặc tuyến truyền đạt

d) Mắc EC, Họ đặc tuyến Vào

đặc tuyến:

a) Mắc CC, Họ đặc tuyến Vào

b) Mắc CC, Họ đặc tuyến ra

c) Mắc CC, Họ đặc tuyến truyền đạt

d) Mắc EC, Họ đặc tuyến truyền đạt

124: Hình 4.17 biểu diễn họ đặc tuyến nào của BJT mắc BC?)

345

7 6

Trang 42

129: Cho họ đặc tuyến của BJT mắc EC,

hãy xác định đây là họ đặc tuyến nào?

90 80

Hình 4.18

Vùng đánh thủng.

7 mA

6 mA 5mA

4 mA 3mA 2mA

0

2 3 4 5

4 mA 3mA 2mA

0

2 3 4 5

Trang 43

131: Cho họ đặc tuyến của BJT mắc CC, hãy xác định đây là họ đặc tuyến nào? (Hình 4.20)

90 80 100

Hình 4.20

Trang 44

Hình 5.2

G S D

Hình 5.3

Hình 5.5

D G

S

Hình 5.4

G

S D

Trang 45

d MOSFET kênh gián đoạn loại P,N

9 Ký hiệu của MOSFET có IDSS = 10mA, UGS ngắt = -8V là:

11: Hình 5.7 là cấu tạo của

a) MOSFET kênh gián đoạn loại N

b) MOSFET kênh gián đoạn loại P

c) MOSFET kênh liên tục loại P

d) MOSFET kênh liên tục loại N

12: Hình 5.8 mô tả cấu tạo của:

a) MOSFET kênh gián đoạn loại P

Hình 5.6

D G

S

Trang 46

a) JFET kênh N

b) MOSFET kênh P gián đoạn

c) MOSFET kênh N có sẵn

d) MOSFET kênh P có sẵn

14: Hình 5.11 mô tả cấu tạo của:

a) MOSFET kênh N gián đoạn

b) MOSFET kênh P gián đoạn

b) Cực G tiếp xúc với kênh dẫn

c) Cực G tiếp xúc với miền bán dẫn N

Hình 5.12

Trang 47

d) Cực G tiếp xúc với miền bán dẫn P

c) MOSFET kênh cảm ứng loại N

d) MOSFET kênh đặt sẵn loại N.

Trang 48

21 Hình 5.18 là đặc tuyến truyền đạt của MOSFET có ký hiệu?

Trang 49

22 Hình 5.18 là đặc tuyến truyền đạt của MOSFET có ký hiệu?

Trang 50

d) a,b,c đều sai

27 JFET có UGS = 0, thì ID sẽ trở nên không đổi khi UDS vượt quá giá trị:a) điện áp cắt dòng (UGSoff)

Trang 51

RD 1k

Trang 52

36 Hình 5.23 có ID = 1,52 mA UDS =?

a) 2,74 Vb) 4,26 Vc) 12 Vd) 7V

Uv

+ C1

Trang 54

c) MOSFET kênh cảm ứng loại P,N

d) JFET và MOSFET kênh đặt sẵn loại P, N

45 Công thức Shockley của đặc tuyến truyền đạt JFET kênh N có dạng:

a)

2 P

GS DSS

U

U 1 ( I

U 1 ( I I

P

GS DSS

GS DSS

U

U 1 ( I

U 1 ( I I

P

GS DSS

T GS

GS DSS

U

U 1 ( I

U 1 ( I I

P

GS DSS

Trang 55

a) Bazơ1; bazơ2; bazơ3

b) Emitter; bazơ1; bazơ2

5 Thyristor thông khi nào?

a) UAK vượt qúa giá trị điện áp đánh thủng thuận

Hình 6.1

Trang 56

7 Hình 6.2 là ký hiệu của linh kiện nào?

Trang 57

13: Hình 6.7 là cấu tạo của linh kiện nào?

17: Quang trở có nội trở thay đổi khi:

a) Dòng điện qua linh kiện thay đổi

b) Điện áp đặt lên linh kiện thay đổi

c) Cường độ chiếu sáng vào linh kiện thay đổi

18 Nội trở của photo-diode

a) Tăng theo sự tăng của cường độ ánh sáng khi phân cực ngược.b) Giảm theo sự tăng của cường độ ánh sáng khi phân cực ngược.c) Tăng theo sự tăng của cường độ ánh sáng khi phân cực thuận

Trang 58

d) Giảm theo sự tăng của cường độ ánh sáng khi phân cực thuận.

19 Linh kiện nào là linh kiện dẫn điện hai chiều có điều khiển?

Trang 59

d) a,b,c đều sai

25 Linh kiện có đặc tuyến ở hình 6.11 là?

a) UJT

b) SCR

c) TRIAC

d) a,b,c đều sai

26 Linh kiện có đặc tuyến ở hình 6.12 là?

Ngày đăng: 07/08/2020, 20:58

w