ĐỀ THI CẤU KẾT ĐIỆN TỬ VI MẠCH

Vẽ và giải thích đặc tuyến Volt – Ampe của thyristor khi phân cực thuận.. ---Hết---Thí sinh không được sử dụng tài liệu CB coi thi không giải thích gì thêm.?. Vẽ và giải thích đặc tuyến

Trang 1

Câu 1 ( 3điểm)

Giải thích sự tương tự của một chuyển tiếp PN và một tụ điện Từ đó giải thích nguyên lý làm việc của điốt biến dung?

Câu 2 ( 3điểm)

Cho mạch điện sau:

a Nêu nguyên lý hoạt động của mạch và vẽ dạng điện áp ra trên tụ C?

b Cho biết

UBB = 11V

 = 0,7

RE = 8,6K

C= 0,1F

Điện áp bão hoà trên emitơ UEB1s = 2,5V

Thời gian phóng của tụ điện << Thời gian nạp của tụ điện ( p << n )

Tính tần số của dãy xung ra trên tụ C ?

Câu 3 ( 4điểm)

Vẽ cấu tạo, ký hiệu quy ước và nêu nguyên lý hoạt động của JFET kênh N?

-Hết -Thí sinh không được sử dụng tài liệu

Trang 2

Câu 1 ( 2điểm)

Nêu quá trình hình thành bán dẫn loại N Vẽ giản đồ vùng năng lượng bán dẫn N với mức đô-nô?

Câu 2 ( 3điểm)

a Phân tích định tính khả năng ổn định điểm công tác tĩnh của mạch trên?

b Cho biết

EC = 10V

Điểm công tác tĩnh Q (ICQ =1mA, UCEQ= 4,5V)

 = 50

UBE = 0,7V Giả sử  của transistor trên thay đổi có 1 = 25; 2 = 75 Hãy tính sự dịch chuyển điểm công tác tĩnh? Từ đó đưa ra nhận xét?

Câu 3 ( 4điểm)

a Nêu cấu tạo và ký hiệu quy ước của thyristor

b Vẽ và giải thích đặc tuyến Volt – Ampe của thyristor khi phân cực thuận?

Câu 4 ( 1điểm)

Nêu ảnh hưởng của nhiệt độ đến điện áp đánh thủng của chuyển tiếp PN?

CB coi thi không giải thích gì thêm

Trang 3

Câu 1 ( 2điểm)

Nêu quá trình hình thành bán dẫn loại P Vẽ giản đồ vùng năng lượng bán dẫn P với mức acepto và giải thích?

Câu 2 ( 3điểm)

Cho biết

EC = 9V Điểm công tác tĩnh Q (ICQ =1,1mA, UCEQ = 5V)

 = 50

UBE = 0,7V

a Trong trường hợp  của bản thân transistor trên thay đổi ,  = 75 Xác định sự biến đổii điểm công tác tĩnh?

b Tính độ ổn định nhiệt của mạch trên?

c Giải thích tại sao mạch trên có độ ổn định điểm công tác tĩnh và ổn định nhiệt kém?

Câu 3 ( 4điểm)

Câu 4 ( 1điểm)

Nêu ảnh hưởng của nhiệt độ đến đặc tuyến thuận của chuyển tiếp PN?

Trang 4

Câu 1 ( 3điểm)

Vẽ và giải thích đặc tuyến ra của transistor NPN?

Câu 2 ( 3điểm)

Cho mạch điện sau

Cho biết

U CC = 20V R1= 88KΩ; R2 = 17,2KΩ; R E = 3,25KΩ; R t = 0,75KΩ

 = 50

a Tính điều kiện phân cực ICQ và UCEQ?

b Tính hệ số ổn định nhiệt của mạch?

c Để tăng độ ổn định nhiệt của mạch thì ta mắc mạch như thế nào? Giải thích?

Câu 3 ( 4điểm)

Nêu cấu tạo, sơ đồ tương đương, ký hiệu quy ước và đặc tuyến Volt – Ampe của TRIAC?

Trang 5

Câu 1 ( 3điểm)

a Khi nào xảy ra hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp PN? Vẽ đặc tuyến Volt-Ampe của chuyển tiếp PN khi bị đánh thủng?

b Trình bày cơ chế đánh thủng xuyên hầm?

Câu 2 ( 3điểm)

Thiết kế mạch phân cực cho tranzitor silic loại NPN?

Cho biết nguồn cung cấp UCC = 15V

a.Tính các phần tử của mạch nguyên lý để điểm công tác tĩnh Q ở vị trí Q (ICQ =1,1mA, UCEQ

= 5,5V) khi tranzitor có  = 50

Chọn Rt = 5kΩ

b Giả thiết các phần tử của mạch tính được ở trên không đổi,  của bản thân tranzitor thay đổi từ 25 – 75 Nhận xét về sự dịch chuyển điểm công tác tĩnh ?

Câu 3 ( 3điểm)

a Thế nào là mức năng lượng Fecmi Giải thích ý nghĩa của mức năng lượng Fecmi?

b Nêu xu hướng dịch chuyển mức năng lượng Fecmi khi pha tạp chất loại P và N?

Câu 4 ( 1điểm)

Nêu ảnh hưởng của nhiệt độ đến đặc tuyến thuận của chuyển tiếp PN?

Trang 6

Câu 1 ( 3điểm)

Vẽ và giải thích đặc tuyến Volt – Ampe của điốt ngược? Tại sao có tên gọi là điốt ngược?

Câu 2 ( 3điểm)

a.Phân tích khả năng khống chế pha của mạch? Giải thích vai trò của R1 và D1?

b Giả sử điện áp nguồn xoay chiều có biên độ là 30V? Điện trở tải bằng 15 Xác định khoảng điều chỉnh của R1 để có thể mở thyristor tại bất cứ góc nào trong khoảng từ 8o –90o Biết rằng dòng mở cực G là 100A và điện áp cửa G là 0,5V

Câu 3 ( 4 điểm)

a Vẽ cấu tạo và ký hiệu quy ước của MOSFET kênh N loại đặt sẵn?

b Vẽ đặc tuyến Volt-Ampe và giải thích nguyên lý hoạt động của loại tranzitor trường trên?

Trang 7

Cõu 1 ( 2điểm)

Trỡnh bày sự phụ thuộc của độ dẫn xuất bỏn dẫn vào nhiệt độ? Vẽ hỡnh?

Cõu 2 ( 3điểm)

a Phõn tớch khả năng ổn định điểm cụng tỏc tĩnh của mạch bằng cỏch định tớnh?

b Cho biết EC = 9V

Điểm cụng tỏc tĩnh Q (ICQ =1,1mA, UCEQ = 4,5V)

 = 50

UBE = 0,7V Giả sử hệ số  của transistor trờn thay đổi,  = 75 Hóy tớnh sự dịch chuyển điểm cụng tỏc tĩnh? Từ đú đưa ra nhận xột?

Cõu 3 ( 4điểm)

Trình bày nguyên lý làm việc và vẽ đặc tuyến Volt – Ampe của điốt Tunnel khi phân cực thuận?

Cõu 4 ( 1điểm)

Thế nào là hiện tượng quỏ nhiệt trong tranzitor? ảnh hưởng của hiện tượng quỏ nhiệt đến tranzitor?

-Hết -Thớ sinh khụng được sử dụng tài liệu

CB coi thi khụng giải thớch gỡ thờm

Trang 8

Câu 1 ( 2điểm)

Trình bày sự phụ thuộc của độ dẫn xuất bán dẫn vào nhiệt độ? Vẽ hình?

Câu 2 ( 3điểm)

a Cho biết EC = 9V

Điểm công tác tĩnh Q (ICQ =1mA, UCEQ = 5V)

 = 50

UBE = 0,7V Trong trường hợp hệ số  của tranzitor trên thay đổi  = 25 Xác định sự biến đổi điểm công tác tĩnh??

b Tính và đưa ra nhận xét độ ổn định nhiệt của loại mạch này?

Câu 3 ( 4điểm)

a Nêu cấu tạo và vẽ sơ đồ tương đương của tranzitor một lớp chuyển tiếp UJT?

b Nªu nguyªn nh©n xuÊt hiÖn hiÖu øng ®iÖn trë ©m trong UJT?

Câu 4 ( 1điểm)

Thế nào là hiện tượng quá nhiệt trong tranzitor? ảnh hưởng của hiện tượng quá nhiệt đến tranzitor?

Trang 9

Câu 1 ( 3điểm)

Phân tích các thành phần dòng điện bên trong tranzitor PNP?

Câu 2 ( 3điểm)

Thiết kế mạch phân cực tranzitor bằng dòng emitơ Điều kiện phân cực là ICQ = 2 mA và

UCEQ = 10V Tranzitor silic loại NPN có  = 50 Nguồn cung cấp UCC = 18V, điện trở Rt = 3k Yêu cầu hệ số ổn định nhiệt là S = 4

Câu 3 ( 4điểm)

a Vẽ vµ gi¶i thÝch m« hình vùng năng lượng của tiếp xúc kim loại –bán dẫn loại N trong trường hợp công thoát kim loại lớn hơn công thoát bán dẫn?

b Giải thích sự thay đổi chiều cao rào thế (Schottki) khi cực tính điện áp ngoài thay đổi?

Trang 10

Câu 1 ( 3điểm)

a Nêu đặc tính của chuyển tiếp PN khi phân cực thuận?

b Vẽ giản đồ năng lượng và giải thích?

Câu 2 ( 3điểm)

Thiết kế mạch phân cực cho tranzitor silic loại NPN?

Cho biết nguồn cung cấp UCC = 12V

a.Tính các phần tử của mạch nguyên lý để điểm công tác tĩnh Q ở vị trí Q (ICQ =1mA, UCEQ

= 4,5V) khi tranzitor có  = 50

Chọn Rt = 3,9kΩ

b Giả thiết các phần tử của mạch tính được ở trên không đổi,  của bản thân tranzitor thay đổi từ 25 – 75 Khi đó điểm công tác tĩnh thay đổi ra sao? Tính hệ số ổn định nhiệt độ của mạch này?

Câu 3 ( 3điểm)

Phân tích các thành phần dòng điện bên trong tranzitor NPN?

Câu 4 ( 1điểm)

Nêu ảnh hưởng của nhiệt độ đến điện áp đánh thủng của chuyển tiếp PN?

Trang 11

Câu 1 (3 điểm)

Nêu đặc tính của chuyển tiếp PN khi phân cực ngược?

Vẽ giản đồ năng lượng và gải thích?

Câu 2 ( 3điểm)

a Phân tích khả năng khống chế pha của mạch?

b Giả sử điện áp nguồn xoay chiều có biên độ là 32V? Điện trở tải bằng 20 Xác định khoảng điều chỉnh của R1 để có thể mở thyristor tại bất cứ góc nào trong khoảng từ 10o –90o Biết rằng dòng mở cực G là 100A và điện áp cửa G là 0,6V

Câu 3 ( 4 điểm)

Nêu nguyên lý hoạt động và vẽ đặc tuyến ra của JFET kênh N?

Trang 12

Câu 1 ( 3điểm)

Vẽ và giải thích đặc tuyến ra của transistor NPN?

Câu 2 ( 3điểm)

a Phân tích khả năng khống chế pha của mạch? Vẽ dạng tín hiệu ra tai Rt theo tín hiệu hình sin đầu vào?

b Giải thích vai trò của các linh kiện C1, D1, D2, D3 ?

c Để khống chế ở cả nửa chu kỳ dương và nửa chu kỳ âm thì ta phải mắc mạch như thế nào?

Câu 3 ( 4điểm)

Trình bày nguyên lý làm việc và vẽ đặc tuyến Volt – Ampe của điốt Tunnel khi phân cực thuận?

Trang 13

Câu 1 ( 3điểm)

a Nêu đặc tính của chuyển tiếp PN khi phân cực thuận?

b Vẽ giản đồ năng lượng và giải thích?

Câu 2 ( 3điểm)

a Cho mạch điện như sau

Vẽ tín hiệu Urtheo tín hiệu Uv Biết Uv là tín hiệu hình sin có biên độ đỉnh–đỉnh:Vpp = 18V

b Điôt ổn định trên ở nhiệt độ 250C có hệ số nhiệt độ là 0,025%C, được mắc nối tiếp với điôt Si có điện áp thuận Uth =0,7V và hệ số nhiệt âm = - 2mV/0C

Hãy xác định điện áp và hệ số nhiệt độ của tổ hợp này, Tính giá trị điện áp của tổ hợp ở

500C

Nhận xét về khả năng bù nhiệt của điốt này?

Câu 3 ( 4điểm)

Trang 14

Câu 1 ( 3điểm)

a Thế nào là mức năng lượng Fecmi Giải thích ý nghĩa của mức năng lượng Fecmi?

b Nêu xu hướng dịch chuyển mức năng lượng Fecmi khi pha tạp chất loại P và N?

Câu 2 ( 3điểm)

a Cho biết

RB = 172KΩ

Rt = 4,9KΩ

 = 50 Tính độ ổn định nhiệt của mạch trên?

b Để tăng độ ổn định nhiệt của mạch trên, ta cần mắc mạch như thế nào? Giải thích?

Câu 3 ( 4điểm)

a Nêu cấu tạo và vẽ sơ đồ tương đương của tranzitor một lớp chuyển tiếp UJT?

b Nêu nguyên nhân xuất hiện hiệu ứng điện trở âm trong UJT?

Trang 15

Câu 1 ( 3điểm)

a Khi nào xảy ra hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp PN? Vẽ đặc tuyến Volt-Ampe của chuyển tiếp PN khi bị đánh thủng?

b Trình bày cơ chế đánh thủng xuyên hầm?

Câu 2 ( 3điểm)

a Vẽ dạng điện áp rơi trên R1, R2 Giải thích?

b Cho biết

UBB = 12V

 = 0,7

RE = 8,2K

C = 0,1F

Điện áp bão hoà trên emitơ UEB1s = 2,5V

Thời gian phóng của tụ điện << Thời gian nạp của tụ điện (p << n )

Tính tần số của dãy xung ra trên tụ C ?

Câu 3 ( 4điểm)

a.Vẽ cấu tạo và ký hiệu quy ước của MOSFET kênh N loại cảm ứng?

b.Vẽ đặc tuyến Volt-Ampe và giải thích nguyên lý hoạt động của loại tranzitor trường trên?

Định dạng
Số trang	15
Dung lượng	475 KB