Chương 9: Linh kiện TRANSISTOR (BJT)

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS) Cấu tạo và ký hiệu Cấu tạo thực tế Nguyên lý hoạt động Công thức dòng của BJT : BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY ) Kiểu nối C chung (CC): Kiểu Nối E CHUNG (CE): Kiếu nối B chung (CB): Công thức dòng của BJT :

Đại Học Công Nghệ Thông Tin

ĐH QG TPHCM

Môn học : Nhập Môn Điện Tử

TP HCM - 2012

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

Cấu tạo và ký hiệu

C: Collector (cực thu)

B: Base (cực nền)

E: Emitter (cực phát)

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

Cấu tạo thực tế

B C E

TO-92

TO-92 MOD

B C E

E C B

TO-126 MOD

TO-126 FM

E

C B

TO-3

C

B E

B C E TO-3P

B C E

TO-220AB TO-3PFM

TO-220FM

TO-220CFM

B C E

B C E

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

E N

I E

I B

Nguyên lý hoạt động

C

B E

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

E N

I C

Nguyên lý hoạt động

I CBO

C

B

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

E N

I B

Nguyên lý hoạt động

I B

I CBO

C

B E

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

Công thức dòng của BJT :

E N

I B

I B

C

B

α = Số hạt tải đến được tại C

Số hạt tại phát ra tại E

I C = α .I E +I CBO

I E = I B +I C

β = I C

I B

Hệ số khuếch tán

1 - α β + 1

β

α =

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

BJT (Các kiểu nối dây )

Kiếu nối B chung (CB):

Z IN nhỏ (10÷100)Ω ; Z OUT lớn (50kΩ ÷ 1MΩ)

Chỉ khuếch đại điện thế, không khuếch đại dòng

IB

B

IB

C

B

E

R L

R L

IB

C

B

E

IB

B

R L

R L

I C (mA)

7mA 6mA

5 mA

4mA

3mA

2mA 1mA

I E =0 mA V CB (V)

0 1 2 3 4 5 6 7

0,2 0,4 0,6 0,8 V BE (V)

10 30 50 70

90 100

CE = 1V

VCE = 10V

VCE = 20V

0

(b)

VCE(V)

IC (mA )

Vùng ngưng dẫn

I CEO

( a )

VCE (BH)

0 1 2 3 4 5

6

Vùng bão hòa

7

IB = 0 µ A

IB = 10 µ A

IB = 20 µ A

IB = 30 µ A

IB = 40 µ A

IB = 50 µ A

IB = 60 µ A

IB = 70 µ A

IB = 80 µ A

Vùng tích cực

R L

R L

Kiểu Nối E CHUNG (CE):

BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )

Kiểu nối C chung (CC):

R R L L

Đặc tuyến gần như kiêu CE

Z IN lớn (50k Ω ÷ 1 M Ω) ;

Z OUT nhỏ (vài trăm Ω)

Dạng sóng ra và vào đồng pha

Không khuếch đại Chỉ lặp đi lặp lại dùn làm mạch đệm