1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

FET Mạch điện tử cơ bản

84 348 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 84
Dung lượng 3,35 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

FET Mạch điện tử cơ bản Transistor BJT Mạch điện tử cơ bản

Trang 1

Chöông 3:

FET

Trang 3

Chương 3-3

3.1 Nguyên lý hoạt động

 Đặc điểm - Phân loại - Ký hiệu

Trang 5

Source (S)

Source (S) Gate

(G)

Trang 6

Hoạt động phân cực JFET

Vùng tắt.

Trang 7

Hoạt động phân cực JFET (tt)

 Họ đặc tuyến JFET kênh n và điều kiện hoạt động ở vùng

dẫn khuếch đại (bão hòa)

Chương 3-7

 0 ≤ IDS = Ip ≤ Ipo

Trang 8

Cấu tạo MOSFET

Chương 3-8

Trang 9

Hoạt động phân cực MOSFET

Vùng tắt.

Trang 10

 Họ đặc tuyến MOSFET kênh n và điều kiện hoạt động ở

vùng dẫn khuếch đại (bão hòa)

Chương 3-10

Vp = Vpo + VGS ≤ VDS

0 ≤ IDS = Ip ≤ Ipo

Trang 11

Ví dụ tìm dòng và áp nghẽn của FET

Trang 12

Ví dụ tìm dòng và áp nghẽn của FET (tt)

Chương 3-12

Cách 2:

VGS = 0 thì I = 2.10-4 (1+0.25 0 )2 = 2.10-4 (A) = Ipo

IDS = 0 thì 2.10-4 (1+0.25 VGS )2 = 0 giải PT ta được VDS = -4 (V) Vpo = 4 (V)

Trang 13

Chương 3-13

3.2 Mạch phân cực

 Mạch phân cực cho JFET

 Mạch phân cực cho MOSFET

 Chế độ nghèo

 Chế độ tăng cường

Trang 14

Mạch phân cực cho JFET

Trang 15

Ví dụ mạch phân cực JFET

Từ (1) và (2) ta cĩ : 6.25x10 -3 (VGSQ) 2 + 1.05 VGSQ + 0.1 = 0

Trang 16

Mạch phân cực cho MOSFET

Trang 17

Mạch phân cực cho MOSFET (tt)

Trang 18

Ví dụ mạch phân cực MOSFET

IDQ = Ipo (2)

Trang 19

Ví dụ mạch phân cực MOSFET (tt)

Trang 20

Chương 3-20

3.3 Mạch tín hiệu nhỏ

 Mô hình tương đương của FET: dạng S chung

 Các thông số AC của FET

 Mô hình nguồn dòng phụ thuộc áp

 Mô hình nguồn áp phụ thuộc áp

 Phân tích mạch tín hiệu nhỏ (CS – CD – CG)

 Tính toán độ lợi dòng-áp và trở kháng vào-ra

 Kỹ thuật phản ánh trong FET: bảo toàn dòng iDS

 Mô hình tương đương của mạch khuếch đại

Trang 21

Moâ hình töông ñöông cuûa FET

Chương 3-21

Trang 22

Phân tích mạch CS

Chương 3-22

Trang 23

Phân tích mạch CS (tt)

Chương 3-23

Trang 24

Phân tích mạch CS (tt)

Chương 3-24

Trang 25

Phân tích mạch CS (tt)

Chương 3-25

Trang 26

Phân tích mạch CS (tt)

Chương 3-26

Trang 27

Phân tích mạch CS (tt)

Chương 3-27

Trang 28

Phân tích mạch CS (tt)

Chương 3-28

Trang 29

Phân tích mạch CD

Chương 3-29

Trang 30

Phân tích mạch CD (tt)

Chương 3-30

Trang 31

Phân tích mạch CD (tt)

Chương 3-31

Trang 32

Phân tích mạch CD (tt)

Chương 3-32

Trang 33

Phân tích mạch CD (tt)

Chương 3-33

Trang 34

Phân tích mạch CD (tt)

Chương 3-34

Trang 36

Kỹ thuật phản ánh trong FET

Chương 3-36

Trang 37

Kỹ thuật phản ánh trong FET (tt)

Chương 3-37

* Phản ánh về D (S giả):

+ Mạch D  S*

+ Cực D: giữ nguyên + Cực S*:

Trở kháng: (µ + 1) Nguồn áp : (µ + 1) Nguồn dịng giữ nguyên

Từ những chỗ khác nhau giữa (1) và (2) ta đưa ra

nguyên tắc phản ánh như sau:

Trang 38

Kỹ thuật phản ánh trong FET (tt)

Chương 3-38

+ Cực S: giữ nguyên

Nguồn áp : /(µ + 1) Nguồn dịng giữ nguyên

Trang 39

Phân tích mạch CD dùng phản ánh

Chương 3-39

Trang 40

Phân tích mạch CD dùng phản ánh (tt)

Chương 3-40

Trang 41

Phân tích mạch CD dùng phản ánh (tt)

Chương 3-41

Trang 42

Phân tích mạch CD dùng phản ánh (tt)

Chương 3-42

Trang 43

Phân tích mạch CD dùng phản ánh (tt)

Chương 3-43

Trang 44

Phân tích mạch CG

Chương 3-44

Trang 45

Phân tích mạch CG (tt)

Chương 3-45

Trang 46

Phân tích mạch CG dùng phản ánh

Chương 3-46

Trang 47

Phân tích mạch CG dùng phản ánh (tt)

Chương 3-47

Trang 48

Phân tích mạch CG dùng phản ánh (tt)

Chương 3-48

Trang 49

Phân tích mạch CG dùng phản ánh (tt)

Chương 3-49

Trang 51

Mô hình tương đương của MKĐ dòng

Chương 3-51

Trang 52

Mô hình tương đương của MKĐ áp

Chương 3-52

Trang 53

So sánh MKĐ dùng BJT và FET

Trang 55

Chương 3-55

BÀI TẬP 1

Hai IGFET được nối với nhau song song như trong hình

B9.3 Nếu kết quả cho thấy thiết bị 3 đầu cuối này là

JGFET thì hãy tìm gm Ứng với mỗi IGFET ta cĩ:

Trang 56

Chương 3-56

BÀI TẬP 2

Trang 58

Chương 3-58

BÀI TẬP 4

Thiết kế một mạch khuếch đại cĩ độ lợi là 10

Điện áp cung cấp là 24V Sử dụng linh kiện 2N3796 (gm=4m

mho, rds=17KΩ, µ=68)

Trang 59

Chương 3-59

BÀI TẬP 5

Bộ kéo theo nguồn được thiết kế sử dụng trong mạch

điện hình B9.8 JFET 2N4223 được sử dụng trong mạch

này Độ lợi lớn hơn 0,8 Tìm R1,RS1 và Rs2

Trang 61

Rd

S

D G

V1

VGG2

VDD

8

Trang 63

C B

VDD

Re2 Re1

Trang 65

Chương 3-65

ĐÁP ÁN 1

Trang 66

Chương 3-66

ĐÁP ÁN 2

Trang 67

Chương 3-67

ĐÁP ÁN 3

Trang 68

88(1+µ)k

5 0 0

Trang 71

Chương 3-71

ĐÁP ÁN 5

Trang 73

=1 +1=2V Thay =1V vào đồ thị,chiếu lên trục tung

ta tính được = 4 mA

Trang 77

Chương 3-77

ĐÁP ÁN 7 (tt)

Trang 78

Chương 3-78

ĐÁP ÁN 8

Trang 79

Chương 3-79

ĐÁP ÁN 8 (tt)

b) Trong mạch FET: Trong mạch BJT:

Đối với FET, giá trị này phụ thuộc cơ bản vào:

Trang 80

Chương 3-80

ĐÁP ÁN 8 (tt)

Trang 83

Chương 3-83

ĐÁP ÁN 9

Trang 84

Chương 3-84

ĐÁP ÁN 10

Ngày đăng: 11/05/2016, 19:58

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w