FET Mạch điện tử cơ bản Transistor BJT Mạch điện tử cơ bản
Trang 1Chöông 3:
FET
Trang 3Chương 3-3
3.1 Nguyên lý hoạt động
Đặc điểm - Phân loại - Ký hiệu
Trang 5Source (S)
Source (S) Gate
(G)
Trang 6Hoạt động phân cực JFET
Vùng tắt.
Trang 7Hoạt động phân cực JFET (tt)
Họ đặc tuyến JFET kênh n và điều kiện hoạt động ở vùng
dẫn khuếch đại (bão hòa)
Chương 3-7
0 ≤ IDS = Ip ≤ Ipo
Trang 8Cấu tạo MOSFET
Chương 3-8
Trang 9Hoạt động phân cực MOSFET
Vùng tắt.
Trang 10 Họ đặc tuyến MOSFET kênh n và điều kiện hoạt động ở
vùng dẫn khuếch đại (bão hòa)
Chương 3-10
Vp = Vpo + VGS ≤ VDS
0 ≤ IDS = Ip ≤ Ipo
Trang 11Ví dụ tìm dòng và áp nghẽn của FET
Trang 12Ví dụ tìm dòng và áp nghẽn của FET (tt)
Chương 3-12
Cách 2:
VGS = 0 thì I = 2.10-4 (1+0.25 0 )2 = 2.10-4 (A) = Ipo
IDS = 0 thì 2.10-4 (1+0.25 VGS )2 = 0 giải PT ta được VDS = -4 (V) Vpo = 4 (V)
Trang 13Chương 3-13
3.2 Mạch phân cực
Mạch phân cực cho JFET
Mạch phân cực cho MOSFET
Chế độ nghèo
Chế độ tăng cường
Trang 14Mạch phân cực cho JFET
Trang 15Ví dụ mạch phân cực JFET
Từ (1) và (2) ta cĩ : 6.25x10 -3 (VGSQ) 2 + 1.05 VGSQ + 0.1 = 0
Trang 16Mạch phân cực cho MOSFET
Trang 17Mạch phân cực cho MOSFET (tt)
Trang 18Ví dụ mạch phân cực MOSFET
IDQ = Ipo (2)
Trang 19Ví dụ mạch phân cực MOSFET (tt)
Trang 20Chương 3-20
3.3 Mạch tín hiệu nhỏ
Mô hình tương đương của FET: dạng S chung
Các thông số AC của FET
Mô hình nguồn dòng phụ thuộc áp
Mô hình nguồn áp phụ thuộc áp
Phân tích mạch tín hiệu nhỏ (CS – CD – CG)
Tính toán độ lợi dòng-áp và trở kháng vào-ra
Kỹ thuật phản ánh trong FET: bảo toàn dòng iDS
Mô hình tương đương của mạch khuếch đại
Trang 21Moâ hình töông ñöông cuûa FET
Chương 3-21
Trang 22Phân tích mạch CS
Chương 3-22
Trang 23Phân tích mạch CS (tt)
Chương 3-23
Trang 24Phân tích mạch CS (tt)
Chương 3-24
Trang 25Phân tích mạch CS (tt)
Chương 3-25
Trang 26Phân tích mạch CS (tt)
Chương 3-26
Trang 27Phân tích mạch CS (tt)
Chương 3-27
Trang 28Phân tích mạch CS (tt)
Chương 3-28
Trang 29Phân tích mạch CD
Chương 3-29
Trang 30Phân tích mạch CD (tt)
Chương 3-30
Trang 31Phân tích mạch CD (tt)
Chương 3-31
Trang 32Phân tích mạch CD (tt)
Chương 3-32
Trang 33Phân tích mạch CD (tt)
Chương 3-33
Trang 34Phân tích mạch CD (tt)
Chương 3-34
Trang 36Kỹ thuật phản ánh trong FET
Chương 3-36
Trang 37Kỹ thuật phản ánh trong FET (tt)
Chương 3-37
* Phản ánh về D (S giả):
+ Mạch D S*
+ Cực D: giữ nguyên + Cực S*:
Trở kháng: (µ + 1) Nguồn áp : (µ + 1) Nguồn dịng giữ nguyên
Từ những chỗ khác nhau giữa (1) và (2) ta đưa ra
nguyên tắc phản ánh như sau:
Trang 38Kỹ thuật phản ánh trong FET (tt)
Chương 3-38
+ Cực S: giữ nguyên
Nguồn áp : /(µ + 1) Nguồn dịng giữ nguyên
Trang 39Phân tích mạch CD dùng phản ánh
Chương 3-39
Trang 40Phân tích mạch CD dùng phản ánh (tt)
Chương 3-40
Trang 41Phân tích mạch CD dùng phản ánh (tt)
Chương 3-41
Trang 42Phân tích mạch CD dùng phản ánh (tt)
Chương 3-42
Trang 43Phân tích mạch CD dùng phản ánh (tt)
Chương 3-43
Trang 44Phân tích mạch CG
Chương 3-44
Trang 45Phân tích mạch CG (tt)
Chương 3-45
Trang 46Phân tích mạch CG dùng phản ánh
Chương 3-46
Trang 47Phân tích mạch CG dùng phản ánh (tt)
Chương 3-47
Trang 48Phân tích mạch CG dùng phản ánh (tt)
Chương 3-48
Trang 49Phân tích mạch CG dùng phản ánh (tt)
Chương 3-49
Trang 51Mô hình tương đương của MKĐ dòng
Chương 3-51
Trang 52Mô hình tương đương của MKĐ áp
Chương 3-52
Trang 53So sánh MKĐ dùng BJT và FET
Trang 55Chương 3-55
BÀI TẬP 1
Hai IGFET được nối với nhau song song như trong hình
B9.3 Nếu kết quả cho thấy thiết bị 3 đầu cuối này là
JGFET thì hãy tìm gm Ứng với mỗi IGFET ta cĩ:
Trang 56Chương 3-56
BÀI TẬP 2
Trang 58Chương 3-58
BÀI TẬP 4
Thiết kế một mạch khuếch đại cĩ độ lợi là 10
Điện áp cung cấp là 24V Sử dụng linh kiện 2N3796 (gm=4m
mho, rds=17KΩ, µ=68)
Trang 59Chương 3-59
BÀI TẬP 5
Bộ kéo theo nguồn được thiết kế sử dụng trong mạch
điện hình B9.8 JFET 2N4223 được sử dụng trong mạch
này Độ lợi lớn hơn 0,8 Tìm R1,RS1 và Rs2
Trang 61Rd
S
D G
V1
VGG2
VDD
8
Trang 63C B
VDD
Re2 Re1
Trang 65Chương 3-65
ĐÁP ÁN 1
Trang 66Chương 3-66
ĐÁP ÁN 2
Trang 67Chương 3-67
ĐÁP ÁN 3
Trang 6888(1+µ)k
5 0 0
Trang 71Chương 3-71
ĐÁP ÁN 5
Trang 73=1 +1=2V Thay =1V vào đồ thị,chiếu lên trục tung
ta tính được = 4 mA
Trang 77Chương 3-77
ĐÁP ÁN 7 (tt)
Trang 78Chương 3-78
ĐÁP ÁN 8
Trang 79Chương 3-79
ĐÁP ÁN 8 (tt)
b) Trong mạch FET: Trong mạch BJT:
Đối với FET, giá trị này phụ thuộc cơ bản vào:
Trang 80Chương 3-80
ĐÁP ÁN 8 (tt)
Trang 83Chương 3-83
ĐÁP ÁN 9
Trang 84Chương 3-84
ĐÁP ÁN 10