Sự bức xạ hãm:• Do sự va chạm giữa các điện tử với các ion nặng, điện tử bị mất một phần năng lượng của mình, phần năng lượng này phát xạ ra dưới dạng lượng tử ánh sáng.. Mối quan hệ gi
Trang 1TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ
NHIÊN KHOA VẬT LÝ
Trang 4LỊCH SỬ PHÁT TRIỂN VL PLASMA
• 1845:từ “Plasma” đươc phát biểu với ý nghĩa sinh vật học
• 1923: Langmuir và Tolk gọi chất khí ở trạng thái dẫn điện là plasma
Trang 5
• 1667,nhà bác học Floreltre phát hiện ra ngọn lửa đèn có tính dẫn điện.
• 1698,tiến sĩ Volt người Anh phát hiện hiện tượng phóng tia lửa điện trong không khí khi nghiên cứu sự nhiễm điện của hổ phách
• Đầu thế kỉ XIX,giáo sư Pétro đã phát minh ra hồ quang
Trang 6• Irving Langmuir (1881 -1957) là nhà khoa học Mỹ
đầu tiên nghiên cứu về trạng thái plasma, người được coi là cha đẻ của vật lý plasma
• Năm 1920, Langmuir mô tả thí nghiệm tạo ra khối cầu
phát sáng có đặc tính dường như giống sét hòn.
• Năm 1924, ông đưa ra khái niệm nhiệt độ điện tử và
phát minh ra phương pháp chẩn đoán mật độ và nhiệt
độ plasma bằng đầu dò điện.
Trang 7• Năm 1940, Hannes Alfvén đã chứng minh rằng một loại chuyển động tập thể mới, gọi là “sóng từ-thủy động lực học”
có thể được sinh ra trong các hệ
plasma Các sóng này đóng một vai trò quan trọng xác định tính chất của
plasma.
Trang 8KHÁI NIỆM PLASMA
Theo định nghĩa của Langmuir, plasma là “một tập hợp” các hạt mang điện và các hạt
trung hòa phải thỏa mãn:
1 Điều kiện gần trung hòa:
2 Bán kính Debye phải nhiều lần nhỏ hơn kích thước của miền chứa tập hợp đó:
Trang 9Một số dạng Plasma
Trang 10TỔNG QUAN VỀ CHẨN ĐOÁN PLASMA
• Chẩn đoán plasma là nghiên cứu các hiện tượng vật lý tiến triển bên trong plasma, từ đó suy ra các tính chất của plasma.
• Phương pháp chẩn đoán plasma là các phương pháp đo nhiệt độ, mật độ, thành phần plasma.
• Khó khăn trong việc thiết lập mô hình lý thuyết
• Phải tiến hành chẩn đoán bằng nhiều phương pháp khác nhau trên cùng một đối tượng
Trang 11Ví dụ chẩn đoán plasma trong
tokamak
Trang 13Đầu dò từ
Tán xạ Thomson
Quay phim tốc độ cao
Tán xạ chùm
laser
Trang 14Các phương pháp chẩn đoán
Đầu dò langmuir Nhiệt độ plasma, nồng độ, thế plasma Phân tích quang phổ phát xạ nhiệt độ, nồng độ, thành phần plasma Chẩn đoán chùm nơtron nhiệt độ ion
Giao thoa kế viba nồng độ electron
Quay phim tốc độ cao hình ảnh plasma
Tán xạ thomson Nồng độ và nhiệt độ electron Tán xạ chùm laser
…
Trang 16I Nguyên tắc kích thích phổ phát
trong plasma
• Plasma, khi bị nung nóng đến nhiệt độ khá cao thì trở thành nguồn bức xạ rất mạnh Các dạng va chạm khác nhau giữa các hạt trong plasma là nguyên nhân gây ra sự phát xạ tia năng lượng, và chính đồng thời sinh ra phổ phát xạ.
Trang 17II Các quá trình sinh ra các phát
xạ năng lượng:
• 1 Bức xạ gián đoạn
• 2 Sự bức xạ tái hợp
• 3 Sự bức xạ hãm
Trang 181 Bức xạ gián đoạn:
• Các nguyên tử và các ion của plasma bị kích thích sẽ bức
xạ photon
• Quang phổ bức xạ của chúng là những quang phổ vạch
• Phổ vạch là phổ phát xạ của các nguyên tố hóa học hầu
như thường nằm trong vùng phổ từ 190-1000nm (vùng
UVVIS) Chỉ có một vài nguyên tố á kim hay kim loại
kiềm mới có một số vạch phổ nằm ngoài vùng này.
Trang 192 Sự bức xạ tái hợp:
• Sự bức xạ tái hợp sinh ra khi ion thu nhận điện
tử.
• Sự tái hợp giữa ion âm và điện tử và với ion
dương sẽ làm giảm ion âm
• Trong quá trình tái hợp, các photon được bức
xạ tạo ra quang phổ liên tục
Hình ảnh của phổ mặt trời
Trang 202 Sự bức xạ tái hợp:
• Sự tái hợp là quá trình nghịch của quá trình ion hoá.
Trang 213 Sự bức xạ hãm:
• Do sự va chạm giữa các điện tử với các ion nặng, điện tử bị mất một phần năng lượng của mình, phần năng lượng này phát
xạ ra dưới dạng lượng tử ánh sáng Bức xạ sinh ra khi có sự va chạm của điện tử với nguyên tử hoặc ion dương nặng, gọi
là bức xạ hãm.
• Bức xạ hãm sẽ sinh ra quang phổ liên tục
Trang 22III Mối quan hệ giữa cường độ, nhiệt độ, mật
Trang 23III Mối quan hệ giữa cường độ, nhiệt độ,
mật độ hạt trong plasma:
• Nếu gọi Nm là số nguyên tử của nguyên tử Ao đã bị kích thích đến trạng thái năng lượng cao Am, thì theo quy luật Bolzamann ta có:
Nm= Na (gm/ g0) exp ( -ΔEmo/k T)
Trang 24Nếu gọi I a là cường độ của vạch phổ do quá trình kích thích phổ đã nói ở trên sinh ra,ứng với một nhiệt độ plasma
nhất định ,I a phụ thuộc vào:
- Số nguyên tử Ao đã bị kích thích lên trạng thái A*, (Nm).
- Thời gian tồn tại của nguyên tử A* ở trạng thái kích thích,
(tm).
- Năng lượng kích thích nguyên tử A từ trạng thái cơ bản đến
trạng thái kích thích, (Em = hν).
- Xác suất chuyển mức của nguyên tử A từ trạng thái kích
thích năng lượng Am về trạng thái ban đầu năng lượng
Eo, (Amo).
Ia = f (1/tm) Amo Em Nm
↔ I a = f (l/t m) A m0 Na (gm/ g0) hν exp ( -ΔEmo/k T)
Trang 25Đối với một loại nguyên tử và trong một nhiệt độ plasma nhất định thì
các yếu tố Amo, go, gm, Cm, hv là những hằng số
I a chỉ phụ thuộc vào N a
I a =k N a
Với: k = f (l/t m) A m0 (gm/ g0) hν exp ( -ΔEmo/k T)
Như vậy đối với quang phổ nguyên tử, ứng với nhiệt độ nhất định của plasma, ta tìm được cường độ của phổ,
ta có thể tìm được mật độ các nguyên tử trong plasma (Na).
Trang 26Khảo sát nhiệt độ vật đen:
•Người ta tạo ra vật đen bằng cách dùng một bình C có đục một lỗ thủng nhỏ, bên trong bôi đen bằng mồ hóng, (có thể coi là vật
đen),bức xạ khi đi qua lỗ hổng bên trong bình, phản xạ nhiều lần liên tiếp bên trong bình, do đó hầu hết năng lượng bức xạ đều bị hấp thụ Diện tích lỗ hổng vừa là bề mặt hấp thụ, vừa là bề mặt bức xạ.
- Vật đen là những vật hấp thụ hoàn
toàn bức xạ chiếu xạ chiếu tới, đối
với mọi độ dài sóng và đối với mọi
góc tới
- Thực tế không có vật đen tuyệt đối.
Trang 28Ta xác định được đặc trưng phổ phát xạ của vật đen bằng thí nghiệm:
A
C
Đường cong biễu diễn sự biến thiên của độ chỉ trên điện kế G theo độ dài
sóng của bức xạ ra bởi vật đen A chính là đường cong biễu diễn sự biến thiên
của Eλ theo λ hay chính là đường đặc trưng phổ phát xạ của vật đen.
Trang 29Bằng cách thay đổi nhiệt độ cuả vật đen, ta vẽ được
nhiều đặc trưng ứng với nhiều nhiệt độ khác nhau
• + Nhiệt độ của vật đen càng cao thì trị số của
λ m càng tiến về phía độ dài sóng ngắn.
Trang 30Nhiệt độ bức xạ của vật thực:
• R là năng suất phát xạ toàn phần
• Với các vật đen, năng suất phát xạ toàn phần Rvđ tuân theo định luật Bolzamann:
Rvđ = T4
• Với các vật thực (không đen) thì năng suất phát xạ toàn phần R < R vđ
Vậy: R < T4
Trang 31- Đặt R= b*T 4 , với b là độ đen của vật, phụ thuộc vào tính chất và nhiệt độ của vật ( b <1)
- Nếu ta xét nhiệt độ T ̓ của một vật đen có năng suất phát xạ toàn phần bằng năng suất phát
xạ của một vật thực ở nhiệt độ T thì T ̓ là nhiệt độ bức xạ của vật thực.
Ta có: T ̓ 4 =b *T4
Vậy nhiệt độ thực của vật thực là:
Nếu xác định được nhiệt độ bức xạ T ̓ của vật thực, ta suy ra nhiệt độ thực T của nó
Nhiệt độ bức xạ của vật thực:
Trang 32Ứng dụng: Hoả kế quang học:
• Hoả kế dùng để đo các nhiệt độ cao: nhiệt độ của một vật nung đỏ, nhiệt độ của lò luyện kim….
Trang 33• Chùm bức xạ phát ra từ nguồn A ( đóng vai trò là vật đen như cửa sổ của một lò luyện kim), hội tụ vào một đĩa nhỏ K bằng bạc bôi đen Độ chói của ảnh A ̓ trên đĩa K bằng độ chói của nguồn A Nhiệt độ của đĩa K được đo bằng một cặp nhiệt điện và một điện kế G có độ nhạy lớn Nhiệt độ này tỉ lệ với độ chói của ảnh A ̓, do đó tỉ lệ với độ chói của vật đen A Bằng một băng đo mẫu nhiệt độ có sẵn, ta suy ra nhiệt độ của A bằng cách đọc số chỉ của điện kế G
• Nếu A không phải vật đen thì nhiệt độ được chỉ là nhiệt độ bức xạ T ̓ của vật
• Nhiệt độ thực của A là T với T được tính theo biểu thức
Trang 35Nguyên tắc hoạt động:
•Đầu dò được đưa vào trong
plasma
•Sự biến thiên từ trường trong
vòng dây làm điện áp hai đầu của đầu dò thay đổi
•Một máy dao động ký ghi lại sự thay đổi điện áp.
•Dựa vào sự thay đổi điện áp ta biết được sự phân bố từ trường trong plasma
Trang 36Vai trò cảu phương pháp đầu dò từ
•cho biết được sự phân bố cường độ từ trường trong ống
Trang 37I wire
insulator
Trang 38Là một sợi dây kim loại mảnh hình trụ,
bên ngoài được bao bọc bởi chất
cách điện dọc theo chiều dài, chỉ để
hở mũi nhọn của sợi dây gọi là đầu
dò Kích thước đầu dò vào cỡ vài
mm đến vài cm.
Lớp điện môi
Thép không gỉ
Cấu tạo đầu dò Langmuir
Sợi dây kim loại mảnh làm bằng Tungsten hay Modylen,
Trang 39 Điều chỉnh biến trở
Trang 41Đường đặc trưng Volt - Ampere
Các hạt mang điện khuyếch tán đến thành ống, đặc biệt là các e -> Thành ống tích điện âm
Một lớp mỏng điện tích dương xuất hiện gần bề mặt thành bình,
có tác dụng như lớp vỏ bao lấy plasma, ngăn dòng khuyếch tán ion dương.
Thế năng tại lớp vỏ mỏng gọi là thế bao (Sheath Potential)
Khi đưa đầu dò Langmuir vào bên trong plasma, các e bao quanh đầu
dò, hình thành màn chắn tĩnh điện
Màn chắn tĩnh điện này “thu hút” các ion dương và ngăn chặn các e kế tiếp
di chuyển đến đầu dò cho đến khi hệ đạt trạng thái cân bằng
.
Thế năng tại màn chắn gọi là thế nổi
(Floating Potential) Ký hiệu: Vf
Trang 42Khi plasma ở trạng thái cân bằng, nó có một thế năng
nhất định gọi là thế plasma ký hiệu: V p
Plasma DC: V p = const
Plasma RF: V p = V p (t)
Mối liên hệ giữa thế bao (V s ), thế nổi (V f ) và thế plasma (V p ):
V p = V s + V f
Giả sử, thế đầu dò là thế âm, ta sẽ xác định nồng độ
ion trong vùng điện tích không gian bao quanh đầu dò.
I > 0
V < Vp
I < 0
V > Vp
Trang 43Tiêu chuẩn Bohm
Trong vùng điện tích không gian bao quanh đầu dò không
có tái hợp giữa các điện tích.
Trang 44e v
x e
e
v
x x
e
dv kT
V V
e v
m v
kT
m en
dv E ef J
1 exp
2
22
0
exp 2
1
exp 4
p e
e
p e
π
Mật độ dòng ion đến đầu dò:
Trang 45 cường độ dòng tổng cộng mà đầu dò thu được:
B e
p i
kT
V V
e v
e n A AJ AJ
2
1 exp
−
=
e
p e
i B
kT
V V
e m
M v
en A
2
10
π
Trong đó:
A là tiết diện của đầu dò
Trang 46Điện thế
Cường độ
dòng điện (μA)
Thế plasma V p
Đường đặc trưng Volt - Ampere
Miền A: Khi V > V p , không tồn tại màn chắn điện bao quanh đầu dò, dòng I → I bão hòa = I e bão hòa .
Đầu dò có thể thay thế cho anode hút các dòng điện tích.
Miền B: Dòng ion và electron đầu dò thu nhận được:chạm vào nó
210
8 4
e i
m
kT n
eA I
I I
π
Thế nổi V f
Trang 47 Miền C: V < V p , đầu dò bắt đầu đẩy các e và hút các ion dương về phía đầu dò Chỉ có các e nào có đủ động năng mới tới được đầu dò
p f
e
m M
V
V e
kT
π
2 ln
Trang 48 Miền D: V < V f , các ion dương có chuyển , các ion dương có chuyển động ngẫu nhiên xuyên qua vùng màn chắn tĩnh điện sẽ bị đầu dò thu nhận, cùng với nó lớp màn chắn bị mỏng đi do thế của đầu dò.
Nếu V << V p thì ta phải xét đến sự phát xạ điện tử thứ cấp
và các electron thứ cấp này va chạm mạnh với dòng ion tới đầu dò) Phương trình cân bằng của dòng ion: 0 0
2
1
v Aen
Trang 49 V < V p : I e thay đổi theo quy luật hàm mũ (giả thiết hàm phân bố của e là
Maxwell-Boltzmann)
V > V p : I e vẫn tiếp tục tăng nhưng bị giới hạn bởi màn
chắn plasma
V = V p thì đường đặc trưng V – A có độ cong lớn nhất Vì
thế để xác định thế plasma ta dựa vào điều kiện sau: I”(V p )
= I”max hoặc I”(V p ) = 0 (Tiêu chuẩn Druyvesteyn).
Trang 50Xác định các đặc trưng của plasma
e
kT
V V e m
kT eAn
I exp
2
2 1
0 π
Từ biểu thức xác định dòng electron đến đầu dò:
Lấy ln hai vế: Trong đó:
2 1
m
kT eAn
I
π
là cường độ dòng electron bão hòa (tại V ≈ V p )
( )
( ) ( )
p e
e
p p
e
p p
e
p e
e
e
p e
e
I I
V V I
I
V V e
kT
kT
V V e I I
kT
V V e I
kT
V V e m
kT eAn
kT
V V e m
kT eAn
I
ln ln
exp 2
ln
ln
2 1 0
2 1 0
π π
(*) (**)
Trang 51Từ đường đặc trưng Volt – Ampe ở hình trên, nếu ta biểu
diễn lại trên trục semi-logarith lnI = f(V), ta sẽ được đường
thẳng với phương trình có dạng biểu thức (*)
Từ đây, ta xác định được nhiệt
độ của electron trong plasma:
Trang 52Nồng độ e hay ion dương
2 1
m
kT eAn
I
π
2
10
m
kT eA
I n
π
Từ biểu thức tính cường độ dòng electron bão
hòa:
Với nhiệt độ electron trong plasma đã xác định ở trên,
ta có thể tính được nồng độ electron (hay ion) trong plasma:
Trang 53Typical Langmuir Probe I-V Curves
full I-V curve floating potential
temperature fitting
Density from ion saturation
plasma potential
Trang 54ĐẦU DÒ PHÁT XẠ
(Emissive probe)
1 CẤU TRÚC
Trang 55 Dựa trên nguyên lí cơ bản là: Nếu thế đầu dò
là dương so với thế plasma, các electron
phát ra với năng lượng thấp bị hút trở lại đầu
dò Trong trường hợp này dòng đầu dò là
không thay đổi bởi sự phát xạ ra các
electron Nếu thế đầu dò là âm so với thế
plasma, các electron phát xạ có thể đi vào
plasma
2 Hoạt động.
Trang 56• Nếu đầu dò được nung nóng cho đến khi phát xạ ra electron, dòng đầu dò tổng cộng, là một hàm của điện thế đầu dò, được cho bởi công thức:
T ω là nhiệt độ của đầu dò
là công thoát điện tử bề mặt đầu dò φ w
Trang 59Phương pháp thế uốn:
• Nguyên tắc của phương pháp này là dựa
trên việc xác định trực tiếp thế plasma từ
đường đặc trưng đầu dò phát xạ Thế mà
tại đó xuất hiện điểm uốn trên đường
đặc trưng của đầu dò phát xạ tương ứng
với thế plasma
Trang 60Phương pháp thế nổi
• Phương pháp này bao gồm việc đo các thế nổi của đầu dò ở các dòng nhiệt khác nhau Khi dòng nhiệt tăng lên, thế nổi của đầu dò sẽ dịch chuyển (tăng) cho đến khi nó đạt giá trị bão hòa ứng với thế plasma
Trang 61P L A S M A
Sơ đồ mạch điện đầu dò trong plasma
ĐẦU DÒ PHÁT XẠ
Trang 62ĐẦU DÒ FARADAY (Faraday probe)
Đầu dò Faraday là một dụng cụ để đo mật độ dòng điện Các loại đầu dò:
Trang 63Đầu dò có hai bộ phận chính:
* Vành góp
* Vòng bảo vệ
ĐẦU DÒ FARADAY
Trang 64Vành góp
Làm bằng thép không rỉ
Được phun một lớp tungsten để làm giảm sự phát xạ electron thứ cấp từ sự bắn phá ion
Trang 66Hoạt động:
Khi các ion đập vào bề mặt của vành góp, các electron chứa trong phần kim loại của đầu dò Faraday tuôn ra bề mặt đầu dò để trung hòa các ion tập trung trên bề mặt
Các electron di chuyển tạo ra dòng điện đầu dò, dòng này bằng với dòng ion
Mật độ dòng được xác định bởi tỉ số của dòng ion và diện tích của vành góp J= I/A
ĐẦU DÒ FARADAY
Trang 67Trong thực nghiệm: Người ta sử dụng vôn kế để đo điện thế đầu dò
V, sau đó mật độ dòng sẽ được tính như sau:
j = RA Với : R là điện trở trong
mạch
A là tiết diện đầu dò
Trang 68Đầu dò Faraday trong LVTF
Trang 69Đ U DÒ FARADAY Ầ
Trang 70ĐẦU DÒ FARADAY
Đồ thị thể hiện sự phụ thuộc của mật độ
dòng vào vị trí góc
Trang 71GIAO THOA KẾ VIBA
(MICROWAVE INTERFEROMETRY)
Trang 72Nguyên tắc hoạt đôâng dựa vào sự thay đổi pha của chùm sóng viba khi nó
đi qua côât plasma Sự thay đổi pha tỉ lêâ với tích phân mâât đôâ dọc theo
đường dẫn chùm tia.
GIỚI THIÊÊU CHUNG
Trang 73SƠ ĐỒ HOẠT ĐÔÊNG
Trang 74GIAO THOA KẾ MACH - ZEHNDER
Gương
Gương bán mạ
Detector
Trang 76Quan hêâ giữa pha đo được (rad) và phần thực của chỉ số khúc xạ được cho bởi:
L: quãng đường truyền của sóng viba trong plasma (m)
SỰ PHỤ THUÔÊC GIỮA MÂÊT ĐÔÊ ELECTRON CỦA PLASMA VÀ ĐÔÊ DỊCH PHA
Trang 77Khi tần số va chạm nhỏ hơn tần số của sóng viba, ta có phần thực của chỉ số khúc xạ trong plasma không nhiễm từ là:
c
n x x
n
ω µ
ω
nc : mâât đôâ giới hạn (mâât đôâ cắt) (electron/m3)
2 0
2
e c
m n
Trang 78Trong hầu hết plasma phóng điêân phát sáng: n(x) << nc
(1 4)
( ) 1 ( )
2 c
n x x
Trang 79Mâât đôâ trung bình của electron trong plasma được định nghĩa
Ln cn
πν φ
0 2
4
c e
Trang 80HẠN CHẾ
Vì kích thước plasma thường nhỏ hơn quãng đường tự
do của năng lượng sóng viba
Điều này làm nhiễu hiêâu ứng phản xạ và giao thoa của các bức xạ viba
Để khắc phục hạn chế này trong lò phản ứng plasma, cần dùng sóng viba có tần số 60GHz hoăâc cao hơn , tuy nhiên trạng thái này rất khó tạo ra trong kỹ thuâât
Trang 81When these combine
2 0
Trang 83Now for a plasma
Trang 84Giao thoa kế microwaves
Trang 85Máy phân tích sự trễ thế
năng
Trang 86H.1 Sơ đồ máy phân tích sự trễ thế năng, được dùng để xác định hàm phân bố năng lượng của các ion đến bề mặt của mẫu.