1. Trang chủ
  2. » Giáo án - Bài giảng

ứng dụng vi điều khiển

56 209 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 56
Dung lượng 401,92 KB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

2.3 Kiến trúc vi điều khiểnn Thực hiện phép toán và phép logic trên dữ liệu n Dữ liệu có thể lấy trên bộ nhớ hoặc I/O n Kết quả có thể được đưa ra ngoài hoặc vào bộ nhớ kết quả được lưu

Trang 1

MÔN HỌC

Ứng dụng Vi điều khiển

(Microcontroller Applications)

By Trần Văn Hùng Mechatronics Dept

http://www.ntu.edu.vn/

Email: tvh42th@gmail.com

Tài liệu tham khảo

1 Microprofessors and microcpmputers hardware and softwware, Ronaid J.Tocci, Frank J.Ambrosio,

Prentice Hall, 2003

2 Interfacing Sensors To The Pc, Willis J.Tompkin, Jonh G.webster, Prentice Hall, 1998

3 Vi xử lý, Văn Thế Minh, NXB Giáo Dục.

4 Họ vi điều khiển 8051, Tống Văn On.

5 Kỹ thuật Vi điều khiển AVR, Tống Văn On.

Trang 2

Nội dung chương trình

1. Thiết kế mạch điều khiển ánh sáng theo chương trình định trước

2. Thiết kế mạch trang trí bằng đèn LED

3. Thiết kế mạch nhận dạng điểm phục vụ (thêm ít nhất 2IC)

4. Thiết kế mạch đo lượng mưa

5. Thiết kế mạch điều khiển nhiệt độ không khí

6. Thiết kế mạch điều khiển nhiệt độ dung dịch

7. Thiết kế mạch đồng hồ điện tử

8. Thiết kế mạch tính thời gian cho các môn điền kinh

9. Thiết kế bảng quang báo

10. Thiết kế mạch khoá điện tử

11. Thiết kế mạch điều khiển thiết bị bằng remote

12. Kết nối bàn phím máy tính với VXL, hiển thị ký tự lên LCD

13. Thiết kế mạch điều khiển Robot chạy theo qũy đạo (sd motor bước)

14. Thiết kế mạch điều khiển tốc độ động cơ DC

15. Thiết kế mạch điều khiển góc quay của môtơ, ổn tốc cho motor

Trang 4

1.1.1 Chuyển đổi giữa hệ mười và hệ hai

n Đổi hệ hai sang hệ mười

1 1 0 1

1.1.1 Chuyển đổi giữa hệ mười và hệ hai (tiếp)

n Đổi số thập phân hệ mười sang hệ hai

0,12510= 0,0012

n Số BCD (số hệ mười mã hoá bằng hệ hai)

Số BCD thích hợp cho các thiế bị đo có hiển thị số ở đầu ra.

0 0 1

Trang 5

1.2 Các phép toán số học đối với hệ hai

ci = (ai – Bi-1) – bi (nếu (ai – Bi-1) >= bivà Bi= 0)

ci = (ai – Bi-1+ x) – bi (nếu (ai – Bi-1) < bi và Bi= 1)

Ví dụ trừ hệ hai

1101 1001

0001 1011

1111 0100 +

1101 1001

0001 1011

1011 1110 -

1.2.2 Phép trừ và số bù hai (tiếp)

b Số bù hai

Ta có thể thay phép trừ bằng phép cộng: cộng số bị trừ với đối số của số trừ.

Để tìm số bù hai của một số A ta làm theo các bước sau:

+ Biểu diễn số A số hệ hai của nó.

+ Tìm số bù một (bù logic) của số đó (đảo bít).

+ Cộng một vào số bù một ở trên để nhận được số bù hai của A.

0 0 0 0

1 1

0

0

0 1 1 1

1

0 1 0 1

0

0 0 0 0

1

1 1 1

1

Trang 6

1.2.2 Phép chia

b Chia trực tiếp

Ví dụ: 35/5 = 7

b Chia gián tiếp

Lấy số bị chia trừ đi số chia, kết quả sẽ là số bị chia của phép toán

tiếp theo, lặp lại đến khi số bị chia nhỏ hơn số chia hoặc bằng 0.

0 1 0 1

1

0 1

1 1

1 0 1 1 1 1 1

0 0 0 0

0

1 0 0

1

1 1 0 1 0

1

1 0 1 0 0

Trang 7

n Khả năng thay đổi dễ dàng

n Khả năng tái sử dụng tài nguyên (thư viện,…)

Trang 8

n Microcontroller vs Microprocessor vs Microcomputer

n A microprocessor is a central processing unit on a

single chip

n A microprocessor combined with support circuitry ,

peripheral I/O components and memory (RAM & ROM)

used to be called a “microcomputer.”

n A microprocessor where all the components mentioned

above are combined on the same single chip that the

microprocessor is on, is called a microcontroller

Trang 9

2.3 Kiến trúc vi điều khiển

n Thực hiện phép toán và phép logic trên dữ liệu

n Dữ liệu có thể lấy trên bộ nhớ hoặc I/O

n Kết quả có thể được đưa ra ngoài hoặc vào bộ nhớ

(kết quả được lưu lại)

General Purpose Registrers

ALU

Trang 10

2.3.2 Bộ nhớ

n Lưu trữ lệnh hay dữ liệu

n Có thể để lưu trữ dữ liệu tạm thời

n Có thể ghi/đọc được bởi bộ điều khiển

64 I/O Resisters

Internal SRAM (512 x 8)

EEPROM (512 x 8)

n Thiết bị chuyển đổi thông tin và dữ liệu từ bộ nhớ ra

thiết bị ngoại vi.

n Thiết bị ngoại vi: LED, LCD, máy in, …

Trang 11

2.3.5 Đơn vị điều khiển

n Cung cấp xung nhịp và điều khiển tín hiệu

Trang 12

2.3.6 Các họ vi điều khiển ( tiếp – so sánh )

n Tốc độ xử lý (clock, clock cycle execution)

n Khả năng tích hợp (ADC, DAC, UART, I 2 C,…)

n Dải điện áp hoạt động (Operating Voltages)

n Công suất đầu ra (DC current per I/O pin)

n Khả năng chống nhiễu (Noise Reduction)

Trang 13

2.4.2 Cấu trúc ngắt

nXuất hiện không được báo trước

nPhục vụ gần giống chương trình con

nTích hợp nhiều loại ngắt

nCó ưu tiên ngắt

2.4.3 Xử lý ngắt

n Xuất hiện và cho phép ngắt

n Hoàn thành lệnh hiện tại

n Lưu trữ địa chỉ lệnh tiếp theo vào ngăn xếp

n Nạp địa chỉ ISR vào PC

n Thực hiện ISR

n Kết thúc ISR là lệnh RETI

n Khôi phục địa chỉ lệnh tiếp theo trong ngăn xếp,

chương trình tiếp tục thực hiện

Trang 14

2.4.4 Phân loại ngắt

n Ngắt mềm (software interrupt)

Là việc gọi 1 ctc (Subroutine) được xây dựng riêng mà ctc

này còn có thể được gọi bởi thiết bị ngoại vi

n Ngắt cứng (hardware interrupt)

Do port phát tín hiệu đến CPU

n Ngắt trong (internal interrupt)

Trong một số CPU để bẫy/xử lý các sự kiện trong khi thực

hiện

n Ngoại lệ (exceptions)

Là vấn đề hay điều kiện để CPU dừng công việc đang thực

hiện, tìm địa chỉ và thực hiện 1 ctc, được thiết kế để xử lý sự

kiện này

Trang 15

n ROM (read only memory)

n RAM (random access memory)

ROM ReadOnly

Trang 16

n Số đường địa chỉ sẽ quyết định có tối đa bao nhiêu ô

nhớ Ví dụ có m đường địa chỉ vậy thì tối đa 2mô nhớ.

b Nhóm tín hiệu dữ liệu

n Thường là đầu ra của ROM và là vào/ra đối với RAM

n Các mạch nhớ thường có đầu vào/ra là 3 trạng thái.

n Số đường dây dữ liệu quyết định độ dài từ nhớ của

mỗi ô nhớ.

Trang 17

c Nhóm tín hiệu chọn vi mạch

n Chọn vi mạch sẽ trao đổi dữ liệu.

n Các tín hiệu này thường được nối với đầu ra của bộ

giải mã địa chỉ.

n Vi mạch không được chọn thì bus dữ liệu của nó bị

treo (ở trạng thái trở kháng cao).

d Nhóm tín hiệu điều khiển

n Cho phép dữ liệu ra bus.

n Bus dữ liệu bị treo nếu không có t n hiệu điều khiển.

n Mạch thường chỉ có một tín hiệu điều khiển đọc/ghi.

Select IC

Hình 3 Bộ nhớ ROM

Trang 18

3.1.3 ROM có thể lập trình được

n Thời gian truy cập nhanh 120-250ns

n Chỉnạp một lần duy nhất bằng các đốt cháy các cầu chì

n Điện áp khi lập trình khoảng 10-13V

A0

D0

Address decoder

b EPROM ( erasable PROM )

n Thời gian truy cập khoảng 120 – 450 ns

n Điện áp lập trình khoảng 10-25V

n Nó có thể được xoá toàn bộ bằng tia cực tím.

n Thời gian lập trình cho một ô nhớ lâu (khoảng 50ms)

Trang 19

c EEPROM ( electrically EPROM )

n Xoá từng đơn vị nhớ bằng điện, không cần tia cực tím.

n Thời gian lập trình cho một ô nhớ khoảng 5ms.

d Flash memory

n Thời gian truy cập nhanh (khoảng 120ns).

n Thời gian ghi nhanh 10µs

n Xóa từng khối nhớ

Trang 20

3.1.4 RAM

n Bị mất dữ liệu khi mất điện

n Thời gian truy cập nhanh (có loại 15ns)

Register 62 Register 63

Register 2 Register 1 Register 0

Output buffers

CS

Hình 3 Cấu tạo bên trong của 64 x 4 RAM

3.1.4 RAM ( tiếp )

n SRAM (static RAM)

nChế tạo đơn giản

nDễ dàng bảo trì

nThường được sử dụng trong hệ thống có bộ nhớ nhỏ

n DRAM (dynamic RAM)

nGiá thành thấp

nĐòi hỏi mạch phụ trợ

nPhải làm tươi (refresh) thường xuyên

Trang 21

3.2 Giải mã địa chỉ cho bộ nhớ

n Phân định không gian tổng thểthành các vùng nhớkhác nhau

n Đảm bảo tính đơn trịcủa xung chọn

n Khi thiết kế thường códựphòng (spare) đểcóthểmởrộng

màkhông phải thiết kếlại mạch

Mạch giải

mã địa chỉ Tín hiệu địa chỉ

Tín hiệu điều khiển

Các tín hiệu chon chip

Trang 22

6 G2A

4 G2B 5

Trang 23

Hình 3 Sơ đồ giải mã dùng PROM

3.2.3 Giải mã dùng ROM ( tiếp )

n Chỉsửdụng 8 byte đầu tiên, các byte khác đều chứa cùng

một giátrịFFh

1 1 1 1 1 1 1 1 Các địa chỉ khác

0

0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

0

0

1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1

0

0

1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1

0

0

1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1

0

0

1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1

0

0

1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1

0

0

1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1

0

0

1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1

Trang 24

6 G2A

4 G2B 5

Hình 3 Phối ghép bộ nhớ

Bộ tạo xung trễ Ready

Row address decoder

7 bit Row address register

Trang 25

CS

Trang 26

A3 A2 A1 A0R/W

AB4

Trang 27

Chương 4: Họ vi điều khiển AVR

n Giới thiệu chung

n Các chức năng điều khiển

n Tập lệnh và ngôn ngữ lập trình

4.1 Giới thiệu chung

n AVR - Kiến trúc RISC

nKhoảng hơn 100 lệnh, hầu hết thực hiện một chu kỳ máy

n32 thanh ghi đa năng 8 bit

nCó thể lên tới 16 MIPS tại tần số 16MHz

Trang 28

4.1 Giới thiệu chung ( tiếp )

n Các modul vào ra (I/O moduls)

n ADC 10bit và từ 8 16 kênh Analog

n 1 đến 2 Programmable UART

n Master/Slave ISP Serial Interface

n 3 4 Timer/Counter: 1 x 16 bit, 2 x 8 bit

n (chế độ chạy bình thường: 6mA)

4.1 Giới thiệu chung (tiếp)

Trang 29

4.1 Giới thiệu chung ( tiếp )

64 I/O Resisters

Internal SRAM (512 x 8)

EEPROM (512 x 8)

Data Memory

$000

$1FF

Trang 30

… R2 R1

SRAM Organization

4.1.2 Các thanh ghi đa năng

a Các thanh ghi đa năng

n Bao gồm 32 thanh ghi 8 bit

n Được thực hiện trực tiếp từ ALU

n Các cặp thanh ghi R26,27; R28, 29; R30, 31tạo thành các thanh

ghi 16 bit

Trang 31

b Các thanh ghi ngăn xếp

n Để lưu trữ dữ liệu tam thời, vị trí biến và địa chỉ trở

về sau khi phục vụ chương trình con ngắt và chương

trình con

n Luôn trỏ vào đỉnh của ngăn xếp

n Ngăn xếp luôn bắt đầu từ vị trí cao của bộ nhớ

c Các thanh ghi trạng thái

n Chứa thông tin hiện tại của CPU

n Có 8 bit chứa thông tin

n Thông tin có thể bị thay đổi khi có chương trình con

phục vụ ngắt

Trang 32

d Thanh ghi che ngắt và cờ ngắt

n Cho phép hay không cho phép một ngắt bất kỳ

n Thông báo khi có ngắt, nếu ngắt đó đã được phép

n Thanh ghi che ngắt được thiết lập bằng phần mềm

e Thanh ghi điều khiển

n Cho phép điều khiển toàn bộ vi điều khiển

n Chức năng này gồm:

nTruy cập bộ nhớ SRAM

nChế độ ngủ

nChế độ ngắt ngoài

Trang 33

f Một số thanh ghi khác

n Thanh ghi trạng thái bộ xử lý

n Các thanh ghi điều khiển timer/counter0

n Các thanh ghi điều khiển timer/counter1

n Thanh ghi điều khiển Watchdog

n Các thanh ghi điều khiển vào ra EEPROM

n Các thanh ghi điều khiển SPI

n Các thanh ghi điều khiển UART

n Các thanh ghi điều khiển bộ ADC

4.1.3 Ngắt và xử lý ngắt

Store Program Memory Ready SPM_RDY

$028 21

Two-wire Serial Interface TWI

$026 20

Analog Comparator ANA_COMP

$024 19

EEPROM Ready EE_RDY

$022 18

ADC Conversion Complete ADC

$020 17

USART, Tx Complete USART, TXC

$01E 16

USART Data Register Empty USART, UDRE

$01C 15

USART, Rx Complete USART, RXC

$01A 14

Serial Transfer Complete SPI, STC

$018 13

Timer/Counter0 Overflow TIMER0 OVF

$016 12

Timer/Counter0 Compare Match TIMER0 COMP

$014 11

Timer/Counter1 Overflow TIMER1 OVF

$012 10

Timer/Counter1 Capture Match B TIMER1 COMPB

$010 9

Timer/Counter1 Capture Match A TIMER1 COMPA

$00E 8

Timer/Counter1 Capture Event TIMER1 CAPT

$00C 7

Timer/Counter2 Overflow TIMER2 OVF

$00A 6

Timer/Counter2 Compare Match TIMER2 COMP

$008 5

External Interrupt Request 2 INT2

$006 4

External Interrupt Request 1 INT1

$004 3

External Interrupt Request 0 INT0

$002 2

External Pin, Power-on Reset, Brown-out Reset, Watchdog Reset and JTAG AVR Reset Reset

$000 1

Interrupt Difinition Source

ProgramAddress

Vector No.

Trang 34

4.1.3 Ngắt và xử lý ngắt ( tiếp )

n 16 vectơ ngắt (2 Byte)

n Từ địa chỉ $000 trong bộ nhớ chương trình

n Ngắt có chỉ số thấp, độ ưu tiên càng cao

n Mỗi ngắt có một bít cho phép ngắt riêng

n Để sử dụng một ngắt thì bit này phải thiết lập cùng

với cờ I (Global Interrupt Enable) trong thanh ghi

SREG được thiết lập

n Mất 4 chu kỳ đồng hồ để vào (hoặc ra khỏi) chương

trình con phực vụ ngắt

4.1.3 Ngắt và xử lý ngắt ( tiếp )

n I – Global Interrupt Enable

n T – Bit Copy Storage

n H – Haft Carry Flag

Initial Value

R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W

Read/Write

SREG C

Z N V S H T I

$3F ($5F)

0 1 2 3 4 5 6 7

Bit

Trang 35

4.2 Các chức năng điều khiển

nNguồn đồng hồ từ mạch chia thời gian hoặc từ chân T0

(theo sườn lên/xuống)

nNgắt tràn

n T/C1:

n16 bit

nNguồn đồng hồ từ mạch chia thời gian hoặc từ chân T1

(theo sườn lên/xuống)

nCó ngắt tràn, ngắt thích ứng so sánh và ngắt cho phép bắt

tín hiệu từ chân ICP

Trang 36

4.2.1 Timer/Counter ( tiếp )

n T/C2:

n8 bit

nNguồn đồng hồ từ mạch chia thời gian hoặc từ dao động

bên ngoài (chân TOSC1 và TOSC2 nối với tụ thạch

Clock

Restart

Reset

Trang 37

4.2.2 WatchDog Timer ( tiếp )

n Hoạt động từ bộ dao động độc lập trên chip

n Lệnh WDR để Reset lại WatchDog Timer

n Sau khoảng thời gian > time_out chương trình sẽ bị

Reset lại

n Thanh ghi điều khiển: WDTCR

0 0 0 0 0 0 0 0

Initial Value

R/W R/W R/W R/W R/W R

R R

Read/Write

WDTCR WDP0

WDP1 WDP2 WDE

Bit

4.2.2 WatchDog Timer ( tiếp )

n WDP2, WDP1, WDP0 : xác định thời gian time_out

2.1s 2.2s

2M 1

1 1

1.0s 1.1s

1M 0

1 1

0.52s 0.55s

512K 1

0 1

0.26s 0.27s

256K 0

0 1

0.13s 0.14s

128K 1

1 0

65ms 68.5

64K 0

1 0

32.5ms 34.3ms

32K 1

0 0

16.3ms 17.1ms

16K 0

0 0

WDP1

WDP2

Trang 38

4.2.2 Các cổng vào ra

4.2.2 Các cổng vào ra (tiếp)

n Có 4 cổng vào ra 8 bit PA, PB, PC, PD

n Mỗi cổng đều có 3 thanh ghi (8 bit), ví dụ cổng A :

nThanh ghi dữ liệu : PORTA

nThanh ghi điều khiển hướng dữ liệu : DDRA

nThanh ghi địa chỉ các chân vào : PINA

n Cho phép thao tác vào ra trên từng bít (một cổng có

thể vừa có bit vào vừa có bit ra)

nbit DDRAi=1, chân PAi là chân ra ( = PORTAi)

nbit DDRAi=0, chân PAi là chân vào (= PINAi)

Trang 39

4.2.2 Các cổng vào ra ( tiếp )

n Phải định nghĩa cổng trước khi sử dụng

n Khả năng chịu tải cao (Isinkkhoảng 20mA/Pin)

Trang 40

4.2.3 ADC (tiếp)

n Thanh ghi chọn kênh : ADMUX

n Thanh ghi điều khiển trạng thái: ADCSRA

0 0 0 0 0 0 0 0

Initial Value

R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W Read/Write

ADMUX MUX0

MUX1 MUX2 MUX3 MUX4 ADLAR REFS0 REFS1

$21 ($41)

0 1 2 3 4 5 6 7

Bit

0 0 0 0 0 0 0 0

Initial

Value

R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W Read/Write

ADCSRA ADPS0

ADPS1 ADPS2 ADIE ADIF ADATE ADSC ADEN

$21 ($41)

0 1 2 3 4 5 6 7

Bit

4.2.4 USART

nĐặc điểm:

nTruyền song công

nTruyền đồng bộ hoặc không đồng bộ

nMaster hoặc Slave cấp xung nhịp

nKhuân dạng dữ liệu đa dạng (5=>9 bit dữ liệu, 1 hoặc 2

bít dừng)

nKiểm tra bit chẵn lẻ bằng phần cứng

nTự phát hiện lỗi tràn dữ liệu, khung dữ liệu lỗi

Trang 41

4.2.4 USART (tiếp)

n Thanh ghi dữ liệu: UDR (gồm hai thanh ghi độc lập có cùng

địa chỉ vào ra): chứa dữ liệu nhận và truyền

n Thanh ghi điều khiển và trạng thái: UCSR

(Control and Status Register)

0

R/W MPCM

0

UCSRA

0 0 0 0 1 0 0

Initial Value

R/W R R R R R/W R

Read/Write

U2X PE

DOR FE UDRE TXC RXC

$0B ($2B)

1 2 3 4 5 6 7

Bit

0

R/W

TXB8 0 UCSRB

0 0 0 0 0 0 0

Initial Value

R R/W R/W R/W R/W R/W R/W Read/Write

RXB8 UCSZ2 TXEN RXEN UDRUE TSCIE RXCIE

$0A ($2A)

1 2 3 4 5 6 7

Bit

Trang 42

4.2.4 USART (tiếp)

Hoạt động:

n Thiết lập tốc độ truyền, 8/9 bit dữ liệu, truyền/nhận

hoặc cả hai, có sử dụng ngắt hay không?

n Truyền dữ liệu:

nĐưa byte dữ liệu cần truyền vào UDR

nĐợi đến khi UDRE = 1 (hoặc sử dụng ngắt) thì truyền tếp

byte tiếp theo

4.2.4 USART (tiếp)

n Nhận dữ liệu :

nĐợi đến khi cờ RXC=1 (hoặc sử dụng ngắt) báo hiệu nhận

được byte dữ liệu

nKiểm tra cờ FE và OR

nĐọc byte dữ liệu từ UDR

St 0 1 2 3 4 [5] [6] [7] [8] [P] Sp1 [Sp2] (St/IDLE)

(IDLE)

Trang 43

4.2.5 EEPROM

n EERIE (EEPROM Ready Intr En)

n EEMWE (EEPROM Master Write En) : cho phép ghi Bit này

sẽ tự động bị xoá sau 4 chu kỳ đồng hồ

n EEWE (EEPROM Write En) : khi bit này được thiết lập và

EEMWE=1 thì thao tác ghi mới được thực hiện

n EERE (EEPROM Read En): cho phép đọc

n EEPROM Khi đọc xong, bit này sẽ tự động bị xoá và CPU sẽ

dừng 4 chu kỳ đồng hồ trước khi lệnh tiếp theo được thực hiện

4.2.5 EEPROM ( tiếp )

n Quy trình ghi:

nĐợi đến khi EEWE=0

nGhi địa chỉ mới vào EEARL và EEARH

nGhi dữ liệu mới vào EEDR

nGhi mức logic 1 vào bit EEMWE và mức logic 0 vào

EEWE đồng thời

nTrong vòng 4 chu kỳ đồng hồ sau ghi giá trị logic 1 vào

EEWE

Trang 44

4.2.6 SPI (Serial Peripheral Interface)

4.2.6 SPI (Serial Peripheral Interface – tiếp)

nTruyền song công

nChọn chế độ chủ hoặc tớ

nBit cao hoặc bit thấp truyền trước

nBảy bít thiết lập tốc độ truyền

nCờ ngắt truyền hết

nCờ bảo vệ xung đột ghi

nĐánh thúc từ chế độ nghỉ

Trang 45

4.2.7 So sánh tín hiệu tương tự (Analog Comparator)

n Mạch so sánh tín hiệu tương tự: so sánh tín hiệu

analog giữa hai chân AIN1 và AIN2

+5V

CON8

R1 10K

22 24 26 28

30

31

32

33 35 37 39 PB0/XCK/T0

PB1/T1 PB2/INT2/AIN0 PB3/OC0/AIN1 PB4/SS PB5/MOSI PB7/SCK

PC0/SCL PC1/SDA PC2/TCK PC3/TMS PC5/TDI PC6/TOSC1

AVCC

AGND

AREF

PA7/ADC7 PA5/ADC5 PA3/ADC3 PA1/ADC1

Y1 8MHz

Reset

C5

22p MISO

+ C3 4.7u

MOSI SCK

4.1 Giới thiệu chung ( tiếp )

Ngày đăng: 10/02/2015, 14:36

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1. Một cách đổi hệ mười sang hệ hai - ứng dụng vi điều khiển
Hình 1. Một cách đổi hệ mười sang hệ hai (Trang 4)
Bảng 1. Quy tắc phép nhân - ứng dụng vi điều khiển
Bảng 1. Quy tắc phép nhân (Trang 5)
Hình 3. Sơ đồ khối của bộ nhớ - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Sơ đồ khối của bộ nhớ (Trang 16)
Hình 3. Bộ nhớ ROM - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Bộ nhớ ROM (Trang 17)
Hình 3. Cấu tạo bên trong của 64 x 4 RAM - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Cấu tạo bên trong của 64 x 4 RAM (Trang 20)
Hình 3. Mạch giải mã đơn giản dùng NAND - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Mạch giải mã đơn giản dùng NAND (Trang 21)
Hình 3. Mạch giải mã địa chỉ - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Mạch giải mã địa chỉ (Trang 21)
Hình 3. Sơ đồ giải mã dùng 74LS138 - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Sơ đồ giải mã dùng 74LS138 (Trang 22)
Hình 3. Sơ đồ giải mã dùng PROM - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Sơ đồ giải mã dùng PROM (Trang 23)
Hình 3. Phối ghép bộ nhớ - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Phối ghép bộ nhớ (Trang 24)
Hình 3. Kết hợp hai bộ nhớ 16 x 4 thành 16 x 8 - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Kết hợp hai bộ nhớ 16 x 4 thành 16 x 8 (Trang 25)
Hình 3. Kết hợp bốn bộ nhớ 2K x 8 thành 2K x 32 - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Kết hợp bốn bộ nhớ 2K x 8 thành 2K x 32 (Trang 25)
Hình 3. Kết hợp hai bộ nhớ 16 x 4 thành 32 x 4 - ứng dụng vi điều khiển
Hình 3. Kết hợp hai bộ nhớ 16 x 4 thành 32 x 4 (Trang 26)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm