Linh Kien Ban Dan 3 Lop pdf

BJT CÁC KIỂU NỐI DÂY KIỂU NỐI C CHUNG CC: RL RL ĐẶC TUYẾN GẦN NHƯ KIỂU CE ZIN lớn 50kΩ ÷ 1MΩ ; ZOUT nhoÛ vài trămΩ DẠNG SÓNG RA ,VÀO ĐỒNG PHA KHÔNG KHUẾCH ĐẠI... BJT BÀI TOÁN PHÂN CỰC B

KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ

GVTH: Thạc Sỹ PHẠM XUÂN HỔ

BÁN DẪN 3 LỚP

BJT ; JFET ; MOSFET

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU:

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

CẤU TẠO THỰC TẾ :

B C E

TO-92

TO-92 MOD

B

C E

E C B

TO-126 MOD

TO-126 FM

E C B

TO-3 C

B E

B C E TO-3P

B C

TO-220AB TO-3PFM

TO-220FM

TO-220CFM

B C E

B C E

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

CÁC THÔNG SỐ BJT :

α = SỐ HẠT ĐẾN ĐƯỢC C

SỐ HẠT PHÁT RA TỪ E

=

QUAN HỆ GIỮA α VÀ β :

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

CÁC THÔNG SỐ BJT :

BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )

KIỂU NỐI B CHUNG (CB):

Z IN nhỏ (10÷100)Ω ; Z OUT lớn (50kΩ ÷ 1MΩ)

Chỉ Khuếch Đại Aùp Không Khuếch Đại Dòng

V u øn g b ã o h ò a

I C (mA)

7mA 6mA

5 mA 4mA 3mA 2mA 1mA

I E =0 mA

Vùng ngưng dẫn

V CB (V)

0 1 2 3 4 5 6 7

0,2 0,4 0,6 0,8 V BE (V)

10 30 50 70

90 100

Vùng ngưng dẫn

I CEO

( a )

VCE (BH)

0 1 2 3 4 5

6

Vùng bão hòa

R L RL

KIỂU NỐI E CHUNG (CE):

BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )

KIỂU NỐI C CHUNG (CC):

RL RL

ĐẶC TUYẾN GẦN NHƯ KIỂU CE

ZIN lớn (50kΩ ÷ 1MΩ) ;

ZOUT nhoÛ (vài trămΩ)

DẠNG SÓNG RA ,VÀO ĐỒNG PHA

KHÔNG KHUẾCH ĐẠI

CÁC THÔNG SỐ GIỚI HẠN CỦA BJT

I CEO ≤ I C ≤ I CMAX

V CE BH ≤ V CE ≤

V CEMAX )

V CE I C ≤ P CMAX

BJT (BÀI TOÁN PHÂN CỰC )

BJT ở chế độ ngắt – dẫn:

BJT (BÀI TOÁN PHÂN CỰC )

Bài toán ở chế độ bão hoà :

β=120

mA R

V V

I

B

BE CC

10 100

7 , 0

CC CBH

V V

Ngõ ra tín hiệu AC

IC

CC B

R R

V

V I

) 1

IC

RE IE

1

R R

R

R

+

2 1

2 2

R R

V

R V

BE Th

B

R R

V

E I

) 1 ( + +

−

=

β

) ( C E

C CC

S = 1 +

IB ; IC ; VCE

Bài toán phân cực phân cực phân áp :

BJT (BÀI TOÁN PHÂN CỰC )

Bài toán phân cực phân cực phân áp :

.

3 3

2 1

2

Volt R

R

V

R E

B B

C C B

+

= +

=

(1 , 8 12)10 1 , 56 . 10 ( )

10 12 10 8 , 1

3

3 3

2 1

2

+

= +

=

B B

B B

BB

R R

R

R R

( ) (1 , 56 121 0 22) 10 0 , 068 ( )

7 , 0 61 ,

2

R

V E

I

E BB

BE BB

+

−

= +

+

−

=

β

BJT (BÀI TOÁN PHÂN CỰC )

Bài toán ngược phân cực phân cực phân áp :

VCEQ = 10V ; VCC = 24VKhi S = 15; VE = 10%VCC

Xác định: RC; RE; RB1; RB2

BJT (BÀI TOÁN PHÂN CỰC )

Bài toán ngược phân cực phân cực phân áp :

CC E

E

V V

BB B

BB

R

E V

Mạch phân cực hồi tiếp từ C :

B

BE

CC B

R R

R

V

V I

+ +

Đường tải tĩnh một chiều (DC) :

1 2 3 4

5 6 7

Q

Các họ đường tải tĩnh một chiều (DC) :

R C

V CC = I C R C +V CE

BJT (CÁC CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI)

CHẾ ĐỘ B KHUẾCH ĐẠI ĐẨY KÉO

CHẾ ĐỘ A KHUẾCH

CHẾ ĐỘ C KHUẾCH

ĐẠI <50% SÓNG

P N

CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU:

I D

S

D G

Gate (G)

Kênh P

I D

D G

S

V GS

Kênh N

0 2

(1)

d

GS P

r r

V V

=

−

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG:

Kênh N

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG:

IDSS VGS = 0V

VP

2 3 4 5 6

G G

V I

≠

=

JFET ( CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN )

V GDS

JFET ( CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN )

Vp

I DSS

I GSS

V GDS

JFET ( CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN )

V GDS

JFET ( CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN )

Vp

I DSS

I GSS

JFET ( PHÂN CỰC CỐ ĐỊNH )

JFET ( MẠCH TỰ PHÂN CỰC )

JFET ( MẠCH PHÂN CỰC PHÂN ÁP )

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)

CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU D_MOSFET:

S

D SS G

S

D SS G

S

D G

N N

D_MOSFET (Nguyên Lý Làm Việc – Đặc Tính)

+

e e e

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)

CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU E_MOSFET:

N

S

D

SS G

S

D G

S

D SS G

S D G

E_MOSFET (Nguyên Lý Làm Việc – Đặc Tính)

ID(mA)

1 2 3 4 5 6

2

1 2 3 4 5 6 7 8

0

VGS

e e e e

E_MOSFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)

E_MOSFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)

UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR)

CẤU TẠO KÝ HIỆU VÀ NGUYÊN LÝ:

V I

NGUYÊN LÝ VÀ ĐẶC TUYẾN :

A

B Va

Vùng ngắt

Vùng dẫn bão hòa

Vùng R âm

ỨNG DỤNG TẠO XUNG KÍCH SCR:

UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR)

ỨNG DỤNG TẠO XUNG KÍCH SCR:

UJT (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)

PUT ( PROGRAMABLE UJT )

CẤU TẠO KÝ HIỆU VÀ NGUYÊN LÝ :

PUT ( PROGRAMABLE UJT )

ỨNG DỤNG TẠO XUNG KÍCH SCR: