Giáo án điện tử công nghệ: bán dẫn 3 lớp pot

BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS... BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS... BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS... BJT BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORSNGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG... BJT BIPOLAR JUNCTION TR

ĐIỆN TỬ CƠ BẢN 1

BÁN DẪN 3 LỚP

BJT ; JFET ; MOSFET

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU:

C: Collector (c c thu ự )

B: Base (c c ự

n n) ề E: Emitter

(cực phát)

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

CẤU TẠO THỰC TẾ :

B C E

TO-92

TO-92 MOD

B

C E

E C B

TO-126 MOD

TO-3P

TO-220AB TO-3PFM

TO-220FM

TO-220CFM

B C E

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

CÁC THÔNG SỐ BJT :

α = SỐ HẠT ĐẾN ĐƯỢC C

SỐ HẠT PHÁT RA TỪ E

=

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)

CÁC THÔNG SỐ BJT :

BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )

KIỂU NỐI B CHUNG (CB):

Z IN nhỏ (10÷100)Ω ; Z OUT lớn (50kΩ ÷ 1MΩ)

Chỉ Khuếch Đại Aùp Không Khuếch Đại Dòng

V u øn g b ã o h ò a

I C (mA)

7mA 6mA

5 mA 4mA 3mA 2mA 1mA

I E =0 mA

Vùng ngưng dẫn

V CB (V)

0 1 2 3 4 5 6 7

0,2 0,4 0,6 0,8 V BE (V)

10 30 50 70

90 100

Vùng ngưng dẫn

I CEO

VCE (BH)

0 1 2 3 4 5

6

Vùng bão hòa

R L RL

KIỂU NỐI E CHUNG (CE):

BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )

KIỂU NỐI C CHUNG (CC):

RL RL

ĐẶC TUYẾN GẦN NHƯ KIỂU CE

Z IN lớn (50k Ω ÷ 1 M Ω) ;

Z OUT nhoÛ (vài trăm Ω)

DẠNG SÓNG RA ,VÀO ĐỒNG PHA

KHÔNG KHUẾCH ĐẠI CHỈ LẶP LẠI ⇒ MẠCH ĐỆM

CÁC THÔNG SỐ GIỚI HẠN CỦA BJT

I CEO ≤ I C ≤ I CMAX

V CE BH ≤ V CE ≤

V CEMAX )

V CE I C ≤ P CMAX

P N

CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU:

I D

S

D G

Gate (G)

Kênh P

I D

D G

S

V GS

Kênh N

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG:

r r

V V

Kênh N

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG:

VP

2 3 4 5 6

G G

V I

≠

=

JFET (JUNCTION FET)

JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)

V GDS

JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)

Vp

I DSS

I GSS

V GDS

JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)

V GDS

JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)

Vp

I DSS

I GSS

MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET )

CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU D_MOSFET:

S

D SS G

S

D SS G

S

D G

N N

D_MOSFET( Nguyên Lý Làm Việc – Đặc Tính )

+

e e e

D_MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET )

CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ D_MOSFET:

E_MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET )

CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU E_MOSFET:

N

S

D

SS G

S

D G

S

D SS G

S D G

E_MOSFET( Nguyên Lý Làm Việc – Đặc Tính )

1 2 3 4 5 6

78

8 1

2 3 4 5 6 7 8

0

e e e e

( ) 2

E_MOSFET( Nguyên Lý Làm Việc – Đặc Tính )