Sự bức xạ hãm:• Do sự va chạm giữa các điện tử với các ion nặng, điện tử bị mất một phần năng lượng của mình, phần năng lượng này phát xạ ra dưới dạng lượng tử ánh sáng.. Nếu gọi Ia là c
Trang 1TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ
NHIÊN KHOA VẬT LÝ
Trang 4LỊCH SỬ PHÁT TRIỂN VL
PLASMA
• 1845:từ “Plasma” đươc phát biểu với ý nghĩa sinh vật học
• 1923: Langmuir và Tolk gọi chất khí ở
trạng thái dẫn điện là plasma
Trang 5
• 1667,nhà bác học Floreltre phát hiện ra
ngọn lửa đèn có tính dẫn điện.
• 1698,tiến sĩ Volt người Anh phát hiện hiện
tượng phóng tia lửa điện trong không khí khi nghiên cứu sự nhiễm điện của hổ
phách
• Đầu thế kỉ XIX,giáo sư Pétro đã phát minh
ra hồ quang
Trang 6• Irving Langmuir (1881
-1957) là nhà khoa học Mỹ đầu tiên nghiên cứu về trạng thái plasma, người được coi
là cha đẻ của vật lý plasma
thí nghiệm tạo ra khối cầu
phát sáng có đặc tính dường như giống sét hòn.
niệm nhiệt độ điện tử và phát minh ra phương pháp chẩn đoán mật độ và nhiệt độ
plasma bằng đầu dò điện.
Trang 7• Năm 1940, Hannes
Alfvén đã chứng
minh rằng một loại
chuyển động tập thể mới, gọi là “sóng từ- thủy động lực học” có thể được sinh ra
trong các hệ plasma Các sóng này đóng một vai trò quan
trọng xác định tính
chất của plasma.
Trang 8KHÁI NIỆM PLASMA
Theo định nghĩa của Langmuir, plasma là “một
tập hợp” các hạt mang điện và các hạt trung hòa phải thỏa mãn:
1 Điều kiện gần trung hòa:
2 Bán kính Debye phải nhiều lần nhỏ hơn kích
thước của miền chứa tập hợp đó:
Trang 9Một số dạng Plasma
Trang 10TỔNG QUAN VỀ CHẨN ĐOÁN PLASMA
• Chẩn đoán plasma là nghiên cứu các hiện tượng vật lý tiến triển bên trong plasma, từ đó suy ra các tính chất của
plasma.
• Phương pháp chẩn đoán plasma là các phương pháp đo nhiệt độ, mật độ, thành phần plasma.
• Khó khăn trong việc thiết lập mô hình lý thuyết
• Phải tiến hành chẩn đoán bằng nhiều phương pháp khác nhau trên cùng một đối tượng
Trang 11Ví dụ chẩn đoán plasma trong
tokamak
Trang 13Đầu dò từ
Tán xạ Thomson
Quay phim tốc độ cao
Tán xạ chùm
laser
Trang 14Các phương pháp chẩn đoán
Đầu dò langmuir Nhiệt độ plasma, nồng độ, thế plasma Phân tích quang phổ phát xạ nhiệt độ, nồng độ, thành phần plasmaChẩn đoán chùm nơtron nhiệt độ ion
Giao thoa kế viba nồng độ electron
Quay phim tốc độ cao hình ảnh plasma
Tán xạ thomson Nồng độ và nhiệt độ electronTán xạ chùm laser
…
Trang 16I Nguyên tắc kích thích phổ phát
trong plasma
• Plasma, khi bị nung nóng đến nhiệt độ khá cao thì trở thành nguồn bức xạ rất mạnh Các dạng va chạm khác nhau giữa các
hạt trong plasma là nguyên nhân gây ra
sự phát xạ tia năng lượng, và chính đồng thời sinh ra phổ phát xạ.
Trang 17II Các quá trình sinh ra các phát
xạ năng lượng:
• 1 Bức xạ gián đoạn
• 2 Sự bức xạ tái hợp
• 3 Sự bức xạ hãm
Trang 18các nguyên tố hóa học hầu
như thường nằm trong vùng
phổ từ 190-1000nm (vùng
UVVIS) Chỉ có một vài nguyên
tố á kim hay kim loại kiềm mới
có một số vạch phổ nằm ngoài
vùng này
Trang 192 Sự bức xạ tái hợp:
• Sự bức xạ tái hợp sinh ra
khi ion thu nhận điện tử.
• Sự tái hợp giữa ion âm
và điện tử và với ion
dương sẽ làm giảm ion
Trang 202 Sự bức xạ tái hợp:
• Sự tái hợp là quá trình nghịch của quá trình ion hoá.
Trang 213 Sự bức xạ hãm:
• Do sự va chạm giữa các điện tử với các ion nặng, điện tử bị mất một phần năng lượng của mình, phần năng lượng này phát xạ ra dưới dạng lượng tử ánh sáng Bức xạ sinh ra khi có sự va chạm của
điện tử với nguyên tử hoặc ion dương
nặng, gọi là bức xạ hãm.
• Bức xạ hãm sẽ sinh ra quang phổ liên tục
Trang 22III Mối quan hệ giữa cường độ, nhiệt độ, mật
Trang 23III Mối quan hệ giữa cường độ, nhiệt độ,
mật độ hạt trong plasma:
thì theo quy luật Bolzamann ta có:
Nm= Na (gm/ g0) exp ( -ΔEmo/k T)
Trang 24Nếu gọi Ia là cường độ của vạch phổ do quá trình kích
thích phổ đã nói ở trên sinh ra,ứng với một nhiệt độ plasma
nhất định ,Ia phụ thuộc vào:
- Số nguyên tử Ao đã bị kích thích
lên trạng thái A*, (Nm)
- Thời gian tồn tại của nguyên tử
Trang 25Đối với một loại nguyên tử và trong một nhiệt độ plasma nhất định thì
các yếu tố Amo, go, gm, Cm, hv là những hằng số
Ia chỉ phụ thuộc vào Na
I a =k N aVới: k = f (l/t m ) A m0 (g m / g 0 ) hν exp ( -ΔE mo /k T)
Như vậy đối với quang phổ nguyên tử, ứng với nhiệt
độ nhất định của plasma, ta tìm được cường độ của phổ, ta có thể tìm được mật độ các nguyên tử trong plasma (Na).
Trang 26Khảo sát nhiệt độ vật đen:
•Người ta tạo ra vật đen bằng cách dùng một bình C có đục một lỗ thủng nhỏ, bên trong bôi đen bằng mồ hóng, (có thể coi là vật
đen),bức xạ khi đi qua lỗ hổng bên trong bình, phản xạ nhiều lần liên tiếp bên trong bình, do đó hầu hết năng lượng bức xạ đều bị hấp thụ Diện tích lỗ hổng vừa là bề mặt hấp thụ, vừa là bề mặt bức xạ.
- Vật đen là những vật hấp thụ hoàn
toàn bức xạ chiếu xạ chiếu tới, đối
với mọi độ dài sóng và đối với mọi
góc tới
- Thực tế không có vật đen tuyệt đối.
Trang 27Đường đặc trưng phổ phát xạ
của vật đen:
• Bức xạ phát ra bởi một vật gồm nhiều đơn sắc, năng lượng phát ra ứng với mỗi đơn sắc không bằng nhau và được đặc trưng bởi hệ số chói năng lượng đơn sắc Eλ
• Đường cong biễu diễn sự biến thiên của Eλ
theo bước sóng λ được gọi là đường đặc trưng phổ phát xạ của vật
Trang 28Ta xác định được đặc trưng phổ phát xạ của vật đen bằng thí nghiệm:
A
C
Đường cong biễu diễn sự biến thiên của độ chỉ trên điện kế G theo độ dài
sóng của bức xạ ra bởi vật đen A chính là đường cong biễu diễn sự biến thiên
của Eλ theo λ hay chính là đường đặc trưng phổ phát xạ của vật đen.
Trang 29Bằng cách thay đổi nhiệt độ cuả vật đen, ta vẽ được
nhiều đặc trưng ứng với nhiều nhiệt độ khác nhau
Nhận xét:
• +Nhận xét đường đặc trưng trên, ta thấy Eλ cực đại ứng với một độ dài sóng λm
• + Năng suất phát xạ toàn phần R tăng rất nhanh theo nhiệt độ T của vật đen
• + Nhiệt độ của vật đen càng cao thì trị số của λm càng tiến
về phía độ dài sóng ngắn.
Trang 30Nhiệt độ bức xạ của vật thực:
• R là năng suất phát xạ toàn phần
• Với các vật đen, năng suất phát xạ toàn phần
Rvđ tuân theo định luật Bolzamann:
Rvđ = T4
• Với các vật thực (không đen) thì năng suất phát xạ toàn phần R < R vđ
Trang 31- Đặt R= b*T 4 , với b là độ đen của vật, phụ thuộc vào tính chất và nhiệt độ của vật ( b <1)
- Nếu ta xét nhiệt độ T ̓ của một vật đen có năng suất phát xạ toàn phần bằng năng suất phát xạ của một vật thực ở nhiệt độ T thì T ̓ là nhiệt độ bức xạ của vật
thực.
Vậy nhiệt độ thực của vật thực là:
Nếu xác định được nhiệt độ bức xạ T ̓ của vật thực, ta suy ra nhiệt độ thực T của nó
Nhiệt độ bức xạ của vật thực:
Trang 32Ứng dụng: Hoả kế quang học:
• Hoả kế dùng để đo các nhiệt độ cao: nhiệt độ của một vật nung đỏ, nhiệt độ của lò luyện
kim….
Trang 33• Chùm bức xạ phát ra từ nguồn A ( đóng vai trò là vật đen như cửa sổ của một lò luyện kim), hội tụ vào một đĩa nhỏ K bằng bạc bôi đen Độ chói của ảnh A ̓ trên đĩa K bằng độ chói của nguồn A Nhiệt độ của đĩa K được đo bằng một cặp nhiệt điện
và một điện kế G có độ nhạy lớn Nhiệt độ này tỉ lệ với độ
chói của ảnh A ̓, do đó tỉ lệ với độ chói của vật đen A Bằng một băng đo mẫu nhiệt độ có sẵn, ta suy ra nhiệt độ của A
Trang 35Nguyên tắc hoạt động:
•Đầu dò được đưa vào trong
plasma
•Sự biến thiên từ trường trong
vòng dây làm điện áp hai đầu của đầu dò thay đổi
•Một máy dao động ký ghi lại sự thay đổi điện áp.
•Dựa vào sự thay đổi điện áp ta biết được sự phân bố từ trường trong plasma
Trang 36Vai trò cảu phương pháp đầu dò từ
•cho biết được sự phân bố cường độ từ trường trong ống
Trang 37I wire
insulator
Trang 38Là một sợi dây kim
mũi nhọn của sợi
dây gọi là đầu dò
Cấu tạo đầu dò Langmuir
Sợi dây kim loại mảnh làm bằng Tungsten hay Modylen,
Trang 39 Điều chỉnh biến trở
→ Uanode-đầu dò thay đổi
→ Iđầu dò thay đổi
Trang 40• Data from the oscilloscope
is then sent to a PC for further analysis.
• Ion as well as electron temp and density can be found from V/I.
• These characteristics are important for setting the
plasma process parameters.
Trang 41Đường đặc trưng Volt - Ampere
Các hạt mang điện khuyếch tán đến thành ống, đặc biệt là các e -> Thành ống tích điện âm
Một lớp mỏng điện tích dương xuất hiện gần bề mặt thành bình,
có tác dụng như lớp vỏ bao lấy plasma, ngăn dòng khuyếch tán ion dương
Thế năng tại lớp vỏ mỏng gọi là thế bao (Sheath Potential)
Khi đưa đầu dò Langmuir vào bên trong plasma, các e bao quanh đầu
dò, hình thành màn chắn tĩnh điện
Màn chắn tĩnh điện này “thu hút” các ion dương và ngăn chặn các e kế tiếp
di chuyển đến đầu dò cho đến khi hệ đạt trạng thái cân bằng
Thế năng tại màn chắn gọi là thế nổi
(Floating Potential) Ký hiệu: Vf
Trang 42Khi plasma ở trạng thái cân bằng, nó có một thế năng
nhất định gọi là thế plasma ký hiệu: Vp
Trang 43Tiêu chuẩn Bohm
Trong vùng điện tích không gian bao quanh đầu dò không
có tái hợp giữa các điện tích.
Trang 44v
x e
e
v
x x
e
dv kT
V V
e v
m v
kT
m en
dv E ef J
1exp
2
2 2
1 2 0
0
exp2
1
exp4
p e
π
Mật độ dòng ion đến đầu dò:
Trang 45 cường độ dòng tổng cộng mà đầu dò thu được:
B e
p i
kT
V V
e v
e n A AJ AJ
2
1 exp
−
=
e
p e
i B
kT
V V e m
M v
en A
Trang 46Miền B: Dòng ion và electron đầu dò thu nhận được:chạm vào nó
2 1
0
84
e i
m
kT n
eA I
I I
π
Thế nổi V f
Trang 47 Miền C: V < Vp, đầu
dò bắt đầu đẩy các e và hút các ion dương về phía đầu dò Chỉ có các
e nào có đủ động năng mới tới được đầu dò
p f
e
m M
V
V e
kT
π
2ln
Trang 48 Miền D: V < Vf , các ion dương có chuyển động
ngẫu nhiên xuyên qua vùng màn chắn tĩnh điện sẽ bị
đầu dò thu nhận, cùng với
nó lớp màn chắn bị mỏng
đi do thế của đầu dò
Nếu V << Vp thì ta phải xét đến sự phát xạ điện tử thứ cấp
và các electron thứ cấp này va chạm mạnh với dòng ion tới
2
1
v Aen
Trang 49 V < Vp : Ie thay đổi theo quy luật hàm mũ (giả thiết hàm phân bố của e là
Maxwell-Boltzmann)
chắn plasma
= I”max hoặc I”(Vp) = 0 (Tiêu chuẩn Druyvesteyn).
Trang 50Xác định các đặc trưng của plasma
e
kT
V V e m
kT eAn
2
2 1
0 π
Từ biểu thức xác định dòng electron đến đầu dò:
2 1
m
kT eAn
I
π
là cường độ dòng electron bão hòa (tại V ≈ Vp)
p e
e
p p
e
p p
e
p e
e
e
p e
e
I I
V V I
I
V V e
kT
kT
V V e I I
kT
V V e I
kT
V V e m
kT eAn
kT
V V e m
kT eAn
I
ln ln
exp 2
ln
ln
2 1 0
2 1 0
π π
(*) (**)
Trang 51Từ đường đặc trưng Volt – Ampe ở hình trên, nếu ta biểu
diễn lại trên trục semi-logarith lnI = f(V), ta sẽ được đường
thẳng với phương trình có dạng biểu thức (*)
Từ đây, ta xác định được nhiệt
độ của electron trong plasma:
Trang 52Nồng độ e hay ion dương
2 1
m
kT eAn
I
π
2
1 0
m
kT eA
I n
π
Từ biểu thức tính cường độ dòng electron bão
hòa:
Với nhiệt độ electron trong plasma đã xác định ở trên,
ta có thể tính được nồng độ electron (hay ion) trong plasma:
Trang 53Typical Langmuir Probe I-V Curves
full I-V curve floating potential
temperature fitting
Density from ion saturation
plasma potential
Trang 54ĐẦU DÒ PHÁT XẠ
(Emissive probe)
1 CẤU TRÚC
Trang 55 Dựa trên nguyên lí cơ bản là: Nếu thế đầu dò
là dương so với thế plasma, các electron
phát ra với năng lượng thấp bị hút trở lại đầu
dò Trong trường hợp này dòng đầu dò là
không thay đổi bởi sự phát xạ ra các
electron Nếu thế đầu dò là âm so với thế
plasma, các electron phát xạ có thể đi vào
plasma
Đ U DÒ PHÁT X Ầ Ạ
2 Hoạt động.
Trang 56• Nếu đầu dò được nung nóng cho đến khi phát xạ ra electron, dòng đầu dò tổng cộng, là một hàm của điện thế đầu dò, được cho bởi công thức:
Tω là nhiệt độ của đầu dò
là công thoát điện tử bề mặt đầu dò φw
Trang 59mà tại đó xuất hiện
điểm uốn trên đường
đặc trưng của đầu dò
phát xạ tương ứng
với thế plasma
Trang 60Phương pháp thế nổi
• Phương pháp này bao gồm việc đo các thế nổi của đầu dò ở các dòng nhiệt khác nhau Khi dòng nhiệt tăng lên, thế nổi của đầu dò sẽ dịch chuyển (tăng) cho đến khi nó đạt giá trị bão hòa ứng với thế
plasma
Trang 61P L A S M A
Sơ đồ mạch điện đầu dò trong plasma
ĐẦU DÒ PHÁT XẠ
Trang 62ĐẦU DÒ FARADAY (Faraday probe)
Đầu dò Faraday là một dụng cụ để đo mật độ dòng điện Các loại đầu dò:
Trang 63Đầu dò có hai bộ phận chính:
* Vành góp
* Vòng bảo vệ
ĐẦU DÒ FARADAY
Trang 64Vành góp
Làm bằng thép không rỉ
Được phun một lớp tungsten để làm giảm sự phát xạ electron thứ cấp từ sự bắn phá ion
Đ U DÒ FARADAY Ầ
Trang 66Hoạt động:
Khi các ion đập vào bề mặt của vành góp, các electron chứa trong phần kim loại của đầu dò Faraday tuôn ra bề mặt đầu dò để trung hòa các ion tập trung trên bề mặt
Các electron di chuyển tạo ra dòng điện đầu dò, dòng này bằng với dòng ion
Mật độ dòng được xác định bởi tỉ số của dòng ion và diện tích của vành góp
J= I/A
ĐẦU DÒ FARADAY
Trang 67Trong thực nghiệm: Người ta sử dụng vôn kế để đo điện thế đầu
dò V, sau đó mật độ dòng sẽ được tính như sau:
j = RA Với : R là điện trở trong
mạch
A là tiết diện đầu dò
Trang 68Đầu dò Faraday trong LVTF
Trang 69Đ U DÒ FARADAY Ầ
Trang 70ĐẦU DÒ FARADAY
Đồ thị thể hiện sự phụ thuộc của mật độ
dòng vào vị trí góc
Trang 71GIAO THOA KẾ VIBA
(MICROWAVE INTERFEROMETRY)
Trang 72Nguyên tắc hoạt động dựa vào sự thay đổi pha của chùm sóng viba khi nó
đi qua cột plasma Sự thay đổi pha tỉ lệ với tích phân mật độ dọc theo
đường dẫn chùm tia.
Sự thay đổi pha được xác định dựa vào giao thoa kế Mach - Zehnder
GIỚI THIỆU CHUNG
Trang 73SƠ ĐỒ HOẠT ĐỘNG
Trang 74GIAO THOA KẾ MACH - ZEHNDER
Gương
Gương bán mạ
Detector
Trang 76Quan hệ giữa pha đo được (rad) và phần thực của chỉ số khúc xạ được cho bởi:
Chỉ số khúc xạ chuẩn
của giao thoa kế
Chỉ số khúc xạ của ống plasma
L: quãng đường truyền của sóng viba trong plasma (m)
SỰ PHỤ THUỘC GIỮA MẬT ĐỘ ELECTRON CỦA PLASMA VÀ ĐỘ DỊCH PHA
Trang 77Khi tần số va chạm nhỏ hơn tần số của sóng viba, ta có phần thực của chỉ số khúc xạ trong plasma không nhiễm từ là:
c
n x x
n
ω µ
ω
Trong đó: n (x) : mật độ electron (electron/m 3 )
nc : mật độ giới hạn (mật độ cắt) (electron/m 3 )
2 0
2
e c
m n
Trang 78Trong hầu hết plasma phóng điện phát sáng: n(x) << nc
(1 4)
( ) 1 ( )
2 c
n x x
Trang 79Mật độ trung bình của electron trong plasma được định nghĩa
Ln cn
πν φ
0 2
4
c e
Trang 80HẠN CHẾ
Vì kích thước plasma thường nhỏ hơn quãng đường tự
do của năng lượng sóng viba
Điều này làm nhiễu hiệu ứng phản xạ và giao thoa của các bức xạ viba
Để khắc phục hạn chế này trong lò phản ứng plasma, cần dùng sóng viba có tần số 60GHz hoặc cao hơn , tuy nhiên trạng thái này rất khó tạo ra trong kỹ thuật
Trang 81
[ ]
2 0
Trang 83Now for a plasma
Trang 84Giao thoa kế microwaves
Trang 85Máy phân tích sự trễ thế
năng
Trang 86H.1 Sơ đồ máy phân tích sự trễ thế năng, được dùng để xác định hàm phân bố năng lượng của các ion đến bề mặt của mẫu.
Trang 883 hệ thống của máy phân tích:
- Hệ thống đẩy (repeller grid): làm vô hiệu các electron
và ion âm đến bản thu.
- Hệ thống làm trễ (retarding grid): tăng thế để đẩy các ion dương di chuyển đến collector.
- Hệ thống hủy electron (electron suppression grid): làm
vô hiệu các điện tử thứ cấp được phát ra từ collector.
Trang 89H.1.2 Hình dạng hình học của máy phân tích sự trễ thế với góc
hình nón θ
Trang 90Khi các ion đến lối vào của máy phân tích,và có phân bố theo vận tốc tuân theo phân bố Maxwell và đẳng hướng trong không gian vận tốc, tổng dòng ion xuyên qua khẩu độ lối vào A0 là:
0 ax
4
i i m
Theo Roth và Clark, khi dòng ion đến đồng nhất trong khỏang từ 0- θ0 và plasma
ở trạng thái ổn định, khi đó dòng ion đến bản thu của máy phân tích sự trễ thế được cho bằng:
Trang 91Hình 1.3 Ví dụ đặc trưng của dữ liệu thô và fit tốt nhất thu được
từ phóng điện Penning áp suất thấp hỗn lọan với thế plasma
Vp=1623V và nhiệt độ động học ion Ti’=1905eV
Trang 92Khi các ion không tuân theo phân bố Maxwell, hàm phân bố năng lượng khi đó trở thành:
M
=
Trong biểu thức (1.4) hàm phân bố ion f(V) được lấy tích phân từ thế plasma
đến thế V của máy phân tích Nếu V →∞ thì khi đó hàm phân bố sẽ được chuẩn hóa