Các loại bộ nhớ bán dẫn

Đặc tính: Được lập trình trước ngay khi vừa xuất Được lập trình trước ngay khi vừa xuất xưởng..  Đặc tính: ROM này cho phép lập trình một lần duy nhất để sử dụng, nếu bị lỗi không thể

Trang 1

Ngày 29 tháng 04 năm 2010.

LỚP K09CTT1

Trang 2

CHỦ ĐỀ: BỘ NHỚ BÁN DẪN - THỰC HIỆN: NHÓM 7 (K09CTT1)

RAM

PLD

Trang 3

ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN

CHỦ ĐỀ: BỘ NHỚ BÁN DẪN – LỚP: K09CTT1 - NHĨM 7 29/04/2010

GIẢN ĐỒ THỜI GIAN PHÂN LOẠI

Trang 4

4

MROM 1.1

Tên đầy đủ: Mask Programmed Read-Only Memory.

Đặc tính: Được lập trình trước ngay khi vừa xuất Được lập trình trước ngay khi vừa xuất

xưởng

Linh kiện: Diod, transitor BJT, MOSFET.Diod, transitor BJT, MOSFET

Trang 5

5

MROM 1.1

Trang 6

6

MROM 1.1

Trang 7

7

MROM 1.1

Trang 8

8

PROM 1.2

 Tên đầy đủ: Programmable Read-Only Memory.

 Đặc tính: ROM này cho phép lập trình một lần duy

nhất để sử dụng, nếu bị lỗi không thể sửa chữa được

 Linh kiện: Transitor BJT – cầu chì, MOSFET – cầu

chì, Diod – Diod

Trang 9

9

PROM 1.2

Trang 10

10

EPROM 1.3

 Tên đầy đủ: Ultra Violet Erasable

Trang 11

11

EPROM 1.3

U V

Trang 12

12

EPROM 1.3

Trang 13

13

EPROM 1.3

Trang 14

14

EEPROM 1.4

 Tên đầy đủ: Electrically Erasable PROM.

 Đặc tính: Lập trình được và xóa được nhờ xung

điện Đặc biệt là có thể xóa để sửa trên từng byte

 Linh kiện: transistor MNOS (Metal Nitride Oxide

Semiconductor)

Trang 15

15

EEPROM 1.4

Trang 16

16

Flash ROM 1.5

Truy xuất nhanh

Nạp lại dễ dàng

EPROM

Mật độ tích hợp thấp, giá thành cao

Khó khăn trong việc nạp lại

FLASH ROM

Trang 17

17

Giản đồ thời gian của ROM1.6

Đọc: Tất cả các loại ROM

Trang 18

18

Giản đồ thời gian của ROM1.6

Nạp: Trừ MROM

Trang 19

Trang 20

20

Trang 21

21

Trang 22

22

Trang 23

23

Trang 24

24

Trang 25

Trang 26

• Cả 2 loại đều “bay hơi” (volatile)

• Cần thiết cấp nguồn để lưu giũ liệu.

Trang 27

27

• Bit dữ liệu được lưu trữ khi các transistor

đóng/mở

• Không hao hụt điện tích, không cần làm tươi

• Cấu trúc phức tạp, kích thước tế bào (lưu trữ

1 bit) lớn.

• Giá thành cao, không cần mạch làm tươi

• Nhanh hơn, thích hợp dùng làm cache

Trang 29

29

Trang 30

30

Trang 31

31

3.3 Gi n đ th i gian c a SRAMGi n đ th i gian c a SRAMả ả ồ ồ ờ ờ ủ ủ

Tác vụ đọc

Trang 32

32

Tác vụ viết

Trang 34

34

Mỗi tế bào RAM động được chế tạo từ một tụ

và một transistor đơn.

Trang 35

35

Sử dụng DRAM, được một thuận lợi là dung lượng nhớ khá lớn nhưng phải có một số mạch phụ trợ:

- Mạch đa hợp địa chỉ vì DRAM luôn sử dụng địa chỉ hàng và cột

- Mạch làm tươi để phục hồi dữ liệu có thể bị mất sau một khoảng thời gian ngắn nào đó

Trang 36

36

Trang 37

37

Trang 38

38

Lấy thí dụ với DRAM có dung lượng 16Kx1 (16.384 tế bào).

Chu kỳ làm tươi là 2 ms cho 16.384 tế bào nhớ thời gian đọc mỗi tế bào nhớ phải là 2 ms/16.384 = 122 ns

với một tế bào nhớ, tất cả các tế bào nhớ trên cùng một hàng sẽ được làm tươi

Trang 39

39

Trang 40

40

Tiêu đề	Bộ Nhớ Bán Dẫn – Thực Hiện: Nhóm 7 (K09CTT1)
Trường học	Đại Học Quốc Gia TP.Hồ Chí Minh
Chuyên ngành	Các Loại Bộ Nhớ Bán Dẫn
Thể loại	Bài viết về các loại bộ nhớ bán dẫn
Năm xuất bản	2010
Thành phố	TP.Hồ Chí Minh

Định dạng
Số trang	41
Dung lượng	6,63 MB