Các phương pháp doping: Phương pháp hóa học chemical doping Phương pháp điện hóa electrochemical doping Độ dẫn điện cố định Phương pháp kích thích quang học photo – doping by
Trang 1LOGO
CÁC LOẠI
VẬT LIỆU BÁN DẪN
Learn from yesterday, live for today, hope for tomorrow
The important thing is not to stop questioning
Trang 3www.themegallery.com
I Sơ lược
điện và điện môi
yếu tố bên ngoài như nhiệt độ, điện trường, tạp chất, quang…
đổi độ dẫn của chất bán dẫn
Trang 4II Chất bán dẫn hữu cơ
Trang 5 1975, tiến sĩ Shirakawa tổng hợp được PA ở dạng phim màu bạc
1976, giáo sư Alan MacDiarmid và Alan Heeger cho khí Iot hấp thụ vào phim PA tăng độ dẫn điện lên
1 tỷ lần
2000, Shirakawa, MacDiarmid và Heeger được nhận
giải Nobel hóa học cho sự khám phá và phát triển polymer dẫn điện
II.1 Giới thiệu
Trang 6Hình: cấu trúc của những polymer dẫn điện (bán dẫn hữu cơ) quan trọng
Trang 8 Doping là quá trình đưa thêm một số tạp chất (dopant) hay tạo ra một số sai hỏng
Có tác dụng bù điện tích cho chuỗi polymer và duy trì nó ở trang thái cân bằng
II.2 Doping
Trang 9Các phương pháp doping:
Phương pháp hóa học (chemical doping)
Phương pháp điện hóa (electrochemical doping)
Độ dẫn điện cố định
Phương pháp kích thích quang học (photo – doping by
photo – excitation)
Chỉ kéo dài trong thời gian kích thích
Phương pháp phun điện tích qua cấu trúc kim loại –
điện môi – bán dẫn (MIS)
Trang 10II.3 Đặc điểm
Những nối carbon liên hợp – C = C – C = C –
Sự có mặt dopant (iot, clo, hơp chất vô cơ,…)
Polymer trở nên dẫn điện
Trang 11II.4 Tính chất
Trang 12II.4.1 Tính chất điện
Cơ chế dẫn điện:
Chuyển động của các sai hỏng
Điện tích di chuyển bằng bước nhảy (hoping)
Trang 14II.4.2 Tính chất quang
Tính quang dẫn khá mạnh
Hấp thụ: xảy ra trong vùng ánh sáng khả kiến
Độ nhạy quang và phổ nhạy quang phụ thuộc vào công nghệ chế tạo và gia công nhiệt
Trang 15II.5 Vùng năng lượng
Trong bán dẫn hữu cơ có 2 mức năng lượng:
𝜋 chiếm đầy điện tử vùng hóa trị (HOMO)
𝜋∗ không chiếm đầy vùng dẫn (LUMO)
Khoảng cách giữa LUMO và HOMO: năng lượng vùng cấm
Hầu hết bán dẫn hữu cơ có năng lượng vùng cấm 1,5
~ 3 eV
Trang 16II.6 Ưu điểm
Giá thành thấp
Có thể chế tạo được diện tích lớn
Đáp ứng tính chất quang và điện đặc biệt
Dẻo, nhiều màu
Trang 17II.7 Nhược điểm
Độ ổn định chưa cao
Khó kiểm soát độ dày màng
Độ linh động thấp
Trang 18II.8 Ứng dụng
Ứng dụng tính chất điện:
Chế tạo các thiết bị điện – điện tử
Chế tạo lớp chuyển tiếp p – n, các đi ốt
Chế tạo nhiệt điện trở
Chế tạo các cảm biến sinh học
Sử dụng như một pin nhiệt điện, các bộ làm lạnh nhiệt điện
Trang 19Ứng dụng tính chất quang và quang điện:
II.8 Ứng dụng
Chế tạo detector hồng ngoại
Chế tạo các quang dẫn, tế bào quang điện, pin mặt trời
Trang 20III Chất bán dẫn oxit kim loại
Trang 21Giới thiệu
Các oxit bán dẫn là vật liệu mà trong đó các hạt kim loại được chuyển đổi qua lại tương đối dễ dàng giữa hai trạng thái hóa trị Điều này có thể là giữa hai trạng thái oxi hóa khác nhau, hoặc sự chuyển đổi giữa ion dương và kim loại trung tính
Trang 22TiO 2
Đại đa số các oxit kim loại đều là chất bán dẫn
Trang 24ZnO
2 Tính chất
ZnO được xếp vào loại vật liệu mềm, độ cứng vào khoảng 4.5
ZnO có khả năng dẫn nhiệt và chịu nhiệt tốt, ít bị giãn nở vì nhiệt,
nhiệt độ nóng chảy cao (1975 0 C)
ZnO trong tự nhiên là bán dẫn loại n
Độ linh động của điện tử cao (đạt cực đại ~2000cm2/V.s ở 80K)
Độ rộng vùng cấm lớn (~3.4eV ở nhiệt độ phòng)
Trang 25Cấu trúc tinh thể của ZnO a) Wurtzite b) Zinc Blende
ZnO
Trang 26ZnO
3 Cấu trúc vùng năng lượng
Sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng của ZnO
Trang 27ZnO
3 Cấu trúc vùng năng lượng
Giản đồ năng lượng của ZnO khối Các mức donor gồm
VO •, VO •• , VO x và Zni •, Zni ••, Zni x, mức aceptor là VZn ’’, VZn ’
Trang 28ZnO
4 Ứng dụng
ZnO được ứng dụng rộng rãi trong công nghệ chế tạo màn hình tinh thể lỏng (LCD), các loại kính chống nhiệt, pin, thiết bị áp điện, bia gốm, phẩm nhuộm…
Đối với ngành công nghiệp điện tử, ZnO là thành phần chủ yếu của hầu hết các loại linh kiện bán dẫn như diode, transistor , LED…
ZnO còn được sử dụng trong chế tạo cảm biến khí
Trang 291 Cấu trúc tinh thể
SnO2 có cấu trúc tinh thể kiểu Rutile
Ô đơn vị chứa sáu nguyên tử: hai thiếc và bốn Oxi
Bao quanh mỗi nguyên tử thiếc có sáu nguyên tử Oxi Các nguyên tử Oxi tạo thành hình bát diện có tâm là nguyên tử thiếc
Tinh thể SnO2 thuộc hệ tứ phương có hằng số mạng a = b = 4,738 Ao , c = 3,187 Ao
Trang 30SnO2
Trang 31 SnO2 được biết đến như một bán dẫn loại n
Màng SnO2 có độ truyền qua cao (trên 80%)
Độ rộng vùng cấm vào khoảng từ 3.87eV đến 4.3eV
Trang 323 Cấu trúc vùng năng lượng
Cấu trúc vùng năng lượng SnO2 theo tính
toán bằng mô phỏng
Trang 333 Cấu trúc vùng năng lượng
Giản đồ năng lượng của khối SnO2
Trang 351 Cấu trúc tinh thể
WO3 có cấu trúc perovskit
WO3 hình thành trên cơ sở một ion W ở tâm kết
hợp với 6 ion oxy tại 6 đỉnh tạo thành khối bát diện
Trang 361 Cấu trúc tinh thể
Trên thực tế, trong màng WO3 tồn tại những vị trí
khuyết Oxi thường mang cấu trúc bát diện chung cạnh như WO2
Hình thành các kênh ngầm dãn rộng với thiết diện lục
giác hay ngũ giác
Trang 383 Cấu trúc vùng năng lượng
WO3
Sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng của tinh thể
WO3, WO2
Trang 394 Ứng dụng
Chế tạo màng điện sắc, cửa sổ thông minh
Linh kiện hiển thị
Kính chống lóa…
Trang 40IV Chất bán dẫn từ
Trang 41IV.1 Định nghĩa
Chất bán dẫn từ là loại vật liệu thể hiện đồng thời tính bán dẫn
và tính sắt từ bằng cách điều khiển trạng thái spin của điện tử
Chất bán dẫn từ pha loãng (dilute magnetic semiconductor) được nghiên cứu dựa trên việc pha tạp kim loại chuyển tiếp (Mn, Fe, Co,…) hoặc các nguyên tố đất hiếm vào chất bán dẫn bình thường để tạo nên tính chất từ cho nền
Tính chất bán dẫn từ phụ thuộc vào độ hòa tan của kim loại pha tạp vào chất bán dẫn nền
Trang 42IV.2 Phân loại
Chất bán dẫn từ thể hiện tính sắt từ:
In1-xMnxAs (Tc =50 - 100K), Ga1-xMnxAs (Tc =100 – 200K), In
1-x MnxSb (Tr) (III-V)
Pha tạp Mn, Co, Fe vào oxit kim loại
• Co pha tạp vào TiO2 (Tc > 400K)
• Cr ph tạp vào TiO2 rutile (Tc > 400K)
• Fe pha tạp vào TiO2 (Tr)
• Mn pha tạp vào SbO2 (Tc > 340)
• Fe pha tạp vào SbO2 (Tc > 340)
• Mn, Co pha tạp vào ZnO
Chất bán dẫn từ thể hiện tính phản sắt từ: Mn pha tạp vào ZnSe, CdTe, CdS (II-VI)
Trang 43IV.3 Đăc điểm
Khi thay thế nguyên tố kim loại chuyển tiếp (Mn, Co…) vào chất bán dẫn chủ, một phần cation của chất chủ được thay thế bởi ion từ tính
Các nguyên tố pha tạp với trạng thái d hoặc f chưa lấp đầy, sẽ tồn
tại các điện tử chưa tạo cặp, điều này ảnh hưởng tới tính chất từ của vật liệu
Trang 44 Chất bán dẫn từ được ứng dụng rộng rãi trong các linh kiện
spintronic như thiết bị ghi nhớ thông tin
Khả năng điều khiển tính chất từ dựa vào spin cho phép chế tạo
các linh kiện như diode phát quang spin, transistor trường spin,
qubit spin cho máy tính lượng tử
IV.4 Ứng dụng
Trang 45V Bán dẫn hợp chất vô cơ
Trang 47 Cấu trúc tinh thể: 3 cấu trúc kim cương (D), zinc-bland (Z), wurtzire (W) đều thuộc loại cấu trúc tứ diện
Trong cấu trúc kim cương thì nguyên tử ở tâm và nguyên tử ở 4 đỉnh tứ diện là cùng loại
Trong cấu trúc Z và W thì nguyên tử ở tâm là khác loại với 4 nguyên tử
ở đỉnh tứ diện
Cấu trúc D và Z thuộc mạng lập phương tâm mặt, các tứ giác là đều và
2 tứ diện cạnh nhau quay tương đối với nhau 1 góc 60˚ Cấu trúc W thuộc dạng lục giác nhưng nguyên tử vẫn sắp xếp dạng tứ giác không đều
Trang 48V.1 Bán dẫn hợp chất 𝑨 𝑰𝑰𝑰 𝑩 𝑽
Trang 49 Liên kết hóa học: trong bán dẫn nguyên tố nhóm IV là liên kết đồng hóa trị
Liên kết được thực hiện bằng 1 đôi điện tử có spin ngược chiều nhau, phân bố ở khoảng giữa 2 nguyên tử, đóng vai trò như một cái “cầu điện tử” nối 2 nguyên tử
Ngoài ra, trong cấu trúc Z và W còn có thể có cơ chế
liên kết khác như liên kết dị thể (heteropolar), liên kết ion
Trang 50 Cấu trúc vùng năng lượng: về cơ bản giống với cấu trúc vùng năng lượng của các chất bán dẫn thuộc nhóm IV Si, Ge Vùng dẫn và vùng hóa trị đều gồm các vùng con chồng lên nhau
Cấu trúc Z có những điểm đặc biệt:
Mặt đẳng năng ở lân cận cực đại vùng hóa trị và cự tiểu vùng dẫn đều là những
mặt cầu
Trong vùng hóa trị cũng có 3 nhánh ứng với lỗ trống nặng, lỗ trống nhẹ, và lỗ
trống trung bình Trong đó nhánh lỗ trống trung bình nằm ở tâm vùng Brillouin
Các chất 𝐴𝐼𝐼𝐼𝐵𝑉 có thể có vùng cấm thẳng như GaAs, InSb… hoặc vùng cấm xiên như AlP, GaP, AlSb
Khối lượng hiệu dụng thường nhỏ và là đại lượng vô hướng
Trang 51V.1 Bán dẫn hợp chất 𝑨 𝑰𝑰𝑰 𝑩 𝑽
Trang 52Dung dịch rắn của hợp chất 𝐴𝐼𝐼𝐼𝐵𝑉: để tạo thành dung dịch rắn thông thường chất hòa tan và chất bị hòa tan phải có những tính chất sau:
1 Kích thước nguyên tử chất hòa tan và chất bị hòa tan tương đối gần
nhau Sự khác nhau về bán kính nguyên tử không quá ±15
2 Chất hòa tan và chất bị hòa tan có cùng loại cấu trúc tinh thể
3 Về phương diện điện hóa, chất hòa tan và chất bọ hòa tan phải có
sự tương đồng
4 Thông thường một kim loại thường có xu hướng hòa tan mạnh các
kim loại nào có hóa trị lớn hơn so với kim loại có hóa trị nhỏ hơn
Trang 55Ứng dụng :
• Chế tạo các linh kiện quang điện tử: LED, diode laser, các photo-ditector, các linh kiện điện tử hoạt động nhanh…
• Chế tạo các linh kiện công suất cao hoạt động ở nhiệt
độ cao
• Cho phép thiết kế những vật liệu bán dẫn vùng cấm thẳng kéo dài từ vùng khả kiến tới vùng tử ngoại
Trang 57 Cấu trúc tinh thể: lập phương giả kẽm Z và lục giác
W, trong đó có sự sắp xếp đặc trưng tứ diện như trong nhóm các nguyên tố nhóm IV
Trong cấu trúc giả kẽm, một ô cơ bản có 4 phân tử ZnS có toạ độ :
Trang 58Trong cấu trúc Z, một ô cơ bản có 2 phân tử có tọa độ
Trang 59 Liên kết hóa học: các hợp chất này có cấu trúc tứ diện
và 2 nguyên tử cạnh nhau có tổng số điện tử hóa trị là
8, tức số điện tử trung bình là 4 giống Si và các hợp chất 𝐴𝐼𝐼𝐼𝐵𝑉 Do đó người ta giả thiết rằng liên kết hóa học trong hợp chất 𝑨𝑰𝑰𝑩𝑽𝑰 một phần là liên kết đồng hóa trị và một phần là liên kết ion
Điện tích hiệu dụng e* đặc trưng cho liên kết hóa học, điện tích hiệu dụng càng lớn thì thành phần ion trong liên kết càng lớn Điện tích hiệu dụng của Si bằng 0
Trang 60 Cấu trúc vùng năng lượng :Với tinh thể giả kẽm vùng Brillouin có dạng một khối
14 mặt Với tinh thể loại lục giác vùng Brillouin có dạng khối lăng trụ 4 mặt
Với cấu trúc giả kẽm :
Trang 61Tính chất :
Các hợp chất của 2 kim loại Zn và Cd với 3 nguyên tố S, Se,
Te có tính chất điện tử và quang học quan trọng Chúng dễ dàng tạo thành dunh dịch rắn liên tục, có thể “điều chỉnh” nhiều tính chất khác nhau
Các hợp chất 𝐴𝐼𝐼𝐼𝐵𝑉 phổ biến có tính dẫn loại n, trừ ZnTe là bán dẫn loại p
Bán dẫn hợp chất 𝐴𝐼𝐼𝐼𝐵𝑉 thường có hiệu suất phát xạ hay hấp thụ sóng điện từ cao Vì thế mà chúng có tính chất quang quan trọng,
Trang 62Ứng dụng :
Sử dụng để chế tạo màu huỳnh quang trong các thiết bị hiển thị
Chế tạo photodetector trên cơ sở hệ 𝐻𝑔1−𝑥𝐶𝑑𝑥Te
Chế tạo các cửa sổ bảo vệ và các tế bào quang điện, detector hạt nhân (CdTe)
Chế tạo pin mặt trời từ vật liệu CdS, CdTe
Chế tạo các diode phát quang sóng ngắn, các hệ quang-điện tử tích hợp với silic và GaAs…
Trang 63LOGO
Imagination is more important than knowledge
A.Einstein