đề thi kỹ thuật điện tử

đề thi kỹ thuật điện tử

Câu 1 (2,5đ):

a- (0,25đ) Một tiếp xúc P-N có điện thế nhiệt VT(250C) xấp xỉ 26mV Tính VT(1200C):

-

- -

-

b- (0,5đ) Giả sử một Diode chỉnh lưu có phương trình đặc tuyến(VI) là ID (mA) = 25VD2, và điện áp phân cực tĩnh tại điểm Q là VDQ = 0,6V Tính điện trở động rd:

-

-

c- (0,25đ) Giả sử phương trình đường tải tĩnh (DCLL) của Diode là 20(V) = 5(KΩ).ID + VD(V), và điện áp phân cực tĩnh tại Q là VDQ = 0,7V, Tính điện trở động rd:

-

-

d- (0,25đ) Tác động một điện trường E(V/m) lên một thanh bán dẫn có tiết diện A(m2), xuất hiện dòng điện trôi có cường độ là I (A) Tính điện dẫn suất của thanh bán dẫn?

-

-

-

e- (0,25đ) Viết các hệ thức dòng điện trong BJT, cho biết điều kiện áp dụng:

-

- f- (0,5đ) Dòng điện cực phát của một BJT là 5mA Giả sử 1% hạt dẫn bị tái hợp trong miền nền và dòng rò ICBO là 1 µA Tính chính xác giá trị β:

-

-

-

- -

g- (0,25đ) Vẽ ký hiệu cho Diode Zener, và cho biết điều kiện để Zener hoạt động trong vùng ổn áp:

-

- h- (0,25đ) Dòng điện rò của một tiếp xúc PN ở 250C là 2µA Tính dòng điện rò khi nhiệt độ tăng đến 1000C:

-

-

Câu 2 (2,5đ): Mạch như Hình-2:  E = 10V, Vi(mV) = 50 sin(1000 t)  Điện trở: R1 = 1KΩ, R2 = 4KΩ và RL = 2,2KΩ  Diode D : Si (Vγ = 0,7V), VT = 26mV a- (1đ) Viết phương trình DCLL cho Diode D: Hình-2 -

-

-

-

b- (1,5đ) Viết biểu thức dòng điện tức thời iD(t) (mA) chảy qua Diode:

-

-

- -

-

-

D

D

(t) Vi

R1

i

E

Câu 3 (2,5đ): Mạch như Hình-3 có: R = 25Ω, RL = 100Ω, VZ = 15V

Điện áp DC ngõ vào Vi biến thiên từ 10V đến 25V Tính:

a- (1đ) Dòng điện qua tải RL khi Vi = 16V:

-

- Hình-3 - -

-

b- (1,5đ) Công suất cực đại Pmax(W) của DZ:

-

- -

-

-

Câu 4 (2,5đ): Mạch khuếch đại như Hình-4a: BJT loại Si (VBE = Vγ = 0,7V), β = 120; +Vcc = +20V; R1 = 40KΩ, R2 = 10KΩ, Rc = RL = 1,5KΩ, Re = 500Ω; các tụ điện có giá trị rất lớn; nguồn tín hiệu vào Vs có nội trở Rs = 600Ω; VT ≈ 26mV Hình-4a Hình-4b a- (1,5đ) Tính, viết phương trình, và vẽ đường tải DCLL, acLL, điểm Q vào Hình-4b (ghi rõ các giao điểm của DCLL, acLL với các trục dòng, áp; tọa độ điểm Q) bằng cách lấy gần đúng ICQ ≈ IEQ :

- -

-

-

-

-

-

+

RL D

-R

is

Rs

-0 VL

Vs

+

Co

R2

Vce(V) RL

R1

+Vcc

Ce

Rc

Re

Ic(mA)

iL

-

- -

-

-

-

- -

-

b- (1đ) Tính điện trở vào ac của BJT, ký hiệu là hie (hay β.re), và vẽ sơ đồ tương đương thông số h cho mạch khuếch đại (chú thích rõ các ký hiệu và giá trị trên sơ đồ):

-

-

-

-

-

-

-

-