Câu hỏi trắc nghiệm điện tử công suất doc

Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì dòng điện chỉnh lưu trung bình quatải

Trang 1

CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM MÔN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT_NEW

F F

T =

c

T

t I V

P T = R R off d P T V F I F (t swon t swoff)f

6 Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được

dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn nên

a Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

b Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

c Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

d Cả ba câu trên đều đúng

7 Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất

a Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng nhỏ độ lợicàng nhỏ

b Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợicàng lớn

c Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp dotransistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

8 Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) khi dẫn bảo hoà sẽ là

T

t I V I V

B BEbh CM

CEbh

T

t I V

P ON = CC r off

T

t I V I V

P ON = CEbh CM + CEbh B on d

T

t I V

P ON = CC CM on

9 Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) ngưng dẫn và dòng rỉ rất bé công thức

nào sau đây là chính xác nhất

T

t I V I V

P OFF = CEbh CM + BEbh B off b

T

t I V

P OFF = CC r off

Trang 2

c ( )

T

t I V I V

P OFF = CEbh CM + CEbh B off d

T

t I V

CM CC OFF =

10 Năng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là

a W SW = V CEM.I CM(t swon +t swoff )

3

1

b W SW = V CEM.I CM(t swon +t swoff)

61

c W SW = V CEM.I CM(t swon +t swoff)

2

1

d W SW =V CEM.I CM(t swon +t swoff )

11 Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là

a P T = P ON +P OFF +P SWON b P T =(P ON +P OFF +W SW)

c P T = P ON +P OFF +W SW f d P T =(P ON +P OFF +W SW)f

12 Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất

a Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp n-p để cấp dòng lớn

b Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là vmosfet để cấp dòng lớn

c Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

13 Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất

a Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ)

b Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGScở vài chục volt

c Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz)

14 Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất

a Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

b Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

c Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJTcông suất

d Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

15 Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là

a

T

t R I

P ON = D2 DSon off b

T

t R I

P ON = D2 DSon on

c

T

t I V

DR DS

T

t I V

P OFF = D2 DSon off b

T

t R I

DSon D OFF

DR DS

T

t I V

P OFF = DSmax DR off

17 Năng lượng tổn hao của mosfet công suất sẽ là

max d W SW =V DSmax.I D(t swon +t swoff )

18 Công suất tổn hao của mosfet công suất trong thời gian giao hoán là

a P SW =P ON +P OFF +P SWON b P SW =(P ON +P OFF +W SW)

c P SW =(W SWon +W SWoff)f d P SW =(P ON +P OFF +W SW)f

19 Công suất tổn hao tổng cộng của mosfet công suất là

a P T = P ON +P OFF +P SW b

T

t I V

D DS

T =

c

T

t I V

P T = CD D off d P T V DS I D(t swon t swoff)f

6

1

=

Trang 3

a Một cách b Hai cách c Ba cách d Bốn cách

21 Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac

a Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trườnghợp dòng qua triac âm

b Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trongtrường hợp dòng qua triac âm

c Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trườnghợp dòng qua triac âm

d Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trườnghợp dòng qua triac âm

22 Phát biểu nào sau đây thì đúng cho cách kích triac

a Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơnbằng điện AC

b Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơnbằng điện DC

c Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơnbằng điện DC

d Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằngxung

23 Phát biểu nào đúng cho SCS (silicon controlled switch)

a Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng

b Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng

c Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điềukhiển đóng hoặc ngắt

d Các phát biểu trên đều đúng

24 Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch)

a Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAKâm và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCSngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA

b Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAKdương và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốnSCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK

c Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAKdương và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốnSCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA

d Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAKâm và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCSngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK

25 Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (gate turn off SCR)

a GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực GA

b GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc song songvới cực điều khiển đóng

c GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện vớicực điều khiển đóng

d Các phát biểu trên đều sai

26 Mạch bảo vệ GTO hình vẽ có nhiệm vụ

a Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dt khi đóng GTO

b Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dt khi ngắt GTO

c Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dt khi đóng GTO

d Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dt khi ngắt GTO

27 Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)

Trang 4

a IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR vàđiện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

b IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS vàđiện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

c IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn củatransistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

d IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac vàđiện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

28 Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)

a Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

b Tần số làm việc cao (vài kHz)

c Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 s)

d Các phát biểu trên đều đúng

29 Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất.

32 Linh kiện nào sau đây là TRIAC

b a

33 Linh kiện nào sau đây là GTO

b

34 Linh kiện công suất là linh kiện có:

a Có hình dạng và kích thước lớn b Dễ ghép với nhôm tản nhiệt

c Làm việc với dòng lớn, áp lớn d Cả ba câu trên đều đúng

35 Mạch điều khiển công suất làm việc với điện áp lớn cần sử dụng linh kiện nào sau:

Trang 5

39 SCR được phân cực thuận và kích bằng xung có độ rộng 1µs thì:

a Chuyển sang trạng thái dẫn b Có thể dẫn nếu xung có biên độ lớn

40. Để SCR chuyển từ trạng thái ngưng dẫn sang dẫn hoàn toàn sau khi được phân cực thuận

và được kích dẫn còn phải:

a Duy trì tín hiệu kích b Điện áp phân cực phải được tăng

41 Trong các loại linh kiện sau đây loại nào không phải là loại công suất

42 Transistor công suất thường được sử dụng trong các mạch

a Như các công tắc đóng ngắt các mạch điện

b Mạch công suất lớn

c Mạch chịu nhiệt độ cao

d Mạch công suất có tần số cao

43 SCR sẽ bị đánh thủng khi :

a Dòng kích cực cổng cực đại

b Điện áp đặt trên anode-catot là âm

c Điện áp đặt trên anode-catot là dương

d Điện áp đặt trên anode-catot là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại

44 Các phần tử bán dẫn công suất sử dụng trong các mạch công suất có đặc tính chung là :

a Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương lớn, khi khóa thì điện trở

tương đương nhỏ

b Khi mở cho dòng chảy qua hay khi khóa thì điện trở tương đương không thay đổi

c Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương nhỏ, khi khóa thì điện trở

tương đương lớn

d Cả ba câu kia đều sai

45 Dòng điện rò :

a Có giá trị rất nhỏ, vàiµA

b Có giá trị nhỏ, vài mA

c Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực thuận, có giá trị nhỏ, vài A

d Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực nghịch, có giá trị nhỏ, vài mA

46 Diode là phần tử bán dẫn công suất cấu tạo bởi :

47 Điện trường nội Eitrong diode :

a Có chiều hướng từ vùng p sang vùng n

b Có chiều hướng từ vùng n sang vùng p

c Có chiều phụ thuộc vào phân cực thuận hay phân cực nghịch

d Tất cả đều sai

48 Diode dẫn dòng điện từ anode sang catot khi :

a Phân cực ngược

b Phân cực thuận

Trang 6

c Điện trở tương đương của diode lớn.

d Cực dương của nguồn nối với catot, cực âm của nguồn nối với anode

49 SCR cấu tạo từ :

50 Tín hiệu điều khiển SCR :

c Là 1 xung bất kỳ d Là 1 xung dương có độ rộng định trước

51 Dòng điều khiển mở SCR :

a Đi ra khỏi cực điều khiển

b Đi vào cực điều khiển

c Nhỏ hơn giá trị dòng điện nhỏ nhất

d Lớn hơn giá trị dòng điện chảy qua SCR

52 Để SCR dẫn ta:

a Chỉ cần điện áp phân cực thuận lớn hơn 0 volt

b Kích vào cực G, điện áp phân cực không quan trọng

c Phải đảm bảo có tín hiệu kích và điện áp phân cực

d Có tín hiệu kích âm và điện áp phân cực dương

53 Khi dòng điều khiển IG= 0:

a SCR không dẫn

b SCR sẽ dẫn cưỡng ép khi UAK> Uthuận max

c SCR sẽ bị đánh thủng khi UAK> Uthuận max

d Điện trở tương đương của SCR rất nhỏ

54 Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng :

a Dòng qua anode – catot SCR nhỏ hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếptục

b Dòng qua anode – catot SCR bằng giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục

c Dòng qua anode – catot SCR lớn hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếptục

d Tất cả đều sai

55 Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng :

a Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn

b Kích 1 xung âm vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn

c Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR dẫn tiếp tục

d Xung kích mất tác dụng điều khiển

56 Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng, để SCR ngưng dẫn :

a Giảm dòng anode – catot về dưới mức dòng duy trì

b Đảo chiều điện áp trên anode – catot ngay lập tức

c Giảm dòng anode – catot về dưới mức dòng duy trì hoặc đặt điện áp ngược lên SCRsau 1 thời gian phục hồi

d 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3 và đối xứng nhau qua gốc tọa độ

58 Triac là linh kiện bán dẫn có khả năng :

a Dẫn dòng theo cả 2 chiều

b Ứng dụng trong mạch công suất điều chỉnh điện áp DC

c Tương đương với 2 SCR đấu song song

d Tương đương với 2 SCR đấu ngược chiều nhau

59 Triac thì:

Trang 7

b Giống như 2 SCR ghép song song nhưng ngược chiều nhau.

c Giống như 2 SCR ghép song song

d Giống như 1 SCR

60 Triac :

a Điều khiển mở dẫn dòng bằng xung dương

b Điều khiển mở dẫn dòng bằng xung âm

c Điều khiển mở dẫn dòng bằng cả xung dương và xung âm

d Điều khiển mở dẫn dòng bằng 1 xung dương và 1 xung âm liên tiếp

61 SCR là phần tử :

a Điều khiển hoàn toàn

b Có thể điều khiển khóa bằng cực điều khiển

c Điều khiển không hoàn toàn

d Có thể điều khiển mở và khóa bằng cực điều khiển

62 Để có dòng điện chảy qua SCR thì :

a Điện áp anode phải dương so với catot

b Điện áp anode phải âm so với catot

c Cần có tín hiệu kích cho cực cổng

d Cả a và c

63 Cực cổng của SCR dùng để :

c Điều khiển dòng điện qua SCR d Điều khiển điện áp trên catot

64 SCR dùng trong mạch điều khiển pha có thể nhận nhiều xung trong một chu kỳ Với xung

đầu tiên mở SCR, và xung thứ 2 để :

c Tăng dòng điện chảy qua SCR d Không có ảnh hưởng gì

65 Trong mạch SCR điều khiển pha toàn kỳ khi góc kích tăng từ 0 lên 900thì điện áp chỉnh lưutrung bình trên tải sẽ :

66 Khi đã được kích, dòng điện qua triac sẽ :

a Xuất hiện khi điện áp anode 2 là âm so với anode 1

b Xuất hiện khi có tín hiệu cổng

c Xuất hiện khi điện áp anode 2 là dương so với anode 1

d Câu b thì đúng

67 SCR sẽ bị đánh thủng khi :

a Dòng kích cực cổng cực đại

b Điện áp đặt trên anode-catot là âm

c Điện áp đặt trên anode-catot là dương

d Điện áp đặt trên anode-catot là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại

68 Diac là linh kiện đóng ngắt bằng :

a Diode có công suất lớn, thời gian này bằng không

b Diode có thời gian chuyển tiếp do sự phục hồi của các hạt tải trong nối pn

c Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch

d Diode có dòng giảm từ IFđến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode

70 Thời gian chuyển tiếp của diode là thời gian

a Diode có dòng giảm từ IFđến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode

Trang 8

b Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếmlàm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến IRM

c Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số IRMrồi lại trở về 0

d Diode dòng IF= 0

71 Thời gian tích trử của diode là thời gian

d Diode dòng IF= 0

72 Thời gian phụ hồi nghịch của diode là thời gian

1

++

= G CBO CBO

A

I I

I

( 1 2)

2 1

2

++

= G CBO CBO A

I I

( 1 2)

2 1

2

++

= G CBO CBO

A

I I

I

( 1 2)

2 1

2

++

= G CBO CBO A

I I

74 Cách làm tăng dòng IAđể làm SCR từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn Phát biểu nào sauđây là đúng

a Tăng điện thế Anot→làm tăng dòng rỉ ICBO→làm xảy ra hiện tượng huỷ thác( 1 + 2)→1

b Tăng dòng IGđể các transistor (mạch tương đương) nhanh chóng đi vào trạng thái dẫnbảo hoà

c Tăng nhiệt độ các mối nối bên trong SCR, hay tăng tốc độ tăng thế dv/dt tạo dòng nạpcho điện dung mối nối pn

76 Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng thế thuận dv/dt

a Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot mà SCR chưa dẫn, nếu vượt trị số này SCR sẽdẫn

b Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot làm cho SCR dẫn điện

c Là tốc độ tăng thế nhỏ nhất của anot làm cho SCR chưa dẫn điện, nếu vượt trị số nàySCR sẽ dẫn

d Là tốc độ tăng thế nhỏ nhất của anot làm cho SCR dẫn điện

77 Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng dòng thuận di/dt

a Là trị số cực đại của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽhỏng

b Là trị số cực đại của tốc độ tăng dòng không cho phép qua SCR, nếu vượt trị số nàySCR sẽ dẫn

c Là trị số cực tiểu của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽhỏng

d Là trị số cực tiểu của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽdẫn

Trang 9

78 Cho mosfet công suất như hình vẽ, cho các thông số sau: IDR= 2mA, R DSon =0,3Ω, D= 50%,

ID=6A, VDS=100V, tswno=100ns, tswoff= 200ns, tần số giao hoán 4kHz Công suất thất thoáttổng cộng của mosfet là

f =4kHz in

+

-Vcc R

Q1

79 Cho mạch điện như hình vẽ Diode dẫn với dòng I D =30A, V F =1.1V , I R =0,3mA,

s t

t swon = f =1,1 , t swoff =t r =0,1 s, tính hiệu có chu trình định dạng D=50%, công suấtthất thoát tổng cộng trong Diode (lấy gần đúng)là

82 IGBT là linh kiện công suất được chế tạo dựa trên đặc tính

a Tác động nhanh của Mosfet và dòng lớn của SCR

b Khả năng chịu dòng lớn của BJT và điều khiển điện áp lớn của Mosfet

c Điều khiển điện áp lớn của Mosfet và dòng lớn của SCR

d Tác động nhanh của của BJT và dòng lớn của Mosfet

83 MCT là linh kiện công suất được chế tạo dựa trên đặc tính

a Tác động nhanh của Mosfet và dòng lớn của SCR

b Khả năng chịu dòng lớn của BJT và điều khiển điện áp lớn của Mosfet

c Điều khiển điện áp lớn của Mosfet và dòng lớn của SCR

d Tác động nhanh của của BJT và dòng lớn của Mosfet

84 MCT là linh kiện công suất được chế tạo nhằm khắc phục nhược điểm của

V

L s

L = 

Trang 10

T

t R

86 Công suất tổn hao trong thời gian giao hoán của IGBT là

a P sw = 1/3( V CEmax I cmax )( t swon + t swoff )T sw

b P sw = 1/6( V CEmax I cmax )( t swon + t swoff )f sw

c P sw = 1/6( V CEmax I cmax )( t swon + t swoff )T sw

d P sw = 1/3( V CEmax I cmax )( t swon + t swoff )f sw

87 Triac được xem như 2 SCR mắc đối song nhưng chỉ khác là

a Triac còn có thể kích được dòng đi ra cực G nhưng mạch 2 SCR thì không

b Triac còn có thể kích được dòng đi vào cực G nhưng mạch 2 SCR thì không

c Triac còn có thể kích được áp đi ra cực G nhưng mạch mạch 2 SCR thì không

d Triac có thể kích được áp đi vào cực G nhưng mạch 2 SCR thì không

88 Mạch 2 SCR mắc đối song thường được sử dụng hơn mạch sử dụng Triac vì

a Công suất lớn hơn và tạo xung điều khiển dễ

b Công suất lớn hơn và tạo xung điều khiển khó

c Công suất nhỏ hơn và tạo xung điều khiển dễ

d Công suất nhỏ hơn và tạo xung điều khiển khó

89 Để điều khiển MCT ta cho

a Điện áp âm vào cực G để điều khiển đóng, điện áp dương vào cực G để điều khiển ngắt

b Điện áp âm vào cực G để điều khiển ngắt, điện áp dương vào cực G để điều khiển đóng

c Điện áp dương vào cực G để điều khiển đóng, điện áp âm vào cực G để điều khiển ngắt

d Điện áp dương vào cực G để điều khiển ngắt, điện áp âm vào cực G để điều khiển đóng

90 Phát biểu nào sau đây đúng về bộ chỉnh lưu dùng SCR

a Cóthể điều khiển đóng và ngắt linh kiện nhanh, do đó đạt đáp ứng điện áp ngõ ra tốt

b Hiện tượng chuyển mạch xảy ra do tác dụng của cuộn kháng tải

c Để nâng cao chất lượng dòng tải, có thể tăng tần số sóng đồng bộ

d Có khả năng thực hiện chế độ trả năng lượng về nguồn xoay chiều

91 Mạch bảo vệ IGBT thường được chọn các mạch

a Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là MOSFET

b Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là SCR

c Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là SCR

d Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là BJT

92 Mạch bảo vệ MCT thường được chọn các mạch

a Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là MOSFET

b Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là SCR

c Cấp xung đi vào cực khiển

d Cấp xung đi ra cực khiển

94 Để điều khiển đóng MCT ta điều khiển bằng cách

a Cấp dòng cho cực khiển

b Cấp áp cho cực khiển

c Cấp xung dương vào cực khiển

d Cấp xung âm vào cực khiển

95 Để điều khiển ngắt MCT ta điều khiển bằng cách

Trang 11

a Cấp dòng cho cực khiển

b Cấp áp cho cực khiển

c Cấp xung dương vào cực khiển

d Cấp xung âm vào cực khiển

96 Trong các mạch công suất để dễ điều khiển đóng ngắt thường chọn

a Linh kiện điều khiển bằng xung âm

b Linh kiện điều khiển bằng xung dương

c Linh kiện điều khiển bằng áp

d Linh kiện điều khiển bằng dòng

97 Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có dòng cao nhất

105. Điều khiển đóng IGCT ta dùng

a Xung đưa vào cực khiển để đóng GCT

b Xung đưa vào cực khiển để ngắt GCT

c Áp đưa vào cực khiển để đóng GCT

d Áp đưa vào cực khiển để ngắt GCT

106. Điều khiển ngắt IGCT ta dùng

Trang 12

a Xung đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Anot

b Xung đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Katot

c Áp đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Anot

d Áp đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Katot

107. IGCT được chế tạo với mục đích

a Làm giảm trị số điện dung mạch cổng đến trị số nhỏ nhất

a Làm giảm nhanh trị số dòng điện qua cực cổng

b Làm giảm nhanh trị số hiệu điện thế qua cực cổng

c Làm tăng nhanh trị số dòng điện qua cực cổng

d Làm tăng nhanh trị số hiệu điện thế qua cực cổng

109. linh kiện nào sau đây là IGCT

113. Diode Schottkey thường được làm từ các chất bán dẫn nào sau đây:

116. Điều khiển đóng GTO ta dùng

e Dòng dương đưa vào cực khiển để đóng GTO

f Xung dòng dương đưa vào cực khiển để đóng GTO

g Áp dương đưa vào cực khiển để đóng GTO

h Xung áp dương đưa vào cực khiển để đóng GTO

117. Điều khiển ngắt GTO ta dùng

a.Dòng âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO

b.Xung dòng âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO

c.Áp âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO

d.Xung áp âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO

Trang 13

Chương 2 : Chỉnh lưu một pha

1 Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch.

a Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R

c Chỉnh lưu cầu không đối xứng tải R d Chỉnh lưu cầu đối xứng tải R

c Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d Chỉnh lưu toàn kỳ không điều khiển tải R

a Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b Chỉnh lưu cầu điều khiển bán phần tải R

c Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d Chỉnh lưu cầu không điều khiển tải R

0 v

Trang 14

a Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R

c Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d Chỉnh lưu cầu không điều khiển tải R

a Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b Chỉnh lưu cầu điều khiển không đối xứng tải R

a Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục

b Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục

c Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục

d Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục

c Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục

d Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục

c Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra liên tục

d Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục

2

0

2

Trang 15

c Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra liên tục

d Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục

c Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra liên tục

d Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục

c Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra liên tục

d Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục

14 Nguồn áp xoay chiều dạng sin viac =220 2sin100 t[V] mắc nối tiếp với một tải điện trở

15 Mạch chỉnh lưu bán kỳ bằng diode như hình vẽ, với viac =220 2sin100 t[V] mạch có tần

số xung ra:

D1 T1

TAI

a Bằng tần số xung xoay chiều b Gấp 2 lần tần số xung vào

c Gấp 3 lần tần số xung vào d Tất cả đều sai

16 Trong sơ đồ hình vẽ tải R, diode D1sẽ dẫn ở các thời điểm.

D1 T1

Trang 16

c (2k+1) đến 2 (k+1) d Các câu a, b, c đều sai

20 Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1sẽ dẫn ở các thời điểm.

TAI

c (2k+1) đến 2 (k+1) d Các câu a, b, c đều sai

21 Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải R là:

ac

D2

TAI V

Viac

a Bằng tần số xung xoay chiều b Gấp 2 lần tần số xung vào

Trang 17

c Gấp 3 lần tần số xung vào d Tất cả đều sai

23 Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào V = 150 (V) , tải R = 10 ohm thì điện áp ra trên tải

là :(lấy gần đúng )

ac

D2

TAI V

Trang 18

D2

TAI V

T2 D1

Viac

31 Trong sơ đồ hình sau, để chọn diode cho mạch ta dựa vào:

ac

D2

TAI V

T2 D1

Viac

32 Trong sơ đồ hình sau điện áp ngược trên mỗi diode là:

ac

D2

TAI V

Trang 19

D1

TAI

D4 iac

D3

V

35 Trong sơ đồ hình sau dòng qua D1

D2

D1

TAI

D4 iac

D3

V

36 Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào Um = 150 (V) , tải R = 10 ohm thì điện áp ngượcmax trên diode là :(lấy giá trị gần đúng )

D2

D1

TAI

D4 iac

Trang 20

D1

TAI

D4 iac

Trang 21

D1

TAI

D4 D iac

D3

V

a Phụ thuộc giá trị vào R

b Phụ thuộc giá trị vào E

c Dẫn từ 2k + đến (2k+1) -2

d Dẫn từ (2k+1) đến 2(k+1)

45 Trong sơ đồ hình sau điện áp ngược cực đại đặt lên mỗi diode là:

Trang 22

D1

TAI

D4 iac

D3

V

48 Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá

trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, thì điện áp trung bình sau khi chỉnh lưu là :

D2

D1

TAI

D4 iac

D3

V

trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì dòng điện chỉnh lưu trung bình quatải là :

Trang 23

D1

TAI

D4 iac

D3

V

trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì dòng điện trung bình qua mỗi diode

D3

V

trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì điện áp ngược cực đại trên mỗidiode là :

D2

D1

TAI

D4 iac

D3

V

trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì công suất chỉnh lưu trung bình củamạch là :

D2

D1

TAI

D4 iac

D3

V

Trang 24

53 Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như vẽ Điện áp xoay chiều phía thứ cấp

MBA là viac =220 2sin100 t(V) Giá trị điện áp chỉnh lưu trung bình là :

D1 T1

Viac

54 Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như như vẽ Điện áp xoay chiều phía thứ

cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 10 Ohm Giá trị dòng điện chỉnhlưu trung bình qua tải là :

D1 T1

Viac

cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 10 Ohm Giá trị dòng điện trungbình qua diode là :

D1 T1

Viac

cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 10 Ohm Công suất chỉnh lưutrung bình trên tải là :

D1 T1

Viac

cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 10 Ohm Nhiệt lượng trung bìnhtỏa ra trên tải trong 1 chu kỳ là :

D1 T1

Viac

Trang 25

cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Điện áp ngược lớn nhất mà diode phải chịu là :

D1 T1

Viac

59 Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha 2 nửa chu kỳ hình tia dùng diode như hình vẽ Điện áp xoay chiều

phía thứ cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Giá trị điện áp chỉnh lưu trung bình là :

ac

D2

TAI V

T2 D1

Viac

phía thứ cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 200 Ohm Giá trị dòngđiện chỉnh lưu trung bình là :

ac

D2

TAI V

Viac

phía thứ cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 200 Ohm Giá trị trungbình dòng điện qua mỗi diode là :

ac

D2

TAI V

Viac

phía thứ cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 200 Ohm Giá trị côngsuất chỉnh lưu trung bình trên tải là :

ac

D2

TAI V

T2 D1

Viac

Trang 26

phía thứ cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 200 Ohm Nhiệt lượngtrung bình tỏa ra trên tải trong một chu kỳ là :

ac

D2

TAI V

Viac

phía thứ cấp MBA là viac =220 2sin100 t (V) Điện áp ngược lớn nhất mà diode phải chịu

là :

ac

D2

TAI V

T2 D1

Viac

65 Cho sơ đồ chỉnh lưu cầu 1 pha dùng diode như hình vẽ Điện áp xoay chiều phía thứ cấp

MBA là viac =220 2sin100 t (V) Dòng điện qua tải thuần trở là 2,41A Điện áp chỉnh lưutrung bình trên tải là :

D2

D1

TAI

D4 iac

D3

V

MBA là viac =220 2sin100 t (V) Dòng điện chỉnh lưu trung bình qua tải thuần trở là2,41A Giá trị điện trở tải là :

D2

D1

TAI

D4 iac

D3

V

MBA là viac =220 2sin100 t (V) Dòng điện chỉnh lưu trung bình qua tải thuần trở là2,41A Công suất chỉnh lưu trung bình trên tải là :

Trang 27

D1

TAI

D4 iac

D3

V

68 Mạch chỉnh lưu :

a Biến đổi dòng điện DC thành dòng điện AC

b Làm thay đổi biên độ của điện áp AC

c Làm thay đổi tần số của điện áp vào

d Biến đổi dòng điện AC thành dòng điện DC

69 Chọn phát biểu đúng nhất :

69.a.1 Điện áp sau mạch chỉnh lưu có dạng phẳng hoàn toàn

69.a.2 Số lần đập mạch của điện áp sau chỉnh lưu càng lớn càng tốt

69.a.3 Dạng điện áp sau chỉnh lưu không phụ thuộc vào tải

69.a.4 Dạng điện áp sau chỉnh lưu không phẳng và không phụ thuộc vào tải

70 Trong mạch chỉnh lưu 1 pha, nửa chu kỳ dùng diode :

70.a.1 Dạng dòng tải sẽ lặp lại như dạng điện áp

70.a.2 Dạng dòng tải sẽ lặp lại như dạng điện áp với tải thuần trở

70.a.3 Dạng dòng tải sẽ lặp lại như dạng điện áp với tải thuần cảm

70.a.4 Dạng dòng tải sẽ lặp lại như dạng điện áp với tải trở cảm

71 Tần số của điện áp ra trong mạch chỉnh lưu cầu 1 pha bằng :

a Tần số điện áp vào b 2 lần tần số điện áp vào

c 3 lần tần số điện áp vào d 4 lần tần số điện áp vào

72 Tần số của điện áp ra trong mạch chỉnh lưu toàn kỳ có 1 tụ lọc bằng :

a tần số điện áp vào b 2 lần tần số điện áp vào

c 3 lần tần số điện áp vào d 4 lần tần số điện áp vào

73 Mạch chỉnh lưu 1 pha có giá trị điện áp ngược đặt trên mỗi diode lớn nhất là:

a Chỉnh lưu toàn kỳ b Chỉnh lưu bán kỳ

c Mạch chỉnh lưu cầu d Tất cả đều đúng

74 Trong mạch chỉnh lưu một bán kỳ có điều khiển tải R như hình vẽ với góc kích , trị trungbình của điện thế ra trên tải là:

R G1

V V

75 Trong mạch chỉnh lưu một bán kỳ có điều khiển tải R như hình vẽ với góc kích , trị trungbình của dòng điện ra trên tải là:

Trang 28

R G1

2

M RMS

2

M RMS

V V

2

M RMS

12

M RMS

V V

77 Trong mạch chỉnh lưu một bán kỳ có điều khiển tải R như hình vẽ với góc kích , trị hiệudụng của dòng điện ra trên tải là:

R G1

78 Trong mạch chỉnh lưu một bán kỳ có điều khiển tải L như hình vẽ với góc kích và góc tắt

là = +2 , trị trung bình của dòng điện ra trên tải là:

Trang 29

G1 iac

L V

= M AV

V

= M AV

V V

80 Trong mạch chỉnh lưu một bán kỳ có điều khiển tải R-L như hình vẽ với góc kích và góctắt là , dòng điện trung bình qua tải là:

R S1

G1 iac

L V

G1 iac

L V

= M AV

V

= M AV

V V

82 Trong mạch chỉnh lưu một bán kỳ có điều khiển tải R-L như hình vẽ với góc kích và góctắt là = +2 , trị số điện thế trung bình qua tải là:

Trang 30

R S1

G1 iac

L V

2

M AV

V

= M AV

V V

83 Trong mạch chỉnh lưu cầu có điều khiển tải R như hình vẽ với góc kích , trị trung bình củađiện thế ra trên tải là:

S3 V

G4 iac

G2

S4 R G1

V V

84 Trong mạch chỉnh lưu cầu có điều khiển tải R như hình vẽ với góc kích , trị trung bình củadòng điện ra trên tải là:

S3 V

G4 iac

G2

S4 R G1

Trang 31

D4 D3

G2 G1

V

S2

R iac

2

M RMS

2

M RMS

V V

2

M RMS

12

M RMS

V V

86 Trong mạch chỉnh lưu cầu có điều khiển tải R như hình vẽ với góc kích , trị hiệu dụng củadòng điện ra trên tải là:

D4 D3

G2 G1

V

S2

R iac

87 Diode dập (Free wheeling diode) được sử dụng trong mạch chỉnh lưu một pha 1 bán kỳ có

điều khiển tải R-L như hình vẽ, thì giá trị trung bình điện áp ra là:

V

FWD

R S1

L iac

G1

2

M AV

điều khiển tải R-L như hình vẽ, giá trị trung bình dòng điện ra là:

Trang 32

FWD

R S1

L iac

điều khiển tải R-L như như hình vẽ, dòng điện cực đại qua diode dập khi góc kích

V

FWD

R S1

L iac

G1

90 Diode dập (Free wheeling diode) được sử dụng trong mạch chỉnh lưu một pha toàn kỳ có

điều khiển tải R-L như hình vẽ, thì giá trị trung bình điện áp ra là:

V

S2 G1

91 Mạch chỉnh lưu một pha 1 bán kỳ có điều khiển, tải có tính cảm kháng thì diode dập trong

mạch có nhiệm vụ

a Làm cho dòng qua tải không liên tục

b Làm cho dòng qua tải liên tục

c Dập dòng cảm ứng do cuộn dây gây ra và mạch có dạng tải thuần trở

d Dòng cảm ứng chạy qua diode dập là cực đại

92 Mạch chỉnh lưu một pha toàn kỳ có điều khiển, tải có tính cảm kháng nếu ta có thêm giả thiết

cuộn dây có hệ số tự cảm vô cùng lớn (L→∞) thì

a Dòng qua tải không liên tục

Trang 33

b Dòng qua tải liên tục.

c Dập dòng cảm ứng do cuộn dây gây ra và mạch có dạng tải thuần trở

d Dòng cảm ứng chạy qua diode dập là cực đại

93 Bộ chỉnh lưu cầu một pha điều khiển toàn phần như hình vẽ nguồn xoay chiều một pha lý

tưởng có trị hiệu dụng áp pha U = 220 [V], =100 [rad] Tải R=2Ω, L vô cùng lớn làmdòng tải liên tục và E = 10V Góc điều khiển

10

= [rad] Mạch ở trạng thái xác lập Trịtrung bình điện áp trên tải có giá trị

iac

S1

V

a Thay đổi tần số kích b Thay đổi thời điểm kích

c Thay đổi đặc tính SCR d Thay đổi dòng kích

96 Trong sơ đồ hình vẽ sau có tải thuần trở, điện áp vào Vm= 120V ,điện áp trung bình trên tải

là( làm chẵn số ) ( d)

R G1

Trang 34

R G1

iac

S1

V

98 Trong sơ đồ hình bên có tải thuần trở, điện áp vào Vm= 120V điện áp ngược cực đại đặt trên

mỗi SCR: (c )

R G1

G2 G1

V

S2

R iac

S1

a Tăngb Giảm c Không thay đổi d Có giá trị bằng 0

101 Chu kỳ xung kích cho S1 trong sơ đồ hình bên là: ( b)

T2 Viac S1

G2

TAI S2

Trang 35

TAI S2

G2 TAI S2

V V

104 Trong sơ đồ hình bên có tải thuần trở, điện áp ngược cực đại đặt trên mỗi SCR:

T2 Viac S1

G2 TAI S2

Trang 36

107. Trong sơ đồ hình bên có tải thuần trở, điện áp vào Viac= 150V điện áp dòng trên tải góckích

3

= , tải R= 10Ω ohm (làm kết quả gần đúng ) ( c )

T2 Viac S1

G2 TAI S2

108 Thời gian dẫn của S1 trong sơ đồ hình bên bắt đầu tại thời điểm ( b)

T2 Viac S1

G2 TAI S2

109. Trong sơ đồ hình sau tải thuần trở giá trị dòng điện trung bình trên tải là

T2 Viac S1

G2 TAI S2

cos1

_

+

= d V RM_SCR =2V M

Trang 37

112. Trong sơ đồ hình sau có tải thuần trở, điện áp vào có giá trị hiệu dụng U= 150V thì điện

áp ngược cực đại đặt trên mỗi SCR :

T2 Viac S1

G2 TAI S2

116. Trong sơ đồ chỉnh lưu ở hình sau, SCR1 dẫn trong bán kỳ dương, SCR2 dẫn trong bán kỳ

âm Thời gian dẫn của SCR1 bắt đầu tại thời điểm

T2 Viac S1

G2 TAI S2

117. Trong sơ đồ chỉnh lưu ở hình sau, SCR1 dẫn trong bán kỳ dương, SCR2 dẫn trong bán kỳ

âm Thời gian dẫn của SCR2 bắt đầu tại thời điểm

Trang 38

T2 Viac S1

G2

TAI S2

118. Mạch chỉnh lưu như hình vẽ, mạch được gọi là :

D4 D3

G2 G1

V

S2

R iac

S1

a Mạch chỉnh lưu một pha toàn kỳ

b Mạch chỉnh lưu cầu một pha đối xứng

c Mạch chỉnh lưu cầu một pha không đối xứng

d Mạch chỉnh lưu cầu ba pha

119. Mạch chỉnh lưu cầu một pha đối xứng có

122. Mạch chỉnh lưu cầu ba pha điều khiển bán phần có :

123. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha điều khiển toàn phần sử dụng SCR như hình vẽ, điện áp vào

G 4 iac

G4 iac

G2

S4 R G1

G3

Trang 39

a 1,12A b.1,59A c.7,95A d.0,68A

125. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha điều khiển hoàn toàn sử dụng SCR như hình vẽ, điện áp vào

G4 iac

G2

S4 R G1

G3

126. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha điều khiển hoàn toàn sử dụng SCR như hình vẽ, điện áp vàođỉnh đỉnh là Vpp = 25V; góc kích

G4 iac

G2

S4 R G1

G2 TAI S2

129. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha toàn kỳ có điều khiển như hình vẽ Điện áp xoay chiều phíathứ cấp MBA là Viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 220 Ohm; Góc điều khiển

0

45

= Dòng điện trung bình qua mỗi SCR là

Trang 40

T2 Viac

G2 TAI S2

130. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha toàn kỳ có điều khiển như hình vẽ Điện áp xoay chiều phíathứ cấp MBA là Viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 220 Ohm; Góc điều khiển

0

45

= Công suất chỉnh lưu trung bình trên tải là :

T2 Viac S1

G2 TAI S2

133. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha toàn kỳ có điều khiển như hình vẽ Điện áp xoay chiều phíathứ cấp MBA là Viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 220 Ohm; Góc điều khiển an-pha = 900 Dòng điện chỉnh lưu trung bình qua tải là :

T2 Viac S1

G2 TAI S2

134. Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha toàn kỳ có điều khiển như hình vẽ Điện áp xoay chiều phíathứ cấp MBA là Viac =220 2sin100 t (V) Tải thuần trở R = 220 Ohm; Góc điều khiển an-pha = 900 Dòng điện trung bình qua mỗi SCR là :

Tiêu đề	Câu hỏi trắc nghiệm điện tử công suất
Trường học	Trường Đại Học Bách Khoa Hà Nội
Chuyên ngành	Điện Tử Công Suất
Thể loại	Tài liệu dạng câu hỏi trắc nghiệm
Thành phố	Hà Nội

Định dạng
Số trang	215
Dung lượng	2,75 MB