HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ HỆ THỐNG ĐIỆN ĐỘNG CƠ
Trang 1MỤC LỤC TÍN CHỈ 1
CHƯƠNG 1: CÁC VẤN ĐỀ CHUNG 1
1.1 Các khái niệm, quy ước và mã cơ bản 3
1.2 Linh kiện điện và điện tử cơ bản 4
1.2.1 Linh kiện thụ động 4
1.2.2 Linh kiện bán dẫn 12
1.3 Các thiết bị nguồn và giắc 27
1.3.1 Cầu chì 27
1.3.2 Rơ le điện từ 29
1.3.3 Giắc 31
CHƯƠNG 2: HỆ THỐNG CUNG CẤP ĐIỆN 32
2.1 Công dụng và yêu cầu 32
2.2 Sơ đồ hệ thống và bố trí thiết bị 32
2.3 Các thiết bị trong hệ thống 32
2.3.1 Ắc quy 32
2.3.2 Máy phát điện (Alternator) 34
2.3.3 Bộ tiết chế IC 40
CHƯƠNG 3: HỆ THỐNG KHỞI ĐỘNG 45
3.1 Công dụng, phân loại và yêu cầu 45
3.2 Nguyên lý làm việc của hệ thống và các sơ đồ tiêu biểu 46
3.3 Các thiết bị trong hệ thống khởi động động cơ 48
3.3.1 Cấu tạo máy khởi động 48
3.3.2 Hệ thống hỗ trợ khởi động động cơ diesel 49
CHƯƠNG 4: HỆ THỐNG ĐÁNH LỬA 51
4.1 Tổng quan về hệ thống đánh lửa 51
4.2 Nguyên lý tạo điện cao áp và các sơ đồ đánh lửa tiêu biểu 53
4.3 Các hệ thống đánh lửa 55
4.3.1 Hệ thống đánh lửa CI 55
4.3.2 Hệ thống đánh lửa TI 56
4.3.3 Các hệ thống đánh lửa lập trình 58
4.3.3.1 Nguyên lý cơ bản của đánh lửa lập trình 58
Trang 24.3.3.3 Hệ thống đánh lửa lập trình không có bộ chia điện 72
4.3.3.3 Hệ thống đánh lửa bôbin kép 75
4.3.4 Các cảm biến, ECU và cơ cấu chấp hành 80
4.3.5 Hệ thống đánh lửa điện dung 116
Trang 3TÍN CHỈ 1 CHƯƠNG 1: CÁC VẤN ĐỀ CHUNG
1.1 Các khái niệm, quy ước và mã cơ bản
Là dòng chuyển động của các hạt mang điện trong vật chất, có chiều chuyển
động từ nơi có điện thế cao đến nơi có điện thế thấp
Ký hiệu: I
Đơn vị: Ampe (A)
1.1.3 Điện trở
Điện trở có tác dụng cản trở dòng điện, tạo sự sụt áp để thực hiện các chức
năng tùy theo vị trí của điện trở trong mạch
Ký hiệu: R
Đơn vị: Ôm (Ω)
1.1.4 Nguồn điện
Là nơi chứa các dạng năng lượng khác có thể chuyển hóa thành điện năng Ở
đây ta chỉ nói đến nguồn áp
Ký hiệu: E
Đơn vị: Vôn (V)
1.1.5 Định luật Ohm cho một đoạn mạch
Cho một đoạn mạch có điện trở R đặt vào điện áp
U quan hệ giữa dòng điện và điện áp được biểu diễn theo
định luật Ohm: I = U/R
I - dòng điện trong mạch tỷ lệ thuận với điện áp và tỷ lệ
nghịch với điện trở của toàn mạch
Hình 1.1: Định luật Ohm
1.1.6 Định luật Ohm cho nhánh có nguồn
Cho nhánh có nguồn có suất điện động E và điện trở trong Ri Định luật Ohm
cho nhánh có nguồn là: U = E – Ri.I
Trang 4
Hình 1.2: Định luật Ohm cho nhánh có nguồn
Thường điện trở nguồn rất nhỏ khi mạch hở (không tải) I = 0, do đó U = E
Khi điện trở mạch ngoài rất nhỏ so với điện trở trong của nguồn U = 0 gọi
nguồn bị ngắn mạch, lúc đó I = E/Ri
1.1.7 Xung
Là tín hiệu điện áp hay dòng biến đổi theo thời gian dưới dạng rời rạc (gián
đoạn) Nó thay đổi một cách đột biến có quy luật hoặc không có quy luật Xung điện
có thể là xung một chiều hay xung xoay chiều
Hình 1.3: Một số dạng xung cơ bản trên ôtô
1.2 Linh kiện điện và điện tử cơ bản
1.2.1 Linh kiện thụ động
1.2.1.1 Điện trở
a Khái niệm
Điện trở có tác dụng cản trở dòng điện tạo sự sụt áp để thực hiện các chức
năng tùy theo vị trí của điện trở trong mạch
Trang 5+ Điện trở than nhiệt giải hoặc than màng (màng tinh thể)
+ Điện trở dây quấn gồm sợi dây điện trở dài (dây NiCr hoặc manganin,
constantan) quấn trên một ống gốm ceramic và phủ bên ngoài là một lớp sứ bảo vệ
+ Điện trở màng kim, điện trở màng oxit kim loại hoặc điện trở miếng: điện
trở miếng thuộc thành phần vi điện tử Dạng điện trở miếng thông dụng là được in
Dựa vào ứng dụng điện trở được phân loại như liệt kê trong bảng 1.1
Bảng 1.1: Các đặc tính chính của điện trở tiêu biểu
Loại điện trở Trị số R P t.t.max (w) T o làm việc o C TCR
ppm/ o C Chính xác
0.1 180
1 3.8 0.1 40
1/8 3/4 ở 125oC 1/20 1/2 ở 125oC
1/4 3 ở 70oC 1/20 1/2 ở
125oC 1/8 1 ở 70oC
1/8 2 ở 70oC
1 21 ở 25oC
-55 +145 -55 +145
-55 +150 -55 +175 -55 +165 -55 +130
-55 +275 -55 +275 -55 +275
Trang 6Bảng ghi và đọc giá trị điện trở trực tiếp trên thân theo bảng 1.2
Bảng 1.2: Cách ghi và đọc giá trị điện trở
Giá trị điện trở được sơn bằng mã màu:
Tùy theo số vòng trên điện trở (4, 5 hay 6 vòng), ý nghĩa của từng vòng được
minh họa bằng hình vẽ sau:
Hình 1.5: Mã màu điện trở
- Điện trở có 4 màu: đây là điện trở thường gặp nhất
Trang 7Hình 1.6: Điện trở có 4 vòng màu
Vòng thứ nhất: chỉ giá trị hàng trục trong giá trị điện trở
Vòng thứ hai: chỉ giá trị hàng đơn vị trong giá trị điện trở
Vòng thứ ba: chỉ hệ số nhân với số mũ của 10 dùng nhân với giá trị điện trở
Vòng thứ tư: chỉ sai số điện trở
Ví dụ: Điện trở có 4 màu theo thứ tự : vàng, tím, cam, nhũ, bạc
Giá trị điện trở là:
Vàng Tím Cam Nhũ Bạc
4 7 000 ±10 %
Kết quả : 47.000Ω hay 47kΩ, sai số ±10 %
- Điện trở có 5 vòng màu: là điện trở có độ chính xác cao
Hình 1.7: Điện trở có 5 vòng màu
Vòng thứ nhất: chỉ giá trị hàng trăm trong giá trị điện trở
Vòng thứ hai: chỉ giá trị hàng trục trong giá trị điện trở
Vòng thứ ba: chỉ giá trị hàng đơn vị trong giá trị điện trở
Vòng thứ tư: chỉ hệ số nhân với số mũ của 10 dùng nhân với giá trị điện trở
Vòng thứ năm: chỉ sai số giá trị điện trở
Ví dụ: Điện trở có 5 màu, theo thứ tự: Nâu, tím, đỏ, đỏ, nâu
Giá trị của điện trở:
Nâu Tím Đỏ Đỏ Nâu
1 7 2 00 ±1 % Kết quả: 17200 Ω hay 17.2 kΩ, sai số ±1 %
* Biến trở:
Biến trở có hai dạng Dạng kiểm soát dòng công suất lớn dùng dây quấn Loại
này ít gặp trong các mạch điện trở Dạng thường dùng hơn là chiết áp Cấu tạo của
biến trở so với điện trở cố định chủ yếu là có thêm một kết cấu con chạy gắn với một
trục xoay để điều chỉnh trị số điện trở Con chạy có kết cấu kiểu xoay (chiết áp xoay)
hoặc theo kiểu trượt (chiết áp trượt) Chiết áp có 3 đầu ra, đầu giữa ứng với con trượt
còn hai đầu ứng với hai đầu điện trở
Trang 8
Hình 1.8a:Biến trở
Hình 1.8b:Kỹ hiệu biến trở
+ Điện trở biến thiên: chia các dạng sau
Điện trở nhiệt tecmixto: Đây là một loại linh kiện bán dẫn có trị số điện trở thay đổi
theo nhiệt độ Khi ở nhiệt độ bình thường thì tecmixto là một điện trở, nếu nhiệt độ
càng tăng cao thì điện trở của nó càng giảm
Hình ảnh thực tế của điện trở nhiệt tecmixto:
Quang trở: Là một loại điện trở, mà điện trở suất của nó giảm xuống rất nhanh
khi có ánh sáng chiếu vào, làm bằng CdS hoạt dộng trên hiện tượng quang dẫn
Trang 91.2.1.2 Tụ điện
a Khái niệm
Là một thiết bị mà có thể tích trữ các điện tích khi cấp lên nó một điện áp
Tụ điện là một linh kiện thu động được sử dụng rất rộng rãi trong các mạch
điện tử được cấu tạo từ hai bản cực làm bằng hai chất dẫn điện (kim loại) đặt song
song nhau, ở giữa có một lớp cách điện gọi là điện môi
Người ta thường dùng các chất: thủy tinh, gốm sứ, mica, giấy, dầu, paraffin,
không khí… để làm chất điện môi
Hình 1.11: Cấu tạo tụ điện
Tụ điện được chia thành những loại sau:
- Tụ hóa
- Tụ thường
- Tụ điện có điện dung thay đổi
Chúng ta đi tìm hiểu từng loại tụ điện một
+ Tụ hóa:
Tụ hóa là loại tụ có phân cực Chính vì thế khi sử dụng tụ hóa yêu cầu người
sử dụng phải cắm đúng chân của tụ điện với điện áp cung cấp Thông thường, các loại
tụ hóa thường có kí hiệu chân cụ thể cho người sử dụng bằng các ký hiệu + hoặc -
tương ứng với chân tụ
Trang 10+Tụ điện có điện dung thay đổi:
Tụ điện có trị số điện dung thay đổi được là loại tụ trong
qua trình làm việc ta có thể điều chỉnh thay đổi trị số điện
dung của chúng
Hình 1.14: Ký hiệu trong mạch
b Cách ghi và đọc giá trị tụ điện
Hai tham số quan trọng nhất thường được ghi trên thân tụ điện là trị số điện
dung (kèm theo dung sai sản xuất) và điện áp làm việc
- Cách ghi trực tiếp:
Ghi trực tiếp là cách ghi đầy đủ các tham số và đơn vị đo của chúng Cách này
chỉ dùng cho loại tụ điện có kích thước lớn
- Cách ghi gián tiếp theo quy ước:
Tụ điện có tham số ghi theo qui ước thường có kích thước nhỏ và điện dung
ghi theo đơn vị đo pF
Có rất nhiều quy ước khác nhau như quy ước mã, quy ước màu … Sau đây ta
chỉ nêu một số quy ước thông dụng
+ Ghi theo quy ước số: Cách ghi này thường gặp ở các tụ Pôlystylen
Ví dụ: Trên thân tụ ghi 47/630, có nghĩa tử số là giá trị điện dung tính bằng pF, 47pF,
mẫu số là điện áp làm việc một chiều, 630Vdc
+ Ghi theo quy ước mã: Giống như ở điện trở, mã gồm các chữ số chỉ trị số
điện dung và chữ cái chỉ % dung sai
Tụ có kích thước nhỏ thường được ghi theo quy ước sau: Ví dụ trên tụ ghi 204
nghĩa là trị số của điện dung 20.000 pF Vdc
Tụ Tantan là tụ phân cực thường được ghi theo đơn vị µF cùng điện áp làm
việc và cực tính rõ ràng
+ Ghi theo quy ước màu: Tụ điện cũng giống như điện trở được ghi theo quy
ước màu Quy ước màu cũng có nhiều loại: loại 4 vạch, loại 5 vạch màu Nhìn chung
các vạch màu quy ước gần giống điện trở
Hình 1.15: Mã màu của tụ điện
Trang 11Vạch 1 Vạch 2 Vạch 3 Vạch 4 Vạch 4 Vạch 5
ngĩa
Số có nghĩa
Số nhân(pF) Tantan(
-
Hồng - - - - -
35
-
Bảng 1.4: Bảng phân loại tụ điện theo vật liệu và công dụng
Trang 12-55 125 -55 125
-55 125 -40 85
-55 125 -55 125 -55 125 -55 85
1.2.2 Linh kiện bán dẫn
1.2.2.1 Chất bán dẫn
Hầu hết các chất bán dẫn đều có các nguyên tử sắp xếp theo cấu tạo tinh thể
Hai chất bán dẫn được dùng nhiều nhất trong kỹ thuật chế tạo linh kiện điện tử là
Silicium và Germanium Mỗi nguyên tử của hai chất này đều có 4 điện tử ở ngoài cùng
kết hợp với 4 điện tử kế cận cấu tạo thành 4 liên kết hóa trị Vì vậy tinh thể Ge và Si ở
nhiệt độ thấp là các chất cách điện
ở nhiệt độ thấp (T = 0 0 K ) nhiệt độ cao (T = 300 0 K)
Hình 1.16: Tinh thể chất bán dẫn
Nếu ta tăng nhiệt độ tinh thể, nhiệt năng sẽ làm tăng năng lượng một số điện
tử và làm gãy một số nối hóa trị Các điện tử ở các nối bị gãy rời xa nhau và có thể di
chuyển dễ dàng trong mạng tinh thể dưới tác dụng của điện trường Tại các nối hóa trị
bị gãy ta có các lỗ trống (hole) Về phương diện năng lượng, ta có thể nói rằng nhiệt
Trang 13Khi năng lượng này lớn hơn năng lượng của dải cấm (0,7 eV đối với Ge và
1,12 eV đối với Si), điện tử có thể vượt dải cấm vào dải dẫn điện và chừa lại những lỗ
trống (trạng thái năng lượng trống) trong dải hóa trị Ta gọi n là mật độ điện tử tự do
trong dải dẫn điện và p là mật độ lỗ trống trong dải dẫn điện Nếu n = p ta gọi chất bán
dẫn thuần Thông thường chế tạo loại chất bán dẫn này rất khó khăn
+ Chất bán dẫn loại N:
Giả sử ta pha vào Si thuần những nguyên tử thuộc nhóm V của bảng tuần
hoàn các nguyên tố hóa học như Arsenic (As), photpho (P), Antimony (Sb) Bán kính
nguyên tử của As gần bằng bán kính nguyên tử của Si nên có thể thay thế một nguyên
tử Si trong mang tinh thể Bốn điện tử của As kết hợp với 4 điện tử của Si lân cận tạo
thành 4 nối hóa trị, còn dư lại một điện tử của As ở mức năng lượng gần tới dải dẫn
nhiệt Ở nhiệt độ thấp chất bán dẫn này chưa dẫn điện
loại N loại P
Hình 1.17: Tinh thể chất bán dẫn
Khi ta tăng nhiệt độ của tinh thể, một số hóa trị bị gãy, ta có những lỗ trong
trong dải hóa trị và điện tử trong dải dẫn điện Ngoài ra, hầu hết các điện tử dư của As
đều nhận nhiệt năng để trở thành điện tử có năng lượng trong dải dẫn điện Do đó tổng
số điện tử trong dải dẫn điện nhiều hơn số lỗ trong dải hóa trị, ta gọi là bán dẫn loại N
+ Chất bán dẫn loại P:
Thay vì pha vào Si thuần một nguyên tố thuộc nhóm V, tap pha vào những
nguyên tố thuộc nhóm III như Indium (In), Galium (Ga), Nhôm (Al)… Bán kính
nguyên tử In gần bằng bán kính nguyên tử Si nên nó có thể thay thế một nguyên tử Si
trong mạng tinh thể Ba điện tử của nguyên tử của nguyên tử In kết hợp với ba điện tử
của ba nguyên tử Si có năng lượng trong giải hóa trị không tạo một nối với Indium
Giữa In và Si có một trạng thái năng lượng trống (lỗ trống)
Khi ta tăng nhiệt độ của tinh thể sẽ có một số điện tử trong dải hóa trị nhận
năng lượng và trở thành những điện tử trong dải dẫn điện, chừa ra các lỗ trống Do đó
tổng số lỗ trống trong dải hóa trị nhiều hơn số điện tử trong dải dẫn điện Ta gọi là
những chất bán dẫn loại P
Trang 141.2.2.2 Loại tiếp xúc P – N
Tại lớp tiếp xúc xuất hiện các dòng tải điện theo cơ chế khuếch tán: Các lỗ
trống sẽ khuếch tán từ vùng P sang vùng N, các điện tử sẽ khuếch tán từ vùng N sang
vùng P Quá trình này hình thành lớp điện tích trái dấu ở vùng gần lớp tiếp xúc và
cường độ điện trường ở vùng lân cận tiếp xúc E0 Điện trường tiếp xúc Eo có chiều tác
dụng từ bán dẫn N sang bán dẫn P và tạo nên một hàng rào thế năng ngăn cản sự
khuếch tán của lỗ trống qua lớp tiếp xúc
Hình 1.18: Lớp tiếp xúc P – N
Khi đặt một nguồn điện áp ngoài lên lớp tiếp xúc P–N có chiều sao cho VP >
VN điện trường này ngược chiều điện trường Eo, làm tăng dòng điện qua lớp tiếp xúc
P – N giảm xuống, có một giá trị rất nhỏ gọi là dòng bão hòa Ta gọi là phân cực
Trang 15Khi UAK > 0 thì điốt sẽ dẫn điện và trong mạch có
dòng điện chạy qua và lúc này tiếp xúc P – N được phân cực
thuận Khi UAK < 0 điốt sẽ khóa vì tiếp xúc P – N phân cực
ngược, dòng điện ngược rất nhỏ chạy qua
Hình 1.21: Cấu tạo điốt
b Đặc tính Vôn – Ampe của điốt bán dẫn
Đặc tính Vôn – Ampe (V – A) biểu thị mối
quan hệ giữa dòng điện qua điốt với điện áp đặt trên
nó UAK
- UD là điện áp thuận ngưỡng của điốt UD =
0.2 V đối với điốt Ge và UD = 0,6 V đối với
điốt Si
- Udt là điện áp đánh thủng
- Ith.max là dòng điện thuận cực đại cho phép,
điốt không được làm việc với dòng điện
- I0 là dòng điện ngược
Hình 1.22: Đặc tuyến V – A
c Điốt ổn áp
Khi phân cực thuận đặc tuyến của điốt giống hệt điốt thường Khi phân cực
ngược ở vùng Zenner, điện thế ngang qua điốt gần như không thay đổi trong khi dòng
điện qua nó biến thiên một khoảng rộng
Hình 1.23: Ký hiệu và đặc tuyến V – A của điốt Zenner
d Điốt Tunen (hay điốt xuyên hầm)
Loại điốt này có khả năng dẫn điện cả chiều thuận và chiều ngược Đặc tính
V-A của điốt tunen ở phần thuận có đoạn điện trở âm AB Người ta sử dụng đoạn đặc
tuyến AB này để tạo các mạch dao động phóng nạp Điốt tunen có kich thước nhỏ, ổn
định cao và tần số làm việc lên tới GHZ
Trang 16Hình 1.24: Ký hiệu và đặc tính V – A của điốt tunen
e Điốt xung
Điốt xung là điốt làm ở tần số cao khoảng vài chục KHz
Điốt Schốtky là điốt xung điển hình, có thời
gian hồi phục rất nhỏ (đổi trạng thái nhanh) nên được
dùng rất phổ biến trong kỹ thuật số và điều khiển
Hình 1.25: Ký hiệu của điốt xung
f Điốt phát quang (LED – Lighting Emitting Diode)
LED là linh kiện bán dẫn quang điện tử Nó có khả năng phát ra ánh sang khi
có hiện tượng tái hợp xảy ra trong lớp tiếp xúc P – N Tùy theo vật liệu chế tạo mà ta
có ánh sang bức xạ có màu khác nhau
a – Hình ảnh thực tế b- Ký hiệu trong mạch
Hình 1.26: Điốt phát quang
g Điốt thu quang (Photo diode)
Điốt thu quang làm việc ở chế độ phân cực nghịch vỏ điốt có một miếng thủy
tinh để ánh sang chiếu vào mối P-N dòng điện ngược qua điốt tỉ lệ thuận với cường độ
ánh sáng chiếu qua điốt
a – Hình ảnh thực tế b – Ký hiệu trong mạch
Hình 1.27: Điốt thu quang
1.2.2.4 Tranzito bán dẫn
a Cấu tạo và ký hiệu trong sơ đồ mạch
Tranzito được chế tạo từ một tinh thể chất bán dẫn có 3 miền pha tập khác nhau
để hình thành hai lớp tiếp xúc P-N phân cực ngược nhau như thế có hai loại tranzito
khác nhau: PNP (tranzito thuận) hoặc NPN (tranzito ngược) Vùng bán dẫn nằm giữa
Trang 17gọi là Bazơ (B-cực gốc) hai vùng còn lại được gọi là collect (C-cực C) và emitơ
(E-emitơ)
Lớp tiếp xúc P-N giữa cự E và B gọi là TE giữa C và B gọi là TC
Hình 1.28: Ký hiệu và cấu tạo của các tranzito loại P-N-P và N-P-N
b Nguyên lý làm việc
Khi chưa cung cấp điện áp ngoài lên các cực của tranzito thì hai tiếp xúc phát
TE và góp TC đều ở trạng thái cân bằng và dòng điện tổng chạy qua các cực của
tranzito bằng 0
Muốn cho tranzito làm việc ta phải cung cấp cho các cực của nó một điện áp
một chiều thích hợp Tùy theo điện áp đặt vào các cực mà ta tạo cho tranzito làm việc
ở các chế độ khác nhau Cả hai loại tranzito P-N-P và N-P-N đều có nguyên lý làm
việc riêng biệt giống hệt nhau, chỉ có chiều nguồn điện cung cấp là ngược dấu nhau
Chế độ tích cực (hay chế độ khuyếch đại): cung cấp nguồn điện một chiều lên
các cực sao cho tiếp xúc phát TE phân cực thuận và tiếp xúc góp TC phân cực ngược
Khi tranzito làm vệc ở chế độ này có khả năng khuyếch đại
Hình 1.29: Các dòng điện và điện áp trên các cực của tranzito PNP ở chế độ tích cực
Hệ số khuếch tán :
β=
Trường hợp tranzito loại P-N-P: β = 0.98 – 0.995
Hệ số khuếch đại dòng điện emitơ α= ICP/IE(a = 0.90 – 0.995)
Quan hệ giữa 3 thành phần dòng điện trong tranzito là :
Trang 18Hinh 1.30: Chế độ ngắt của tranzito
Lúc này điện trở của tranzito rất
lớn, cực E coi như hở mạch Dòng điện qua cực B bằng dòng ICB0 nhưng ngược dấu
(IB = -ICB0) và UCE = EC
- Chế độ bão hoà: Ở chế độ
này cả hai tiếp giáp TE và TC
đều phân cực thuận và điện thế
E-B lớn hơn điện thế B-C
Điện áp UCE rất nhỏ, trong tính
toán thường sử dụng giá trị
UCE = 0.3 V
Hinh 1.31: Chế độ bão hòa của tranzito
Đặc tuyến truyền đạt của tranzito trong các chế độ làm việc:
Hình 1.32: Đặc tuyến truyền đạt của tranzito
c Đặc tính V-I của tranzito
Chúng ta khảo sát đặc tính V-I của tranzito mắc theo kiểu cực Bazơ chung
Mạch điện được mắc như sau:
Hình 1.33: Sơ đồ mạch điện tranzito mắc theo kiểu cực B chung
- Đặc tuyến ngõ vào (Input curves): là đặc tuyến
biểu diễn sự thay đổi giữa điện áp vào U
Trang 19điện vào IB. Trên họ đặc tuyến vào ta thấy điện áp UCE ít ảnh hưởng lên dòng điện IB
Hình 1.34: Đặc tính ngõ vào của tranzito Ge loại PNP
- Đặc tuyến ngõ ra (Output
curves): là đặc tuyến biểu diễn sự
thay đổi của dòng điện mạch ra IC
theo điện áp trên mạch ra UCB với
- Điều khiển âm và điều khiển dương:
+ Điều khiển âm: Dòng điện được cấp thẳng tới đầu
dương (đầu vào) của tải còn phía đầu âm (đầu ra) của
tải được điều khiển (ON/OFF)
+ Điều khiển dương: Dòng điện đầu dương (đầu vào)
của tải được điều khiển (ON/OFF) còn đầu âm (đầu ra)
của tải được nối mát
Hình 1.36: Điều khiển âm và điều khiển dương
- Chế độ làm việc của Tranzito:
+ Chế độ công tắc (ON/OFF): Chế độ này được
dùng trong hệ thống phun xăng, đánh lửa, điều
khiển các loại van điện dùng trong các loại cảm
biến
`
Hình 1.37: Chế độ công tắc của Tranzito
+ Chế độ vòi nước:
Chế độ này thường được sử dụng trong các hệ thống điều khiển tốc độ quạt
gió giàn lạnh, điều khiển môtơ bướm ga, điều khiển các van trong hệ thống số tự động
Trang 20E
B I
h U
Hinh 1.38: Chế độ vòi nước của Tr
1.2.2.5 Tranzito trường (FET _ Field-Efect Transistor)
a Nguyên lý làm việc
Hoạt động của tranzito trường dựa trên nguyên lý hiệu ứng trường nghĩa là độ
dẫn điện của đơn tinh thể bán dẫn do điện trường bên ngoài điều khiển Dòng điện
trong tranzito trường do một loại hạt dẫn tạo nên: Lỗ trống hoặc điện tử nên nó còn
được gọi là cấu kiện đơn cực Nguyên lý hoạt động cơ bản của tranzito trường là dòng
điện đi qua một môi trường bán dẫn có tiết diện thay đổi dưới tác động của điện trường
vuông góc với lớp bán dẫn đó Khi thay đổi cường độ điện trường sẽ làm thay đổi điện
trở của lớp bán dẫn và do đó làm thay đổi dòng điện đi qua nó Lớp bán dẫn này được
gọi là kênh dẫn điện
b Phân loại
Tranzito trường có hai loại chính là:
- Tranzito trường điều khiển bằng tiếp xúc P-N (hay gọi là tranzito trường mối nối):
Junction field-effect transistor – JFET
- Tranzito trường có cực cửa cách điện: Insulated-gate field effect transistor-IGFET
Thông thường lớp cách điện được dùng là lớp oxit nên gọi là
Metal-Oxide-Semiconductor Transistor (MOSFET)
Trong loại tranzito trường có cực cửa cách điện được chia làm hai loại là
MOSFET kênh sẵn và MOSFET kênh cảm ứng Mỗi loại FET lại được phân chia
thành loại kênh N và loại kênh P
Tranzito trường có ba chân cực là cực nguồn S (Source); cực cửa G (gate) và
cực máng D (drain)
Cực nguồn S: là cực mà qua đó các hạt dẫn đa số đi vào kênh và tạo ra dòng
điện nguồn IS
Cực máng D: Là cực mà ở đó các hạt dẫn đa số rời khỏi kênh
Cực cửa G: Là cực điều khiển dòng điện chạy qua kênh
c Một số ưu nhược điểm của tranzito trường so với tranzito lưỡng cực
Ưu điểm:
- Dòng điện qua tranzito chỉ do một loại hạt dẫn đa số tạo nên, do vậy FET là loại cấu
Trang 21- FET có trở kháng vào rất cao
- Tiếng ồn trong FET ít hơn nhiều so với tranzito lưỡng cực
- Nó không bù điện áp tại dòng ID = 0 và do đó nó là cái ngắt điện tốt
- Có độ ổn định về nhiệt cao
- Tần số làm việc cao
Nhược điểm:
- Hệ số khuếch đại thấp hơn nhiều so với tranzito lưỡng cực
d Ký hiệu của FET trong các sơ đồ mạch
Hình 1.39: Ký hiệu của FET trong các sơ đồ mạch
e Tranzito trường loại điều khiển bằng tiếp xúc P-N (JFET)
Cấu tạo:
Tranzito JFET cấu tạo gồm có một miếng bán dẫn mỏng loại N (kênh loại N)
hoặc loại P (kênh loại P) ở giữa hai tiếp xúc P-N và được gọi là kênh dẫn điện Hai đầu
miếng bán dẫn đó được đưa ra hai chân cực gọi là cực máng D và cực nguồn S Hai
miếng bán dẫn ở hai bên của kênh được nối với nhau và đưa ra một chân cực gọi là
cửa G Cho nên, cực cửa được tách khỏi kênh bằng các tiếp xúc P-N
Các tranzito trường JFET hầu hết là
loại đối xứng, có nghĩa là khi đấu trong
mạch có thể đổi chỗ hai chân cực máng và
nguồn cho nhau thì các tính chất và tham số
của tranzito không hề thay đổi
Hình 1.40: Cấu tạo của tranzito trường JFET kênh dẫn loại N
Nguyên lý hoạt động của JFET:
Nguyên lý làm việc của tranzito trường JFET kênh loại N và kênh loại P giống
nhau Chúng chỉ khác nhau về chiều của nguồn điện cung cấp vào các chân cực
Để cho tranzito trường làm việc ở chế độ khuếch đại phải cung cấp nguồn
điện UGS có chiều sao cho cả hai tiếp xúc P-N đều phân cực ngược Còn nguồn điện
UDS có chiều sao cho các hạt dẫn đa số chuyển động từ cực nguồn S qua kênh về cực
máng D để tạo nên dòng điện trong mạch cực máng ID
Trang 22Hình 1.41: Sơ đồ nguyên lý làm việc của JFET
Xét sơ đồ nguyên lý làm việc của JFET kênh N: Để hai tiếp xúc P-N đều phân
cực ngược ta phải cung cấp nguồn VGG có cực dương vào chân cực nguồn S, cực âm
vào chân cực cửa G Để cho các hạt dẫn điện tử chuyển động từ cực nguồn về cực
máng thì nguồn điện VD có chiều dương vào
cực máng, chiều âm vào cực nguồn Khi
UDS> 0, thì điện thế tại mỗi điểm dọc theo
kênh sẽ tăng dần từ cực nguồn S đến cực
máng D Do vậy tiếp xúc P-N sẽ bị phân cực
ngược
Hình 1.42: Mô hình đấu nối nguồn cung cấp cho JFET kênh N
Xét khả năng điều khiển của điện áp trên cực cửa UGS đối với dòng điện ID và
đặc tuyến truyền đạt của FET :
Muốn xét khả năng điều khiển dòng điện ID của điện áp trên cực cửa phải đặt
lên cực máng một điện áp UDS1> 0 và giữ cố định
Khi điện áp trên cực cửa UGS = 0V, hai tiếp xúc P-N sẽ được phân cực ngược
mạnh dần từ cực nguồn về phía cực máng, và do đó kênh cũng sẽ hẹp dần về phía cực
máng Tuy nhiên, ở trường hợp này, tiết diện của kênh là lớn nhất nên dòng điện chạy
qua kênh là lớn nhất, ký hiệu là ID0 Khi đặt điện áp trên cực cửa có trị số âm (UGS <
0), thì tiếp xúc P-N được phân cực ngược càng mạnh hơn, và tiết diện của kênh càng
hẹp lại, điện trở của kênh càng tăng, kéo theo dòng
điện ID giảm xuống Khi điện áp trên cực cửa giảm
xuống đến một trị số gọi là điện áp ngắt UGS ngắt
thì hai lớp tiếp xúc P-N phủ trùm lên nhau và kênh
hoàn toàn biến mất, dòng điện chạy qua kênh ID=
0
Quan hệ giữa ID với UGS thể hiện bằng
đường đặc tuyến điều khiển hay còn gọi là đặc
tuyến truyền đạt
Trang 23- Đặc tuyến ra của JFET :
Đặc tuyến ra chỉ mối quan hệ giữa ID và điện áp máng UGS Đối với JFET kênh
loại N, đặt một trị số UDS= 0 và giữ cố định, sau đó thay đổi trị số điện áp UDS Khi
điện áp UDS= 0 V thì hai tiếp xúc P-N được phân cực ngược đồng đều từ cực nguồn
đến cực máng, tiết diện của kênh là lớn nhất nhưng dòng điện ID= 0 Đặt UDS > 0, và
có giá trị nhỏ, điện thế tại mỗi điểm dọc theo kênh sẽ tăng dần từ cực nguồn đến cực
máng, làm cho tiếp xúc P-N được phân cực ngược mạnh dần về phía cực máng, đồng
thời các hạt dẫn điện tử sẽ chuyển động về cực máng tạo nên dòng điện cực máng ID
Tăng dần điện áp UDS hai tiếp xúc P-N càng được phân cực ngược mạnh hơn về phía
cực máng, tiết diện của kênh càng bị hẹp dần về phía cực máng, nhưng dòng điện ID
lại càng tăng tuyến tính với sự tăng của điện áp UDS Ta có đoạn đặc tuyến dốc đứng
gọi la vùng thuần trở Khi điện áp UDS tăng đến trị số mà tại đó hai tiếp xúc P-N chạm
nhau, tạo ra “điểm thắt’’ của kênh, thì trị số điện áp đó ta gọi là điện áp UDS bão hoà
hay còn gọi là điện áp thắt Lúc này dòng điện ID đạt tới trị số dòng điện bão hoà IDbh
Nếu tiếp tục tăng điện áp cực máng càng dương hơn thì dòng ID không tăng nữa mà
chỉ có tiếp xúc P-N được phân cực ngược mạnh hơn và chúng trùm phủ lên nhau làm
cho một đoạn kênh bị lấp và chiều dài của kênh bị ngắn lại Lúc này, quan hệ giữa
dòng điện ID với điện áp UDS không theo định luật Ôm nữa, ID gần như không đổi khi
UDS tiếp tục tăng
Nếu tăng trị số UDS lên quá cao có
thể xảy ra hiện tượng đánh thủng tiếp
xúc P-N và dòng điện ID sẽ tăng vọt lên
gọi là vùng đánh thủng
Thay đổi trị số điện áp trên cực
cửa và thực hiện lại các bước như trên ta
được họ đặc tuyến ra
Hình 1.44: Họ đặc tuyến ra của JFET kênh loại N
f Tranzito trường loại MOSFET kênh sẵn
Cấu tạo :
MOSFET kênh sẵn còn gọi là MOSFET chế độ nghèo (Depletion-Mode
MOSFET, viết tắt là DMOSFET) Khi chế tạo người ta chế tạo sẵn kênh dẫn, kênh dẫn
loại P hoặc kênh dẫn loại N
Trang 24Hình 1.45: Cấu tạo của MOSFET kênh sẵn loại P
Nguyên lý làm việc :
Khi làm việc, thông thường cực nguồn S được nối với đế và nối đất nên US =
0 Các điện áp đặt vào các chân cực cửa G và cực máng D là so với chân cực S
Nguyên tắc cung cấp nguồn điện cho các chân cực sao cho hạt dẫn đa số chạy từ cực
nguồn S qua kênh về cực máng D để tạo nên dòng điện ID trong mạch cực máng Còn
điện áp đặt trên cực cửa có
chiều sao cho MOSFET làm
việc ở chế độ giàu hạt dẫn
hoặc ở chế độ nghèo hạt dẫn
Nguyên lý làm việc
của hai loại kênh P và kênh N
giống nhau chỉ có cực tính của
nguồn điện cung cấp cho các
chân cực là trái dấu nhau
Hình 1.46: Sơ đồ nguyên lý của MOSFET kênh sẵn
- Xét khả năng điều khiển của DMOSFET loại P:
Khả năng điều khiển dòng điện ID của điện áp trên cực cửa UGS chính là mối
quan hệ giữa dòng điện ID với điện áp UGS khi UDS cố định
Để các hạt dẫn lỗ trống chuyển động từ cực nguồn S về cực máng D, ta đặt một
điện áp trên cực máng UDS1 < 0 và giữ không đổi Sau đó thay đổi điện áp trên cực cửa
UGS theo chiều dương hoặc theo chiều âm Khi
UGS= 0 thì dưới tác dụng của điện áp UDS các lỗ
trống chuyển động từ cực nguồn về cực máng tạo
nên dòng điện ID Nếu UGS < 0, nhiều lỗ trống được
hút về kênh làm nồng độ hạt dẫn trong kênh tăng
lên, độ dẫn điện của kênh tăng và dòng điện chạy
trong kênh tăng lên Chế độ làm việc này gọi là chế
độ giàu hạt dẫn
Hình 1.47: Đặc tuyến truyền đạt của MOSFET kênh sẵn loại P
Trang 25Nếu UGS > 0, các lỗ trống bị đẩy ra xa kênh làm nồng độ hạt dẫn trong kênh
giảm xuống, độ dẫn điện của của kênh giảm và dòng điện chạy qua kênh ID giảm
xuống Chế độ làm việc này gọi là chế độ nghèo hạt dẫn
- Xét họ đặc tuyến ra:
Đặc tuyến ra chỉ mối quan hệ giữa ID và điện áp
UDS khi UGS không đổi
Hình 1.48: Đặc tính ra của MOSFET kênh sẵn
loại P
Trên họ đặc tuyến ra, khi điện áp UDS = 0 (V) thì dòng điện qua kênh ID= 0, do
đó đặc tuyến xuất phát từ gốc toạ độ Điều chỉnh cho UDS âm dần, với trị số nhỏ thì
dòng điện ID tăng tuyến tính với sự tăng của điện áp UDS và mối quan hệ này được tính
theo định luật Ôm Ta có vùng thuần trở của đặc tuyến
Khi điện áp UDS đạt tới trị số bão hoà U DSbh thì dòng điện cực máng cũng đạt
tới trị số bão hoà IDbh Trong trường hợp này, lớp tiếp xúc P-N chạm vào đáy của lớp
oxit và kênh có điểm thắt tại cực máng, nên UDSbh còn được gọi là điện áp “thắt“
Nếu cho | UDS | > |UDSbh| thì dòng điện không thay đổi và giữ nguyên trị số bão
hoà IDSbh Đồng thời, tiếp xúc P-N bị phân cực ngược càng mạnh về phía cực máng,
làm cho chiều dài của phần kênh bị “thắt“ tăng lên Độ chênh lệch của điện áp ∆ UDS =
| UDS | - | UDbh| được đặt lên đoạn kênh bị “thắt“ và làm cho cường độ điện trường ở
đây tăng, giúp cho số các lỗ trống vượt qua đoạn kênh bị “thắt“ không thay đổi, do vậy
dòng ID giữ không đổi
Trường hợp nếu đặt UDbh quá lớn sẽ dẫn đến hiện tượng đánh thủng tiếp xúc
P-N ở phía cực máng, dòng điện IDS tăng vọt Lúc này tranzito chuyển sang vùng đánh
thủng Qua các họ đặc tuyến của DMOSFET ta thấy nó làm việc ở cả hai chế độ nghèo
và giàu hạt dẫn DMOSFET có mức ồn nhỏ nên nó được dùng trong các tầng khuếch
đại đầu tiên của thiết bị cao tần Độ hỗ dẫn của nó phụ thuộc vào điện áp U GS nên hệ
số khuếch đại điện áp thường được tự động điều khiển
g Tranzito trường kênh cảm ứng
Cấu tạo:
Tranzito trường kênh cảm ứng còn gọi là MOSFET chế độ giàu
(Enhancement-Mode MOSFET, viết tắt là E-MOSFET) Có hai loại là E-MOSFET loại N và loại P
Trang 26Hình 1.49: Cấu tạo của MOSFET kênh cảm ứng loại P
Nguyên lý hoạt động:
Nguyên lý làm việc của loại kênh P và kênh N giống hệt nhau, chỉ khác nhau
về cực tính của nguồn cung cấp đặt lên các chân cực Trước tiên, nối cực nguồn S với
đế và nối đất, sau đó cấp điện áp giữa cực cửa và cực nguồn để tạo kênh dẫn
Tạo kênh dẫn và khả năng điều khiển của MOSFET kênh cảm ứng loại P: Theo
nguyên tắc cấp nguồn điện cho
các chân cực, ta cấp nguồn điện
UGS < 0 để tạo kênh, còn UDS < 0
để tác động cho các lỗ trống
chuyển động từ cực nguồn về cực
máng tạo nên dòng điện ID
Hình 1.50: Sự hình thành kênh dẫn của MOSFET loại P
Khi ta đặt một điện áp UGS < 0 đến một giá trị gọi là điện áp ngưỡng (UGSth) thì
một số các lỗ trống được hút về tạo thành một lớp mỏng các lỗ trống trên bề mặt của
lớp bán dẫn đế Si(N), nối liền cực nguồn với cực máng D và kênh dẫn điện được hình
thành Khi kênh đã xuất hiện, dưới tác dụng của điện trường cực máng, các lỗ trống sẽ
di chuyển từ cực nguồn qua kênh về cực máng và tạo
nên dòng điện trong tranzito ID Tiếp tục cho UGS
càng âm hơn, thì số lỗ trống được hút về kênh càng
nhiều, mật độ hạt dẫn trong kênh càng tăng lên, độ
dẫn điện của kênh càng tăng dẫn đến cường độ dòng
điện chạy qua kênh cũng tăng lên
Hình 1.51: Đặc tuyến truyền đạt của MOSFET kênh cảm ứng loại P
Họ đặc tuyến ra: Họ đặc tuyến ra biểu thị mối quan hệ giữa dòng điện ID và
điện áp UDS với UGS giữ không đổi trong sơ đồ mắc cực nguồn chung như sau:
Trang 27Hình 1.52: Sơ đồ nguyên lý và đặc tuyến ra của MOSFET kênh cảm ứng loại P
Điện áp đặt lên cực cửa phải đủ lớn để kênh dẫn được hình thành, sau đó ta thay
đổi điện áp UDS và theo dõi sự thay đổi của dòng ID theo điện áp UD
Nếu UDS = 0 thì các lỗ trống không chuyển động về cực máng nên ID = 0 Khi
UDS có trị số nhỏ, thì điện thế tại mỗi điểm dọc theo kênh sẽ giảm dần từ cực nguồn S
đến cực máng D Dưới tác dụng của điện áp UD các lỗ trống sẽ di chuyển từ cực nguồn
đến cực máng tạo nên dòng ID Tiếp tục cho điện áp UDS càng âm thì dòng ID tăng
nhanh và tăng tuyến tính với sự tăng của điện áp âm UDS Đồng thời tiếp xúc P-N cũng
được phân cực ngược tăng dần từ cực nguồn đến cực máng, bề dày lớp tiếp xúc tăng
dần về phía cực máng và kênh hẹp dần về phía cực máng, điện trở kênh tăng lên Ta có
đoạn dốc của đặc tuyến gọi là vùng thuần trở
Khi trị số điện áp trên cực máng đạt trị số mà tại đó bề dày của tiếp xúc P-N
tăng lên chạm vào đáy của lớp oxit ở phía cực máng thì ta gọi là điện áp cực máng bão
hoà (UDSbh) Lúc này dòng điện ID đạt trị số bão hoà IDbh Tiếp tục cho điện áp UDS
càng âm hơn, thì bề dày của lớp tiếp xúc P-N càng tăng về phía cực máng, phần kênh
bị “thắt“ lại càng tăng lên và chiều dài của kênh bị ngắn lại, nhưng dòng điện không
đổi và bằng IDbh Trong trường hợp này, độ gia tăng của trị số điện áp cực máng UDS sẽ
được đặt lên đoạn kênh bị “thắt“ Và nó tác dụng trực tiếp lên phần kênh còn lại, kích
thích sự chuyển dịch của các hạt lỗ trống từ cực nguồn vượt qua đoạn kênh bị “thắt’’
để về cực máng làm dòng điện ID không đổi Ta có vùng ID không đổi Nếu trị số của
UDS quá lớn thì có thể xảy ra hiện tượng đánh thủng lớp tiếp xúc P-N ở phía cực máng,
làm cho dòng điện ID tăng vọt lên
1.3 Các thiết bị nguồn và giắc
Trang 28
Hình 1.53: Cấu tạo cầu chì Hình 1.54: Một số loại cầu chì
- Ký hiệu :
b Cách đọc giá trị tải cực đại
- Giá trị dòng điện cực đại cho phép được ghi trên vỏ cầu chì, ví dụ: 10A, 15A, 20A,
Bảng 1.5: Màu vỏ của cầu chì hộp
+ Đối với cầu chì loại thanh:
Bảng 1.6: Màu vỏ của cầu chì thanh
c Cầu chì tự nhảy
Hay còn gọi là cầu chì nhiệt, rơle nhiệt-Circuit breaker, là một cầu chì với một
thanh lưỡng kim thay cho phần nóng chảy Khi dòng điện chạy qua thanh lưỡng kim
đạt tới một giá trị tới hạn, thanh sẽ cong lên và mở tiếp điểm, ngắt dòng điện
Trang 29
Trước khi hoạt động Sau khi hoạt động
Hình 1.55: Hoạt động của cầu chì tự nhảy
Có hai loại: loại thường và loại tự động
Loại thường Loại tự động
Hình 1.56: Hai loại cầu chì tự nhảy
Ký hiệu trên sơ đồ mạch: Loại thường:
Loại tự động:
1.3.2 Rơ le điện từ
Là một linh kiện điện từ dùng để đóng mở các tiếp điểm trong mạch điện bằng
lực điện từ của cuộn dây nam châm điện
Hình 1.57: Rơle điện từ
Rơle thường mở: Rơle luôn mở tiếp điểm khi không có dòng điện chạy qua cuộn dây
Trang 30
Hình 1.58: Rơ le thường mở Hình 1.59: Rơle thường đóng
Rơle thường đóng: Rơle luôn đóng tiếp điểm khi không có dòng điện chạy qua cuộn
dây
Rơle kiểu hỗn hợp: Gồm nhiều rơle đơn thường đóng và thường mở
Hình 1.60: Rơle kiểu hỗn hợp
Bảng 1.7: Một số loại rơle
Trang 311.3.3 Giắc và các mạch đấu nối
- Giắc dùng để kết nối các linh kiện điện với nguồn hoặc giữa các nguồn Có nhiều
hình dáng khác nhau như hình chữ nhật, hình vuông, tròn… và có từ 1 đến 21 chân
giắc Tuỳ theo hình dáng chân giắc mà ta có giắc đực và giắc cái
Hình 1.61: Giắc đực và giắc cái Hình 1.62: Ký hiệu giắc
- Ký hiệu trên sơ đồ mạch: Giắc được ký hiệu bởi “CN” và các thông số đi kèm
Ví dụ: CN – M29 (X4)
Trong đó:
CN - giắc M29 – Số thứ tự của giắc này trên sơ đồ mạch
X – Kiểu giắc
4 – Số chân giắc
Trang 32CHƯƠNG 2 : HỆ THỐNG CUNG CẤP ĐIỆN
2.1 Công dụng và yêu cầu
a Công dụng
Cung cấp điện áp một chiều ổn định (12-14V) cho tất cả các hệ thống điện trên
ôtô ở mọi chế độ làm việc
b Yêu cầu
Máy phát phải luôn tạo ra một điện áp ổn định (13.6-14.8V đối với hệ thống
điện 14 V) trong mọi chế độ làm việc của phụ tải Máy phát phải có cấu trúc và kích
thước nhỏ gọn, trọng lượng nhỏ, giá thành thấp và tuổi thọ cao Máy phát cũng phải có
độ bền cao trong điều kiện nhiệt độ và độ ẩm lớn, có thể làm việc ở những vùng có
điều kiện bụi bẩn, dầu nhớt và độ rung lớn Việc duy tu và bảo dưỡng càng ít càng tốt
2.2 Sơ đồ hệ thống và bố trí thiết bị
a Sơ đồ hệ thống cung cấp điện
Hình 2.1: Hệ thống cung cấp điện 1- Máy phát; 2-Ắc quy; 3-Đèn báo nạp; 4-Khoá điện
b Các thiết bị trong hệ thống
- Máy phát điện (+ tiết chế): Nguồn điện năng chính
- Ắc quy: Nguồn điện năng dự trữ
- Cơ cấu báo nạp
- Khoá điện
2.3 Các thiết bị chính trong hệ thống cung cấp điện
2.3.1 Ắc quy
Trên động cơ ôtô người ta có thể sử dụng 1 trong 2 loại ắc quy là: ắc quy a xít
hoặc ắc quy kiềm Tuy nhiên ắc quy kiềm thường được dùng trong các xe quân sự vì
kích thước to, độ bền cao nhưng giá đắt Nên ở đây ta chỉ nói đến ắc quy axit
a Cấu tạo
Bao gồm nhiều ắc quy đơn mắc nối tiếp, mỗi ắc quy đơn cho điện áp ra U =
2.11-2.13 V
Trang 33Hình 2.2: Cấu tạo ắc quy 1- Cực âm; 2- Nút thông hơi; 3- Mắt kiểm tra; 4- Cực dương;
5- Dung dịch; 6- Ngăn ắc quy; 7- Bản cực
- Khối bản cực:
Hình 2.3: Khối bản cực
1 – Chùm cực dương; 2 – Đầu cực dương; 3 – Các tấm ngăn
4 – Đầu cực âm; 5 – Chùm cực âm
Dung dịch điện phân: Là dung dịch (H2SO4) có tỷ trọng ρ=1,23–1.26 g/cm3
đặc trưng cho nồng độ dung dịch
b Đặc điểm làm việc
Trên ôtô không có ắc quy khô, chỉ có ắc quy không bảo dưỡng (đổ nước 1
lần) và ắc quy bảo dưỡng (đổ nước nhiều lần)
Trang 34Ắc quy bảo dưỡng: phải kiểm tra mức dung dịch điện phân và đổ thêm nước
cất nếu thiếu
+ Phải kiểm tra nồng độ dung dịch (tỷ trọng), nếu thấp tức là ắc quy đói, phải
nạp thêm
+ Phải lau chùi bề mặt ắc quy một các thường xuyên
Ắc quy không bảo dưỡng: cần quan sát mắt màu trên nắp bình
Hình 2.4: Mức dung dịch điện phân và màu sắc trên nắp bình ắc quy không bảo dưỡng
c Các thông số sử dụng của ắc quy
Điện áp: 6V, 9V,12V, đa cực
Dung lượng ắc quy (điện dung của bình ắc quy)
+ C10, Q10: Là dung lượng tính theo 10 giờ phóng điện
C10 = Iphóng điện.10giờ, ví dụ: 70 Ah
+ C20, Q20: Là dung lượng tính theo 20 giờ phóng điện
C20 = Iphóng điện.20giờ, ví dụ : 126Ah
Nạp ắc quy : Nạp theo hai cách:
+ Đối với ắc quy mới: Nạp với dòng điện không đổi IN = 0,1Q10 trong suốt thời
gian nạp 13 giờ
+ Đối với ắc quy cần nạp bổ xung: Nạp với điện áp không đổi:
UN = 2,3 – 2,4V/1 ắc quy đơn, trong thời gian 3 giờ nạp, đạt được 80% điện dung
bổ xung
2.3.2 Máy phát điện trên ôtô (Alternator)
Máy phát điện trên ôtô là máy phát điện xoay chiều gồm các loại:
- Máy phát điện có chổi than: Dùng cho các xe phổ thông
- Máy phát điện không có chổi than
- Máy phát điện loại mới 6 pha, 12 điốt ổn áp
- Máy phát điện cho động cơ điêzen có bơm chân không
Trang 35Hình 2.5: Máy phát điện xoay chiều
2.3.2.1 Máy phát điện loại có chổi than
a Chức năng cơ bản: 3 chức năng cơ bản
- Phát điện
- Chỉnh lưu dòng xoay chiều 3 pha do máy phát tạo ra thành dòng một chiều
- Hiệu chỉnh điện áp: Tiết chế điều chỉnh điện áp sinh ra và dòng điện áp hiện
thời đi đến thiết bị điện để đảm bảo nó là luôn bằng hằng số khi tốc độ quay
của rôto máy phát thay đổi
- Stato (phần ứng, phần phát điện): là khối thép định hình rãnh và răng, cuộn
dây 3 pha (đấu hình sao hoặc tam giác)
Hình 2.7: Stato mắc hình sao
Trang 36Hình 2.8: Stato mắc hình tam giác
Bộ chỉnh lưu (Rectifier - giàn điốt): Có chức năng biến dòng xoay chiều 3 pha
trong stato thành dòng một chiều Bộ chỉnh lưu có từ 6, 8, 9, 11 và 12 điốt (loại máy
phát 6 pha đời mới, dùng điốt ổn áp )
Hình 2.9: Bộ chỉnh lưu Rectifier
Hình 2.10: Các kiểu bộ chỉnh lưu
- Bộ tiết chế IC (IC Regulator): Điều chỉnh dòng điện kích từ đến cuộn dây kích
từ để kiểm soát điện áp ra
Hình 2.11: Bộ tiết chế IC(IC regulator)
Trang 37Giắc cắm (chân ra) của tiết chế có hai loại, loại nhận biết điện áp máy phát và
loại nhận biết điện áp ắc quy
Hình 2.12: Chân ra của tiết chế IC
c Nguyên lý hoạt động
- Điện áp được tạo ra trong cuộn dây stato:
Hình 2.13: Điện áp được tạo ra trong cuộn dây stato
- Sự chỉnh lưu dòng xoay chiều 3 pha:
Hình 2.14: Sự chỉnh lưu dòng điện xoay chiều 3 pha
Đặc tuyến tải theo số vòng quay của máy phát: Khi điện áp đầu ra của máy phát
được giữ không đổi là 14V, dòng điện có thể phát tối đa của máy phát tăng theo tốc độ
quay Tuy nhiên nó bị giới hạn bởi hai yếu tố:
+ Cảm kháng: Cảm kháng sinh ra trong cuộn stato khi
dòng điện xoay chiều chạy qua nó Cảm kháng tăng khi
tốc độ tăng
+ Hiện tượng phản từ: Từ trường được sinh ra khi có
dòng điện chạy qua cuộn dây stato (khi máy phát có tải)
Từ trường này làm yếu lực từ của rôto
Hình 2.15: Đặc tính tải của máy phát
Trang 38Dòng điện phát ra phụ thuộc vào nhiệt độ: Khi nhiệt độ tăng, dòng điện phát
ra giảm
Vì khi nhiệt độ tăng, điện trở của cuộn dây kích từ tăng làm giảm dòng kích từ
khiến kích từ giảm theo Thêm vào đó, khi nhiệt độ tăng, điện trở stato tăng nên dòng
phát ra giảm
- Chức năng của điốt điểm trung hòa:
Cuộn dây stato mắc hình sao có điểm trung hòa Điện áp tại điểm này có
thành phần xoay chiều khi có tải, giá trị đỉnh của thành phần xoay chiều này sẽ vượt
giá trị điện áp ra của máy phát ở tốc độ hơn
2000 – 3000 vòng/phút Có thêm hai điốt điểm
trung tính sẽ lấy được phần điện áp trượt này để
làm tăng công suất máy phát
Hình 2.16: Hai điốt bù điểm trung hòa
Hình 2.17: Thành phần điện áp xoay chiều Hinh 2.18: Đặc tính tải khi có
tại điểm trung hòa điốt điểm trung hòa
2.3.2.2 Máy phát điện loại mới 6 pha, 12 đi ốt ổn áp
Hình 2.19: Máy phát 6 pha, 12 điode ổn áp
Trang 39Một hệ thống thanh dẫn điện nối với nhau (dây đồng tiết diện vuông) được áp
dụng trong cuộn dây stato hàn trong hệ thống day quấn như thông thường, điện trở
giảm đi và máy phát sẽ gọn hơn
Máy phát sử dụn 2 bộ dây cuốn 3 pha Do chúng cân bằng âm thanh trường
của nhau (sinh ra trong stato) nên tiếng ồn được cải thiện
2.3.2.3 Máy phát điện cho động cơ điêzen có bơm chân không
Hình 2.20: Máy phát điện cho động cơ điêzen có bơm chân không
Đặc tính của máy phát điện xoay chiều có bơm chân không
- Nó được trang bị bơm cở chân không và tạo ra áp suất âm cho bộ trợ lức
phanh
- Bơm chân khong được lắp trên trục của máy phát và quay cùng trục này
- Có thể chia máy phát này thành 2 loại sau:
+ Loại có bơm chân không ở phía puli
+ loại có bơm chân không ở phía đối diện với puli
2.3.2.4 Máy phát loại không có chổi than
Hình 2.21: Máy phát loại
không có chổi than
1 Cuộn dây kích thích, 2 bạc
lót; 3 trục roto; 4 Cộn dây roto
5 gông từ, 6 Nắp sau; 7 cuộn
dây stato, 8 nắp trước
Nguyên lý hoạt động của
Trang 40máy phát điện loại không có chổi than tương tự nguyên lý của cảm biến loại từ
điện (được nêu ở chương 4)
1 Rotor nam châm ; 2 Lõi thép từ ; 3.Cuộn phát xung
Hình 2.22: Nguyên lý hoạt động của máy phát loại không có chổi than
Nam châm được gắn trên rotor, còn cuộn phát xung được quấn quanh một lõi
thép và cố định trên vỏ của máy phát Khi nam châm quay, từ thông xuyên qua cuộn
phát xung biến thiên tạo nên một sức điện động trong cuộn phát xung
Trong đó:
- k: hệ số phụ thuộc chất liệu từ của lõi thép và khe hở giữa lõi thép và
cánh phát xung
- : số vòng dây cuốn trên lõi thép từ
- n: tốc độ quay của rotor
-
t
d
d
: độ biến thiên của từ thông trong lõi thép từ
Do từ thông qua cuộn phát xung đổi dấu nên sức điện động sinh ra trong cuộn
phát xung lớn Tại thời điểm từ trường biến thiên lớn nhất sinh ra sức điện động e là
lớn nhất tương ứng với điểm B trên hình 2.22 Khi từ trường biến thiên nhỏ nhất tại
điểm C thì sức điện động giảm về 0 (khi cánh của rôt nam châm và cuộn phát sung
đối diên nhau) Khi qua vị trí đối xứng từ thông lại tăng dần cho tới điểm Đ đạt max và
sinh ra sức điện động lớn nhất nhưng đổi dấu
2.3.3 Bộ điều chỉnh điện (bộ tiết chế IC)
a Chức năng của bộ tiết chế
- Điều chỉnh điện áp máy phát Umf : ổn định ở một giá trị trong dải 13.6V – 14,8V
Ta có: Umf = c.nmf KT – Imf.Z
- Báo bạp: Bật, tắt đèn báo nạp để báo hiệu máy phát đã cung cấp điện cho mạng điện
- Báo sự cố trong hệ thống cung cấp điện
dt
d k
.