Tài liệu Bài tập chương 3 Kỹ thuật đo doc

Tính dòng điện tổng cộng đi qua ampe-kế trong các trường hợp: a Kim lệch tối đa... Một cơ cấu đo từ điện có ba điện trở shunt được mắc theo kiểu shunt ayrton sử dụng làm ampe-ké.. Tính c

BÀI TẬP CHƯƠNG 3

2.1 Một ampe-kế dùng cơ cấu đo từ điện có điện trở cơ cấu đo Ñ#/„= 99Q va dong làm lệch tối đa 7„„„ = 0,lnA Dién trd shunt Rs = 1O Tính dòng điện tổng cộng đi qua ampe-kế trong các trường hợp:

a) Kim lệch tối đa

b) 0,5Dm; (FSD = Imax, full scale deviation)

c) 0,25 Dự

2.2 Một cơ cấu đo từ điện có [= 10UHA, điện trở nội khung quay

R = 1kQ Tính điện trở shunt mắc vào cơ cấu đo để trổ thành một ampe-kế

tương ứng với các trường hợp hình

a) D,, = 100 mA = tam do 1

b) Dy = 1A = tam do 2

2.3 Một cơ cấu đo từ điện có ba điện trở shunt được mắc theo kiểu shunt ayrton sử

dụng làm ampe-ké Ba dién trd c6 tris6: R; = 0,05Q, R> = 0,450; R3 = 4,50;

Rm = 1kQ; Imax = 50uA, c6 mạch đo như hình B.2.3 Tính các trị số tầm đo của

ampe-kế

2.4 Một cơ cấu đo từ điện /„„¿ = 100uA, điện trở nội (dây quấn)

Rm = 1KQ được sử dụng làm vôn-kế DC Tính điện trở tầm đo để vôn-kế có

Vự„ = 100V Tính điện áp V ở hai đầu vôn-kế khi kim có độ lệch 0,75D„;;

0,5Dm: Va 0,25Dm (46 lech téi da Dy»)

m Ss

V

2.5 Một cơ cấu đo từ điện có Imax = 50ULA: Ñ„ = 1700 được sử dụng làm vôn-

kế DC có tâm đo 10V 50V 100V Tính các điên trở tầm do theo hình B.2.5a.b

như sau:

50V 100V

b)

Hình B 2 5

2.6 Một vôn-kế có tầm đo 5V, được mắc vào

mạch, đo điện áp hai đầu điện trở R®: như

12V_

+

kề,

b) Tính Vạ; khi mắc vôn-kế, có độ nhạy 20kQ/V

c) Tinh Vẹz khi mắc vôn-kế, có độ nhạy 200k@/V

Hình B.2.6

2.7 Một cơ cấu đo từ điện có 1 = 100uA và

điện trở cơ cấu đo R,», = IkO được sử dụng làm , D, 5 t

®

chỉnh lưu có dạng cầu sử dụng diod silicon như x

Ds

b) Tính độ lệch của vôn-kế khi điện áp đưa vào vôn-kế là 75V và 50V (trị hiệu dung — RMS)

e) Tính độ nhạy của vôn-kế Tín hiệu đo là tín hiệu xoay chiều dạng sin

2.8 Một cơ cấu đo từ điện có: 1z = 50A; R„ = 1700O kết hợp với mạch chỉnh

lưu bán kỳ như hình B.2.S Diod silicon

D; có trị giá dòng điện thuận ïr (đỉnh)

tối thiểu là 100uA Khi điện áp đo bằng

20% Vz„a„, diod có Vg= 0,7V Vôn-kế “V

CO Vigm do = SOV

a) Tinh R, va Rsy

Hinh B.2.8 b) Tính độ nhạy của vôn-kế trong hai trường hợp: có D; và không có Da

2.9 Một ampe-kế sử dụng cơ cấu đo từ điện có cầu chỉnh lưu và biến dòng như

hình vẽ Biết rằng cơ cấu đo có Ip, = LmA va Rm = 1700Q Bién dong c6 Ning = 500; N = 4 Diod có: Vpz„„= 0,7V; 8; = 20KO ampe-kế lệch tối đa khi dòng

sd cap Jp = 250 mA Tinh tri gia Ry