1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

BÁO cáo THIẾT kế VI MẠCH số

28 20 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 28
Dung lượng 2,56 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

Thiết kế sơ đồ nguyên lý cổng NAND .... Mô phỏng đáp ứng DC cổng NAND .... Mô phỏng đáp ứng Transient cho cổng NAND .... Thiết kế layout cổng NAND Sơ đồ stick digram: Layout:... Thiết kế

Trang 1

ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA ĐIỆN-ĐIỆN TỬ NĂM HỌC 2019 – 2020

-* -

BÁO CÁO THIẾT KẾ VI MẠCH SỐ GVHD: Trần Hoàng Linh

Trang 2

Mục lục

BÀI 1: THIẾT KẾ VÀ ĐO ĐẠC CỔNG NOT 3

1 Thiết kế sơ đồ nguyên lý 3

2 Thực hiện mô phỏng đáp ứng DC 4

3 Thực hiện mô phỏng transient 5

4 Layout cổng NOT 7

BÀI 2: THIẾT KẾ VÀ ĐO ĐẠC CỔNG NAND-NOR 8

1 Thiết kế sơ đồ nguyên lý cổng NAND 8

2 Mô phỏng đáp ứng DC cổng NAND 9

3 Mô phỏng đáp ứng Transient cho cổng NAND 11

4 Thiết kế layout cổng NAND 12

5 Cổng NOR 13

6 Mô phỏng DC cổng NOR: 13

7 Mô phỏng transient cổng NOR 15

8 Thiết kế layout cổng NOR 16

Bài 3: Thực hiện cổng FLIP-FLOP và CHARACTERIZATION 17

1 Thiết kế sơ đồ nguyên lý 17

2 Kiểm tra đáp ứng TRANSIENT 18

Bài 4: SRAM 20

1 SRAM ở chế độ write 20

2 Sram ở read 22

Bài 5: TCAM 25

1 TCAM ở chế độ write 25

2 TCAM ở chế độ operation 27

Trang 3

3

BÀI 1: THIẾT KẾ VÀ ĐO ĐẠC CỔNG NOT

1 Thiết kế sơ đồ nguyên lý

Trang 6

Mạch nguyên lý:

Kết quả mô phỏng:

Trang 7

7

Trise – Rising Time (20% - 80%) 3.253E-12 s

Tfall – Falling Time (80% - 20%) 3.253E-12 s

Trise – Rising Time (10% - 90%) 4.768E-12 s

Tfall – Falling Time (90% - 10%) 4.768E-12 s

Trise_propagation delay (90% - 50%) 4.184E-12 s

Tfall_propagation delay (10% - 50%) 4.184E-12 s

Tpropagation delay (50% - 50%) 1.282E-12 s

Switching Power

4 Layout cổng NOT

download by : skknchat@gmail.com

Trang 8

BÀI 2: THIẾT KẾ VÀ ĐO ĐẠC CỔNG NAND-NOR

1 Thiết kế sơ đồ nguyên lý cổng NAND

Trang 10

Kết qủa mô phỏng:

Điện áp ngõ ra tại các Vin:

Vin 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 Vout 0.999 0.998 0.987 0.753 0.036 0.004 0.0004 0.00004 0.00002 0.00001

Trang 12

4 Thiết kế layout cổng NAND

Sơ đồ stick digram:

Layout:

Trang 14

Kết quả mô phỏng:

Điện áp ngõ ra tại các Vin:

Vin 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 Vout 0.998 0.979 0.857 0.091 0.021 0.007 0.001 0.0001 0.00001 0.000001

Trang 16

8 Thiết kế layout cổng NOR

Sơ đồ stick digram:

Layout:

Trang 18

2 Kiểm tra đáp ứng TRANSIENT

Mạch mô phỏng:

Trang 19

19

Kết quả mô phỏng:

download by : skknchat@gmail.com

Trang 21

21

Kết quả mô phỏng sram writing:

download by : skknchat@gmail.com

Trang 22

2 Sram ở read

Sơ đồ mô phỏng:

Nguyên lý mô phỏng:dữ liệu của SRAM đã được lưu tại các nút noi_BL và noi_BLX,2 dữ liệu này luôn ngược dấu nhau Khi WL=1 bắt đầu chế độ read dữ liệu điện tại các nút lưu trữ sẽ được hiển thị tương ứng tại các dây BL,BLX

Trang 23

23

Kết quả mô phỏng sram read:

download by : skknchat@gmail.com

Trang 26

Kết quả mô phỏng:

Ngày đăng: 25/04/2022, 14:02

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Bảng 3-1: Bảng sự thật cổng NOT Sơ đồ nguyên lý và ký hiệu cổng:  - BÁO cáo THIẾT kế VI MẠCH số
Bảng 3 1: Bảng sự thật cổng NOT Sơ đồ nguyên lý và ký hiệu cổng: (Trang 3)
Hình 1-1: Sơ đồ cổng NOT - BÁO cáo THIẾT kế VI MẠCH số
Hình 1 1: Sơ đồ cổng NOT (Trang 3)
BÀI 2: THIẾT KẾ VÀ ĐO ĐẠC CỔNG NAND-NOR - BÁO cáo THIẾT kế VI MẠCH số
2 THIẾT KẾ VÀ ĐO ĐẠC CỔNG NAND-NOR (Trang 8)
Bảng sự thật cồng NAND Sơ đồ nguyên lý:  - BÁO cáo THIẾT kế VI MẠCH số
Bảng s ự thật cồng NAND Sơ đồ nguyên lý: (Trang 8)
Bài 3: Thực hiện cổng FLIP-FLOP và CHARACTERIZATION  - BÁO cáo THIẾT kế VI MẠCH số
i 3: Thực hiện cổng FLIP-FLOP và CHARACTERIZATION (Trang 17)
Bảng sự thật cổng DFF Sơ đồ nguyên lý cổng:  - BÁO cáo THIẾT kế VI MẠCH số
Bảng s ự thật cổng DFF Sơ đồ nguyên lý cổng: (Trang 17)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w