Dòng điện chạy trong nó bằng dòng ngược bão hòa có giá trị rất bé và không t n tồ ại điện trường Etx t i biên gi i ti p xúc.. Dòng điện chạy trong nó bằng 0 và điện trường Etx tại biên g
Trang 1PH ẦN CÂU H I TR C NGHI M Ỏ Ắ Ệ ( Các b n t ạ ự giở giáo trình tra ho c xem ph n tóm t t ki n th ặ ầ ắ ế ức để làm
sau đó so với đáp án ở phía dướ i)
V ẤN ĐỀ 1: VẬT LI U BÁN D N Ệ Ẫ
Câu 1: Chấ t bán d n thu n là ch t bán dẫ ầ ấ ẫn:
a Không có sự tham gia của nguyên t ngo i lai ố ạ
b Được t o thành t các nguyên t có hóa tr IV ạ ừ ố ị
c Được t o thành t nguyên t có hóa tr III v i nguyên t có hóa tr ạ ừ ố ị ớ ố ị V
d Chất không dẫn điện tại 00C
Câu 2: Ch t bán d n t p ch t d ng n là ch t bán dấ ẫ ạ ấ ạ ấ ẫn:
a thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị III
b thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V
c có h t tạ ải đa số là l ỗ trống t do ự
d có các hạt mang điệ ựn t do là l ỗ trống và điệ ửn t
Câu 3: Ch t bán d n t p ch t d ng p là ch t bán dấ ẫ ạ ấ ạ ấ ẫn:
a thuần có pha thêm tạp chất
b thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V
c có h t tạ ải đa số là l ỗ trống t do ự
d có các hạt mang điệ ựn t do là l ỗ trống và điệ ửn t
Câu 4: Chuy n tiể ếp p_n khi chưa được phân c ực:
a Dòng điện chạy trong nó bằng dòng ngược bão hòa (có giá trị rất bé)
và t n t i mồ ạ ột điệ trườn ng Etx t i biên gi i ti p xúc ạ ớ ế
b Dòng điện chạy trong nó bằng dòng ngược bão hòa (có giá trị rất bé) và
không t n tồ ại điện trường Etx t i biên gi i ti p xúc ạ ớ ế
c Dòng điện chạy trong nó bằng 0 và điện trường Etx tại biên giới tiếp
xúc cũng bằng 0
d Dòng điện chạy trong nó bằng 0 và tồn tại một điện trường Etx tại biên
giới tiếp xúc
Câu 5: Chuy n ti p p-ể ế n có đặc tính:
a Dẫn điện theo một chiều
b Dẫn điện khi được phân cực thuận và hở mạch khi bị phân cực nghịch
c Dẫn điện theo cả hai trường hợp phân cực thuận và nghịch
d Không dẫn điện
Câu 6: Ti ếp xúc shottky có đặc điểm:
a gồm kim loại và bán dẫn tiếp xúc nhau
b gồm bán dẫn loại n tiếp xúc bán dẫn loại p
c tốc độ chuyển mạch chậm hơn so với bán dẫn
d gồm hai bán dẫn tiếp xúc nhau
Câu 7: Chuy n ti p p-n b ể ế ị đánh thủ ng v ề nhiệ t khi x y ra hiả ện tượng:
a Điện áp đặt trên hai đầu của nó vượt quá điện áp VBR
Trang 2b Dòng điện ngược qua chuyển tiếp p-n vượt quá giá trị cho phép
c Điện áp đặt trên hai đầu của nó vượt quá điện áp Vγ
d Cả a và b
Câu 8: Các hiện tượng đánh thủng sau đây, hiện tượng nào s phá h y toàn b ẽ ủ ộ đặc tính van c a chuy n ti p p- ủ ể ế n:
a Đánh thủng về điện
b Đánh thủng về nhiệt
c Đánh thủng xuyên hầm
d Đánh thủng thác lũ
Câu 9: Công th c nào là công th c mô t cứ ứ ả ủa dòng điện ch y trong chuy n ti p p-ạ ể ế n:
a Ip-n= I ( s 𝑒−𝑞𝑉𝐷𝑛𝐾𝑇 − 1)
b Ip-n= -Is.( 𝑒𝑛𝐾𝑇𝑞𝑉𝐷− 1)
c Ip-n= I ( s 𝑒𝑞𝑉𝐷𝑛𝐾𝑇− 1)
d Ip-n= -Is.( 𝑒𝑛𝐾𝑇𝑞𝑉𝐷− 1)
Câu 10: Chuy n ti p p-n khi b phân cể ế ị ực ngược:
a Vùng tiếp xúc bị thu h p lẹ ại và điện trường trong vùng tiếp xúc gi m ả
so với lúc chưa có điệ trườn ng ngoài
b Vùng tiếp xúc được m rở ộng ra và điện trường trong vùng ti p xúc ế
giảm so với lúc chưa có điện trường ngoài
c Vùng tiếp xúc được m rở ộng ra và điện trường trong vùng ti p xúc ế
tăng so với lúc chưa có điện trường ngoài
d Vùng tiếp xúc được thu hẹp ra và điện trường trong vùng tiếp xúc tăng
so với lúc chưa có điện trường ngoài
Câu 11: Chuy n ti p p-ể ế n khi được phân c c thuự ận:
a Vùng tiếp xúc bị thu h p l i so vẹ ạ ới lúc chưa có điện trường ngoài
b Vùng tiếp xúc được m r ng ra so vở ộ ới lúc chưa có điệ trườn ng ngoài
c Vùng tiếp xúc không thay đổi so với lúc chưa có điện trường ngoài
d Điện trường trong vùng tiếp xúc tăng so với lúc chưa có điện trường
ngoài
Câu 12: Vùng ti p xúc trong chuy n ti p p-ế ể ế n có đặc điểm:
a không tồ ạn t i các hạt mang điện tự do
b không t n t i các ion t p ch ồ ạ ạ ất
c Có các ion t p chạ ất mang điện tích dương phía bên bán dẫn N v à các
ion t p ch t âm phía bên bán d n P ạ ấ ẫ
d Cả a và c
V ẤN ĐỀ 2: DIODE VÀ M ẠCH Ứ NG D NG: Ụ
Câu 1: Điện dung trong chuy n ti p p-ể ế n (diode) khi được phân c ực ngược:
a Điện dung ti p xúc ế
b Điện dung khu ch tán ế
c Điện dung phân b ố
d Cả a và b
Trang 3Câu 2: Điện tr ở trong diode có đặ c tính:
a Tuyến tính
b Phi tuy n ế
c Không t n t ồ ại
d Vô cùng l n ớ
Câu 3: Điện tr ở động trong chuy n ti p p-ể ế n (diode) được tính g ần đúng theo công thức:
a rd= 26𝑚𝑉𝐼
𝐷𝑄
b rd= 𝑉𝑇
𝐼 𝐷𝑄
c rd= 𝑉𝛾
𝐼 𝐷𝑄
d rd= 25𝑚𝑉𝐼
𝐷𝑄
Câu 4: Diode zener có đặc điểm:
a Hoạt động ở chế độ phân cực ngược
b Dẫn điện khi được phân cực thuận và khi phân cực ngược
c Dẫn điện khi được phân cực thuận với điện áp ngưỡng Vγ và khi phân
cực ngược với điện áp Vz
d Hoạt động ở chế độ phân cực thuận
Câu 5: Khi nhi ệt độ hoạt độ ng c a chuy n ti p p-ủ ể ế n tăng thì:
a Khả năng dẫn của nó tang
b Khả năng dẫn của nó giảm
c Khả năng dẫn của nó không thay đổi
d Ngưng dẫn
Câu 6: Thờ i gian chuy n m ch c a chuy n ti p p-n ch yể ạ ủ ể ế ủ ếu được tính là:
a Thời gian của chuy n ti p p-n chuy n t tr ng thái d n sang tr ng thái t t ể ế ể ừ ạ ẫ ạ ắ
b Thời gian c a chuy n ti p p-n chuy n t ủ ể ế ể ừ trạng thái t sang tr ng thái d n ắt ạ ẫ
c Cả a và b
d a và b đều sai
Câu 7: Các thông s sau thông s nào là không ph i là thông s gi i h n c a diode:ố ố ả ố ớ ạ ủ
a PIV
b IDmax
c PDmax
d 𝑉𝛾
Câu 8: C u trúc c a diode chấ ủ ỉnh lưu gồm:
a Một chuy n ti p p-n và ti p xúc của 2 bán d n này là ti p xúc m t ể ế ế ẫ ế ặ
b Một chuy n ti p p-n và ti p xúc c a 2 bán dể ế ế ủ ẫn này là tiếp xúc điểm
c Một chuy n ti p p-n ể ế
d Hai chuy n ti p p-n ể ế
Câu 9: C u trúc c a diode cao t ng: ấ ủ ầ
a Một chuy n ti p p-n và ti p xúc của 2 bán d n này là ti p xúc m t ể ế ế ẫ ế ặ
b Một chuy n ti p p-n và ti p xúc c a 2 bán dể ế ế ủ ẫn này là tiếp xúc điểm
c Một chuy n ti p p-n ể ế
d Một ti p xúc shottky ế
Trang 4V ẤN ĐỀ : ĐẠI CƯƠNG VỀ 3 TRANSISTOR
Câu 1: Transistor lưỡng cực (BJT) không có đặc điểm sau:
a gồm hai chuyển tiếp p-n
b Có ba điện cực
c Có ba l p bán d n khác lo i x p xen k ớ ẫ ạ ế ẽ
d Gồm một chuyển tiếp p-n
Câu 2: Transistor lưỡng c c (BJT) là transistor có dòng ra: ự
a Được điều khiển bằng áp vào
b Được điều khiển bằng dòng vào
c Được điều khiển bằng điện trường ngoài
d Không điều khiển được
Câu 3: Để phân cực cho transistor lưỡng c ực (BJT) hoạt động ở chế độ khuếch đạ i thì :
a Mố ối n i B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b Mối n i B-E và B-C phố ải được phân c c thu n ự ậ
c Mối n i B-E phố ải được phân c c thu n và B-C phự ậ ải được phân c c ngh ch ự ị
d Mối n i B-E phân c c ngh ch và B-C phố ự ị ải được phân c c thu n ự ậ
Câu 4: Để phân cực cho transistor lưỡng c c (BJT) hoự ạt động ở chế độ ắ t t thì :
a Mố ối n i B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b Mối n i B-E và B-C phố ải được phân c c thu n ự ậ
c Mối n i B-E phố ải được phân c c thu n và B-C phự ậ ải được phân c c ngh ch ự ị
d Mối nối B-E phân cực ngh ch và B-C phị ải được phân cực thuận
Câu 5: Để phân cực cho transistor lưỡng c c (BJT) hoự ạt động ở chế độ bão hòa thì :
a Mố ối n i B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b Mối n i B-E và B-C phố ải được phân c c thu n ự ậ
c Mối n i B-E phố ải được phân c c thu n và B-C phự ậ ải được phân c c ngh ch ự ị
d Mối n i B-E phân c c ngh ch và B-C phố ự ị ải được phân c c thu n ự ậ
Câu 6: Khi transistor lưỡng c c hoự ạt động ở chế độ khuếch đại thì :
a IC= 𝛽𝐼𝐵
b 𝑉𝐶𝐸= 0
c 𝐼𝐶= 0
d 𝐼𝐶≤ 𝛽𝐼𝐵.
Câu 7: Khi transistor lưỡng c c hoự ạt động ở chế độ ắ t t thì :
a IC= 𝛽𝐼𝐵
b 𝑉𝐶𝐸= 0
c 𝐼𝐶= 0
d 𝐼𝐶≤ 𝛽𝐼𝐵.
Câu 8: Dòng I CBO là dòng r : ỉ
a Của m i n i CB khi c c E hở m ch ố ố ự ạ
b Của m i n i CE khi c c B h m ch ố ố ự ở ạ
c Của m i n i BE khi c c C h m ch ố ố ự ở ạ
d Của transistor
Câu 9: Dòng I CEO là dòng r : ỉ
a Của m i n i CB khi c c E hở m ch ố ố ự ạ
Trang 5b Của m i n i CE khi c c B h m ch ố ố ự ở ạ
c Của m i n i BE khi c c C h m ch ố ố ự ở ạ
d Của transistor
Câu 10: Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng :
a Qua các chuyển ti p p-n ế
b Qua kênh d n ẫ
c Qua bán d n ẫ
d Qua hai chuy n ti p p-n ể ế
Câu 11: Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải :
a Đa số
b Thiểu số
c Đa số và thiểu số
d Electron
Câu 12: Khi nhiệt độ làm vi c cệ ủa transistor thay đổi thì :
a Dòng điện chạy trong transistor bị thay đổi
b Dòng điện chạy trong transistor không bị thay đổi
c Dòng điện chạy trong transistor tăng khi nhiệt độ tăng
d Dòng điện chạy trong transistor giảm khi nhiệt độ tăng
Câu 13: Hình bên là cách m c transistor : ắ
a Theo kiểu CE
b Theo ki u CB ể
c Theo ki u CC ể
d a, b và c đều đúng
Câu 14: Để transistor lưỡng cực hoạt động có :
a 1 cách mắc
b 2 cách mắc
c 3 cách mắc
d 4 cách mắc
Câu 15: Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là :
Trang 6a Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CE
b Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CE
c Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CB
d Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CB Câu 16: Đường đặ c tuy n vôn ampe bên là ế – :
a Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor npn mắc CE
b Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor pnp mắc CE
c Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor npn mắc CB
d Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor pnp mắc CB
Câu 17: C u trúc cấ ủa JFET không có đặc điểm sau :
a Có 3 điện cực
b Có m t kênh d n ộ ẫ
c Có m t chuy n ti p p-n ộ ể ế
d Có hai chuy n ti p p-n ể ế
Câu 18: Transistor trường (FET) là transistor có dòng ra :
a Được điều khiển bằng áp vào
b Được điều khiển bằng dòng vào
c Được điều khiển bằng ánh sáng
d Không điều khiển được
Câu 19: JFET kênh n có đặc điểm :
a Điện trở kênh dẫn thay đổ hi điệi k n áp V GSthay đổi
b Điện trở kênh dẫn tăng khi điện áp V càng âm GS
c Điện trở kênh d n giẫ ảm khi điện áp V càng âm GS
d Điện trở kênh dẫn không thay đổi khi điện áp VGS thay đổi
Câu 20: JFET kênh p hoạt động khi :
a VGS ≥ 0 và VDS > 0
Trang 7b VGS≤ 0 và VDS < 0
c VGS≥ 0 và VDS < 0
d VGS≤ 0 và VDS > 0
Câu 21: Các điện cực của MOSFET gồm cực :
a B, C, E
b D, S, G
c D, S, G, Sub
d D, S, B
Câu 22: Dòng điện chạy trong FET chủ yếu là dòng của :
a Hạt tải đa số
b Hạt tải thiểu số
c Electron
d Hole
Câu 23: Transistor trường có đặc điểm sau :
a Dòng vào bằng 0
b Dòng vào khác 0
c Quan h gi a dòng ra và dòng vào khi hoệ ữ ạt động ở chế độ tuy n tính theo ế phương trình Shockley 𝐼𝐷= 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 −𝑉𝐺𝑆
𝑉 𝑝)2
d Quan h gi a dòng ra và dòng vào khi hoệ ữ ạt động ở chế độ tuy n tính theo ế phương trình IC= 𝛽𝐼𝐵
Câu 24: D_MOSFET là FET không có đặc điểm sau:
a Cực c ng G hoàn toàn cách ly với kênh d n b ng lổ ẫ ằ ớp điện môi SiO 2
b Cực c ng G cách ly v i kênh d n b ng chuy n ti p p-n ổ ớ ẫ ằ ể ế
c Kênh dẫn được thi t l p s n, n i c c D v i S ế ậ ẵ ố ự ớ
d Có th hoể ạt động với điện áp V GSdương hay âm
Câu 25: E_MOSFET là FET có đặc điểm sau :
a Cực c ng G hoàn toàn cách ly với kênh d n b ng lổ ẫ ằ ớp điện môi SiO 2
b Cực c ng G cách ly v i kênh d n b ng chuy n ti p p-n ổ ớ ẫ ằ ể ế
c Kênh dẫn được thi t l p s n, n i c c D v i S ế ậ ẵ ố ự ớ
d Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm
Câu 26: Công thức nào sau đây biểu di n quan h gi a ngõ ra v i ngõ vào c a ễ ệ ữ ớ ủ
D_MOSFET :
a 𝐼𝐷= 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 −𝑉𝐺𝑆
𝑉 𝑝)2
b IC= 𝛽𝐼𝐵
c ID= K( VGS−V )th2
d 𝐼𝐷= 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 −𝑉𝛾
𝑉 𝑝)2
Câu 27: Thông s ố nào dưới đây không ph i là thông s gi i h n c a BJT : ả ố ớ ạ ủ
a ICmax.
b VCEmax.
c PCmax.
d I
Trang 8Câu 28: Thông s ố nào dưới đây không phải là thông s gi i h n c a FET : ố ớ ạ ủ
a IDmax.
b VDSmax.
c PCmax.
d PDmax.
Câu 29: Dòng điện chạy trong transistor trường là dòng :
a Qua các chuyển ti p p-n ế
b Qua kênh d n ẫ
c Qua bán d n ẫ
d Qua hai chuy n ti p p-n ể ế
V ẤN ĐỀ 4: MẠCH PHÂN C C TRANSITOR: Ự
Câu 1 :Điện tr R trong các m ch phân c c cở E ạ ự ủa transistor lưỡng c c (BJT) có chự ức năng :
a Phân cực cho cực E
b Ổn định nhiệt cho trnasistor
c a và b đều đúng
d a và b u sai đề
Câu 2 : T C trong m ch có chụ E ạ ức năng:
a ngắn mạch RE đố ới v i nguồn tín hiệu
b hở mạch RE đố ới v i nguồn tín hiệu
c ngắn mạch RE đố ới v i nguồn phân cực
d Giảm h s khuệ ố ếch đại của m ch ạ
Câu 3 : Trong các m ch phân c c cạ ự ủa transistor lưỡng c c, m ch phân c c có tính bự ạ ự ất
ổn định nhiệt nhất là:
a mạch phân c c theo kiự ểu định dòng
b mạch phân c c theo ki u phân áp ự ể
c mạch phân c c có h i ti p t collector ự ồ ế ừ
d mạch phân c c theo kiự ểu định dòng có R E
Câu 4 : H s b ệ ố ất ổn đị nh nhi t c a các d ng m ch phân c c dùng BJT có giá tr lệ ủ ạ ạ ự ị ớn nhất khi :
a RB/RE > ( 𝛽 + 1)
b RB/RE < ( 𝛽 + 1)
c RB/RE < 1
d RB/RE = ( 𝛽 + 1)
Câu 5 : H s b ệ ố ất ổn đị nh nhi t SI nh ệ ỏ nhấ t khi:
a RB/RE > ( 𝛽 + 1)
b RB/RE < ( 𝛽 + 1)
c RB/RE < 1
d RB/RE = ( 𝛽 + 1)
Trang 9Câu 6 : S b ự ất ổn định nhiệ ủ t c a dòng I do thông s nào b C ố ị thay đổ ủi c a BJT theo nhi ệt độ:
a V𝛾
b 𝛽
c ICBO
d Cả a b và c
Câu 7 : Điện tr R trong m ch phân c c cở S ạ ự ủa transistor trường có chức năng:
a Phân cực cho cực S
b Ổn định nhiệt cho transistor
c a và b đều đúng
d a và b đều sai
Câu 8 : Trong các d ng m ch phân cạ ạ ực sau đây dạng nào không ph i là d ng m ch ả ạ ạ
phân cực cho transistor trường:
a mạch phân c c theo kiự ểu định dòng
b mạch phân c c theo ki u phân áp ự ể
c mạch t phân c c ự ự
d m ch phân c c c nh ạ ự ố đị
Câu 9 : Để phân c c cho E_MOSFET kênh n không th s d ng d ng m ch phân cự ể ử ụ ạ ạ ực nào dưới đây:
a mạch phân c c h i ti p ự ồ ế
b mạch phân c c theo ki u phân áp ự ể
c mạch t phân c c ự ự
d mạch phân c c c nh ự ố đị
V ẤN ĐỀ 5: PHÂN TÍCH M CH KHU Ạ ẾCH ĐẠ I TÍN HI U NH : Ệ Ỏ
Câu 1 : BJT có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nh ỏ
a 1
b 2
c 3
d 4
Câu 2 : Mô hình tương đương tín hiệu nh cỏ ủa BJT đượ ử ục s d ng khi
a BJT hoạt động v i tín hiớ ệu nh ỏ
b BJT hoạt động v i tín hi u l n ớ ệ ớ
c BJT hoạt động v i tín hi u trung bình ớ ệ
d Cả a, b và c
Câu 3 : Mô hình tương đương tín hiệu nh c a BJT m c theo ki u CE ch ỏ ủ ắ ể ỉ đượ ử ục s d ng khi m ch khuạ ếch đại dùng BJT
a Mắc theo ki u CE ể
b Mắc theo ki u CB ể
c Mắc theo ki u CC ể
d A, b, c đều đúng
Trang 10Câu 4 : Thông s hố ib của BJT đượ c tính theo công th c ứ
a ℎ𝑖𝑏= ∆𝑉𝐵𝐸
∆𝐼 𝐸 ≅ 𝑟𝑒
b ℎ𝑖𝑏= ∆𝑉𝐵𝐸
∆𝐼𝐵 ≅ 𝛽𝑟𝑒
c ℎ𝑖𝑏= ∆𝑉𝐵𝐸
∆𝐼 𝐸 ≅ 𝛽𝑟𝑒
d ℎ𝑖𝑏= ∆𝑉𝐵𝐸
∆𝐼 𝐵 ≅ 𝑟𝑒
Câu 5 : Thông s h là h s ố fe ệ ố khuếch đạ ủa BJT đố ớ i c i v i
a Dòng điện xoay chiều
b Dòng điện một chiều
c Điện áp xoay chi u ề
d Điện áp m t chi u ộ ề
Câu 6: Phương trình của m ng hai c a tuy n tính theo thông s ạ ử ế ố h được bi u di n ể ễ
a Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
b Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
c Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
d Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng ra
Câu 7 : Trong các m ch khuạ ếch đại sau m ch nào có h s ạ ệ ố khuếch đạ i áp l n nh t ớ ấ
a Mạch khuếch đại mắc ki u CE ể
b Mạch khuếch đại m c ki u CB ắ ể
c Mạch khuếch đại m c ki u CC ắ ể
d Câu a và b
Câu 8 : M ch khuạ ếch đại có điện tr vào bé nh t là m ch khuở ấ ạ ếch đại m c ki u ắ ể
a CE
b CB
c CC
d Cả 3 đều có t ng tr vào b ng nhau ổ ở ằ
Câu 9 : M ch khuạ ếch đại có điện tr ra nh ở ỏ nhấ t là m ch khuạ ếch đại m c ki u ắ ể
a CE
b CB
c CC
d CE và CB
Câu 10 : M ch khuạ ếch đại có điện tr vào l n nh t là m ch khuở ớ ấ ạ ếch đại m c ki u ắ ể
a CE
b CB
c CC
d CC và CE
Câu 11 : M ch khuạ ếch đại có điện áp ra cùng pha v i áp vào là mớ ạch
a CE
b CB
c CC
d CC và CB
