conduction band= dãy dẫn depletion layer=miên nghèo hạt dẫn tự do diode Doping = pha tạp chất... Từ Vựng 2 forward bias = phần cực thuận free electron = điện tử tự do Hole = lỗ trỗn
Trang 1Chương 2
Bán dẫn
Trang 2conduction band= dãy dẫn
depletion layer=miên nghèo (hạt dẫn tự
do)
diode
Doping = pha tạp chất
Trang 3Từ Vựng (2)
forward bias = phần cực thuận
free electron = điện tử tự do
Hole = lỗ (trỗng)
junction diode = diode tiép xuc
junction temperature = nhiét d6 tiép xuc majority carriers = cac hat dan da sé
minority carriers = cac hat dẫn thiêu sô n-type semiconductor = ban dan loai N
Trang 4Từ Vựng (3)
p-type semiconductor = ban dan loại P
pn junction = tiêp xúc PN
Recombination = tal hop
reverse bias = phân cực ngược
Semiconductor = ban dan
Silicon
surface-leakage current = dòng rò bê mặt
thermal energy = nhiệt nang
Trang 5Nội dung chương 2
2-1 Vật dẫn điện
2-2 Bán dẫn
2-3 Tinh thé Silic
2-4 Ban dan néi tai (ban dan thuan)
2-5 Hai loai dong (hat dan)
2-6 Pha tap chat vao ban dan
2-7 Hai loại bán dẫn ngoại lai (có pha tạp chất)
2-8 Diode chua phân cực
2-9 Phan cuc thuan
2-10 Phan cực ngược
2-11 Danh thung
2-12 Các mức năng lượng
2-13 Đôi năng lượng
2-14 Rào thê và nhiệt độ
2-15 Diode phan cuc ngược
Trang 62-1 Vật dân điện
Các vật dẫn điện tốt nhất là bạc, đông và
vàng
Quỹ đạo Ôn định
Điện tử hóa trị: điện tử ở lớp ngoài cùng
trong nguyên tử
Điện tử tự do dễ dàng sinh ra trong vật
dân điện
Trang 7
FIGURE 2-1 Copper atom FIGURE 2-2 Core diacrem of copper
atom.
Trang 82-2 Bán dân
- Bán dẫn có tính chất điện giữa chât dẫn
điện và chât cách điện
° Các bán dẫn tốt nhất có 4 điện tử hóa trị
» TD: Silicon, Germanium là bán dẫn, cả hai
đêu có 4 điện tử hóa trị
Trang 102-3 Tinh thé Silicon
Khi các nguyên tử Si kêt hợp lại đề tạo thành
chat ran, chung tu sap xếp thanh một khuôn
mẫu trật tự được gọi là tỉnh thé (crystal)
Mỗi nguyên tử Sỉ góp chung mỗi điện tử hóa trị của nó với nguyên tử Si kê cận đề tạo thành 8
Trang 11Liên kêt đông hóa trị
(a) (b)
FIGURE 2-4 (2) Ato™T IN crystal Nas ‘our reignbors; (0) covalent donds
Trang 12Sinh và tái hợp cặp điện tử-lỗ
Figure 2-5 (a) Nhiệt năng tạo điện tử và lỗ;
(b) Tái hợp điện tử tự do và lỗ
Trang 13Bên trong tinh thé Si
Một sô điện tử tự do và lỗ được tạo bởi
nhiệt nẵng
Các điện tử tự do và lỗ khác đang tái hợp
Sự tái hợp thay đồi từ vài ns đến nhiêu us
Một số điện tử tự do và lỗ tôn tại tam thời
đang đợi tái hợp
Thời gian sống là hiệu sé thời gian tính
từ lúc có sinh ra và tái hợp điện tử tự do
Trang 142-4 Bán dẫn nội tại
Bán dẫn nội tại là bán dẫn thuân (được
tạo nên bởi 1 loại nguyên tử)
Tinh thé Si hoạt động như chất cách điện
ở nhiệt độ phòng vì chỉ có một ít điện tử tự
do và lô được tạo ra từ nhiệt năng
n=nông độ điện tử tự do (sô điện tử/đvtt)
p=nông độ lỗ (số lỗ/đvtt)
Với bán dẫn thuân n = p = n; (nông độ hạt
dân nội tại, phụ thuộc nhiệt độ)
Trang 162-5 Hai loại dòng (điện)
¢ C6 2 loai dòng: điện tử tự do và lỗ
„ Điện tử tự do và lỗ chuyên động ngược
chiêu nhau khi có tác động của điện
trường bên ngoài.
Trang 172-6 Pha tap chat vao ban dan
Tăng độ dẫn điện của bán dẫn bằng pha tạp chat (doping) vao ban dan thuan
Bán dẫn có pha tạp chất được gọi là bán dân ngoại lai (hay bán dân có pha tạp
chât)
Pha tạp chất donor (có 5 điện tử hóa trị)
đề tăng điện tử tự do (n > p): bán dẫn N Pha tap chat acceptor (có 3 điện tử hóa trị) để tăng lỗ (n< p): bán dẫn P
Trang 182-7 Hai loại bán dân ngoại lai
Trang 19Hạt dẫn đa sô và hạt dẫn thiêu số
Trang 202-8 Diode chưa phan cực
Trang 21The PN Junction
Metallurgical Junction
Trang 22The PN Junction
Metallurgical
When no external source
is connected to the pn junction, diffusion and drift balance each other
h+ drift #@ h+ diffusion e- diffusion *®_ e- drift
Also called the depletion region This region includes the net positively and negatively charged regions The space charge region
does not have any free carriers The width of the space charge region is
denoted by W in pn junction formula’s
The interface where the p- and n-type materials meet
Represent the amount of negative and positive doping in number of carriers per centimeter cubed Usually in the range of 101 to 109
Trang 232-9 Phân cực thuận
2-10 Phân cực ngược
Trang 24The Biased PN Junction
Applied
Electric Field
The pn junction is considered biased when an external voltage is applied
There are two types of biasing: Forward bias and Reverse bias
These are described on then next slide
Trang 25The Biased PN Junction
In forward bias the depletion region shrinks slightly in width With this shrinking the energy required for
charge carriers to cross the depletion region decreases exponentially Therefore, as the applied voltage
increases, current starts to flow across the junction
The barrier potential of the diode is the voltage at which appreciable current starts to flow through the diode
The barrier potential varies for different materials
Under reverse bias the depletion region widens This causes the electric field produced by the ions to cancel out the applied reverse bias voltage A small leakage current, Is (saturation current) flows under reverse bias conditions This saturation current is made up of
electron-hole pairs being produced in the depletion region Saturation current is sometimes referred to as scale current because of it’s relationship to junction temperature
Trang 262-11 Đánh thủng
‹ Khi ta phân cực ngược diode, nêu tăng áp
ngược đên giới hạn nào đó thì xảy ra
đánh thủng (dòng qua diode tăng đột ngột)
¢ Có 3 loại đánh thủng:
— Do nhiệt (ít gặp ở nhiệt độ thường)
— Thác lũ (avalanche): do ion hóa va chạm
— Đường hâm(tunnel) hay Zener
Trang 272-12 Các mức năng lượng
Cân thêm năng lượng đề đưa điện tử vào
quỹ đạo cao hơn
Điện tử càng xa hạt nhân hơn càng có thê
năng cao hơn
Khi điện tử rơi xuỗng quỹ đạo thập hơn,
nó mật năng lượng thành dạng nhiệt, ảnh sáng hay bức xạ khác
TD: trong LED thê năng được chuyền
thành ảnh sáng
Trang 282-13 Đôi năng lượng
° Dãy năng lượng sau khi hình thành miên
Đề điện tử khuếch tán qua tiếp xúc, đường đi của nó
giông qua 1 đôi (năng lượng) Nó phải nhận thêm năng
lượng từ bên ngoài.
Trang 292-14 Rào thê và nhiệt độ
Tiếp xúc PN vào điêu kiện cân bằng khi
rào thê ngăn không cho khuêch tán nữa
Ở 25°C, rào thê cua tiép xuc PN loai Si la
Trang 302-15 DIode phân cực ngược
¢ Dong qua do
°Ò Dòng bão hòa ngược le hay lo, dòng này tăng khi nhiệt độ tăng
° Dòng rò bê mặt