Bài thuyết trình Đầu dò Langmuir giới thiệu tới các bạn những nội dung về các phương pháp chẩn đoán plasma, phương pháp đầu dò điện Langmuir, công trình của Druyvestein, sử dụng định luật đồng dạng,... Với các bạn chuyên ngành Vật lý thì đây là tài liệu hữu ích.
Trang 1SVTH: Nguyễn Vũ Ty Thầy Hướng Dẫn: PGS.TS LÊ VĂN HiẾU
Tháng 7 năm 2010
Trang 3Có nhiều phương pháp được sử dụng để chẩn đoán
Trang 4Phương pháp này được phát minh vào đầu thế
kỷ XX bởi Mott-Smith và Langmuir
Trang 5 LÝ THUYẾT CỦA DRUYVESTEIN.
Mục tiêu cuối cùng là thành lập các công thức xác định các
đặc trưng của plasma
Trang 6Hàm phân bố điện tử theo năng lượng tỉ lệ với đạo hàmcấp hai của đòng đầu dò
A eV
Trong đó :
+ V=Vp: là điện thế đầu dò plasma, tính bằng Volt (V).
+f(eV) : là năng lượng điện tử, tính bằng electron-volt (eV) +ie : là dòng điện tử đến đầu dò.
Trang 7 Có nhiều cách để tìm đạo hàm bậc hai của dòng đầu dò Phổ biến nhất hiện nay là sử dụng dòng điện xoay chiều với biên độ nhỏ
Trang 8Nguồn xoay chiều tạo thế vi phân cho đầu dò
Trang 9Giả sử điện thế xoay chiều ∆V có dạng :
∆V= acos(ωt) Với a, ω là biên độ và tần số của điện thế xoay chiều.
Dòng đầu dò được khai triển Taylor theo các mức ∆V như sau :
Đạo hàm bậc 2 dòng đầu dò có mặt trong thành phần
không đổi và cả trong thành phần điều hòa của chuỗi
sin ]
) sin
sin 2 )(
( 48
sin )
(
4
[
cos ]
cos )
( 8
) ( [
)
( 64
)
( 4
) (
) )(
(
! 2
1 )
( )
( )
(
4 2
''
4 ''
2
2 ''
3 '
''
4 ''
t V
i
a t V
i
a
t t
V i
a V
ai V
i
a V
i
a V
i
V V
i V
V i V i V
V
i
e e
e e
e e
e
e e
e e
Trang 10 Nếu bỏ qua thành phần điều hòa, ta có:
)
(4
)()
4 ''
2 ''
'' 2
4 ) (
)
( 4
) ( )
(
a
i V
i
V i
a V
i V V
i i
e e
e e
e e
Trang 11Để tính nồng độ điện tử ne, ta áp dụng công thức :
'' 10
10 2 , 4
dV Vi
dV i V S
i n
e
e eo
''
2 2
dV Vi
dV i V S
i e
m e
n
e
e eo
e
Trang 12Khi điện thế đầu dò bằng điện thế không gian của plasma
trong đó vận tốc trung bình của điện tử được xác định
bởi công thức:
S e n
) ( 2
d f
m
Trang 13Theo công thức Druyvestein thì :
''
2 2
dV Vi
dV i V S
i e
m e
n
e
e eo
e
Trang 14Năng lượng trung bình của điện tử được xác định từ công
Các tích phân được tính từ diện tích hình phẳng của các
đồ thị biểu diễn sự biến thiên của các hàm số V1/2i’’
' 2 / 3
dV i
V
dV i
V
e e
Trang 15Cường độ điện trường ngang trong ống phóng điện đượcxác định bởi công thức :
ống phóng điện, cách nhau một khoảng d
d U
E 12
Trang 172 2
dV Vi
dV i
V
S
i e
m e
n
e
e eo
' 2 / 1 0
' 2 / 3
dV i
V
dV i
Trang 18Các giả thuyết cơ bản :
chuyển trong plasma, không tham gia vào quá trìnhmất mát năng lượng của điện tử
+ Nguyên tử Hg đóng vai trò chính trong quá trình kíchthích và ion hóa
+ tần số thay đổi điều kiện phóng điện rất nhỏ so với tần
số va chạm đàn hồi của các điện tử với các nguyên tửkhí hiếm va
Trang 19Hai giả thuyết đầu phân chia vai trò của Hg và khí hiếm.Giả thuyết thứ 3 xét đến hai thành phần tách biệt chứcnăng của hàm phân bố điện tử theo vận tốc dưới dạngLơgrăngđơ:
Giả thuyết thứ tư:
) , v
( v
v )
, v ( )
, v ( t f 0 t f1 t
v
f Mv
E
e t
v
f
a a
Trang 20Phương trình động học:
Thành phần đầu tiên vế phải diễn tả sự tương tác điện tử
) (
) (
f
vA v
f
t ) (v, A
v
v v
v
1
] f v
[ v v
3
v 3 v
0 0
0 2
0 1
e
2 2
1
2 2
1 0
f T f
S
m
e f
Trang 212 0
0 2
0
0 0
0 2
0
0 1
0
e 2
2
0
0 2
0 0
0 2
0
2 2 2
2
0
0 2
0 0
0 2
0
' 0
0 0
) (
)
( )]
N
f vA N
f v
A
( N
v [
v
1
)) v'
3 v
v ( v
3
v'
v v
(
v 3
v )
(
N
f T N
f
S v
x
N
f v
R N
RE v
N
f v
R N
E R m
e v m
e
N
f v
R N N
f v
R
m N
E eR N
f t
N
a a
a a
Chia 2 vế cho No2 ta được :
Nếu N0t và NopR 2 = Z1 không đổi thì f0/No
Trang 22j ( )
E eb
r n
r
dS r
j
rdr r
2
Trang 23eE n r rdr eb
i
0
) (
)
N p b
NopR2 = Z1
Z2=iRp2 LÀ CÁC THÔNG SỐ ĐỒNG DẠNG
Trang 24ne 1
0
0
ln ) 1
( ln
n n n
n N p R i
B N
Trang 25ne được tính theo công thức :
} ln
) 2
( ln
) 2
(
ln )
1 ( ln
R p
N i
B n
n n
n n
n n
Trang 26) 2
( ln
) 2
(
ln ln
R p
i N
Trang 27Áp dụng công thức :
ER được tính theo công thức :
) )(
( C D i N0 e N0
E E
ln(
) exp{ln( C D iRp2 N0 pR2 N0pR2
Trang 29- Ống phóng điện hình trụ, làm bằng thuỷ tinh khôngchứa tạp chất, ống có đường kính và bề dày đồng điều.
- Ống thuỷ tinh dùng làm ống phóng điện phải có cácđặc tính sau đây:
+ khả năng đề kháng tốt với nhiệt độ
+ bề dầy và đường kính đều đặn
+ Độ truyền qua lớn, nghĩa là khả năng hấp thụ ánh
sáng yếu
+ Khả năng hấp thụ tia tử ngoại lớn
+ Gia công hàn để nối và đưa các điện cực và các đầu dòvào ống phóng dễ dàng
Trang 30Vật liệu làm đầu dò phải bền trước tác động va chạm, sựnung nóng và phản ứng hóa học Ngoài ra công thoátđiện tử phải đủ lớn để giảm đến mức tối thiểu sự phát
xạ electron thứ cấp
Các vật liệu thường được sử dụng làm đầu dò là :
Mo(Molipden),W(Vonfram), Ti(Titan)
Trang 31Áp suất khí Ar : Par=1Torr Áp suất khí Ar : Par=2Torr Áp suất khí Ar : Par=3Torr
Vp Ip I’p Ip-I’p Vp Ip I’p Ip-I’p Vp Ip I’p Ip-I’p(V) 4,9.10 -5 (A) (V) 4,9.10 -5 (A) (V) 4,9.10 -5 (A)
Trang 32i=20mA i=30mA i=40mA ĐƯỜNG ĐẶC TUYẾN VOLT-AMPERE CỦA DÒNG ĐẦU DÒ
Nhận xét : dạng đường đặc tuyên V-A tương đối phù hợp với lý thuyết
Trang 33Áp suất khí Ar
NỒNG ĐỘ ĐiỆN TỬ
10 10 (cm -3 ) 0.9143 0.9232 0.9474 NĂNG LƯỢNG TRUNG
Trang 34i=20mA i=30mA i=40mA
Trang 35i=20mA i=30mA i=40mA
SỰ THAY ĐỔI NẰNG LƯỢNG ĐiỆN TỬ TRUNG BÌNH
THEO CƯỜNG ĐỘ DÒNG PHÓNG ĐỆIN
Trang 38Vsp : hiệu điện thế giữa điện cực và lớp biên điện tíchkhông gian bao quanh đầu dò, còn gọi là điện thế
không gian
Vp : hiệu điện thế giữa bề mặt đầu dò và lớp biên điệntích không gian, còn gọi là điện thế đầu dò
sự chuyển động có hướng của các điện tử và dòng điệntạo bởi sự chuyển động có hướng của các ion dương
Ip = Ii + Ie
Trang 40Nếu sự phân bố điện tử theo bán kính ống phóng dạng
hàm Bessel, ta có :
Với be~1/P ta có:
Vì vậy, nếu các thông số PR và i/R không đổi, tất yếu đảm
E b en
R
i 0 43 2 0e e
ER P
n e R
43
, ,
) (
P
n P
eE n r rdr eb
i
0
) (
2