Ôn thi ĐHTX vô tuyến đại cương

Các loại diode bán dẫn đều được chế tạo từ tiếp giáp P- N nhưng dựa vào các hiệu ứng khác nhau để tạo ra các loại diode khác nhau.. Nguyên tắc hoạt động: * Ban đầu khi mới ghép t/x 2 kh

VÔ TUYẾN ĐẠI CƯƠNG

Chương I: Các yếu tố tuyến tính – Mạch tuyến tính(mtt)

§1: K/n & T/c của mạch tuyến tính

I K/n:

- Phần tử tuyến tính (pttt) là các phần tử mà thông số điện đặc trưng cho nó không phụ thuộc vào điện áp đặt trên 2 đầu phần tử cũng như dđ chạy qua phần tử đó

- Trong các điều kiện nhất định các phần tử cơ bản: R, L, C được xem là các pttt

- Mạch tuyến tính: là mạch điện chỉ chứa các pttt

II Các tính chất của mạch tuyến tính:

- Đặc trưng V-A của mạch tuyến tính là một đường thẳng

- Các pt điện mô tả trạng thái của mtt là các pt vi phân hệ số là hằng số

- Mạch tuyến tính tuân theo ng lí chồng chất, nghĩa là: dưới t d của nhiều nguồn t động đáp ứng xuất hiện trong mtt bằng tổng tất cả đáp ứng do từng nguồn riêng lẻ gây ra

- Dưới t d của các t động có phổ bất kỳ trong mtt không xuất hiện không xuất hiện thêm các hài mới

Ví dụ:

( ) 1 ( ) R( ) L( ) C( ) ( ) di t ( )

u t U t U t U t R i t L C i t dt

dt

-§2: Mạch R, L, C nối tiếp (mạch cộng hưởng điện áp)

* Xét mạch:

- Giả sử: u t( )U0cost V( )và dòng xuất trong mạch là i t( )I 0cost ( )A

- Dưới dạng số phức, biên độ phức của áp và dòng là: U0 U e0 j



, I0 I e0 j



 Trở kháng phức: 0

0

1

U

C







- Biên độ dòng: 0 0 0 0 0

( )

1

Z

C













- Lệch pha giữa u(t) và i(t):

1 ( ) arctg L C arctg X





  



* Mạch xảy ra cộng hưởng tại tần số 0 nếu tại tần số này thành phần ảo của Z  0:

0

0

L



* Khi cộng hưởng: ( 0)

( )

Z Z  R đạt cực tiểu

0

0( )0

I

R



  đạt cực đại

0

( ) 0

    dòng đồng pha với áp

* Thường đặt X L( ) L điện kháng của L

X C( ) 1

C





 điện kháng của C ( )X  X L( ) X C( ) điện kháng của mạch R, L, C nối tiếp

 Z R  jX

* Để đặc trưng phẩm chất của mạch ta dùng khái niệm hệ số phẩm chất:

0

0

1

L

Q





  X L( )0 X C( 0) 1 L

Q



0

L

 



   điện trở đặc tính

của R, L, C nối tiếp

* Biên độ sụt áp trên R, L, C khi cộng hưởng:

0 0 0 0

( ) ( ) ( ) ( ) ( )

R



* Đặc trưng tần số:

0

0

I

C





0

( )

2

f

Q







    trên đặc trưng tần số ta nhận được 2 điểm tương ứng với tần số thấp t và tần số cao c, tập hợp tất cả các tần số từ t  c được gọi là dãy tần số làm việc của mạch

- Gọi  là độ rộng dãy thông thì  = c - t

- Vì dãy thông của khung cộng hưởng thường rất hẹp nên 0  c ; t  0 và c đ/x t qua 0

* Đặc trưng tần số có dạng: 0

Q





 

* Đặc trưng pha:

1 ( )

L C arctg

R





  



+ Khi  = 0   = 0, mạch là thuần trở

+ Khi  > 0   > 0, mạch có tính cảm

+ Khi  < 0   < 0, mạch có tính dung

-§3: Mạch R, L, C song song (mạch cộng hưởng dđ)

* Xét mạch:

- Giả sử : i(t) = I0 cos t

- Điện áp sinh ra : u(t) = U0 cos (t -  )  : lệch pha giữa dòng và áp

- Với các mạch // để thuận tiện cho việc giải ta thường dùng đại lượng

dẫn nạp phức 

1 2

Z Z Z

   

   ; trong đó : 1 2

1 ,

Z R j L Z

j C





1



* Mạch cộng hưởng tại 0 khi tại 0 thành phần của  = 0

2 2

0

1

L



  

Vì R là điện trở thuần của cuộn dây nên có giá trị rất nhỏ: R<<0L

0

1

LC



* Biên độ dòng qua các nhánh khi cộng hưởng:

0

0 0 0 0

0 0

1 0

( )

( ) ( )

( )

c

L

R j L Q

U

Z











* Khi cộng hưởng:

 

0

( )

( )

R







đạt min

0

0

1

( )

( )



 biên độ điện áp ra U0(0) đạt max,  ( ) 00 

* Khảo sát đặc trưng tần số:

0 2

0

( ) ( )

( ) ( ) ( ) ( )

Z I

Q

 Đặc trưng tần số có dạng giống như mạch R, L, C nối tiếp

* Độ rộng dãy thông: 0

Q





 

* Đặc trưng pha:

( ) ( )

( )

L C

















+ Khi  = 0  = 0

+ Khi  > 0   > 0, mạch có tính dung

+ Khi  < 0   < 0, mạch có tính cảm

-Chương II : DỤNG CỤ BÁN DẪN

§1: DIODE BÁN DẪN

I Cấu tạo:

Gồm 2 khối bán dẫn khác loại ghép tiếp xúc với nhau hình thành 1 tiếp

giáp P-N Trên 2 khối bán dẫn là 2 điện cực: điện cực lấy ra từ khối bán dẫn

P là cực Anot (A), điện cực lấy ra từ khối N là cực Catot (K) Các loại diode

bán dẫn đều được chế tạo từ tiếp giáp P- N nhưng dựa vào các hiệu ứng khác

nhau để tạo ra các loại diode khác nhau

II Nguyên tắc hoạt động:

* Ban đầu khi mới ghép t/x 2 khối bán dẫn khác loại với nhau, do chênh

lệch về nồng độ điện tích (của các hạt tải) mà có sự khuếch tán của các hạt

tải đa số qua tiếp giáp P-N, sau 1 thời gian ở lân cận tiếp giáp P-N xuất

hiện 1 vùng mang điện tích khối trái dấu (phía N tích +, P tích điện -),

vùng này tạo ra điện trường cản Eccó chiều từ N – P có tác dụng ngăn cản

sự khuếch tàn tiếp theo của các hạt tải đa số qua tiếp giáp P-N:

( 0)

F q E q 

F cùng chiều E

* Khi phân cực thuận cho diode : UAK >0 hay UA>UK Điện trường ngoài (E ng ) có chiều ngược với Ec có tác dụng khử điện trở cản Khi UAK còn nhỏ Eng chưa đủ lớn để khử hết Ec, lúc này đ trường tổng hợp có chiều

từ N-P có t/dụng ngăn cản sự khuếch tán của các hạt tải đa số và xem như chưa có dòng đi qua diode, tương ứng ta có “vùng rào điện áp” Khi UAK đủ lớn Eng khử hết E c, điện trường tổng hợp có chiều từ P-N tạo đk

dễ dàng cho các hạt tải đa số dịch chuyển qua tiếp giáp P-N hình thành dòng điện thuận

* Khi phân cực ngược cho diode: UAK <0, E ng cùng chiều Ec, điện trường tổng hợp rất lớn có chiều từ N-P

có tác dụng cản trở sự khuếch tán của các hạt tải đa số, tuy nhiên ngoài các hạt tải đa số ở 2 khối bán dẫn còn

có các hạt tải thiểu số, đ trường tổng hợp tạo đk dễ dàng cho các hạt tải thiểu số dịch chuyển qua tiếp giáp

P-N cho ta dđ ngược Ing Dòng ngược tạo bởi các hạt tải thiểu số nên có giá trị rất nhỏ Khi UAK tăng đến 1 giá trị nào đó tiếp giáp P-N bị đánh thủng, dòng đi qua diode tăng đột biến và điện áp gần như không đổi

III Đặc trưng V-A:

Ung gh: điện áp ngược giới hạn

Upct: điện áp phân cực thuận

Loại Ge: Upct  0 2V

Loại Si: Upct 0 5VV

IV Một số loại diode thông dụng và ứng dụng :

* D chỉnh lưu :

Dùng chỉnh lưu xoay chiều – 1 chiều

* D zener (ổn áp):

- Dùng ở trạng thái phân cực ngược

- Ổn định điện áp)

* D phát quang (led):

- Sẽ phát sáng khi có dòng thuận đi qua

- Dùng hiển thị-báo hiệu

* D biến dung :

- Điện dung vùng chuyển tiếp P-N thay đổi theo điện áp phân cực ngược

- Thường dùng trong các bộ điều chỉnh tần số, chỉ sử dụng ở trạng thái phân cực ngược

-§2: TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)

Cấu tạo:

- Transistor là hệ thống 3 lớp bán dẫn tiếp xúc với nhau, trong đó

lớp giữa rất mỏng, có tính dẫn điện khác loại với 2 lớp bên cạnh,

tạo nên miền tiếp giáp P-N

- Một khối bán dẫn là một điện cực của transistor, có hàn đầu ra

ngoài gọi là chân transistor, lớp bán dẫn giữa là cực gốc B hay còn

gọi là cực Bazo(B), 2 lớp 2 bên: một là cực phát emito(E), một là

cực góp colecto(C) Hai tiếp giáp lần lượt là tiếp giáp phát và tiếp

giáp góp

* Để BJT hoạt động, cần cấp nguồn thõa đk:

- Tiếp giáp phát phân cực thuận

- Tiếp giáp góp phân cực ngược

Transistor NPN: Vc >VB>VE

Transistor PNP: Vc<VB<VE

* I E I BI Cvì I C I B  I C I E

I Các sơ đồ mắc cơ bản của transistor lưỡng cực loại PNP :

1/ Sơ đồ E chung:

* E1, E2: 2 nguồn 1 chiều, dùng để phân cực thuận cho tiếp

giáp phát và phân cực ngược cho tiếp giáp góp

* C1, C2 tụ liên lạc(tụ nối tầng)

* E1, E2, C1, C2 xem như nối tắt đối với tín hiệu xoay

chiều có tần số đủ lớn

* R1 điện trở định thiên; R2 điện trở gánh

* Ở trạng thái tĩnh(1 chiều):

E1 phân cực thuận cho tiếp giáp phát nên có dòng phát 1 chiều IE: +E1 vượt qua tiếp giáp phát đến miền gốc

và chia làm 2 thành phần: 1 dòng chủ yếu tiếp tục vượt qua tiếp giáp góp qua R2 về - E2, đó là dòng góp 1 chiều IC, 1 dòng rất nhỏ qua R1 về - E1 đó là dòng gốc 1 chiều IB

* Ở trạng thái động(trạng thái xoay chiều)

- Điện áp vào U1 được đưa trực tiếp đến 2 cực: B, E

- Điện áp ra U2 được lấy trực tiếp từ 2 cực: C, E

 Gọi là mạch E chung

- Phân tích pha:

+ U1 tăng thì VB tăng  phân cực thuận cho tiếp giáp phát giảm  iC giảm  U2 giảm

+ U1 giảm thì VB giảm  phân cực thuận cho tiếp giáp phát tăng  iC tăng  U2 tăng

Vậy: mạch E chung dùng 1 transistor có tín hiệu ra ngược pha tín hiệu vào

Dòng đầu vào là iB, dòng đầu ra là iC

* Loại mạch E chung rất thông dụng trong thực tế, có thể dùng làm mạch khuếch đại dòng, điện áp hay công suất

2/ Sơ đồ C chung:

* C1, C2, R1, R2, E1, E2 có tên gọi và chức năng như

sơ đồ E chung

* Ở trạng thái tĩnh(DC): E1 phân cực thuận

cho tiếp giáp phát, nên có dòng phát 1 chiều

IE đi từ +E1 qua R2 vượt qua tiếp giáp phát đến

miền gốc và chia thành 2 dòng: 1 dòng rất lớn

về - E2 là dòng IC, 1 dòng rất nhỏ qua R1 về -E1 là dòng IB

* Ở trạng thái động(AC):

- u1 phân thành 2 dòng đến B và C

- u2 lấy trực tiếp từ 2 cực E và C

 Gọi là mạch C chung

* Phân tích pha:

- u1 tăng  phân cực thuận cho tiếp giáp phát giảm  iE giảm u2 tăng

- u1 giảm  phân cực thuận cho tiếp giáp phát tăng  iE tăng  u2 giảm

Vậy: Mạch mắc C chung có tín hiệu ra đồng pha tín hiệu vào Dòng đầu vào(của transistor) là dòng iB, dòng đầu ra là dòng iE

* Ứng dụng: Mạch C chung có thể làm mạch khuếch đại dòng nhưng không khuếch đại điện áp, thường dùng làm các mạch phối hợp trở kháng

3/ Sơ đồ B chung:

* C1, C2, R1, R2, E1, E2 có tên gọi và chức năng như 2 sơ đồ trên

* Ở trạng thái DC (1 chiều): E1 phân cực thuận cho

tiếp giáp phát nên có dòng IE đi từ +E1 qua R1

qua tiếp giáp phát đến miền B và chia làm 2

dòng: 1 dòng lớn tiếp tục vượt qua tiếp giáp góp

qua R2 về - E2 là dòng IC, 1 dòng rất nhỏ về - E1

là dòng IB

* Ở trạng thái AC (xoay chiều)

- u1 đưa trực tiếp đến E & B, u2 lấy trực tiếp từ C & B  B chung

- Phân tích pha: u1 tăng  phân cực thuận cho tiếp giáp phát tăng  dòng ra là iC tăng  u2 tăng; ngược lại

u1 giảm  u2 giảm

Vậy: Mạch mắc theo kiểu B chung có tín hiệu ra đồng pha tín hiệu vào

- Dòng đầu vào iE, dòng đầu ra iC  không làm mạch khuếch đại dòng

* Ứng dụng: loại mạch này không cho độ lợi dòng điện, có thể dùng làm mạch khuếch đại điện áp Tuy nhiên loại mạch này ít thông dụng trong thực tế

II Mạch phức hợp (Darlington):

* Ghép 2 hay nhiều transistor (cùng loại hoặc khác loại) với nhau 1 cách thích hợp ta được 1 transistor phức hợp

* Transistor phức hợp được sử dụng chủ yếu với cách mắc E chung vì hệ số khuếch đại dòng trong cách mắc này rất lớn

Vd: Xét 2 transistor T1 và T2 cùng loại NPN:

- Cách ghép: C1C E2, 1B2

- Kết quả phức hợp có: E  E2; B  B1; CC1C2

và cùng loại NPN với T1 và T2

- Hệ số khuếch đại dòng của transistor phức hợp mắc theo kiểu E chung

- Gọi 1, 2,  lần lượt là hệ số khuếch đại dòng của T1, T2, T phức hợp

khi mắc theo kiểu E chung Ta có:

1 2

1 1 1

1 2 1 1 2 1 2

( 1)

E

I I I





VÌ 1 >> 1; 2 >> 1    1 2

IV Các cách phân cực cho transistor lưỡng cực

Trong thực tế để phân cực cho 1 transistor ta dùng 1

nguồn năng lượng duy nhất phân cực đồng thời cho

các tiếp giáp phát và góp

1/ Phân cực bằng dòng cố định (dòng không đổi :

* Xét loại mạch E chung:

- RB > RC

- Ở trạng thái tĩnh: IB = (VCC – UBE)/RB

- Khi transistor làm việc, tiếp giáp phát cực thuận với UBE << VCC

 IB  VCC/RB

 IB xem như được cố định bởi VCC và RB nên kiểu phân cực này

được gọi là phân cực bằng dòng cố định

IC =  IB ; UCE = VCC – ICRC

Các trị số IB, IC, UCE cho ta xác định được điểm công tác tĩnh Q

* Loại mạch này có kết cấu và tính toán đơn giản tuy nhiên ổn định nhiệt của mạch kém

Cụ thể khi t0 tăng()  IC tăng()  điểm Q kém ổn định

2/ Phân cực bằng đường hồi tiếp điện áp:

* RB thực hiện việc lấy tín hiệu hồi tiếp từ cực C đưa về cực B của transistor

để ổn định nhiệt cho mạch

* Cơ chế ổn định nhiệt:

+ Khi t0 tăng    IB, IC tăng    VCC  VCC – IC R giảm  

 VB  VC – IB RB giảm    phân cực thuận cho tiếp

giáp phát giảm    IC giảm  

Vậy: khi t0 thay đổi điểm công tác tĩnh Q xem như vẫn được

ổn định

3/Phân cực dùng Emilter:

* RB1, RB2 phân áp 1 chiều cho cực B của T Thường chọn RB1, RB2

sao cho I2 = ( 5V  10)IB

Có thể xem I2  I1  2 0

1 2

CC

V

R R

* RE điện trở tạo hồi tiếp 1 chiều để ổn định nhiệt, tuy nhiên RE

vẫn gây ra hồi tiếp đ/v tín hiệu xoay chiều làm suy giảm tín hiệu ra,

vì vậy để không suy giảm tín hiệu ra ta mắc CE // RE (CE: tụ phân

đường-đánh hồi tiếp)

* Cơ chế ổn định nhiệt: khi t0 tăng(↓) =>{IE tăng(↓); VB= const}

=>{VE = IERE tăng(↓); VB= const}

 UBE giảm() phân cực thuận cho tiếp giáp phát giảm()  IC giảm()

Vậy: khi nhiệt độ thay đổi điểm công tác tĩnh Q gần như cố định

4/Phân cực bằng đường hồi tiếp hỗn hợp :

* RB, RE: 2 điện trở tạo hồi tiếp 1 chiều để ổn định t0

* Cơ chế ổn định nhiệt:

T0 tăng(){IC tăng(); IE tăng()}{VC giảm(); VE tăng()

{VB giảm(); VE tăng()}

 UBE giảm() phân cực thuận cho tiếp giáp phát giảm()

 IC giảm()  φ xem như ổn định

-CHƯƠNG III: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU ĐIỆN

§1 CÁC CHỈ TIÊU VÀ THAM SỐ KỸ THUẬT CỦA 1 MẠCH KHUẾCH ĐẠI

1/ Hệ số khuếch đại:

* Biểu thị tín hiệu ra lớn gấp bao nhiêu lần so với tín hiệu vào:

K = đại lượng ra/đại lượng vào

r

i

v

I

K

I

 : hệ số khuếch đại dòng

r

u

v

U

K

U

 : hệ số khuếch đại áp

1 2 1

1

:

N

j N j j

K K K K K

hay S S





 



r

p

v

P

K

P

 : hệ số khuếch đại công suất

Tùy theo nhiệm vụ mạch khuếch đại mà ta cần chú ý đến các hệ số khuếch đại tương ứng

* Trong kỹ thuật người ta thường dùng đơn vị dexiben(dB) để biểu thị hệ số khuếch đại: S=20log10K (dB)

* Với mạch khuếch đại gồm N tầng ghép dây chuyền thì:

2/ Dãy tần số làm việc(dãy thông)

* Là tập hợp tất cả các tần số từ tần số thấp tđến tần số cao c sao cho ứng với các tần số thuộc dãy này

hệ số khuếch đại của mạch không nhỏ hơn 1

2 lần hệ số khuếch đại cực đại Khi tín hiệu tác động có tần số thuộc dãy này thì tín hiệu ra xem như không bị méo dạng

* Đặc trưng tần số của 1 mạch k đại bất kỳ có dạng:

3/ Trở kháng vào Z V , trở kháng ra Z R :

4/ Hiện tượng gây méo của một mạch khuếch đại:

* Méo tần số: do tầng khuếch đại có hệ số k đại không đều với các thành phần tín hiệu vào có tần số khác nhau dẫn đến tín hiệu ra có dạng khác tín hiệu vào

* Méo biên độ: do t/c phi tuyến của phần tử khuếch đại, khi tín hiệu vào có b độ khác nhau thì hệ số khuếch đại của mạch cũng có thể khác nhau

* Méo pha: khi tín hiệu vào gồm nhiều thành phần có tần số khác nhau, mỗi thành phần tín hiệu khi đi qua mạch khuếch đại gây ra các độ dịch pha khác nhau dẫn đến tín hiệu ra có dạng khác tín hiệu vào

-§2: CÁC PHƯƠNG TRÌNH CƠ BẢN CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÓ HỒI TIẾP

Sơ đồ khối tổng quát của một mạch khuếch đại có hồi tiếp:

X : có thể là dòng hay áp

n

X

: tín hiệu nguồn

1

X



: tín hiệu vào mạch có hồi tiếp

0

X



: tín hiệu ra

ht

X



: tín hiệu hồi tiếp

h

X



: tín hiệu : kh nút ghép tín hiệu

1

n

n

X

K

X







 : hàm truyền đạt của khâu ghép nối giữa nguồn với mạch

0

0

h

X

K

X







 : hàm truyền đạt của mạng 4 cực k đại

0

ht

X

X

 



 : hàm truyền đạt của mạng 4 cực h tiếp

*Phương trình cơ bản:

+ Gọi K là hàm truyền đạt của mạng 4 cực k đại có hồi tiếp:

0

1

X

K

X







 ; X h X1 X ht

  

0 0 0

0

0

0

1

h

K

K

K

K



















+ Gọi K tp là hàm truyền đạt toàn phần từ nguồn tín hiệu đến tải:

0 1

tp

tp n

X K X

K

K K K

 



  

-§3: MẠCH KHUẾCH ĐẠI ÂM TẦN GHÉP ĐIỆN DUNG(ghép RC)

* Xét mạch gồm 2 tầng:

RB1, RB2: phân áp 1 chiều cho cực B của T1

RB3, RB4: - T2

RE1, RE2: ổn định nhiệt

CE1, CE2: tụ phân đường

C1, 2, 3: tụ liên lạc, ngăn dòng 1 chiều ko cho

đi từ tầng này sang

tầng khác

* Tín hiệu vào uv được đưa đến B của T1

và được tầng T1 khuếch đại lên

Tín hiệu sau khi k đại trên cực C của T1

tiếp tục đưa vào cực B của T2 thông qua

tụ C2 và được

tầng T2 khuếch đại lên lần nữa

* Đặc trưng biên độ tần số có dạng:

Giải thích:

+ Ở dãy tần số tb: các tụ trong sơ đồ xem như được nối tắt, bỏ qua ảnh

hưởng của các tham số của T1, 2(β; dung kháng kí sinh ZCce) theo tần số,

lúc này K đạt cực đại = K0

+ Ở dãy tần số thấp: bỏ qua ảnh hưởng của các tham số của T1, 2 theo

tần số, dung kháng của các tụ trong sơ đồ tăng, đây là ng nhân làm

giảm K ở tần số thấp

+ Ở dãy tần số cao: các tụ trong sơ đồ xem như được nối tắt, các tham

số của T1, 2 quyết định đến việc giảm K cùng tần số cao Cụ thể:

- β của T1, 2 giảm khi tần số tăng

- ZCce giảm khi tần số tăng

* Ưu điểm :Kết cấu mạch đơn giản, gọn nhẹ, chế độ làm việc tĩnh giữa các

tầng độc lập với nhau

* Nhược điểm : không phối hợp được trở kháng giữa các tầng làm giảm

hiệu suất truyền đạt tín hiệu

-§4: MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÃY RỘNG DÙNG T LOẠI NPN

1/ Sửa ở tần số thấp:

Phương pháp thường dùng là đưa vào 1 mạch sửa R, C tham gia vào tải

ở colector(RC)

- Đối với tần số t b và cao thì trở kháng của tụ C0 rất nhỏ, do đó tải của

colector tương đương với RC Đặc trưng tần số không có gì thay đổi so

với tải RC

- Đối với tần số thấp, trở kháng tụ C0 lớn, tải của colector lớn hơn trở RC

rất nhiều, tần số càng thấp nên tải colector càng lớn, do đó hệ số khuếch

đại càng lớn, nghĩa là ta đã sửa được đặc trưng tần số ở tần số thấp tức

mở được dãy tần làm việc ở tần số thấp

2/ Sửa ở tần số cao:

(hình vẽ: mắc thêm cuộn cảm nt RC, bỏ C0)

Phương pháp thường được dùng là mắc thêm cuộn cảm LC ở colector

- Đối với tần số thấp trở kháng cuộn LC bé nên tải colector tương đương

chỉ có RC Đặc trưng tần số không có gì thay đổi so với tần khuếch đại RC

- Đối với tần số cao, ZLC = L tăng dẫn đến tải colector tăng do đó 

tăng vì vậy ZLC tăng mạnh Điều đó cũng có nghĩa là hệ số khuếch

đại càng lớn Hay nói cách khác ta đã sửa được đặc trưng tần số ở

phía cao, tức là mở rộng dãy tần làm việc ở tần số cao

3/ Sửa ở tần hợp:

-§5: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT KÉO ĐẨY KHÔNG DÙNG BIẾN ÁP RA (OTL)

* Để khuếch đại công suất, các transistor thường hoạt động ở chế độ A, B hay AB Ở chế độ A thì hiệu suất của tần khuếch đại CS < 5V0%, để tăng hiệu suất của mạch ta sử dụng chế độ B hay AB, lúc này mỗi T chỉ làm việc ứng với 1/2 hoặc hơn 1/2 chu kỳ của tín hiệu vào nên tín hiệu ra dùng 1 T sẽ bị méo dạng Để khắc phục

ta dùng 2 T làm việc theo chế độ kéo đấy

* Để đơn giản trong kết cấu mạch ta có thể dùng mạch k đại c suất kéo đẩy không biến áp ra

* Một số sơ đồ loại OTL :

1/ Kiểu cung cấp nguồn song song:

+ Với bán kỳ + của uV: T1 dẫn, T2 tắt  có dòng iC1 đi từ +VCC1

qua T1  Rt  đất chung, dòng này tạo ra 1 bán kỳ tương ứng trên tải Rt

+ Với bán kỳ - của uV: T1 tắt, T2 dẫn  có dòng iC2 đi

từ +VCC2 Rt T2 VCC2, dòng này chạy qua Rt ngược chiều